專利名稱：固體攝像器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及MOS型固體攝像器件，尤其涉及采用放大型MOS傳感器的固體攝像器件。
背景技術(shù)：
近幾年，采用放大型MOS傳感器的MOS型固體攝像器件作為固體攝像器件之一已達(dá)到實(shí)用化水平。該固體攝像器件利用MOS晶體管來對各個(gè)單元放大由光電二極管檢測出的信號，并具有高靈敏度特征。
MOS型固體攝像器件的單元(像素)包括用于光電變換的光電二極管、用于讀取信號的讀取晶體管、用于信號放大的放大晶體管、用于選擇讀取行的垂直選擇晶體管、以及復(fù)位信號電荷的復(fù)位晶體管等。并且，放大晶體管的源與垂直信號線相連接，向垂直信號線輸出的信號通過水平選擇晶體管而向水平信號線輸出(參見例如專利公開2000-150848)。
但是，在這種固體攝像器件中，一個(gè)像素內(nèi)包括讀取晶體管、放大晶體管、垂直選擇晶體管、復(fù)位晶體管這4個(gè)晶體管。所以，當(dāng)為了增加像素而縮小像素時(shí)，光電二極管的面減小。因此，存在的問題是像素特性的飽和信號減少，光散粒噪聲增大。
以下參照圖10所示的過去的MOS型固體攝像器件中的1個(gè)像素的平面圖，說明這一問題。在圖10中，50是光電二極管，51是信號檢測部，52是信號掃描電路區(qū)，53是信號讀取晶體管的柵、54是放大晶體管的柵，55是垂直選擇晶體管的柵，56是復(fù)位晶體管的柵，57是源漏接點(diǎn)，58是柵上接點(diǎn)，59是元件隔離區(qū)。而且，布線有多種組合，因此予以省略。
如圖10所示，過去，在像素中，對各晶體管的柵53、54、55、56的接觸均在元件隔離區(qū)59上進(jìn)行。這是和邏輯相同的工藝規(guī)則。也就是說，在邏輯工藝中，若在晶體管的活性區(qū)上布置接點(diǎn)，則gm和電流驅(qū)動(dòng)能力惡化，所以，不希望在晶體管的活性區(qū)上形成接點(diǎn)，通常，即使邏輯以外也采用這種構(gòu)成。
這樣，在過去的MOS型固體攝像器件中，由于在元件隔離區(qū)上制作信號掃描電路部的晶體管柵接點(diǎn)，所以，元件隔離區(qū)的面積不能太小。其結(jié)果，存在的問題是光電二極管面積，尤其是受光面積減小，光的散粒噪聲增大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一種方式的固體攝像器件具有在半導(dǎo)體襯底上把包括光電變換部和信號掃描電路部在內(nèi)的單位像素布置成二維狀的攝像區(qū)，信號掃描電路部由多個(gè)晶體管構(gòu)成，上述信號掃描電路部的各晶體管的柵接點(diǎn)的至少一部分形成在晶體管的活性區(qū)上。


圖1是涉及第1實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的像素部的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖2是涉及第1實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3是涉及第2實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4是涉及第3實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5A是涉及第4實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的像素部的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖5B是表示圖5A的實(shí)施方式的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖6A是涉及第5實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的像素部的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖6B是表示圖6A的實(shí)施方式的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖7A是涉及第6實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的像素部的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖7B是表示圖7A的實(shí)施方式的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖8是表示內(nèi)部安裝了用本發(fā)明構(gòu)成的MOS型固體攝像器件的系統(tǒng)LSI芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖9是用于說明圖8的系統(tǒng)LSI芯片的動(dòng)作的信號路線圖。
圖10是表示過去的MOS型固體攝像器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
<第1實(shí)施方式>
圖1是涉及本發(fā)明第1實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的電路結(jié)構(gòu)圖。
在攝像區(qū)10內(nèi)，以下元件構(gòu)成的單元像素3×3布置成2維狀，這些元件是用于光電變換的光電二極管12(12-1-1、12-1-2、12-3-3)、讀取光電二極管12的信號的讀取晶體管13(13-1-1、13-1-2，～，13-3-3)、對讀取的信號進(jìn)行放大的放大晶體管14(14-1-1、14-1-2，～，14-3-3)、選擇讀取信號的行的垂直選擇晶體管15(15-1-1、15-1-2、～、15-3-3)、以及清除信號電荷的復(fù)位晶體管16(16-1-1、16-1-2、～16-3-3)。而且，在圖中為簡化說明，采用3×3像素，但實(shí)際上是更多的單元像素布置成二維狀，例如，數(shù)碼靜像攝像機(jī)所采用的固體攝像器件，被制造成整個(gè)固體攝像器件具有數(shù)百兆個(gè)像素的規(guī)模。
并且，在未圖示的攝像區(qū)10的端部布置了用于確定暗時(shí)的信號電平的像素(以下稱為OB像素)。OB像素具有與本來的像素相同的結(jié)構(gòu)，由光電二極管12′、讀取晶體管13′、放大晶體管′、垂直選擇晶體管15′、復(fù)位晶體管16′構(gòu)成。
從垂直移位寄存器21沿水平方向布線的水平地址線23(23-1、23-2、23-3)，與對應(yīng)的垂直選擇晶體管15的柵極相連接，確定讀取信號的行。復(fù)位線24(24-1、24-2、24-3)與對應(yīng)的復(fù)位晶體管16的柵極相連接。
放大晶體管14的源與垂直信號線26(26-1、26-2、26-3)相連接，在垂直信號線26的一端設(shè)置了負(fù)荷晶體管28(28-1、28-2、28-3)。垂直信號線26的另一端通過根據(jù)從水平移位寄存器22供給的選擇脈沖選擇的水平選擇晶體管(25-1、25-2、25-3)，與水平地址線27連接。
而且，在圖1中，10表示的方框是攝像區(qū)(像素區(qū))，20表示對攝像區(qū)10進(jìn)行掃描的寄存器等的外圍電路。并且，11(11-1-1、11-1-2、11-3-3)表示單元像素。
到此為止的電路基本結(jié)構(gòu)與過去的器件相同，但在本實(shí)施方式中，以下所示的元件結(jié)構(gòu)尤其是柵接點(diǎn)位置不同于過去的器件。
圖2表示本實(shí)施方式的一個(gè)像素的平面結(jié)構(gòu)。在圖2中，30、30′是相當(dāng)于圖1的12的光電二極管的活性區(qū)、31是信號檢測部的晶體管的活性區(qū)，32是信號掃描電路的晶體管的活性區(qū)，33是相當(dāng)于圖1的13的信號讀取晶體管的柵，34是相當(dāng)于圖1的14的放大晶體管的柵，35是相當(dāng)于圖1的15的地址晶體管的柵，36是相當(dāng)于圖1的16的復(fù)位晶體管的柵，37a-37d是源漏接點(diǎn)，38a-38d是柵上接點(diǎn)，39是在各活性區(qū)30、30′、31、32周圍形成的元件隔離區(qū)。而且，布線因?yàn)橛卸喾N組合，故予以省略。
本實(shí)施方式與過去的器件的不同點(diǎn)在于，信號掃描電路的晶體管用活性區(qū)32內(nèi)的各晶體管的柵33、34、35、36的接點(diǎn)位置。也就是說，在圖10的過去的像素中，柵接點(diǎn)58形成于在活性區(qū)50、51和活性區(qū)52之間所形成的元件隔離區(qū)59上。但在本實(shí)施方式中，柵接點(diǎn)38a～38d全部形成在晶體管的活性區(qū)32上。因此，尤其在位于活性區(qū)30、30′和區(qū)32之間的元件隔離區(qū)39A內(nèi)不必具有柵接點(diǎn)用的余量，能夠縮小元件隔離區(qū)39A的寬度，能夠?qū)⒐怆姸O管30的面積擴(kuò)大圖示的30′區(qū)域的大小。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過將信號掃描電路的活性區(qū)32中的各個(gè)晶體管的柵接點(diǎn)形成在晶體管活性區(qū)上，能夠減小元件隔離區(qū)39A的寬度，擴(kuò)大光電二極管30的面積。因此，即使為了增加像素而使像素微細(xì)化，也能夠按照相同年代的邏輯工藝規(guī)則進(jìn)一步增加飽和信號。這樣，光的散粒噪聲也能減小，能夠獲很良好的圖像質(zhì)量。
而且，由于把柵接點(diǎn)形成在晶體管活性區(qū)上，所以，晶體管的gm和電流驅(qū)動(dòng)能力稍有劣化。但由于本實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的光電變換部是模擬動(dòng)作，所以，不會(huì)形成像邏輯元件中的邏輯變動(dòng)那樣大的誤動(dòng)作原因，gm或電流驅(qū)動(dòng)能力的劣化幾乎不成問題。即使gm或電流驅(qū)動(dòng)能力產(chǎn)生劣化，也完全可以由光電二極管面積的增大所產(chǎn)生的巨大效果來彌補(bǔ)。
<第2實(shí)施方式>
圖3是涉及第2實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。而且，對于和圖2相同的部分標(biāo)注相同的符號，其詳細(xì)說明從略。
本實(shí)施方式與以上說明的第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，將全部柵接點(diǎn)38a-38d分別跨越形成在活性區(qū)30′32和元件隔離區(qū)39的邊界部。即使這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠減小區(qū)域30′、32之間的元件隔離區(qū)39A的寬度，縮小元件隔離區(qū)面積，獲得與第1實(shí)施方式相同的效果。
<第3實(shí)施方式>
圖4是涉及本發(fā)明第3實(shí)施方式的MOS型固體攝像器件的一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的平面圖。而且，對于和圖2相同的部分，標(biāo)注相同的符號，其詳細(xì)說明從略。
本實(shí)施方式與以上說明的第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，把2個(gè)柵接點(diǎn)38a、38b完全移動(dòng)到活動(dòng)性區(qū)30、32上而形成，其余的2個(gè)柵接點(diǎn)38c、38d跨越活性區(qū)32和元件隔離區(qū)39A的邊界部而形成。
即使這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠縮小元件隔離區(qū)39A的面積，獲得與第1實(shí)施方式相同的效果。并且，在本實(shí)施方式中，柵接點(diǎn)不僅形成在晶體管的活性區(qū)上，而且一部分形成在活性區(qū)和元件隔離區(qū)的邊界部上，所以，能夠增加布線的自由度。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，通過將信號掃描電路部的晶體管的柵接點(diǎn)形成在晶體管的活性區(qū)上，能夠使元件隔離區(qū)不必具有柵接點(diǎn)用的余量。因此，能夠縮小元件隔離區(qū)，擴(kuò)大光電二極管的面積。這樣，即使微細(xì)像素，也能夠獲得良好的飽和特性，能夠抑制光的散粒噪聲。
這里，在晶體管的活性區(qū)上形成接點(diǎn)，所以，存在gm和電流驅(qū)動(dòng)能力惡化的問題。但在這種固體攝像器件的情況下，不同于通常的邏輯元件，gm或電流驅(qū)動(dòng)能力的惡化幾乎不會(huì)帶來問題，相反，對光電二極管面積的增大有很大效果。
而且，本發(fā)明并不僅限于上述各實(shí)施方式。在實(shí)施方式中，單元像素的結(jié)構(gòu)，除光電二極管(光電變換部)外，還采用了由讀取晶體管、放大晶體管、選擇晶體管、復(fù)位晶體管所構(gòu)成的信號掃描電路部。但信號掃描電路部的結(jié)構(gòu)并不僅限于圖1，而是可以根據(jù)規(guī)格而適當(dāng)更改。信號掃描電路部只要具有對光電變換部變換后的信號進(jìn)行放大的放大晶體管和對信號進(jìn)行復(fù)位的復(fù)位晶體管即可，其他晶體管可根據(jù)需要來選用。
<第4實(shí)施方式>
圖5A表示其他實(shí)施方式的固體攝像器件的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。在該實(shí)施方式中，采用了3晶體管/1單元的結(jié)構(gòu)，這是在圖1的實(shí)施方式中的4個(gè)晶體管中不用讀取晶體管13的結(jié)構(gòu)。其他結(jié)構(gòu)與圖1相同，對此標(biāo)注相同的參考符號，其說明從略。在圖5A中，根據(jù)射入到光電二極管12內(nèi)的圖像光而生成的圖像信號被供給到放大晶體管14的柵上而被放大，若采用水平地址線23來選擇垂直選擇晶體管15，則被放大的圖像信號輸出到信號線26上。
具有該圖5A的電路結(jié)構(gòu)的像素的平面結(jié)構(gòu)如圖5B所示。如以上說明的那樣，在本實(shí)施方式中省略了與光電二極管12相連接的讀取晶體管，所以，圖2的結(jié)構(gòu)中的讀取晶體管的柵33及其柵接點(diǎn)38a在圖5B所示的結(jié)構(gòu)中不形成。因此，活性區(qū)30、30′中的光電二極管12的受光面積相應(yīng)增大。
<第5實(shí)施方式>
圖6A是涉及另一實(shí)施方式的固體攝像器件的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。在該實(shí)施方式中，采用的結(jié)構(gòu)是在圖1的實(shí)施方式中的4個(gè)晶體管中不用垂直選擇晶體管15的3晶體管/1單元結(jié)構(gòu)。其他結(jié)構(gòu)與圖1相同，標(biāo)注相同的參考編號，其說明從略。在圖6A中，根據(jù)射入到光電二極管12內(nèi)的圖像光生成的圖像信號，通過讀取晶體管13而被供給到放大晶體管14的柵上進(jìn)行放大。在此情況下，省略了與水平地址線相連接的垂直選擇晶體管，所以，把定時(shí)不同的選擇脈沖信號依次供給到與放大晶體管14相連接的VDD端子上，進(jìn)行信號線26的選擇，把放大后的像素信號輸出到信號線26上。
具有該圖6A的電路結(jié)構(gòu)的像素的平面結(jié)構(gòu)如圖6B所示。如以上說明的那樣，在該實(shí)施方式中，省略了與水平地址線相連接的垂直選擇晶體管，所以，在圖2的結(jié)構(gòu)的垂直選擇晶體管的柵34及其柵接點(diǎn)38b在圖6B所示的結(jié)構(gòu)中不形成。所以，省略圖5B中的互相鄰接的晶體管的柵34、35中的一個(gè)柵34，簡化了信號掃描電路部的電路圖形。
<第6實(shí)施方式>
圖7A是涉及另一實(shí)施方式的固體攝像器件的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
在該實(shí)施方式中，采用的結(jié)構(gòu)是在圖1的實(shí)施方式中的4個(gè)晶體管中不采用讀取晶體管13和垂直選擇晶體管15的2晶體管/1單元結(jié)構(gòu)。其他結(jié)構(gòu)與圖1相同，標(biāo)注相同的參考編號，其說明從略。在圖7A中，根據(jù)射入到光電二極管12內(nèi)的圖像光生成的像素信號不通過讀取晶體管而供給到放大晶體管14的柵上進(jìn)行放大。在此情況下，和圖6A的電路一樣，省略了與水平地址線相連接的垂直選擇晶體管，所以把定時(shí)不同的選擇脈沖信號依次供給到與放大晶體管14相連接的VDD端子上，進(jìn)行信號線26的選擇，把被放大的像素信號輸出到信號線26上。
具有該圖7A的電路結(jié)構(gòu)的像素的平面結(jié)構(gòu)如圖7B所示。如以上說明的那樣，在該實(shí)施方式中省略了讀取晶體管，所以，在圖7B所示的結(jié)構(gòu)中不形成圖2結(jié)構(gòu)中的讀取晶體管的柵33及其柵接點(diǎn)38a。因此和圖5B中的實(shí)施方式一樣，增加了光電二極管活性區(qū)30、30′中的受光面積。
圖8是表示包括圖1所示的像素陣列10及其周圍形成的信號掃描電路部、并形成在一個(gè)芯片上的LSI整體結(jié)構(gòu)的布置圖。在圖8中，芯片41在其中央部布置像素陣列10，在其周圍布置用于控制行方向寄存器21和列方向寄存器22的定時(shí)信號發(fā)生器42。再者，在像素陣列10的周圍布置AGC(自動(dòng)增益控制)電路43、ADC(模擬一數(shù)字變換)電路44、DSP(數(shù)字信號處理)電路45、存儲(chǔ)器46、JPEG(Joint Photographic ExpertsGroup聯(lián)合圖像專家組)電路47、和DAC(數(shù)字-模擬變換)電路48等。
以下參照圖9，詳細(xì)說明圖8的適用于數(shù)碼靜像攝像機(jī)的系統(tǒng)LSI的動(dòng)作。像素陣列10具有例如結(jié)構(gòu)與圖1的攝像器件10相同的4晶體管/1單元結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)。若在攝像機(jī)的攝像方式時(shí)圖像光射入到像素陣列10內(nèi)，則該圖像信號利用行、列寄存器21、22的輸出而在行列方向上依次對每個(gè)像素進(jìn)行讀取，利用CDS(相關(guān)雙取樣)電路49進(jìn)行取樣，被取樣的模擬圖像信號由AGC電路43進(jìn)行電平調(diào)整后供給到ADC電路44，變換成數(shù)字圖像信號。該數(shù)字圖像信號在DSP電路45的控制下，作為圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器46內(nèi)。該被存放的圖像數(shù)據(jù)按照NTSC或PAL圖像顯示方式由編碼器60進(jìn)行編碼，在由DAC電路48變換成模擬信號之后，在監(jiān)視器61上再現(xiàn)出圖像。另一方面，為了將用攝像機(jī)拍攝的圖像數(shù)據(jù)記錄到SD、HD等預(yù)定的媒體上，利用DSP45來讀取存儲(chǔ)器46內(nèi)所存放的圖像數(shù)據(jù)，發(fā)送到JPEG電路47，來進(jìn)行圖像數(shù)據(jù)壓縮操作。被壓縮的圖像數(shù)據(jù)通過接口62被發(fā)送到規(guī)定的外部存儲(chǔ)媒體63，例如SD或HD上，進(jìn)行記錄。而且，這些各電路利用從外部調(diào)壓器64來的電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
技術(shù)熟練者容易進(jìn)行改進(jìn)而獲得補(bǔ)充優(yōu)點(diǎn)，所以，其廣義的發(fā)明并不僅限于這里的詳細(xì)說明和實(shí)施方式。因此，在不脫離附件權(quán)利要求及其相應(yīng)文件規(guī)定的一般發(fā)明概念的精神實(shí)質(zhì)或范圍的情況下，能夠進(jìn)行各種改進(jìn)。
本說明書基于并要求以前的日本專利申請NO.2004-304484的優(yōu)先權(quán)，申請日是2004年10月19日，其全部內(nèi)容在此供參考。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像器件，它是MOS型固體攝像器件，在半導(dǎo)體襯底上具有把分別包括光電變換部和信號掃描電路部的多個(gè)單元布置成二維狀的攝像區(qū)，上述各單元具有形成了上述光電變換部和信號掃描電路部的活性區(qū)和與該活性區(qū)相鄰接而形成的元件隔離區(qū)，上述信號掃描電路部由多個(gè)MOS晶體管構(gòu)成，其特征在于上述信號掃描電路部的多個(gè)MOS晶體管至少包括具有如下的柵接點(diǎn)的MOS晶體管，所述柵接點(diǎn)重疊在上述元件隔離區(qū)和與其相鄰接的活性區(qū)的兩者上。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于在上述多個(gè)MOS晶體管中包括至少一個(gè)具有在整個(gè)上述活性區(qū)上重疊的柵接點(diǎn)的MOS晶體管。
3.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述多個(gè)MOS晶體管構(gòu)成信號掃描電路部，該信號掃描電路部至少包括對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行放大的放大晶體管、和對上述圖像信號進(jìn)行復(fù)位的復(fù)位晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，其特征在于上述信號掃描電路部還包括對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行讀取的讀取晶體管、以及對上述被放大的圖像信號進(jìn)行選擇并輸出到信號線上的選擇晶體管。
5.一種固體攝像器件，它是MOS型固體攝像器件，在半導(dǎo)體襯底上具有把分別包括光電變換部和信號掃描電路部的多個(gè)單元布置成二維狀的攝像區(qū)，上述各單元具有形成了上述光電變換部的第1活性區(qū)、形成了上述信號掃描電路部的第2活性區(qū)、以及形成在該第1、第2活性區(qū)之間的元件隔離區(qū)，上述信號掃描電路部由多個(gè)MOS晶體管構(gòu)成，其特征在于上述信號掃描電路部的多個(gè)MOS晶體管至少包括第1MOS晶體管，具有在上述元件隔離區(qū)和與其相鄰接的第1活性區(qū)兩者上重疊的柵接點(diǎn)；以及，第2MOS晶體管，具有在上述元件隔離區(qū)和與其相鄰接的第2活性區(qū)兩者上重疊的柵接點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其特征在于上述第1MOS晶體管具有在整個(gè)上述第1活性區(qū)重疊的柵接點(diǎn)；上述第2MOS晶體管具有在整個(gè)上述第2活性區(qū)重疊的柵接點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其特征在于在上述第2活性區(qū)上，為了構(gòu)成上述信號掃描電路部而包括上述第2MOS晶體管，形成為放大晶體管，對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行放大；第3MOS晶體管，作為對上述圖像信號進(jìn)行復(fù)位的復(fù)位晶體管而形成。
8.如權(quán)利要求7所述的固體攝像器件，其特征在于，上述信號掃描電路部還包括讀取由上述光電變換部變換而得的圖像信號的讀取晶體管、以及選擇上述被放大的圖像信號并輸出到信號線上的選擇晶體管，上述讀取晶體管作為上述第1MOS晶體管而形成在上述第1活性區(qū)；上述選擇晶體管作為第4MOS晶體管而形成在上述第2活性區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的固體攝像器件，其特征在于上述第2～第4MOS晶體管分別具有在整個(gè)上述第2活性區(qū)內(nèi)重疊形成的柵接點(diǎn)。
10.如權(quán)利要求9所述的固體攝像器件，其特征在于上述第1MOS晶體管具有在整個(gè)上述第1活性區(qū)內(nèi)體重疊形成的柵接點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述信號掃描電路部包括對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行放大的放大晶體管、選擇上述被放大的圖像信號并輸出到信號線上的選擇晶體管、以及用于復(fù)位上述圖像信號的復(fù)位晶體管。
12.如權(quán)利要求11所述的固體攝像器件，其特征在于上述放大晶體管、選擇晶體管和復(fù)位晶體管具有重疊在上述第2活性區(qū)的柵接點(diǎn)。
13.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述信號掃描電路部包括對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行讀取的讀取晶體管、對上述圖像信號進(jìn)行放大的放大晶體管、復(fù)位上述圖像信號的復(fù)位晶體管。
14.如權(quán)利要求13所述的固體攝像器件，其特征在于上述讀取晶體管具有重疊在第1活性區(qū)的柵接點(diǎn)，上述放大晶體管和復(fù)位晶體管具有重疊在上述第2活性區(qū)的柵接點(diǎn)。
15.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其特征在于上述信號掃描電路部包括對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行放大的放大晶體管、以及復(fù)位使上述圖像信號的復(fù)位晶體管。
16.如權(quán)利要求15所述的固體攝像器件，其特征在于上述放大晶體管和復(fù)位晶體管具有重疊在上述第2活性區(qū)的柵接點(diǎn)。
17.一種LSI電路系統(tǒng)，它在一個(gè)芯片上集成了像素陣列，將根據(jù)射入到光電變換部內(nèi)的光像而形成圖像信號的多個(gè)像素單元排列而構(gòu)成；內(nèi)部存儲(chǔ)部，在數(shù)據(jù)處理部的控制下把由該像素陣列形成的圖像信號作為圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)；圖像再現(xiàn)部，向顯示裝置發(fā)送該內(nèi)部存儲(chǔ)部內(nèi)所存儲(chǔ)的圖像數(shù)據(jù)，以便再現(xiàn)成為可視圖像；以及圖像數(shù)據(jù)處理部，對上述內(nèi)部存儲(chǔ)部內(nèi)存儲(chǔ)的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行壓縮并存儲(chǔ)到裝卸式外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，在該LSI電路系統(tǒng)中，上述圖像陣列如下構(gòu)成在半導(dǎo)體襯底上二維狀地布置分別包括光電變換部和信號掃描電路部的多個(gè)單元，上述各個(gè)單元具有形成了上述光電變換部和信號掃描電路部的活性區(qū)和與該活性區(qū)相鄰接而形成的元件隔離區(qū)，上述信號掃描電路部由多個(gè)MOS晶體管構(gòu)成，上述信號掃描電路部的多個(gè)MOS晶體管至少包括具有如下的柵接點(diǎn)的MOS晶體管，該柵接點(diǎn)重疊在上述元件隔離區(qū)和與其相鄰接的活性區(qū)兩者上。
18.如權(quán)利要求17所述的LSI電路系統(tǒng)，其特征在于上述多個(gè)MOS晶體管構(gòu)成信號掃描電路部，該信號掃描電路部至少包括對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行放大的放大晶體管、和復(fù)位上述圖像信號的復(fù)位晶體管。
19.如權(quán)利要求19所述的LSI電路系統(tǒng)，其特征在于上述信號掃描電路部還包括對由上述光電變換部變換而得的圖像信號進(jìn)行讀取的讀取晶體管、選擇上述被放大的圖像信號并輸出到信號線上的選擇晶體管。
20.如權(quán)利要求17所述的LSI電路系統(tǒng)，其特征在于在上述芯片內(nèi)包括調(diào)壓器和JPEG電路。
全文摘要
一種固體攝像器件具有在半導(dǎo)體襯底上把包括光電變換部和信號掃描電路部在內(nèi)的單元布置成二維狀的攝像區(qū)，信號掃描電路部由多個(gè)晶體管構(gòu)成，信號掃描電路部的各個(gè)晶體管的柵接點(diǎn)的至少一部分形成在晶體管的活性區(qū)上。
文檔編號H04N5/369GK1763967SQ200510114050
公開日2006年4月26日 申請日期2005年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月19日
發(fā)明者井上郁子, 后藤浩成 申請人:株式會(huì)社東芝