專利名稱：電容式麥克風(fēng)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種麥克風(fēng)，特別是涉及一種電容式麥克風(fēng)及其制造方法。
背景技術(shù)：
微型電容式麥克風(fēng)大多由薄膜工藝制作，薄膜上的殘留應(yīng)力嚴(yán)重限制麥克風(fēng)的靈敏度，使用單端支撐的方法可以有效釋放殘留應(yīng)力，但是麥克風(fēng)在操作上使用周圍固定的結(jié)構(gòu)，因此需要額外的固定結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
請(qǐng)參閱美國(guó)第6535460號(hào)專利，此專利中，背板位在結(jié)構(gòu)最上方，利用支撐結(jié)構(gòu)與多晶硅(polysilicon)感應(yīng)薄板接觸。背板材料必須是非導(dǎo)體，還需要一層導(dǎo)電材料形成上電極，背板材料與犧牲層材料必須有極高刻蝕選擇性，背板須控制自身殘留應(yīng)力以避免初始變形，因此制造工續(xù)相當(dāng)復(fù)雜。
再請(qǐng)參閱美國(guó)第5146435號(hào)專利，此專利利用彈簧結(jié)構(gòu)懸吊厚板結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)的感應(yīng)薄板，聲壓作用時(shí)以形成平行板運(yùn)動(dòng)。然而，曲折梁式彈簧本身鏤空部份會(huì)造成麥克風(fēng)低頻性能不佳，且材料的應(yīng)力梯度會(huì)造成曲折梁的扭曲變形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的主要問(wèn)題在于提供一種電容式麥克風(fēng)及其制造方法，通過(guò)水氣使得感應(yīng)板得以在背板產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
因此，為達(dá)上述目的，本發(fā)明所公開(kāi)的一種電容式麥克風(fēng)，包含有基板、背板以及感應(yīng)板。
所述的基板，包括有一個(gè)或多個(gè)空腔。
所述的背板，形成于基板上，背板具有多個(gè)穿孔。
所述的感應(yīng)板，形成在背板之上，感應(yīng)板與背板之間具有一第一距離以及一第二距離，其中，第一距離大于第二距離。
其中，通過(guò)第一距離使得背板與感應(yīng)板之間形成一振動(dòng)空間，而通過(guò)第二距離使得感應(yīng)板得以利用水氣與背板產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定，且振動(dòng)空間與空腔通過(guò)各個(gè)穿孔而相通。
另一方面，本發(fā)明的一種電容式麥克風(fēng)的制造方法，首先，提供一具有至少一個(gè)空腔的基板，接著，在基板上形成一背板，此背板具有多個(gè)穿孔，最后，形成一感應(yīng)板于背板之上。感應(yīng)板與背板之間具有至少一第一距離以及一第二距離，且其中，通過(guò)第一距離使得背板與感應(yīng)板之間形成一振動(dòng)空間，而通過(guò)第二距離部分，使得感應(yīng)板得以利用水氣與背板之間產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定，又振動(dòng)空間、空腔以及各個(gè)穿孔之間相通。
本發(fā)明的電容式麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)，感應(yīng)薄板可以特別設(shè)計(jì)為圓盤帽形狀，利用犧牲層在濕刻蝕后的干燥過(guò)程中可能產(chǎn)生的表面沾黏現(xiàn)象做為固定感應(yīng)薄板的方法，外環(huán)部分的犧牲層設(shè)計(jì)很薄，因此將會(huì)有表面沾黏在此處發(fā)生，中間的感應(yīng)薄板與下電極的間距較高，同時(shí)分布有凸塊(dimple)結(jié)構(gòu)，可避免沾黏在此位置發(fā)生。感應(yīng)薄板上面可以加上環(huán)型支撐墻設(shè)計(jì)，環(huán)型支撐墻圍成的形狀與振動(dòng)空間相同，經(jīng)由特殊設(shè)計(jì)，可使得振動(dòng)空間的邊界為理想的圓形，即使得感應(yīng)薄膜的邊界為理想的圓形，當(dāng)然也可以設(shè)計(jì)為其它種形狀，如方形等等。環(huán)型支撐墻與下電極背板可經(jīng)由外加偏壓產(chǎn)生的靜電吸附力固定，為避免外環(huán)部分在干燥過(guò)程中飄移，在外環(huán)附近可加上固定樁以確保感應(yīng)薄板與下電極板的相對(duì)位置。
以下在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本發(fā)明的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)，其內(nèi)容足以使任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的內(nèi)容、權(quán)利要求書(shū)及附圖，任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)。


圖1為本發(fā)明的電容式麥克風(fēng)的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2A為垂直圓孔狀的空腔示意圖；圖2B為斜面方孔狀的空腔示意圖；圖3A為第一種階梯型固定樁的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3B為第二種階梯型固定樁的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3C為第一種帽型固定樁的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3D為第二種帽型固定樁的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J以及圖4K為本發(fā)明的電容式麥克風(fēng)的第一實(shí)施例制造流程示意圖；圖5A為本發(fā)明的電容式麥克風(fēng)的俯視圖；圖5B為圖5AI-I剖面的剖視圖；圖5C為本發(fā)明的具有固定樁的電容式麥克風(fēng)的俯視圖；圖5D為圖5CII-II剖面的剖視圖；圖5E為本發(fā)明的具有固定樁以及開(kāi)槽的電容式麥克風(fēng)的俯視圖；圖5F為圖5EI-I剖面的剖視圖；以及圖5G為圖5EII-II剖面的剖視圖。
其中，附圖標(biāo)記102 基板 104 空腔1041 垂直圓孔狀的空腔1042 斜面方孔狀的空腔106 背板 108 穿孔110 電極層 112 感應(yīng)板114 第一距離 116 第二距離118 振動(dòng)空間 120 支撐墻結(jié)構(gòu)122 凸塊 124 固定樁1241 第一種階梯型固定樁 1242 第二種階梯型固定樁1243 第一種帽型固定樁 1244 第二種帽型固定樁402 硅晶片 404 熱氧化硅層406 氮化硅 408 聲孔410 下電極 412 第一道犧牲層414 皺折區(qū)域 416 凸塊418 第二道犧牲層 420 感應(yīng)薄板422 支撐結(jié)構(gòu) 424 第三道犧牲層426 固定樁 428 焊墊430 晶背刻蝕區(qū)域 502 基板504 空腔 506 背板
508 電極層 510 感應(yīng)板512 振動(dòng)空間514 環(huán)形支撐墻516 凸塊518 第一距離部分520 第二距離部分522 固定樁524 開(kāi)槽525 彈簧式聯(lián)結(jié)具體實(shí)施方式
為使對(duì)本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征及其功能有進(jìn)一步的了解，現(xiàn)配合實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下。以上關(guān)于本發(fā)明內(nèi)容的說(shuō)明及以下的實(shí)施方式的說(shuō)明用以示范與解釋本發(fā)明的原理，并且提供對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求更進(jìn)一步的解釋。
請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明的電容式麥克風(fēng)的剖面結(jié)構(gòu)圖，主要包括有基板102。此基板102可為硅晶片，且具有空腔104。如圖2A所示，利用感應(yīng)耦合等離子體(Inductive Couple Plasma；ICP)干刻蝕方式可以形成垂直圓孔狀的空腔1041。如圖2B所示，利用硅非等向性濕刻蝕方式可以形成斜面方孔狀的空腔1042，而于基板102上具有一層背板106。此背板106包含有多個(gè)穿孔108，于背板106的表面還可具有一層電極層110，其為導(dǎo)電性材料所制成。而于背板106之上則為感應(yīng)板112，為導(dǎo)電性材料制成，且感應(yīng)板112與背板106之間形成有一個(gè)第一距離114以及一個(gè)第二距離116，通過(guò)第一距離114以及第二距離116，得以形成階梯型落差。
通過(guò)第一距離114，使得背板106與感應(yīng)板112之間形成一個(gè)振動(dòng)空間118，此振動(dòng)空間118 利用濕刻蝕方式而形成。而通過(guò)第二距離116，使得感應(yīng)板112得以利用水氣而與背板106產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定。表面沾黏現(xiàn)象的發(fā)生是由于液體的表面張力作用，主要是凡得瓦耳力和氫鍵的作用，若制造過(guò)程為使用干刻蝕，但空氣中的水氣很重，則第二距離116部分可利用空氣中的水氣與背板106產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定。其中，振動(dòng)空間118與空腔104通過(guò)各個(gè)穿孔108而相通。
此外，電容式麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)中，振動(dòng)空間118的形狀可為圓形或是方形，感應(yīng)板112還可包含有支撐墻結(jié)構(gòu)120，支撐墻結(jié)構(gòu)120的形狀與振動(dòng)空間118的形狀相同，為圓形或是方形。又，支撐墻結(jié)構(gòu)120與背板106之間可通過(guò)外加偏壓產(chǎn)生的靜電吸附力而固定。例如，外加直流電源，使得支撐墻結(jié)構(gòu)120得以更加固定于背板106，并且使得感應(yīng)板112與背板106之間的第二距離116得以縮小至可造成表面沾黏現(xiàn)象的距離。
再者，感應(yīng)板112還可包含有凸塊(dimple)122，用來(lái)降低與背板106沾黏的機(jī)率，避免于濕刻蝕后的干燥過(guò)程中，感應(yīng)板112會(huì)整個(gè)表面黏于背板106上，通過(guò)凸塊(dimple)122的設(shè)計(jì)，使得感應(yīng)板112與背板106于濕刻蝕后的干燥過(guò)程中，最多產(chǎn)生點(diǎn)接觸。如此一來(lái)，分離感應(yīng)板112與背板106會(huì)比較容易。其中，凸塊122的長(zhǎng)度小于第一距離114。
為了使感應(yīng)板112確實(shí)固定于背板106之上，可再設(shè)計(jì)固定樁124，設(shè)置于感應(yīng)板112的外圍，用以確保感應(yīng)板112與背板106的相對(duì)位置。此固定樁124的形狀可為階梯型或帽型。如圖3A所示，為第一種階梯型固定樁1241的結(jié)構(gòu)示意圖，通過(guò)第一種階梯型固定樁1241，感應(yīng)板112的上下方向可更穩(wěn)固。如圖3B所示，為第二種階梯型固定樁1242的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3C所示，為第一種帽型固定樁1243的結(jié)構(gòu)示意圖，此第一種帽型固定樁1243的固定感應(yīng)板112的效果最佳，可限制感應(yīng)板112的上、下、左、右的移動(dòng)空間。如圖3D所示，為第二種帽型固定樁1244的結(jié)構(gòu)示意圖。
繼續(xù)請(qǐng)參閱圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J以及圖4K，為本發(fā)明的電容式麥克風(fēng)的第一實(shí)施例制造流程示意圖。首先，在干凈的雙面拋光硅晶片402成長(zhǎng)熱氧化硅層404(thermal silicondioxide)1000，利用低壓化學(xué)汽相沉積(LPCVD)氮化硅406(Si3N4)約5000，再利用第一道掩膜定義聲孔408(acoustic hole)圖樣，通過(guò)反應(yīng)離子刻蝕(RIE)一直蝕到達(dá)硅基材(silicon substrate)為止，即形成了聲孔408。
接著，利用低壓化學(xué)汽相沉積法(LPCVD)沉積參雜過(guò)的多晶硅(dopedpolysilicon)約3000。多晶硅具有導(dǎo)電作用，利用第二道掩膜在多晶硅上定義下電極410圖形，第二道掩膜與第一道掩膜相同，以等向性的硅刻蝕液將不要的部分進(jìn)行刻蝕，即形成了下電極410。
之后利用爐管沉積低溫氧化硅(LTO PSG)以沉積第一道犧牲層412，通過(guò)第三道掩膜定義皺折(corrugation)區(qū)域414、凸塊(dimple)416以及支撐結(jié)構(gòu)422，再利用氫氟酸(HF acid)刻蝕掉不要的部分。然后第二道爐管沉積低溫氧化硅(LTO PSG)沉積很薄的第二道犧牲層418，做為修飾，且通過(guò)第四道掩膜定義凸塊(dimple)416以及支撐結(jié)構(gòu)422，并使用氫氟酸(HF acid)刻蝕掉不要的部分。
緊接著，利用低壓化學(xué)汽相沉積法(LPCVD)沉積參雜過(guò)的多晶硅(dopedpolysilicon)以形成感應(yīng)薄板420，感應(yīng)薄板420具有凸塊(dimple)416以及支撐結(jié)構(gòu)422，之后，可繼續(xù)往上沉積薄薄的第三道犧牲層424。做為定義固定樁426的形狀，在固定樁426部分可以由等向均勻的沉積填滿多晶硅(polysilicon)。通過(guò)第五道掩膜定義感應(yīng)薄板420圖形并使用電感耦合等離子體(ICP)硅深刻蝕機(jī)進(jìn)行刻蝕，濺射(sputter deposition)TiW/Au，第六道濕刻蝕定義金屬導(dǎo)線與焊墊428，分別以金刻蝕液與TiW刻蝕液進(jìn)行刻蝕，做為之后打線用。第七道掩膜定義晶背刻蝕區(qū)域430，由于ICP硅深刻蝕制程相對(duì)于氧化硅的選擇比大于1000，因此晶背刻蝕可均勻的停止在背板上，以HF濕刻蝕移除第一道犧牲層412、第二道犧牲層418以及第三道犧牲層424，最后使用二氧化碳(CO2)的超臨界點(diǎn)進(jìn)行驅(qū)水干燥。
結(jié)構(gòu)沾黏(stiction)的發(fā)生是由于液體的表面張力作用，主要是凡得瓦耳力和氫鍵的作用。液體干燥過(guò)程中會(huì)拉近撓性結(jié)構(gòu)的間距，當(dāng)結(jié)構(gòu)的彈性回復(fù)力小于表面吸力時(shí)沾黏現(xiàn)象就會(huì)發(fā)生，一般以加高結(jié)構(gòu)間距、dimple結(jié)構(gòu)與表面疏水性處理來(lái)減少沾黏發(fā)生的機(jī)會(huì)。本實(shí)施例中外環(huán)與晶片表面的初始間距僅0.1至0.3μm之間且表面平滑，故意設(shè)計(jì)使結(jié)構(gòu)表面沾黏發(fā)生，而感應(yīng)薄板420與下電極410的高度為3～4μm，并配置lμm高度的凸塊(dimple)416在感應(yīng)薄板420中央位置，使得在干燥過(guò)程中可以將感應(yīng)薄板420完全釋放應(yīng)力而使外環(huán)沾黏固定在晶片表面，達(dá)到完全釋放殘留應(yīng)力又可自動(dòng)將結(jié)構(gòu)邊緣重新固定的效果。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖5A，為本發(fā)明的電容式麥克風(fēng)的俯視圖，而圖5B，為圖5AI-I剖面的剖視圖，包括有基板502，基板502具有空腔504，基板502上有一層背板506，背板506上有一層電極層508，在背板506上有感應(yīng)板510，背板506與感應(yīng)板510之間形成振動(dòng)空間512，于感應(yīng)板510上可形成有環(huán)形支撐墻514以及凸塊516。其中，感應(yīng)板510與背板506之間有一第一距離部分518以及一第二距離部分520。
而圖5C，為本發(fā)明的具有固定樁的電容式麥克風(fēng)的俯視圖，圖5D為圖5CII-II剖面的剖視圖，其制造方法與第一實(shí)施例完全相同，此處在外環(huán)結(jié)構(gòu)旁邊加上固定樁522，使帽型結(jié)構(gòu)的感應(yīng)板510無(wú)法左右飄移。
最后，請(qǐng)參閱圖5E，為本發(fā)明的具有固定樁以及開(kāi)槽的電容式麥克風(fēng)的俯視圖，圖5F為圖5EI-I剖面的剖視圖，而圖5G為圖5EII-II剖面的剖視圖，制造方法與第一實(shí)施例完全相同。此處在感應(yīng)板510周圍加了開(kāi)槽524，可平衡靜態(tài)壓力，且由于在感應(yīng)板510上加了開(kāi)槽524的緣故，使感應(yīng)板510與感應(yīng)板510較低部分的外環(huán)結(jié)構(gòu)形成彈簧式聯(lián)結(jié)525，使感應(yīng)板510上的環(huán)形支撐墻514與電極層508的接觸更為平順。
本發(fā)明為電容式麥克風(fēng)結(jié)構(gòu)，可利用基本的面型加工法(surfacemicromachining)制作，通過(guò)設(shè)計(jì)一特殊外環(huán)結(jié)構(gòu)，可使感應(yīng)薄板在釋放完殘留應(yīng)力之后能重新固定在基板上。經(jīng)由本發(fā)明的特殊外環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使感應(yīng)薄板在釋放完殘留應(yīng)力之后自動(dòng)再固定在基板上，感應(yīng)薄板的殘留應(yīng)力完全釋放，使組件特性不受殘留應(yīng)力隨制造過(guò)程變化而有所影響，且制造過(guò)程簡(jiǎn)單。
雖然本發(fā)明以前述的實(shí)施例公開(kāi)如上，但并非用以限定本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)與修改，均屬本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護(hù)范圍請(qǐng)參考所附的權(quán)利要求書(shū)。
權(quán)利要求
1.一種電容式麥克風(fēng)，其特征在于，包括有一基板，該基板包括至少一空腔；一背板于該基板上，該背板具有多個(gè)穿孔；以及一感應(yīng)板于該背板之上，該感應(yīng)板與該背板之間具有一第一距離以及一第二距離，該第一距離大于該第二距離；其中，通過(guò)該第一距離使得該背板與該感應(yīng)板之間形成一振動(dòng)空間，而通過(guò)該第二距離使得該感應(yīng)板得以利用水氣或其它液體與該背板產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定，且該振動(dòng)空間與該空腔通過(guò)各穿孔而相通。
2.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該基板為一硅晶片。
3.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該空腔的形狀為一孔狀。
4.如權(quán)利要求3所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該孔狀為一垂直圓孔或一斜面方孔。
5.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該空腔利用感應(yīng)耦合等離子體干刻蝕方式或是利用硅非等向性濕刻蝕方式制成。
6.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該振動(dòng)空間通過(guò)濕刻蝕方式形成。
7.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該背板的表面還包括有一電極層。
8.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該振動(dòng)空間的形狀為圓形或方形。
9.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該感應(yīng)板還包括有一支撐墻結(jié)構(gòu)，該支撐墻結(jié)構(gòu)與該背板之間通過(guò)外加偏壓產(chǎn)生的靜電吸附力而固定，使得該感應(yīng)板與該背板之間的該第二距離得以縮小至可造成表面沾黏現(xiàn)象的距離。
10.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該感應(yīng)板還可包括有一開(kāi)槽介于該感應(yīng)板的該第一距離部分與該第二距離部分之間，以平衡靜態(tài)壓力。
11.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該感應(yīng)板的該第一距離部分具有一凸塊，用以降低與該背板沾黏的機(jī)率。
12.如權(quán)利要求11所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該凸塊的長(zhǎng)度小于該第一距離。
13.如權(quán)利要求11所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該凸塊的長(zhǎng)度為1μm。
14.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，還可包括一固定樁，用以確保該感應(yīng)板與該背板之間的相對(duì)位置。
15.如權(quán)利要求14所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該固定樁的形狀為階梯型或帽型。
16.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該感應(yīng)板由導(dǎo)電性材料制成。
17.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該第二距離介于0.1μm至0.3μm之間。
18.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該第一距離介于3μm至4μm之間。
19.如權(quán)利要求1所述的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，該感應(yīng)板通過(guò)該第一距離以及該第二距離，得以形成一階梯型落差。
20.一種電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，包括有下列步驟提供一基板，該基板包含有至少一空腔；形成一背板于該基板上，該背板具有多個(gè)穿孔；以及形成一感應(yīng)板于該背板之上，該感應(yīng)板與該背板之間具有一第一距離以及一第二距離，該第一距離大于該第二距離；其中，通過(guò)該第一距離使得該背板與該感應(yīng)板之間形成一振動(dòng)空間，而通過(guò)該第二距離使得該感應(yīng)板得以利用水氣或其它液體與該背板產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定，且該振動(dòng)空間與該空腔通過(guò)各穿孔而相通。
21.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該基板為一硅晶片。
22.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該空腔的形狀為一孔狀。
23.如權(quán)利要求22所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該孔狀為一垂直圓孔或一斜面方孔。
24.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該空腔利用感應(yīng)耦合等離子體干刻蝕方式或是利用硅非等向性濕刻蝕方式制成。
25.如權(quán)利要求23所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該振動(dòng)空間通過(guò)濕刻蝕方式形成。
26.如權(quán)利要求23所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該形成一背板于該基板上的步驟之后，還包括有一形成一電極層于該背板上的步驟。
27.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該振動(dòng)空間的形狀為圓形或方形。
28.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，還包括有一形成一支撐墻結(jié)構(gòu)于該感應(yīng)板上的步驟，該支撐墻結(jié)構(gòu)與該背板之間通過(guò)外加偏壓產(chǎn)生的靜電吸附力而固定，使得該感應(yīng)板與該背板之間的該第二距離得以縮小至可造成表面沾黏現(xiàn)象的距離。
29.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，還可包括有一形成一開(kāi)槽于該感應(yīng)板的該第一距離部分與該第二距離部分之間的步驟，以平衡靜態(tài)壓力。
30.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，還可包括有一于該感應(yīng)板的該第一距離部分形成一凸塊的步驟，用以降低該感應(yīng)板與該背板沾黏的機(jī)率。
31.如權(quán)利要求30所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該凸塊的長(zhǎng)度小于該第一距離。
32.如權(quán)利要求30所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該凸塊的長(zhǎng)度為1μm。
33.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，還包括有一形成一固定樁于該感應(yīng)板的外圍的步驟，用以確保該感應(yīng)板與該背板之間的相對(duì)位置。
34.如權(quán)利要求33所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該固定樁的形狀為階梯型或帽型。
35.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該感應(yīng)板由導(dǎo)電性材料制成。
36.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該第二距離介于0.1μm至0.3μm之間。
37.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該第一距離介于3μm至4μm之間。
38.如權(quán)利要求20所述的電容式麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于，該感應(yīng)板通過(guò)該第一距離以及該第二距離，以形成一階梯型落差。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電容式麥克風(fēng)及其制造方法，于具有至少一空腔的基板上形成一背板，此背板具有多個(gè)穿孔，再于背板上形成感應(yīng)板，且背板跟感應(yīng)板之間具有一振動(dòng)空間，振動(dòng)空間與空腔通過(guò)各個(gè)穿孔而相通，其中感應(yīng)板與背板間有一第一距離以及一小于第一距離的第二距離，以在感應(yīng)板上形成落差，而第二距離部分利用水氣或其它液體與背板產(chǎn)生表面沾黏現(xiàn)象而固定。本發(fā)明使感應(yīng)薄板在釋放完殘留應(yīng)力之后自動(dòng)固定在基板上，感應(yīng)薄板的殘留應(yīng)力完全釋放，使組件特性不受殘留應(yīng)力隨制造過(guò)程變化而有所影響，且制造過(guò)程簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)H04R31/00GK1997244SQ20051013767
公開(kāi)日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2005年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月31日
發(fā)明者陳振頤 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院