專利名稱：光電轉(zhuǎn)換器和圖像傳感器ic的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于接收來(lái)自光所輻照的原始目標(biāo)的反射光、并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換器，還涉及一種圖像傳感器IC，其中的光電轉(zhuǎn)換器以線或矩陣形狀排列。本發(fā)明尤其涉及一種該像素結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
圖14示出用于現(xiàn)有圖像傳感器的光電轉(zhuǎn)換器中的光接收元件的平面視圖，并且圖15示出沿圖14的A-A’的剖面視圖(參見(jiàn)JP 2000-311997 A)。
本發(fā)明中，為了保護(hù)圖像質(zhì)量不受到例如電源噪聲等從光電轉(zhuǎn)換器外部輻射的低頻噪聲的影響而下降，作為屏蔽的導(dǎo)體6’形成于光接收元件的輸出布線5上。
然而，在上述光電轉(zhuǎn)換器中，輸出布線5是AL布線。因此，其上的導(dǎo)體需要由第二層的AL構(gòu)成，或者需要額外形成另一導(dǎo)電膜。這樣，由于這種構(gòu)成不能只通過(guò)典型的AL單層工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，這導(dǎo)致造價(jià)昂貴的問(wèn)題。同樣，光電二極管擴(kuò)散區(qū)2小于開(kāi)口部分1。因此，在擴(kuò)散區(qū)2中，開(kāi)口部分1中產(chǎn)生的光載流子不能被充分捕獲，這導(dǎo)致靈敏度效率低的問(wèn)題。因此，如果將擴(kuò)散區(qū)2制得更大，由于擴(kuò)散區(qū)上沒(méi)有任何屏蔽層，因此外部噪聲致使擴(kuò)散區(qū)的電位變化，其導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光電轉(zhuǎn)換器，包括形成在像素區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；形成在第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)，且其中可積累光生載流子；和穿過(guò)所述第二半導(dǎo)體區(qū)上的絕緣體形成的、并被保持在預(yù)定電位的導(dǎo)體。此外，在光電轉(zhuǎn)換器中，導(dǎo)體由多晶硅制成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種光電轉(zhuǎn)換器，包括形成在像素區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；形成在第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)，且其中可積累光生載流子；用于電連接第二半導(dǎo)體區(qū)和配置在所述像素區(qū)外部的電路元件的布線；以及穿過(guò)布線上的絕緣體形成的、并保持在預(yù)定電位的導(dǎo)體。此外，在光電轉(zhuǎn)換器中，布線由多晶硅制成。
根據(jù)光電轉(zhuǎn)換器，由于光接收元件在光電二極管擴(kuò)散區(qū)上的部分被恒定電位的多晶硅屏蔽，因此外部噪聲的影響可被抑制。同樣，由于多晶硅對(duì)可見(jiàn)光具有一定程度的透射率，因此可以減少靈敏度的降低。同樣，光電二極管的輸出布線由多晶硅制成，其上的部分被恒定電位的AL所屏蔽。因此，可以抑制外部噪聲的影響。
由于上述結(jié)構(gòu)可由典型CMOS的AL單層工藝制成，因此可抑制成本。


在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換器的光接收元件的平面視圖；圖2是沿圖1的A-A’線的剖面視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器IC的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的緊密接觸型圖像傳感器的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換器的電路原理圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信號(hào)處理電路和光電轉(zhuǎn)換器的時(shí)序圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換器的整體結(jié)構(gòu)視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信號(hào)處理電路的框圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的采樣保持電路的電路圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的緩沖電路的電路圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放大電路的電路圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的減法器的電路圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的鉗位電路的電路圖；圖14是現(xiàn)有的光電轉(zhuǎn)換器的光接收元件的平面視圖；以及圖15是沿圖14的A-A’線的剖面視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是本發(fā)明中光電轉(zhuǎn)換器的光接收元件的平面視圖，圖2是沿圖1的A-A’線的剖面視圖。
本發(fā)明的光接收元件具有P型半導(dǎo)體襯底區(qū)60，為像素區(qū)51內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；N型半導(dǎo)體區(qū)52，設(shè)置在P型半導(dǎo)體襯底區(qū)60內(nèi)，作為其中積累了光生載流子的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)；和用作導(dǎo)體的多晶硅56，其穿過(guò)在N型半導(dǎo)體區(qū)52上用作絕緣體的LOCOS氧化膜59而形成，并保持在預(yù)定電位。多晶硅56通過(guò)接觸63與AL 55電連接，其作為VSS電位的光屏蔽器件。作為光電二極管擴(kuò)散區(qū)的N型半導(dǎo)體區(qū)52可由N阱構(gòu)成。光電二極管的輸出穿過(guò)構(gòu)成電極的N+區(qū)54、穿過(guò)AL布線53和多晶硅布線62，輸入到電路58以復(fù)位光電二極管，并輸入到源極跟隨器電路57。電路58由NMOS晶體管等組成。電路57由PMOS晶體管等組成。
光電二極管的輸出布線穿過(guò)接觸61從AL連接到多晶硅。VSS電位的AL 55位于多晶硅布線62上。
光接收元件的半導(dǎo)體區(qū)52在積累的情況下處于浮置狀態(tài)。因此，當(dāng)所述區(qū)接收到外部輻射噪聲時(shí)，其電位改變。
然而，如上所述，恒定電位的導(dǎo)電膜56位于光電二極管半導(dǎo)體區(qū)52上。因此，來(lái)自上述光電二極管的輻射噪聲可被屏蔽。根據(jù)圖1，盡管導(dǎo)電膜56沒(méi)有完全地覆蓋在光電二極管擴(kuò)散區(qū)52上，也能充分地獲得對(duì)噪聲的屏蔽效果。
同樣，當(dāng)光電二極管的輸出布線接收外部輻射噪聲時(shí)，其電位也會(huì)改變，這類似于光接收元件的擴(kuò)散區(qū)52。然而，如圖1所示，作為恒定電位的導(dǎo)電膜的AL 55位于光電二極管輸出布線62上。因此，屏蔽來(lái)自上述光電二極管的輻射噪聲是可能的。由于恒定電位的導(dǎo)電膜并不存在于光電二極管輸出端53上，因此接收到輻射噪聲的影響。然而，將輸出端53做得盡可能短可以減小這種影響。
下面將參照?qǐng)D2描述這種制造方法。作為PMOS晶體管襯底的N阱形成于P型襯底上，和此形成同時(shí)地，形成光電二極管的N型半導(dǎo)體區(qū)52。該擴(kuò)散區(qū)可以遠(yuǎn)離N阱形成。接著，形成LOCOS氧化膜59。緊接著，多晶硅導(dǎo)電膜56和多晶硅布線62與晶體管的柵極區(qū)同時(shí)形成。接下來(lái)，光電二極管的電極54與NMOS的源漏區(qū)同時(shí)形成。接著，形成中間絕緣膜64，并形成接觸孔。接著，在形成AL布線的同時(shí)，形成AL 55。然后，形成鈍化膜65。
在上述說(shuō)明中，P型襯底可被N型襯底代替，而且擴(kuò)散區(qū)52和光電二極管電極54可被P型半導(dǎo)體代替。
如上所述，根據(jù)該實(shí)施例，可以不對(duì)典型AL單層CMOS工藝增加任何步驟來(lái)制造。
同樣，導(dǎo)電膜56也可以不是多晶硅，可以是具有透射率的不同導(dǎo)電膜。例如，ITO等類似的導(dǎo)電膜可以形成于鈍化膜65之上或之下。同樣，導(dǎo)電膜56的電位也可以不是VSS，它可以固定在恒定電位。
圖3是該實(shí)施例中的圖像傳感器IC的示意圖。該圖像傳感器IC 41設(shè)置有信號(hào)處理電路42，光電轉(zhuǎn)換器43，參考電壓電路44和信號(hào)輸出端47。光電轉(zhuǎn)換器43的公共信號(hào)線輸入到信號(hào)處理電路42，并且信號(hào)處理電路42的輸出連接到信號(hào)輸出端47。
圖4是設(shè)置有圖3的圖像傳感器IC 41的緊密接觸型圖像傳感器的示意圖。該緊密接觸型圖像傳感器由3個(gè)圖像傳感器IC 41組成。所有圖像傳感器IC 41的信號(hào)輸出端47外部地連接，并從VOUT2端輸出到外部。
圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信號(hào)處理電路42的框圖。輸入到輸入端VIN的信號(hào)被輸入到采樣保持電路21和緩沖放大器23。采樣保持電路21的輸出被輸入到緩沖放大器22。緩沖放大器22的輸出和緩沖放大器23的輸出被輸入到減法器24，而減法器24的輸出被輸入到鉗位電路25。減法器24和鉗位電路25的參考電壓可以是公共的，并連接到VREF端。鉗位電路25的輸出被輸入到緩沖放大器26。順便提一下，緩沖放大器26可以被放大電路代替。并且，該放大電路的參考電壓可以與VREF端是公共的。緩沖放大器26的輸出被輸入到采樣保持電路27。采樣保持電路27的輸出被輸入到緩沖放大器28。緩沖放大器28的輸出被輸入到傳輸門29。傳輸門29的輸出被輸入到輸出端VOUT2。順便提一下，傳輸門29可以不必依賴使用領(lǐng)域。
圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的采樣保持電路的電路圖，它可用于采樣保持電路21和采樣保持電路27。采樣保持電路由傳輸門30，虛設(shè)開(kāi)關(guān)31和電容器C1組成。在該采樣保持電路中，為了消除ΦSH脈沖和與其反向的ΦSHX脈沖的噪聲，傳輸門30的NMOS和PMOS晶體管的尺寸被設(shè)定為相等，并且虛設(shè)開(kāi)關(guān)31的NMOS和PMOS晶體管的柵極面積被設(shè)定為傳輸門的晶體管柵極面積的一半。
圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的緩沖放大器的電路圖，它由運(yùn)算放大器32構(gòu)成。該電路可以用于緩沖放大器22，23，26和28。順便提一下，所述緩沖放大器可以是源極跟隨器放大器。
圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的放大電路的電路圖，它由運(yùn)算放大器32和電阻組成。如果使用該電路代替緩沖放大器26，信號(hào)處理電路的放大系數(shù)可以增大。同樣，該放大電路的參考電壓VREF與圖1中的VREF端可以是公共的。
圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的減法器的電路圖，它由運(yùn)算放大器32和電阻組成。該電路將電壓乘以由電阻間的比例決定的增益倍數(shù)，其中電壓INP減去電壓INM，并以電壓VREF為參考將其輸出。如果輸入到INP和INM的端被顛倒，則輸出可相對(duì)于參考電壓VREF顛倒。
圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的鉗位電路的電路圖，它可用于鉗位電路25。所述鉗位電路由傳輸門30，虛設(shè)開(kāi)關(guān)31和電容器33組成。在鉗位電路中，為了消除ΦCLAMP脈沖和與其反向的ΦCLAMPX脈沖的噪聲，傳輸門30的NMOS和PMOS晶體管的尺寸被設(shè)定為相等，并且虛設(shè)開(kāi)關(guān)31的NMOS和PMOS晶體管的柵極面積被設(shè)定為傳輸門的晶體管柵極面積的一半。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換器43的電路原理圖。如圖5所示的在光電轉(zhuǎn)換模塊的框架之內(nèi)的部件根據(jù)像素的數(shù)目相應(yīng)地安裝，每個(gè)模塊的通道選擇開(kāi)關(guān)107連接到公共信號(hào)線111。注意光電轉(zhuǎn)換模塊An表示第n位的光電轉(zhuǎn)換模塊。圖7示出光電轉(zhuǎn)換器43的整體結(jié)構(gòu)視圖。
該電路設(shè)置有作為光電轉(zhuǎn)換單元的光電二極管101；作為電荷傳送單元114，115，116和117的傳送開(kāi)關(guān)；作為復(fù)位單元的復(fù)位開(kāi)關(guān)102；放大單元103；保持光學(xué)信號(hào)的電容器113；保持作為光電轉(zhuǎn)換單元參考的參考信號(hào)的電容器112；構(gòu)成作為信號(hào)讀出單元的MOS源極跟隨器的MOS晶體管106；作為通道選擇單元的通道選擇開(kāi)關(guān)107；公共信號(hào)線111；和電流源108。
順便提一下，圖1示出的平面圖顯示了圖5中的光電二極管101，復(fù)位開(kāi)關(guān)102，和放大單元103的一部分。圖1中的擴(kuò)散區(qū)52對(duì)應(yīng)于圖5中的光電二極管101，分別地，電路58對(duì)應(yīng)于復(fù)位開(kāi)關(guān)102，以及電路57對(duì)應(yīng)于放大單元103的一部分。
復(fù)位開(kāi)關(guān)102的一端連接到Vreset端，所有光電轉(zhuǎn)換器101的Vreset端是公共的，如圖3所示。放大單元103由MOS源極跟隨器、電壓跟隨器放大器等組成，并且可以安裝放大器使能端110來(lái)選擇工作狀態(tài)。
該光電轉(zhuǎn)換器的輸出端VOUT被輸入到信號(hào)處理電路42的輸入端VIN。光電轉(zhuǎn)換器和信號(hào)處理電路可以形成于半導(dǎo)體襯底上。圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換器43和信號(hào)處理電路42的時(shí)序圖。光電轉(zhuǎn)換器43的工作將參照該時(shí)序圖描述如下。圖6中的符號(hào)ΦR，ΦRIN，ΦSIN和ΦSEL在所有位中同時(shí)工作。符號(hào)ΦSO，ΦRO和ΦSCH以(n)一起表示，因?yàn)樗鼈兊墓ぷ鲿r(shí)序根據(jù)位而不同。
首先，解釋第n位的光電轉(zhuǎn)換模塊的工作過(guò)程。通過(guò)ΦSIN在位置S1的脈沖而開(kāi)啟傳送開(kāi)關(guān)15，進(jìn)入光電二極管1的光產(chǎn)生的電荷積累之后所得到的光學(xué)信號(hào)被讀出到電容器13。接著，當(dāng)復(fù)位開(kāi)關(guān)2通過(guò)ΦR在位置R2的脈沖而被開(kāi)啟時(shí)，光電二極管1的輸出端Vdi固定在參考電壓Vreset。然后，當(dāng)復(fù)位開(kāi)關(guān)2關(guān)斷后，Vdi的電壓是其中關(guān)斷噪聲加到Vreset上的值。
隨后，緊接在復(fù)位開(kāi)關(guān)2被關(guān)斷后，通過(guò)ΦRIN在位置R2的脈沖將傳送開(kāi)關(guān)14開(kāi)啟，光電二極管1復(fù)位以后的參考電壓被讀出到電容器12。之后，光電荷積累到光電二極管1，電位Vdi相應(yīng)于光電荷的數(shù)目而變化。這一積累周期是從ΦR的周期R2的結(jié)束到下一個(gè)循環(huán)的ΦSIN的周期S2的結(jié)束。因此，積累周期成為圖6中的周期TS2，且對(duì)于所有的位，都是相同的周期。如果光電二極管在該周期中來(lái)自外部的輻射噪聲，則光電二極管的電位改變。然而，由于本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，輻射噪聲被屏蔽了，這使輻射噪聲引起的光電二極管的電位變化很小。
讀出參考信號(hào)和光學(xué)信號(hào)的工作過(guò)程描述如下。在圖6中的積累周期TS2中，當(dāng)通道選擇開(kāi)關(guān)7通過(guò)脈沖ΦSCH(n)被開(kāi)啟，且傳送開(kāi)關(guān)17通過(guò)脈沖ΦSO(n)同時(shí)被開(kāi)啟時(shí)，保持在電容器13中的光學(xué)信號(hào)被讀出到公共信號(hào)線11。這一周期是ΦSCH(n)的部分S1。該光學(xué)信號(hào)是在周期TS1中積累的信號(hào)，且通過(guò)ΦR在位置R1的脈沖而復(fù)位的復(fù)位電壓被定義為參考值。
接下來(lái)，當(dāng)傳送開(kāi)關(guān)16通過(guò)ΦRO(n)的脈沖被開(kāi)啟時(shí)，保持在電容器12中的參考信號(hào)被讀出到公共信號(hào)線11。該參考信號(hào)是被ΦR在位置R2的脈沖復(fù)位的信號(hào)。當(dāng)信號(hào)處理電路在后一階段提取光學(xué)信號(hào)和參考信號(hào)之間的差異時(shí)，就可提取到由光產(chǎn)生的電壓差。
接下來(lái)，在ΦSCH(n)被關(guān)斷后，當(dāng)下一位的通道選擇開(kāi)關(guān)7通過(guò)ΦSCH(n+1)被開(kāi)啟，且下一位的傳送開(kāi)關(guān)17通過(guò)ΦSO(n+1)的脈沖被打開(kāi)時(shí)，讀出下一位光學(xué)信號(hào)的工作開(kāi)始。第(n+1)位的其它脈沖從第n位的脈沖均被延遲ΦSCH的導(dǎo)通周期。
如上所述，VOUT端的輸出是按所述順序的第n位光學(xué)信號(hào)、第n位參考信號(hào)、第(n+1)位光學(xué)信號(hào)和第(n+1)位參考信號(hào)。下文中，為了方便起見(jiàn)，將光學(xué)信號(hào)的輸出周期稱為前一周期，參考信號(hào)的輸出周期稱為后一周期。
信號(hào)處理電路42的工作過(guò)程將描述如下。前述OUT端的輸出被輸入到VIN端。采樣保持脈沖ΦSH1在光學(xué)信號(hào)開(kāi)始輸出后被開(kāi)啟，且它在光學(xué)信號(hào)結(jié)束之前被關(guān)斷。因此，光學(xué)信號(hào)被采樣保持。VIN信號(hào)和被采樣保持后的信號(hào)被輸入到減法器。在前一周期中，相同的光學(xué)信號(hào)被輸入到減法器。在后一周期中，采樣保持光學(xué)信號(hào)和參考信號(hào)被輸入到減法器。因此，在前一周期中，減法器的輸出變成VREF電平，而在后一周期中，它變成在光學(xué)信號(hào)和參考信號(hào)之間的差乘以增益倍數(shù)時(shí)的電平加上VREF電平后得到的電平。同樣，在前一周期中，緩沖放大器22和23的偏移量和減法器24在輸出上重疊，而在后一周期中，緩沖放大器22和23的偏移量和減法器24以及采樣保持電路21的偏移量在輸出上重疊。
clank脈沖ΦCLAMP增加，以致于在ΦSH1開(kāi)啟之前被開(kāi)啟，并且在ΦSH1關(guān)斷之前被關(guān)斷。因此，在前一周期中，clanking電路25的輸出被鉗位在VREF電平，且在后一周期中，它變成減法器的后一輸出減去前一輸出的電平加上VREF電平后得到的電平。結(jié)果，在鉗位電路的后一周期中，緩沖放大器22和23的偏移量和減法器24在輸出上不重疊。同樣，采樣保持電路21的偏移量很小，因?yàn)殡娐分笑礢H脈沖和與其反向的ΦSHX脈沖的噪聲被消除。從上述描述看出，鉗位電路在后一周期中的輸出變成以VREF電平作為參考，加上在光學(xué)信號(hào)和參考信號(hào)之間的差異乘以增益倍數(shù)時(shí)的電平后得到的電平。
采樣保持脈沖ΦSH2在參考信號(hào)開(kāi)始被輸出之前和之后被開(kāi)啟，并且它在參考信號(hào)結(jié)束之前被關(guān)斷。因此，在輸出被鉗位后的后一周期中的輸出被采樣，并且在下一位的前一周期中保持。因而，輸出電平可以長(zhǎng)時(shí)間維持。
在上述實(shí)施例中，當(dāng)光電二極管在周期TS2中執(zhí)行積累操作時(shí)，讀出在前一積累周期TS1的周期內(nèi)積累的光學(xué)信號(hào)是可能的。因而，通過(guò)順次接通RGB三色的LED來(lái)讀入顏色圖像數(shù)據(jù)是可能的。例如，在周期TS1中通過(guò)接通紅色的LED來(lái)讀入紅色分量，在周期TS2中通過(guò)接通綠色的LED來(lái)讀入綠色分量，在TS2的下一周期中通過(guò)接通藍(lán)色的LED來(lái)讀入藍(lán)色分量，這些都是可能的。在這種情況下，紅色光學(xué)信號(hào)在周期TS2內(nèi)被讀出。
在如上所述的本發(fā)明的圖像傳感器的說(shuō)明中，信號(hào)處理電路42可以不內(nèi)建在IC中。
雖然上述說(shuō)明主要是針對(duì)線性圖像傳感器IC實(shí)施的，但圖1和3的配置也可以適用于面型圖像傳感器IC。
在上述說(shuō)明中，本發(fā)明不限于上述各實(shí)施例，在不偏離本發(fā)明精神的情況下，可以進(jìn)行各種修改和實(shí)施。
本發(fā)明可用于線性圖像傳感器IC，其可應(yīng)用于圖像讀取裝置，例如傳真和圖像掃描儀，和其中安裝了多個(gè)圖像傳感器IC的緊密接觸型圖像傳感器。同樣，本發(fā)明也可以應(yīng)用于面型圖像傳感器IC。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換器，包括形成于像素區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；形成于第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)，且其中可積累光生載流子；和穿過(guò)所述第二半導(dǎo)體區(qū)上的絕緣體形成的、并保持在預(yù)定電位的導(dǎo)體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器，其中設(shè)置了這樣一種結(jié)構(gòu)，使得電極區(qū)形成在所述第二半導(dǎo)體區(qū)中，通過(guò)接觸連接到所述電極區(qū)的導(dǎo)體布線形成在絕緣體上，并且所述導(dǎo)體和所述導(dǎo)體布線在所述像素區(qū)內(nèi)彼此不重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電轉(zhuǎn)換器，其中所述導(dǎo)體包括多晶硅。
4.一種光電轉(zhuǎn)換器，包括形成于像素區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；形成于所述第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)，且其中可積累光生載流子；用于電連接所述第二半導(dǎo)體區(qū)和配置在所述像素區(qū)外部的電路元件的布線；以及穿過(guò)所述布線上的絕緣體形成的、并保持在預(yù)定電位的導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電轉(zhuǎn)換器，其中至少一部分所述布線包括多晶硅。
6.一種圖像傳感器IC，包括根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光電轉(zhuǎn)換器。
全文摘要
為了減少降低光電轉(zhuǎn)換器圖像質(zhì)量的輻射噪聲的影響，以低成本且不犧牲光接收元件的開(kāi)口部分。一種光電轉(zhuǎn)換器包括形成于像素區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)；形成于所述第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)，且其中可積累光生載流子的；和穿過(guò)所述第二半導(dǎo)體區(qū)上的絕緣體形成的、保持在預(yù)定電位的導(dǎo)體。
文檔編號(hào)H04N5/335GK1595664SQ200410087420
公開(kāi)日2005年3月16日 申請(qǐng)日期2004年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月12日
發(fā)明者町田聰 申請(qǐng)人:精工電子有限公司