專利名稱：非可逆電路元件及其調整方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種使用于便攜電話機等移動體通信機的發(fā)送部中的絕緣體以及循環(huán)器所構成的非可逆電路元件及其調整方法。
背景技術：
圖10為說明以前的非可逆電路元件的分解立體圖，接下來，對照圖10對以前的非可逆電路元件的構成進行說明，箱狀的磁板所構成的第1磁軛51，具有上板51a與4個側板51b，該第1磁軛51內，存放有合成樹脂的成型品所制成的端子塊52，以及位于設置在該端子塊52的中央部的孔52a內的磁體53。
磁性材料所制成的U形第2磁軛54，具有底板54a與一對側板54b，該第2磁軛54的側板54b與第1磁軛51的側板51b相結合，由第1、第2磁軛51、54構成磁閉合回路。
2片基板與導電圖形所構成的電極基板55中，設有第1、第2、第3中心導體56、57、58，同時，該電極基板55上設有兩個芯片電阻器R1、R2，電極基板55設置在端子塊52的下面。
印刷基板59的中央部具有孔59a，同時，其表面設有3個地電極60，該印刷基板59處于與電極基板56相向設置的狀態(tài)下，安裝在第2磁軛54的底板54a上。
平板狀的鐵氧體部件61，在存放在印刷基板59的孔59a內的狀態(tài)下，設置在基板54a上，另外，單板式電容C1、C2、C3，設置在電極基板55與印刷基板59之間，單板式電容C1、C2、C3的一側電極(圖中未顯示)與第1、第2、第3中心導體56、57、58的端口部相連接，另外，另一側電極(圖中未顯示)與地電極60相連接，形成由絕緣體所構成的以前的非可逆電路元件。
之后，具有上述構成的以前的非可逆電路元件，如果通過將單板式電容C1、C2、C3的電極進行修剪(削切)，通過匹配電容來調整共振頻率的話，由于一旦稍稍修剪電極，頻率就會發(fā)生大幅度變化，因此不能夠對頻率進行微調。
另外，以前的非可逆電路元件的調整方法，也即非可逆電路元件的頻率的調整方法，是通過預先修剪單板式電容C1、C2、C3的電極之后，再將非可逆電路元件組裝起來而進行的。
像這樣，如果預先修剪單板式電容C1、C2、C3的電極之后，再組裝成非可逆電路元件，由于第1、第2、第3中心導體56、57、58的長度，與交叉狀態(tài)的偏差，以及第1、第2、第3中心導體56、57、58與鐵氧體部件61之間的相向狀態(tài)的偏差等原因，從而產生各個產品的頻率偏差。
以前的非可逆電路元件，通過修剪單板式電容C1、C2、C3的電極，來通過匹配電容調整共振頻率，這樣一來，稍稍修剪電極，頻率就會發(fā)生大幅度變化，因此不能夠對頻率進行微調。
以前的非可逆電路元件的調整方法，是預先修剪單板式電容C1、C2、C3的電極之后，再組裝成非可逆電路元件，因此，由于第1、第2、第3中心導體56、57、58的長度，與交叉狀態(tài)的偏差，以及第1、第2、第3中心導體56、57、58與鐵氧體部件61之間的相向狀態(tài)的偏差等原因，從而存在各個產品的頻率偏差這一問題。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠進行細微的頻率調整，同時，能夠高精度地調整各個產品的頻率的非可逆電路元件，以及其調整方法。
用來解決上述問題的第1解決機構的構成中包括具有上板的第1磁軛；以及設置在上述上板的下面的磁體；以及具有平板狀的底板，和上述第1磁軛構成磁閉合回路的第2磁軛；以及設置在上述底板與上述磁體之間的平板狀鐵氧體部件；以及經電介質按照在上下方向上一部分相交叉的方式設置在上述鐵氧體部件上的第1、第2、第3中心導體；以及與該中心導體相連接的電容。上述中心導體中，設有頻率調整用切入部及/或切削部。
另外，第2解決機構的構成中，頻率調整用上述切入部及/或上述切削部，設置在上述中心導體的不與上述鐵氧體部件的上表面相面對處。
另外，第3解決機構的構成中，頻率調整用上述切入部及/或上述切削部，設置在上述中心導體與上述鐵氧體部件的上表面相面對處。
另外，第4解決機構的構成中，上述切入部及/或上述切削部，設置在上述中心導體所延伸的方向上。
另外，第5解決機構的構成中，上述中心導體中，設有在與上述中心導體所延伸的方向呈直角的方向上延伸的調整用突出部，上述突出部及/或上述突出部所位于的上述中心導體中，設有頻率調整用上述切入部及/或上述切削部。
另外，第6解決機構的構成中，上述切入部及/或上述切削部，設置上述中心導體中，上述中心導體位于上述中心導體相交叉處與連接上述電容處之間。
另外，第7解決機構的構成中，上述第1、第2、第3中心導體，具有與其分別相連接的接地板部，上述第1、第2、第3中心導體與上述接地板部通過1張金屬薄板形成，同時，上述接地板部位于上述鐵氧體部件的下面，與上述第2磁軛的上述底板相接觸，上述第1、第2、第3中心導體被彎曲，位于上述鐵氧體部件上。
另外，第8解決機構是一種調整方法，包括具有底板的第2磁軛，與設置在上述底板上的平板狀鐵氧體部件；以及按照在上下方向上一部分的方式在上述鐵氧體部件上設置的第1、第2、第3中心導體；以及與該中心導體相連接，且被上述第2磁軛所支持的電容所構成的半成品部件，以及給予上述中心導體磁偏置的偽磁體；在通過上述偽磁體對上述中心導體作用上述磁偏置的狀態(tài)下，上述中心導體中，通過調整裝置設置用于頻率調整的切入部及/或切削部。
另外，第9解決機構是一種調整方法，具有與上述半成品部件相連接的測量裝置，根據上述測量裝置所測定的電氣數據，通過上述調整裝置設置頻率調整用的上述切入部及/或上述切削部。
另外，第10解決機構是一種調整方法，一邊監(jiān)視通過上述測量裝置所測定的電氣數據，一邊通過上述調整裝置設置上述切入部及/或上述切削部。
發(fā)明效果本發(fā)明的非可逆電路元件，包括具有上板的第1磁軛；以及設置在上板的下面的磁體；以及具有平板狀的底板，與第1磁軛構成磁閉合回路的第2磁軛；以及設置在底板與磁體之間的平板狀鐵氧體部件；以及經電介質設置在鐵氧體部件上，且一部分在上下方向上相交叉的第1、第2、第3中心導體；以及與該中心導體相連接的電容；上述中心導體中，設有頻率調整用切入部，及/或切削部。
這樣，如果將頻率調整用切入部，及/或切削部設置在中心導體中，與以前相比能夠進行細微的頻率調整，從而能夠得到一種高精度的非可逆電路元件。
另外，由于頻率調整用切入部，及/或切削部，設置在中心導體的不與鐵氧體部件的上表面相面對處，因此，能夠只調整共振頻率另外，由于頻率調整用切入部，及/或切削部，設置在中心導體的與鐵氧體部件的上表面相面對處，因此，除了共振頻率之外，還能夠同時調整插入損耗以及反射損耗等。
另外，由于切入部，及/或切削部，設置在中心導體所延伸的方向上，因此，除了共振頻率之外，還能夠同時調整插入損耗以及反射損耗等。
另外，中心導體中，設有在垂直于中心導體的延伸的方向的方向上延伸的調整用突出部，突出部，及/或突出部所位于的中心導體中，設有頻率調整用切入部，及/或切削部，因此，能夠簡單地進行共振頻率的調整。
另外，由于切入部，及/或切削部，設置在位于中心導體相交叉處與連接電容處之間的中心導體中，因此，除了共振頻率之外，還能夠有效地調整插入損耗以及反射損耗等。
另外，由于第1、第2、第3中心導體，具有與其分別相連接的接地板部，第1、第2、第3中心導體與接地板部通過1張金屬薄板形成，同時，接地板部位于鐵氧體部件的下面，與第2磁軛的底板相接觸，第1、第2、第3中心導體被彎曲，位于鐵氧體部件上，因此，切入部，及/或切削部能夠形成在金屬薄板中，從而能夠進行高精度的加工。
另外，由于包括具有底板的第2磁軛，與設置在底板上的平板狀鐵氧體部件；以及經電介質設置在鐵氧體部件上，且一部分在上下方向上相交叉的第1、第2、第3中心導體；以及與該中心導體相連接，且被第2磁軛所支持的電容所構成的半成品部件，以及給予中心導體磁偏置的偽磁體；在通過偽磁體對中心導體作用磁偏置的狀態(tài)下，中心導體中，通過調整裝置設置用于頻率調整的切入部，及/或切削部，因此，即使存在第1、第2、第3中心導體的長度以及交叉狀態(tài)的偏差，或第1、第2、第3中心導體與鐵氧體部件之間的相面對狀態(tài)的偏差等，也能夠進行對應于各個半成品部件的調整，從而能夠進行高精度的頻率調整。
另外，由于具有與半成品部件相連接的測量裝置，根據測量裝置所測定的電氣數據，通過調整裝置設置頻率調整用的切入部，及/或切削部，因此能夠進行對應于各個半成品部件的調整，從而能夠進行更加高精度的頻率調整。
另外，由于一邊監(jiān)視通過測量裝置所測定的電氣數據，一邊通過調整裝置設置切入部，及/或切削部，因此，能夠容易且可靠地進行調整。


圖1為與本發(fā)明的非可逆電路元件的第1實施例的相關俯視圖。
圖2為圖1的2-2線中的剖視圖。
圖3為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第1實施例的相關中心導體與電容的狀態(tài)的要部剖視圖。
圖4為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第1實施例的相關中心第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖。
圖5為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第1實施例的相關第2磁軛的俯視圖。
圖6中顯示了本發(fā)明的非可逆電路元件的調整方法，為第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖。
圖7為用來說明本發(fā)明的非可逆電路元件的調整方法的說明圖。
圖8為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第2實施例的相關中心第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖。
圖9為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第3實施例的相關中心第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖。
圖10為以前的不可逆元件的分解立體圖。
圖中1-第1磁軛，1a-上板，1b-側板，2-磁體，3-第2磁軛，3a-底板，3b-側板，4-樹脂外殼，4a、4b-貫通孔，5-鐵氧體部件，6-第1中心導體，6a-端口部，6b-接地部，6c-突出部，7-第2中心導體，7a-端口部，7b-接地部，7c-突出部，8-第3中心導體，8a-端口部，8b-接地部，9-接地板部，10-電介質，C1-第1電容，C2-第2電容，C3-第3電容，11-絕緣體，12a-第1電極，12b-第2電極，R-電阻器，13a-第1電極，13b-第2電極，13c-電阻體，14-切割部，H-半成品部件，15-測量裝置，16-調整裝置，17-偽磁體，18-削去部。
具體實施例方式
首先對本發(fā)明的非可逆電路元件及其調整方法的附圖進行說明，圖1為本發(fā)明的非可逆電路元件的實施例1的相關俯視圖，圖2為圖1的2-2線中的剖視圖，圖3為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第1實施例的相關中心導體與電容的狀態(tài)的要部剖視圖，圖4為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第1實施例的相關的、第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖，圖5為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第1實施例的相關第2磁軛的俯視圖。
圖6中顯示了本發(fā)明的非可逆電路元件的調整方法，為第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖，圖7為用來說明本發(fā)明的非可逆電路元件的調整方法的說明圖，圖8為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第2實施例的相關中心第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖，圖9為說明本發(fā)明的非可逆電路元件的第3實施例的相關中心第1磁軛與磁體被取下之后的狀態(tài)的俯視圖。
接下來，對照圖1～圖5對本發(fā)明的不可逆元件的第1實施例的相關構成進行說明，由磁性板(鐵板等)所制成的U形或箱形的第1磁軛1，具有四邊形的上板1a，以及從該上板1a的邊處向下彎折的側板1b，通過適當的機構，將磁體2安裝在該第1磁軛1的上板1a的下面。
磁性板(鐵板等)所制成的U形或箱形的第2磁軛3，具有四邊形平板狀的底板3a，以及從該底板3a的邊處向上彎折的側板3b，通過合成樹脂的成形加工，在該第2磁軛3中一體設置有樹脂外殼4，該樹脂外殼4如圖5所示，具有在露出底板3a的狀態(tài)下而設置在中央部的貫通孔4a，以及在露出底板3a的狀態(tài)下設置在貫通孔4a的四周的多個貫通孔4b。
YIG(Yttrium iron garnet)等所制成的多邊形等的平板狀鐵氧體部件5，被位于樹脂外殼4的中央部的貫通孔4a定位并安裝。
銅等金屬薄板所形成的第1、第2、第3中心導體6、7、8，具有端口部6a、7a、8a，以及接地部6b、7b、8b，該第1、第2、第3中心導體6、7、8各自的接地部6b、7b、8b的一端，與金屬薄板所制成的接地板部9相連接，第1、第2、第3中心導體6、7、8與金屬薄板所制成的接地板部9為一體。
即第1、第2、第3中心導體6、7、8與接地板部9通過1張金屬薄板形成。
而且，第1、第2、第3中心導體6、7、8與接地板部9在鐵氧體部件5中的安裝，首先，在鐵氧體部件5的下面設置接地板部9的狀態(tài)下，將第1、第2、第3中心導體6、7、8沿著鐵氧體部件5的側面彎折之后，進一步又將第1、第2、第3中心導體6、7、8向著鐵氧體部件5的上面?zhèn)葟澱郏@樣，如圖4所示，鐵氧體部件5的中央部中第1、第2、第3中心導體6、7、8的一部分變?yōu)橄嘟徊娴臓顟B(tài)，同時，變?yōu)槎丝诓?a、7a、8a側從鐵氧體部件5的上面向外突出的狀態(tài)。
另外，第1、第2、第3中心導體6、7、8的交叉處，為了實現互相絕緣，而設有電介質10，在這樣的狀態(tài)下將組合而成的第1、第2、第3中心導體6、7、8與鐵氧體部件5插入到樹脂外殼4的貫通孔4a中之后，接地板部9與底板3a相接觸，第1、第2、第3中心導體6、7、8的接地部6b、7b、8b也接地，同時，端口部6a、7a、8a側在樹脂外殼4的上面?zhèn)妊由臁?br> 芯片式或單板式等構成的第1、第2、第3電容C1、C2、C3，具有平板狀的絕緣體11，以及相向夾持該絕緣體11而設置的第1、第2電極12a、12b，將該第1、第2、第3電容C1、C2、C3，分別插入到樹脂外殼4的貫通孔4b內，定位并安裝。
接下來，將作為第1、第2、第3電容C1、C2、C3的下部電極的第2電極12b，焊接安裝在底板3b上并接地，同時，將作為上部電極的第1電極12a，通過焊錫與第1、第2、第3中心導體6、7、8各自的端口部6a、7a、8a相連接。
電阻器R，具有第1、第2電極13a、13b，以及設置在該第1、第2電極13a、13b之間的電阻體13c，將該電阻器R插入到樹脂外殼4的1個貫通孔4b內并定位，在第1電極13a與底板3a絕緣的狀態(tài)下，焊接在第3中心導體8的端口部8a中，同時，第2電極部13b與底板3a相連接并接地。
接下來，將鐵氧體部件5設置在磁體2與底板3a之間，另外，將第1、第2、第3中心導體6、7、8設置在磁體2與鐵氧體部件5之間，同時，在該第1、第2、第3中心導體6、7、8中，如圖4所示，設有頻率調整用切入部14。
該頻率調整用切入部14，通過后述的激光器等調整裝置進行，圖4中所示的頻率調整用切入部14，設置在交叉處與電容C1、C2、C3相連接處之間的端口部6a、7a、8a的旁邊，并且在第1、第2、第3中心導體6、7、8中不與鐵氧體部件5的上表面相面對處。
這樣，第1、第2中心導體6、7中，在中心導體的延伸方向設有通過孔所構成的切入部14，另外，第3中心導體8中，在垂直于中心導體的延伸方向的方向中，設有通過孔所構成的切入部14。
通過該構成，形成本發(fā)明的絕緣體所構成的非可逆電路元件。
另外，該實施例中，對頻率調整用切入部14不設置在位于鐵氧體部件5的上表面處的情況進行了說明，但頻率調整用切入部14也可以設置在位于鐵氧體部件5的上表面處，另外，以上對設置有頻率調整用切入部14的情況進行了說明，但也可以是設置有將中心導體的側板等一部分削去的切削部，另外，也可以并用切入部14與切削部。
另外，上述實施例中，對使用絕緣體的情況進行了說明，但也可以是沒有電阻器R的循環(huán)器所構成的非可逆電路元件。
接下來，對照圖6、圖7，對本發(fā)明的非可逆電路元件的調整方法，也即非可逆電路元件的頻率的調整方法進行說明，首先，如圖6所示，將第1、第2、第3電容C1、C2、C3與電阻器R，組裝到第2磁軛3中，同時，組裝在該第2磁軛3中的鐵氧體部件5上的第1、第2、第3中心導體6、7、8，準備將第1、第2、第3電容C1、C2、C3與電阻器R連接起來的半導體元件H。
接下來，如圖7所示，該半導體部件H在被支持在工卡模具上的狀態(tài)下，與測量裝置15相連接，同時，在上部配置由激光器裝置等所形成的頻率調整用調整裝置16，并且設置作為磁體的代替品的偽磁體(偽磁體)17。
接下來，通過偽磁體(偽磁體)17對第1、第2、第3中心導體6、7、8作用了磁偏置的狀態(tài)下，通過測量裝置15來進行頻率等電氣特性的測定，一邊監(jiān)視該電氣特性數據，一邊通過調整裝置16，在第1、第2、第3中心導體6、7、8中設置切入部14，及/或切削部，進行共振頻率等的調整之后，結束該調整。
該調整結束之后，在半成品部件H中，組裝安裝有磁體2的第1磁軛1之后，就制造出了本發(fā)明的非可逆電路元件。
另外，圖8中顯示了本發(fā)明的非可逆電路元件的第2實施例，對該第2實施例的構成進行說明，第1、第2中心導體6、7中，在垂直于中心導體的延長方向的方向上，設置有相向延伸調整用突出部6c、7c。
之后，通過設置將該突出部6c、7c的前端部切削了的切削部18，通過降低突出部6c、7c的高度，進行頻率的調整，或者通過在該突出部6c、7c所位于的中心導體中，設置箭頭A方向的切入部14，進行頻率的調整。
另外，也可以并用降低突出部6c、7c的高度的切削部18，與箭頭A方向的切入部14。
其他構成與上述第1實施例相同，因此給同一個部件標注相同的符號，這里省略其說明。
另外，圖9中顯示了本發(fā)明的非可逆電路元件的第3實施例，對該第3實施例的構成進行說明，第1、第2中心導體6、7中，在垂直于中心導體的延長方向的方向上，設置有在相反的方向上延伸的調整用突出部6c、7c。
之后，通過設置將該突出部6c、7c的前端部切削了的切削部18，通過降低突出部6c、7c的高度，進行頻率的調整，或者通過在該突出部6c、7c所位于的中心導體中，設置箭頭A方向的切入部14，進行頻率的調整。
另外，也可以并用降低突出部6c、7c的高度的切削部18，與箭頭A方向的切入部14。
其他構成與上述第1實施例相同，因此給同一個部件標注相同的符號，這里省略其說明。
權利要求
1.一種非可逆電路元件，其特征在于，包括具有上板的第1磁軛；以及設置在上述上板的下面的磁體；以及具有平板狀的底板，與上述第1磁軛構成磁閉合回路的第2磁軛；以及設置在上述底板與上述磁體之間的平板狀鐵氧體部件；以及按照經電介質一部分在上下方向上相交叉的方式設置在上述鐵氧體部件上的第1、第2、第3中心導體；以及與該中心導體相連接的電容，上述中心導體中，設有頻率調整用切入部及/或切削部。
2.如權利要求1所述的非可逆電路元件，其特征在于頻率調整用上述切入部及/或上述切削部，設置在上述中心導體的不與上述鐵氧體部件的上表面相面對處。
3.如權利要求1所述的非可逆電路元件，其特征在于頻率調整用上述切入部及/或上述切削部，設置在上述中心導體與上述鐵氧體部件的上表面相面對處。
4.如權利要求1至3中任一個所述的非可逆電路元件，其特征在于上述切入部及/或上述切削部，設置在上述中心導體所延伸的方向上。
5.如權利要求1至3中任一個所述的非可逆電路元件，其特征在于上述中心導體中，設有在與上述中心導體所延伸的方向呈直角的方向上延伸的調整用突出部，上述突出部及/或上述突出部所位于的上述中心導體中，設有頻率調整用上述切入部及/或上述切削部。
6.如權利要求1所述的非可逆電路元件，其特征在于上述切入部及/或上述切削部，設置在位于上述中心導體相交叉處與連接上述電容處之間的上述中心導體中。
7.如權利要求1所述的非可逆電路元件，其特征在于上述第1、第2、第3中心導體，具有與其分別相連接的接地板部，上述第1、第2、第3中心導體與上述接地板部通過1張金屬薄板形成，并且上述接地板部位于上述鐵氧體部件的下面，與上述第2磁軛的上述底板相接觸，上述第1、第2、第3中心導體被彎曲，位于上述鐵氧體部件上。
8.一種非可逆電路元件的調整方法，其特征在于，包括具有底板的第2磁軛，與設置在上述底板上的平板狀鐵氧體部件；以及按照經電介質一部分在上下方向上相交叉的方式設置在上述鐵氧體部件上的第1、第2、第3中心導體；以及與該中心導體相連接，且被上述第2磁軛所支持的電容所構成的半成品部件，以及給予上述中心導體磁偏置的偽磁體，在通過上述偽磁體對上述中心導體作用上述磁偏置的狀態(tài)下，上述中心導體中，通過調整裝置設置用于頻率調整的切入部及/或切削部。
9.如權利要求8所述的非可逆電路元件的調整方法，其特征在于具有與上述半成品部件相連接的測量裝置，根據上述測量裝置所測定的電氣數據，通過上述調整裝置設置頻率調整用的上述切入部及/或上述切削部。
10.如權利要求9所述的非可逆電路元件的調整方法，其特征在于一邊監(jiān)視通過上述測量裝置所測定的電氣數據，一邊通過上述調整裝置設置上述切入部及/或上述切削部。
全文摘要
本發(fā)明的非可逆電路元件，設置有第1磁軛(1)，以及設置在上板(1a)的下面的磁體(2)，以及具有底板(3a)，與第1磁軛(1)構成磁閉合回路的第2磁軛(3)，以及設置在底板(3a)與磁體(2)之間的鐵氧體部件(5)，以及按照經電介質(10)一部分在上下方向上相交叉方式設置在鐵氧體部件(5)上的第1、第2、第3中心導體(6、7、8)，以及與該中心導體相連接的電容(C1、C2、C3)，中心導體(6、7、8)中，設有頻率調整用切入部(14)，及/或切削部(18)，因此，能夠得到一種與以前相比能夠進行細微的頻率調整的高精度的非可逆電路元件。
文檔編號H04B1/38GK1722512SQ20051008252
公開日2006年1月18日 申請日期2005年7月7日 優(yōu)先權日2004年7月12日
發(fā)明者須藤義人, 清水祐一, 柴山貴光 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社