專利名稱：一種實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)字傳輸領(lǐng)域，具體地說，涉及一種SDH(Synchronousdigital hierarchy，同步數(shù)字體系)系統(tǒng)中的虛級聯(lián)恢復(fù)方法。
背景技術(shù)：
在SDH系統(tǒng)中，為了靈活組網(wǎng)以及提高帶寬利用效率，常常以虛級聯(lián)的方式傳遞數(shù)據(jù)。虛級聯(lián)技術(shù)的原理是允許任意多個小的容器級聯(lián)起來并組裝成為一個比較大的容器來傳輸數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)。這種技術(shù)可以級聯(lián)VC-n(n＝11，12，2，3，4)等不同速率的容器，允許非常小顆粒的帶寬調(diào)節(jié)、提供比相鄰級聯(lián)更精確的帶寬。
由于構(gòu)成虛級聯(lián)組VCG(Virtual Concatenation Group)的成員所走的路徑不同，造成不同成員有不同的延時；另外，由于添加刪除的先后順序?qū)е掳l(fā)送側(cè)發(fā)送的端口數(shù)據(jù)不一定按照時隙編號的順序發(fā)送，但傳輸過程的數(shù)據(jù)是按照時隙順序排列的，為了得到正確的數(shù)據(jù)，下游的接收芯片必須將接收到的成員按照原有的規(guī)律對齊，并重排順序，這個過程即為“虛級聯(lián)恢復(fù)”；其中對齊數(shù)據(jù)的過程被稱為“延時補(bǔ)償”，重排數(shù)據(jù)的過程被稱為“順序重排”。
LCAS(Link Capacity Adjustment Scheme)是ITU-TG.7042行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中提出的一種基于虛級聯(lián)的可以動態(tài)改變傳送網(wǎng)中VCG帶寬的協(xié)議。它允許無損傷地調(diào)整傳輸網(wǎng)中虛級聯(lián)信號的鏈路容量，LCAS能夠?qū)崿F(xiàn)在現(xiàn)有帶寬的基礎(chǔ)上動態(tài)地增減帶寬容量，滿足虛級聯(lián)業(yè)務(wù)的變化要求。
對于高階(VC-m，m＝2，3)虛級聯(lián)和低階(VC-k，k＝11，12，2)虛級聯(lián)，LCAS分別利用了VC-m通道開銷的H4字節(jié)和VC-n通道開銷的K4字節(jié)傳送控制幀。控制幀中包括源到宿和宿到源兩個方向的用于特定功能的信息，通過控制幀LCAS可以實(shí)現(xiàn)源和宿VCG帶寬的變化同步。
LCAS協(xié)議規(guī)定了動態(tài)增加VCG成員、動態(tài)減少VCG成員和成員失效后的VCG動態(tài)調(diào)整等3種操作。通過網(wǎng)管增加或者刪除虛級聯(lián)組中成員時，要求系統(tǒng)不丟失數(shù)據(jù)，即平滑增減；對于因?yàn)椤皵嗬w”或者“告警”等原因?qū)е鲁蓡T無效后，自動刪除虛級聯(lián)組成員(也稱為“臨時刪除”)時，在少量丟失數(shù)據(jù)后能夠恢復(fù)正常；失效成員恢復(fù)正常后，系統(tǒng)自動恢復(fù)該成員為有效，要求這個過程不能丟失數(shù)據(jù)。
實(shí)現(xiàn)虛級聯(lián)恢復(fù)的一般方法是將存在時延的數(shù)據(jù)緩存于內(nèi)部或外部RAM(Random Access Memory隨機(jī)存取存儲器)中，再按照對齊的規(guī)律將數(shù)據(jù)讀出。
在實(shí)際操作中，可能出現(xiàn)如下情況VCG的某個或多個成員發(fā)生了故障，被臨時刪除，而此時系統(tǒng)又需要進(jìn)行其他的LCAS規(guī)定的操作，例如增加刪除成員。在這個時候，發(fā)送側(cè)VCG的部分成員的順序SQ將會改變，但由于鏈路故障，接收側(cè)已經(jīng)不能從發(fā)送側(cè)得到故障成員的真實(shí)SQ，得到的是錯誤的SQ或是經(jīng)過緩存的故障前的SQ，這樣，虛級聯(lián)恢復(fù)模塊接收到的VCG成員的SQ將不連續(xù)或有重復(fù)，如果對這樣的SQ進(jìn)行排序，將耗費(fèi)大量的硬件資源或處理時間，致使難度增加。
目前的方法通常都沒有考慮這種特殊情況，在相關(guān)的處理方法中，有的不能滿足LCAS協(xié)議的要求，例如專利“虛級聯(lián)中序列號排序的處理方法”中國公開號1462118介紹的一種重排序列號的方法，該專利提出的方法要求在配置變化時復(fù)位交叉RAM，這樣會導(dǎo)致在配置變化時丟失數(shù)據(jù)。本申請人申請的專利，中國申請?zhí)?00410080496.4，可以解決正常情況下的添加刪除丟失數(shù)據(jù)的問題，但在特殊情況下，即VCG已經(jīng)有成員發(fā)生了臨時刪除再刪除其余成員的情況，仍然會丟失數(shù)據(jù)，本發(fā)明即針對這種情況提出了改進(jìn)方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題提供一種實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法，針對在VCG中有成員被臨時刪除后，又發(fā)生其他的LCAS操作，虛級聯(lián)恢復(fù)過程可能丟失數(shù)據(jù)的問題，提出一種可以在這種情況下實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案包括一種實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法，其包括下列步驟A、將補(bǔ)償RAM按照虛級聯(lián)成員的最多個數(shù)劃分成多個存儲塊，每個成員對應(yīng)其中一個存儲塊，該成員的數(shù)據(jù)僅存放于所對應(yīng)的存儲塊；B、按照時隙編號的順序?qū)⒊蓡T數(shù)據(jù)寫入各自對應(yīng)的存儲塊；C、根據(jù)成員的順序和臨時刪除指示，通過內(nèi)部交叉RAM生成補(bǔ)償RAM的讀地址高位；D、生成讀出方向時序，同一個虛級聯(lián)組的所有成員的讀出時序相同，并設(shè)立正負(fù)調(diào)整機(jī)會位置，在讀出方向的凈荷指示下，增加讀地址低位，生成補(bǔ)償RAM的讀地址低位；E、用上述生成的補(bǔ)償RAM的讀地址從補(bǔ)償RAM中讀出數(shù)據(jù)。
所述的方法，其中，所述方法還包括當(dāng)虛級聯(lián)組出現(xiàn)增加、刪除、臨時刪除或臨時刪除后恢復(fù)中的一種或多種配置變化時，作以下處理A1、記錄變化時的補(bǔ)償RAM的寫地址低位，把這一個值作為讀方向的邊界；B1、當(dāng)所述補(bǔ)償RAM的讀地址低位增加至讀方向邊界時，在讀方向設(shè)立空閑段，用于更新配置信息和復(fù)位該補(bǔ)償RAM；C1、在所述空閑段保持讀地址為當(dāng)前值，讀出的數(shù)據(jù)設(shè)置為無效；D1、在所述空閑段復(fù)位該虛級聯(lián)組所對應(yīng)的交叉RAM列；E1、配置信息更新完畢后，讀出方向使用新的配置信息。
所述的方法，其中，所述步驟C中補(bǔ)償RAM讀地址高位的生成方法具體包括C1、所述交叉RAM生成交叉地址交叉RAM的高位地址和系統(tǒng)的最大虛級聯(lián)組個數(shù)對應(yīng)，低位地址和單個虛級聯(lián)組的最大成員數(shù)對應(yīng)；C2、用虛級聯(lián)組編號作為高位寫地址，時隙編號的順序作為低位寫地址，用成員的臨時刪除指示作為寫入控制信號，將未被臨時刪除的成員的時隙編號與有效指示一起寫入所述交叉RAM。
所述的方法，其中，所述步驟C具體還包括C3、在同一虛級聯(lián)組中按照時隙順序計(jì)數(shù)當(dāng)虛級聯(lián)組中時隙編號最小的成員出現(xiàn)時，該計(jì)數(shù)值復(fù)位為0，計(jì)數(shù)到時隙編號最大的成員時，該計(jì)數(shù)值達(dá)到最大值；
C4、用所述計(jì)數(shù)值作為交叉RAM的低位讀地址，用虛級聯(lián)組編號作為交叉RAM的高位讀地址從所述交叉RAM中讀取數(shù)據(jù)；C5、將讀出的時隙編號作為補(bǔ)償RAM的高位讀地址。
所述的方法，其中，所述步驟C4還包括根據(jù)讀出的有效指示判斷成員是否被臨時刪除，被臨時刪除的支路信息視為無效數(shù)據(jù)。
本發(fā)明所提供的一種實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法，通過用交叉RAM生成補(bǔ)償RAM的高位地址，達(dá)到順序重排的目的，使用臨時刪除指示控制交叉RAM的讀寫，在配置發(fā)生變化時，設(shè)定讀方向空閑段，在空閑段更新配置信息，并復(fù)位該VCG對應(yīng)的交叉RAM列，這樣，不僅一般情況下的添加刪除不會丟失數(shù)據(jù)，而且在有成員發(fā)生臨時刪除同時其余成員有添加刪除的情況下也不會丟失數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)了無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)。


圖1是本發(fā)明方法中的虛級聯(lián)恢復(fù)的原理框圖；圖2是本發(fā)明方法的流程示意圖；圖3是本發(fā)明方法的具體實(shí)施例中重排過程幾個主要信號的示意圖；圖4是本發(fā)明方法的交叉RAM的存儲示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖，將對本發(fā)明所述方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。
本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法的核心思想是采用復(fù)用處理的方式完成虛級聯(lián)順序重排過程，數(shù)據(jù)重排過程和延時補(bǔ)償共用一個RAM；通過芯片內(nèi)部的交叉RAM，生成交叉地址；使用臨時刪除指示和成員使能信號共同控制對交叉RAM的讀寫；VCG發(fā)生配置變化的時，設(shè)定讀方向的“空閑段”，在“空閑段”復(fù)位該VCG所對應(yīng)的交叉RAM列。
本發(fā)明方法在出現(xiàn)臨時刪除后，虛級聯(lián)恢復(fù)過程中實(shí)現(xiàn)無損傷恢復(fù)的過程，包括下列步驟第一步、將補(bǔ)償RAM按照虛級聯(lián)成員的最多個數(shù)劃分成多個存儲塊，每個成員對應(yīng)其中一個存儲塊，該成員的數(shù)據(jù)僅存放于所對應(yīng)的存儲塊；第二步、按照時隙編號的順序?qū)⒊蓡T數(shù)據(jù)寫入各自對應(yīng)的存儲塊；第三步、根據(jù)成員的SQ和臨時刪除指示，通過內(nèi)部交叉RAM生成補(bǔ)償RAM的高位讀地址；第四步、生成補(bǔ)償RAM的讀地址低位按照SDH標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)生成讀出方向時序，同一個虛級聯(lián)組的所有成員的讀出時序相同，并設(shè)立正負(fù)調(diào)整機(jī)會位置，在讀出方向的凈荷指示下，增加讀地址低位；第五步、用上述生成的補(bǔ)償RAM的讀地址從補(bǔ)償RAM中讀出數(shù)據(jù)。
本發(fā)明方法當(dāng)VCG出現(xiàn)增加、刪除、臨時刪除或臨時刪除后恢復(fù)中的一種或多種配置變化時，可作以下處理(1)、記錄變化時刻補(bǔ)償RAM的寫地址低位，把這一個值作為讀方向的邊界；(2)當(dāng)補(bǔ)償RAM的讀地址低位增加至讀方向邊界時，在讀方向上設(shè)立空閑段，用于更新配置信息和復(fù)位RAM；
(3)在空閑段保持讀地址為當(dāng)前值，讀出的數(shù)據(jù)設(shè)置為無效；(4)在空閑段復(fù)位該VCG所對應(yīng)的交叉RAM列；(5)配置信息更新完畢后，讀出方向使用新的配置信息。
本發(fā)明方法上述第三步中補(bǔ)償RAM的高位讀地址的生成方法具體還包括交叉RAM是不同于補(bǔ)償RAM的一個內(nèi)部RAM，用于生成交叉地址。交叉RAM的高位地址和系統(tǒng)的最大虛級聯(lián)組個數(shù)對應(yīng)，低位地址和單個虛級聯(lián)組的最大成員數(shù)對應(yīng)；用虛級聯(lián)組編號作為高位寫地址，SQ作為低位寫地址，用成員的臨時刪除指示作為寫入控制信號，將未被臨時刪除的成員的時隙編號與有效指示一起寫入交叉RAM，有效指示表示該成員未被臨時刪除。
在同一虛級聯(lián)組中按照時隙順序計(jì)數(shù)當(dāng)虛級聯(lián)組中時隙編號最小的成員出現(xiàn)時，該計(jì)數(shù)值復(fù)位為0，計(jì)數(shù)到時隙編號最大的成員時，該計(jì)數(shù)值達(dá)到最大值；用所述計(jì)數(shù)值作為交叉RAM的低位讀地址，用虛級聯(lián)組編號作為交叉RAM的高位讀地址從交叉RAM中讀取數(shù)據(jù)；根據(jù)讀出的有效指示判斷成員是否被臨時刪除。被臨時刪除的支路信息視為無效數(shù)據(jù)，然后將讀出的時隙編號作為補(bǔ)償RAM的高位讀地址。
如圖1所示是本專發(fā)明中虛級聯(lián)恢復(fù)的原理框圖，其中存儲設(shè)備是用于緩存數(shù)據(jù)的內(nèi)部或外部RAM，就是所述補(bǔ)償RAM。寫進(jìn)RAM的數(shù)據(jù)是待恢復(fù)的數(shù)據(jù)，從RAM讀出的數(shù)據(jù)是進(jìn)行了延時補(bǔ)償和順序重排的數(shù)據(jù)。寫入方向模塊生成存儲設(shè)備的寫地址，讀出方向模塊生成存儲設(shè)備讀地址的低位和讀地址高位的初始值；這兩個地址同時還要送到讀寫地址比較模塊進(jìn)行比較，比較結(jié)果送到讀出方向生成模塊，調(diào)整讀地址增加的速度。交叉模塊將讀地址的高位按照SQ重排，和讀地址低位一起送到存儲設(shè)備。
如圖2所示是本發(fā)明提出的方法所述的補(bǔ)償RAM低位讀地址生成的流程圖，本發(fā)明提出的方法包括下列步驟首先檢測VCG是否發(fā)生了增加、刪除、臨時刪除或臨時刪除后恢復(fù)等配置變化中的一種或多種變化；其次，如果發(fā)生了配置變化，記錄變化時刻補(bǔ)償RAM的寫地址低位，把這一個值作為讀方向的邊界；否則繼續(xù)增加低位讀地址；再次，判斷補(bǔ)償RAM的讀地址低位是否增加至讀方向邊界，如果沒有到達(dá)讀地址邊界，繼續(xù)增加低位讀地址。如果到了邊界位置，在讀方向設(shè)立空閑段。
在所述空閑段作以下操作1、在空閑段更新配置信息，配置信息更新完畢后，讀出方向使用新的配置信息；2、復(fù)位發(fā)生變化的VCG所對應(yīng)的交叉RAM列；3、在空閑段保持讀地址為當(dāng)前值，讀出的數(shù)據(jù)設(shè)置為無效。否則繼續(xù)增加低位讀地址。
如圖3所示，是重排過程幾個主要信號的示意圖。其中僅以六個成員作為示例，其中時隙編號為0和2的成員屬于第一個VCG，其余四個成員屬于第二個VCG；SQ表示各個成員的SQ值，是進(jìn)行重排的依據(jù)?！芭R時刪除”為1表示對應(yīng)成員被臨時刪除，為0表示未被臨時刪除。“排列計(jì)數(shù)”在VCG的時隙編號最小的成員出現(xiàn)時復(fù)位到零，再次出現(xiàn)該VCG的成員時加1。交叉時隙是從交叉RAM讀出的時隙編號，將作為補(bǔ)償RAM的讀地址的高位。圖3(a)表所示是所有成員正常工作的狀態(tài)；(b)表所示是時隙編號為3的成員被刪除時的狀態(tài)；(c)表是時隙編號為3的成員被臨時刪除后，時隙編號為1的成員被刪除。表格中的“*”表示不關(guān)心的內(nèi)容。
如圖4所示是本發(fā)明方法的交叉RAM的存儲示意圖，是針對圖3中示例的交叉RAM存儲方式的示意，圖中的方塊表示每個存儲單元，行和列則對應(yīng)交叉RAM的地址高位和低位。其中的M和系統(tǒng)的最大VCG數(shù)目對應(yīng)，例如系統(tǒng)最大支持24個VCG，則M應(yīng)該取與24最接近的2的整數(shù)次方32。圖中N和每個VCG最大可能的成員數(shù)對應(yīng)，例如VCG最多可能有63個成員，則N應(yīng)該取與63最接近的2的整數(shù)次方64。圖中的數(shù)字高位為成員的有效指示，為1表示未被臨時刪除，成員有效，為0表示成員無效；低位表示成員的時隙編號，例如(1，2)表示時隙編號為2，成員有效；復(fù)位后內(nèi)容為(0，0)。依照圖3所示的例子，時隙編號0和2的成員屬于編號為0的VCG，存放時隙編號的位置的高位地址為0，和VCG編號對應(yīng)，存放位置的低位地址為SQ，分別為1、0，圖中方塊里的數(shù)據(jù)(1，2)、(1，0)分別是表示成員有效以及成員的時隙編號；時隙編號1，3，4，5的成員屬于編號為1的VCG，存放的位置的高位地址為1，存放位置的低位分別為0，1，2，3，圖4(a)中方塊里的數(shù)據(jù)1、3、4，5分別就是成員的時隙編號。交叉RAM的讀地址高位和寫地址高位相同，就是成員所屬的VCG編號，低位讀地址為圖3所示的“排列計(jì)數(shù)”。從交叉RAM讀出的時隙編號就是圖3中所示的“交叉時隙”。圖4中的(a)，(b)，(c)表分別對應(yīng)了圖3中(a)，(b)，(c)表所示的情況，其中(b)，(c)圖中由于時隙編號為3的成員被臨時刪除，因此該時隙編號未被寫入交叉RAM；(b)，(c)圖中表格出現(xiàn)(0，0)是配置變化后對第二列進(jìn)行復(fù)位的結(jié)果。
本發(fā)明方法通過上述方案，用交叉RAM生成補(bǔ)償RAM的高位地址，達(dá)到順序重排的目的，使用臨時刪除指示控制交叉RAM的讀寫，在配置發(fā)生變化時，設(shè)定讀方向空閑段，在空閑段更新配置信息，并復(fù)位該VCG對應(yīng)的交叉RAM列，這樣，不僅一般情況下的添加刪除不會丟失數(shù)據(jù)，而且在有成員發(fā)生臨時刪除同時其余成員有添加刪除的情況下也不會丟失數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)了無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)。
但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對具體實(shí)施例的描述較為具體，并不能因此而認(rèn)為是對本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法，其包括下列步驟A、將補(bǔ)償RAM按照虛級聯(lián)成員的最多個數(shù)劃分成多個存儲塊，每個成員對應(yīng)其中一個存儲塊，該成員的數(shù)據(jù)僅存放于所對應(yīng)的存儲塊；B、按照時隙編號的順序?qū)⒊蓡T數(shù)據(jù)寫入各自對應(yīng)的存儲塊；C、根據(jù)成員的順序和臨時刪除指示，通過內(nèi)部交叉RAM生成補(bǔ)償RAM的讀地址高位；D、生成讀出方向時序，同一個虛級聯(lián)組的所有成員的讀出時序相同，并設(shè)立正負(fù)調(diào)整機(jī)會位置，在讀出方向的凈荷指示下，增加讀地址低位，生成補(bǔ)償RAM的讀地址低位；E、用上述生成的補(bǔ)償RAM的讀地址從補(bǔ)償RAM中讀出數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括當(dāng)虛級聯(lián)組出現(xiàn)增加、刪除、臨時刪除或臨時刪除后恢復(fù)中的一種或多種配置變化時，作以下處理A1、記錄變化時的補(bǔ)償RAM的寫地址低位，把這一個值作為讀方向的邊界；B1、當(dāng)所述補(bǔ)償RAM的讀地址低位增加至讀方向邊界時，在讀方向設(shè)立空閑段，用于更新配置信息和復(fù)位該補(bǔ)償RAM；C1、在所述空閑段保持讀地址為當(dāng)前值，讀出的數(shù)據(jù)設(shè)置為無效；D1、在所述空閑段復(fù)位該虛級聯(lián)組所對應(yīng)的交叉RAM列；E1、配置信息更新完畢后，讀出方向使用新的配置信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟C中補(bǔ)償RAM讀地址高位的生成方法具體包括C1、所述交叉RAM生成交叉地址交叉RAM的高位地址和系統(tǒng)的最大虛級聯(lián)組個數(shù)對應(yīng)，低位地址和單個虛級聯(lián)組的最大成員數(shù)對應(yīng)；C2、用虛級聯(lián)組編號作為高位寫地址，時隙編號的順序作為低位寫地址，用成員的臨時刪除指示作為寫入控制信號，將未被臨時刪除的成員的時隙編號與有效指示一起寫入所述交叉RAM。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟C具體還包括C3、在同一虛級聯(lián)組中按照時隙順序計(jì)數(shù)當(dāng)虛級聯(lián)組中時隙編號最小的成員出現(xiàn)時，該計(jì)數(shù)值復(fù)位為0，計(jì)數(shù)到時隙編號最大的成員時，該計(jì)數(shù)值達(dá)到最大值；C4、用所述計(jì)數(shù)值作為交叉RAM的低位讀地址，用虛級聯(lián)組編號作為交叉RAM的高位讀地址從所述交叉RAM中讀取數(shù)據(jù)；C5、將讀出的時隙編號作為補(bǔ)償RAM的高位讀地址。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟C4還包括根據(jù)讀出的有效指示判斷成員是否被臨時刪除，被臨時刪除的支路信息視為無效數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn)無損傷虛級聯(lián)恢復(fù)的方法，其包括下列步驟將補(bǔ)償RAM按照虛級聯(lián)成員的最多個數(shù)劃分成多個存儲塊，每個成員對應(yīng)其中一個存儲塊；按照時隙編號的順序?qū)⒊蓡T數(shù)據(jù)寫入各自對應(yīng)的存儲塊；根據(jù)成員的順序和臨時刪除指示，通過內(nèi)部交叉RAM生成補(bǔ)償RAM的讀地址高位；生成讀出方向時序，在讀出方向的凈荷指示下，增加讀地址低位，生成補(bǔ)償RAM的讀地址低位；用上述生成的補(bǔ)償RAM的讀地址從補(bǔ)償RAM中讀出數(shù)據(jù)。本發(fā)明方法通過用交叉RAM生成補(bǔ)償RAM的高位地址，達(dá)到順序重排的目的，使用臨時刪除指示控制交叉RAM的讀寫，在有成員發(fā)生臨時刪除同時其余成員有添加刪除的情況下也不會丟失數(shù)據(jù)。
文檔編號H04L29/06GK1929476SQ200510098300
公開日2007年3月14日 申請日期2005年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月5日
發(fā)明者周煉 申請人:中興通訊股份有限公司