專利名稱:一種phs基站數(shù)據(jù)線防雷及emi抑制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置,尤其涉及一種基站內(nèi)置的PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置。
背景技術(shù):
目前個(gè)人無(wú)線通信系統(tǒng)(PHS),由于其微微蜂窩結(jié)構(gòu),決定基站數(shù)量多而且架設(shè)位置高,非常容易遭受雷擊,尤其是基站內(nèi)部的數(shù)據(jù)信號(hào),由于其與外部直接相連,雷擊概率高,使通信基站不能正常工作,嚴(yán)重影響網(wǎng)絡(luò)通信的安全,因此要求對(duì)基站數(shù)據(jù)線進(jìn)行良好的雷擊防護(hù),以保證系統(tǒng)運(yùn)營(yíng)的安全性。
對(duì)PHS基站進(jìn)行防雷保護(hù)主要包括以下幾個(gè)方面的防護(hù)一是基站電源的雷擊浪涌防護(hù);一是基站發(fā)射天線端的雷擊浪涌防護(hù);另一個(gè)就是信號(hào)數(shù)據(jù)線的雷擊防護(hù)。由于PHS基站是在室外而且架設(shè)位置較高,極易造成雷擊,所以對(duì)雷擊浪涌的防護(hù)有很高的要求。另一方面是對(duì)由信號(hào)線傳導(dǎo)的EMI干擾(Electro-Magnetic Interference電磁干擾)的抑制。
對(duì)于基站的雷擊防護(hù),由于要求高,所以都是外加防雷電路來(lái)達(dá)到保護(hù)的目的,如圖1所示。對(duì)PHS基站而言,由于其采取的協(xié)議要求,其發(fā)射功率很小(最大500mW),所以基站體積也不大,而且基站數(shù)量多,如果采用外加防雷保護(hù)裝置,不僅成本很高,而且體積大,安裝不便。另外采用屏蔽雙絞線外加磁環(huán)達(dá)到EMI抑制這種方式成本高,增加了施工工序,而且磁環(huán)的繞線的質(zhì)量不容易保證;另外磁環(huán)會(huì)隨外界環(huán)境溫度的變化導(dǎo)致性能惡化,一般來(lái)說(shuō)隨著溫度的升高,磁環(huán)的抑制性能變差。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種內(nèi)置的PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案為包括防雷電路、EMI抑制電路,所述防雷電路、EMI抑制電路連接于數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端和輸出端之間。
所述防雷電路包括熱敏電阻RT1、RT2和瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2和FV3;所述瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2串聯(lián)后與瞬變電壓抑制二極管FV3并聯(lián),然后分別通過(guò)所述熱敏電阻RT1、RT2連接到兩根數(shù)據(jù)信號(hào)線的輸入端;所述瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2中間與防雷保護(hù)地相連。
所述EMI抑制電路包括共模電感T1和EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2;所述共模電感T1的兩個(gè)引腳分別與瞬變電壓抑制二極管FV3的兩端連接,另外兩個(gè)引腳分別和EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2的一端相連,EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2的另一端為數(shù)據(jù)信號(hào)輸出端。
所述防雷電路還包括三端氣體放電管VT1,三端氣體放電管VT1并聯(lián)在數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端上,VT1的中間引腳和防雷保護(hù)地相連。
本實(shí)用新型將PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置內(nèi)置于基站內(nèi),這樣既保證時(shí)分系統(tǒng)數(shù)據(jù)處理的安全,又滿足了EMC指標(biāo)的要求,且不增加基站的體積。PHS基站的數(shù)據(jù)線的EMC可通過(guò)輻射發(fā)射B級(jí)標(biāo)準(zhǔn),能通過(guò)最高20KV、10/1000uS,1KA的浪涌試驗(yàn),遠(yuǎn)高于ITU-T和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),從而有效的保護(hù)基站數(shù)據(jù)線以及基站的安全。如果外加防雷及保護(hù)、EMI抑制電路,這樣既增加了系統(tǒng)的體積復(fù)雜程度又提高了成本,本實(shí)用新型解決了這一問(wèn)題,將保護(hù)及EMI抑制電路內(nèi)置,既滿足防護(hù)級(jí)別高的要求,又簡(jiǎn)化了系統(tǒng)復(fù)雜程度,節(jié)約了成本。
圖1基站外置防雷示意圖;圖2基站內(nèi)置防雷示意圖;圖3本實(shí)用新型內(nèi)置PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置的原理圖;圖4本實(shí)用新型內(nèi)置PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置的電路圖。
具體實(shí)施方式
圖2是基站內(nèi)置防雷的示意圖,本實(shí)用新型的具體的原理如圖3所示,局端設(shè)備提供的數(shù)據(jù)信號(hào)引入一級(jí)防雷電路,對(duì)浪涌電壓進(jìn)行防護(hù),然后殘壓經(jīng)過(guò)二級(jí)防雷電路進(jìn)行抑制,最后通過(guò)EMI抑制電路輸出到基站其它的處理裝置。
本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
的電路圖如圖4所示。防雷電路包括熱敏電阻RT1、RT2和瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2和FV3及三端氣體放電管VT1,瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2的一端連接后與防雷保護(hù)大面積地相連,另一端與FV3并聯(lián)后再分別串接熱敏電阻RT1、RT2的一端,然后與數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端IN1、IN2相接,三端氣體放電管VT1并聯(lián)在數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端上,兩個(gè)引腳分別與熱敏電阻RT1、RT2的一端相接,VT1的中間引腳和防雷保護(hù)大面積地相連。EMI抑制電路包括共模電感T1和EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2,共模電感T1的兩個(gè)引腳分別與熱敏電阻RT1、RT2的一端相連,另外兩個(gè)引腳分別和EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2的一端相連,EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2的另一端為數(shù)據(jù)信號(hào)輸出端OUT1、OUT2。
當(dāng)沿?cái)?shù)據(jù)線傳來(lái)的浪涌(瞬變)電壓到來(lái)時(shí),隨著浪涌電壓的上升,由熱敏電阻及瞬變電壓抑制二極管組成的這條通路,首先導(dǎo)通,使電壓降低。如果這個(gè)電壓不足夠高,這一級(jí)電路就可起到防護(hù)作用。當(dāng)浪涌電壓足夠高時(shí),伴隨著瞬變電壓抑制二極管及熱敏電阻電流的加大,RT1及RT2溫度急劇上升,阻值也迅速增大使流經(jīng)的電流減小,同時(shí)加在氣體放電管VT1上的電壓迅速上升至其放電電壓,放電管放電,浪涌電壓降低得到抑制。抑制后的殘壓信號(hào)通過(guò)熱敏電阻RT1、RT2和瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2和FV3進(jìn)行第二級(jí)抑制,使其電壓抑制到較低的安全水平,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)線及基帶電路的保護(hù)。
氣體放電管的導(dǎo)通電壓較高,但響應(yīng)慢,放電后殘壓較高。熱敏電阻隨著溫度的上升,阻值會(huì)急劇變大,相反隨溫度降低阻值會(huì)變小,瞬變電壓抑制二極管耐壓低但響應(yīng)快。本實(shí)用新型充分利用這三種器件的特點(diǎn)相互作用,實(shí)現(xiàn)對(duì)浪涌電壓的多級(jí)防護(hù)。
共模電感對(duì)共模信號(hào)有很強(qiáng)的抑制作用,L1、L2磁珠是一種用鐵氧體制成的元件,是一種吸收損耗型元件。鐵氧體由于其自身特點(diǎn),對(duì)直流或低頻信號(hào)幾乎沒(méi)有功率損耗,而對(duì)于1MHz以上的高頻噪聲則有很強(qiáng)的吸收作用,并將這些能量以熱的形式釋放,而不反射回信號(hào)源,也不是輻射出去,從而達(dá)到抑制高頻干擾信號(hào)沿導(dǎo)線傳輸?shù)哪康摹K账诰€路上高頻干擾信號(hào),但卻不會(huì)在系統(tǒng)中引起新的零極點(diǎn),不會(huì)破壞系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
對(duì)于從數(shù)據(jù)線耦合而來(lái)的電磁噪聲干擾,經(jīng)過(guò)共模電感T1和磁珠L(zhǎng)1、L2對(duì)其進(jìn)行抑制,同時(shí)實(shí)現(xiàn)反向抑制,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)線的EMI抑制。
權(quán)利要求1.一種PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置,其特征在于包括防雷電路、EMI抑制電路,所述防雷電路、EMI抑制電路連接于數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端和輸出端之間。
2.如權(quán)利要求1所述的PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置,其特征在于所述防雷電路包括熱敏電阻RT1、RT2和瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2和FV3;所述瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2串聯(lián)后與瞬變電壓抑制二極管FV3并聯(lián),然后分別通過(guò)所述熱敏電阻RT1、RT2連接到兩根數(shù)據(jù)信號(hào)線的輸入端;所述瞬變電壓抑制二極管FV1、FV2中間與防雷保護(hù)地相連。
3.如權(quán)利要求2所述的PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置,其特征在于所述EMI抑制電路包括共模電感T1和EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2;所述共模電感T1的兩個(gè)引腳分別與瞬變電壓抑制二極管FV3的兩端連接,另外兩個(gè)引腳分別和EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2的一端相連,EMI抑制瓷珠L(zhǎng)1、L2的另一端為數(shù)據(jù)信號(hào)輸出端。
4.如權(quán)利要求2或3所述的PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置,其特征在于所述防雷電路還包括三端氣體放電管VT1,三端氣體放電管VT1并聯(lián)在數(shù)據(jù)信號(hào)輸入端上,VT1的中間引腳和防雷保護(hù)地相連。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置,包括防雷電路、EMI抑制電路。本實(shí)用新型將PHS基站數(shù)據(jù)線防雷及EMI抑制裝置內(nèi)置于基站內(nèi),既保證了時(shí)分系統(tǒng)數(shù)據(jù)處理的安全,又滿足了EMC指標(biāo)的要求,且不增加基站的體積。PHS基站的數(shù)據(jù)線的EMC可通過(guò)輻射發(fā)射B級(jí)標(biāo)準(zhǔn),能通過(guò)最高20KV、10/1000uS,1KA的浪涌試驗(yàn),遠(yuǎn)高于ITU-T和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),從而有效的保護(hù)基站數(shù)據(jù)線以及基站的安全。
文檔編號(hào)H04B7/00GK2722486SQ20042007912
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2004年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月26日
發(fā)明者何喜文, 別國(guó)林, 葛虎 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司