專利名稱：具有集成放大器及預(yù)畸變電路的光學(xué)發(fā)射器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)發(fā)射器且，更具體來說涉及在具有模擬或數(shù)字電輸出信號(hào)的計(jì)算機(jī)或通信單元與光纖之間提供通信接口(例如在光纖通信系統(tǒng)中使用的通信接口)的封裝組合件或密封模塊。
相關(guān)技術(shù)說明多種光學(xué)發(fā)射器在所屬技術(shù)領(lǐng)域中已為人們所習(xí)知，這些光學(xué)發(fā)射器包括一調(diào)制器電路，所述調(diào)制器電路將來自計(jì)算機(jī)或通信單元的模擬或數(shù)字電信號(hào)轉(zhuǎn)換為施加至半導(dǎo)體激光器模塊的調(diào)制電流，而此半導(dǎo)體激光器模塊產(chǎn)生耦合至光纖的調(diào)制光學(xué)信號(hào)或光束。
現(xiàn)有技術(shù)模塊有時(shí)包括一用于使激光器的阻抗(通常約為四歐姆)與所述模塊的輸入阻抗(在CATV應(yīng)用中通常為25歐姆)相匹配的阻抗匹配電阻器，及一熱-電冷卻器(TEC)以在溫度上穩(wěn)定所述激光器及或許所述模塊內(nèi)的其他相關(guān)組件。如果阻抗匹配電阻器與所述激光器串聯(lián)使用，那么必須增加外部激光驅(qū)動(dòng)器的電壓擺幅以提供足夠的調(diào)制電流來驅(qū)動(dòng)所述激光器。此大電壓擺幅需要增加激光驅(qū)動(dòng)器的電源電壓并增加整個(gè)系統(tǒng)的功率消耗。因此，此現(xiàn)有技術(shù)發(fā)射器相對(duì)較大并消耗大量功率，通常大于十瓦特。
現(xiàn)有技術(shù)光學(xué)發(fā)射器中使用的放大器，例如Anadigics ACA2304集成電路，耗散大量熱量(約六瓦特)并在印刷電路板上占據(jù)大量空間。另一個(gè)問題是所述放大器通常距所述激光器二極管數(shù)英寸遠(yuǎn)，因此此種設(shè)計(jì)需要在所述放大器電路與所述激光器二極管之間使用某種形式的阻抗匹配電路(例如，一變壓器)。因此，盡管人們希望減小用于模擬RF應(yīng)用的光學(xué)發(fā)射器的尺寸及功率要求，但是由于集成電路具有相對(duì)大的尺寸及其相關(guān)的功率需求及散熱問題，在本發(fā)明之前，一直不可能在激光器封裝之內(nèi)構(gòu)建一放大器集成電路。
背景技術(shù)：

發(fā)明內(nèi)容
1.
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種使用具有集成信號(hào)放大器的直接調(diào)制激光器的改良型光學(xué)傳輸系統(tǒng)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種使用一模塊化封裝式激光器與放大器子組合件的尺寸緊湊及功率耗散低的改良型光學(xué)發(fā)射器。
本發(fā)明的另一目的是提供一種與不同的光學(xué)傳輸系統(tǒng)及光電組件一起使用的激光發(fā)射器，其包括一個(gè)或多個(gè)放大器增益級(jí)及預(yù)畸變電路。
本發(fā)明的另一目的是提供一種在光學(xué)傳輸系統(tǒng)中使用的光學(xué)發(fā)射器，所述光學(xué)傳輸系統(tǒng)具有一位于所述激光封裝中用于穩(wěn)定激光器及中間電路溫度的TEC冷卻器。
本發(fā)明的又一目標(biāo)是提供一種在一具有一密封封裝的光學(xué)傳輸系統(tǒng)中使用的光學(xué)發(fā)射器，其中所述預(yù)畸變電路與半導(dǎo)體激光器集成在所述封裝中。
2.本發(fā)明的特點(diǎn)簡(jiǎn)短且概括地說，本發(fā)明提供一種模塊化封裝的光學(xué)發(fā)射器，其包括一模擬信號(hào)輸入、一激光器及一用于直接調(diào)制所述激光器的放大器電路。
在另一方面，本發(fā)明提供一種光學(xué)發(fā)射器模塊，其包括一外殼，其具有用于接收通信信號(hào)的電輸入；一放大器，其被設(shè)置于所述外殼中并連接至所述電輸入以用于以電子方式放大所述通信信號(hào)；及一激光器，其被設(shè)置于所述外殼中并連接至所述放大器以產(chǎn)生自所述外殼向外發(fā)射的對(duì)應(yīng)于所述通信信號(hào)的調(diào)制光束。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種封裝的激光器，其包括一用于減少由所述激光器的非線性操作產(chǎn)生的二階或更高階畸變產(chǎn)物。


圖1A是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器及放大器均位于所述激光器模塊外部的現(xiàn)有技術(shù)的一第一實(shí)例性實(shí)施例中一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖1B是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器及預(yù)畸變器電路均位于所述激光器模塊外部的現(xiàn)有技術(shù)的一第二例示性實(shí)施例中一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖2是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器及放大器均位于所述激光器模塊外部且所述預(yù)畸變器及激光器均集成在一單個(gè)封裝中的本發(fā)明一第一例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖3A是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器及預(yù)畸變器均集成在所述激光器模塊內(nèi)的本發(fā)明一第二例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖3B是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器及預(yù)畸變器以不同于圖3A中的順序集成在所述激光器模塊內(nèi)的本發(fā)明一第三例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖4A是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器集成在所述激光器模塊內(nèi)一TEC冷卻器上方的本發(fā)明一第四例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖4B是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器與所述預(yù)畸變器集成在所述激光器模塊內(nèi)一TEC冷卻器上方的本發(fā)明一第四例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一例示性實(shí)施例具有直接耦合至一激光器的高增益、高線性源極跟隨放大器的一光學(xué)發(fā)射器的簡(jiǎn)化示意圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的一例示性實(shí)施例具有直接耦合至一激光器的高增益、高線性共陰共柵放大器的一光學(xué)發(fā)射器的簡(jiǎn)化示意圖。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的一例示性實(shí)施例具有直接耦合至一激光器的高增益、高線性共源極放大器的一光學(xué)發(fā)射器的簡(jiǎn)化示意圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的一例示性實(shí)施例具有直接耦合至一激光器的高增益、高線性共源極放大器的一光學(xué)發(fā)射器的簡(jiǎn)化示意圖；及圖9是描繪圖7中電路的頻率響應(yīng)及輸入返回?fù)p耗的曲線圖。
圖10是具有集成放大器的典型激光器模塊的載波噪聲比(C/N)、復(fù)合三次差拍(CTB)及復(fù)合二階畸變(CSO)的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器及放大器均位于所述激光器模塊外部的現(xiàn)有技術(shù)的一第一例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖1B是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器及預(yù)畸變器電路均位于所述激光器模塊外部的現(xiàn)有技術(shù)的一第二例示性實(shí)施例中一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖2是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器及放大器均位于所述激光器模塊外部且所述預(yù)畸變器及激光器均集成在一單個(gè)封裝中的本發(fā)明一第一例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，一激光光學(xué)發(fā)射器包括位于所述激光器模塊外部的一個(gè)或多個(gè)放大器級(jí)，及一集成在所述激光器模塊內(nèi)的預(yù)畸變電路。
圖3A是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器及預(yù)畸變器均集成在所述激光器模塊內(nèi)的本發(fā)明一第二例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。在本發(fā)明的本實(shí)施例中，一激光光學(xué)發(fā)射器包括位于所述激光器模塊內(nèi)部的一個(gè)或多個(gè)放大器級(jí)，及一也集成在所述激光器模塊內(nèi)的預(yù)畸變電路。此種例示性光學(xué)發(fā)射器可通過消除所述阻抗匹配變壓器及其他大組件(例如放大器)而比傳統(tǒng)發(fā)射器小，從而允許在印刷電路板上實(shí)現(xiàn)更高的器件集成密度。此外，由于增益級(jí)現(xiàn)被直接定位于鄰近所述激光器電路小片，借此不需要與所述激光器二極管串聯(lián)的阻抗匹配電阻器，因此所述例示性發(fā)射器的功率消耗也比傳統(tǒng)器件的功率消耗低得多。
圖3B是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器及預(yù)畸變器以不同于圖3A中的順序集成在所述激光器模塊內(nèi)的本發(fā)明一第三例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖4A是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器集成在所述激光器模塊內(nèi)一TEC冷卻器上方的本發(fā)明一第四例示性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
圖4B是根據(jù)其中驅(qū)動(dòng)器位于所述激光器模塊外部且所述放大器與所述預(yù)畸變器集成在所述激光器模塊內(nèi)一TEC冷卻器上方的本發(fā)明一第四實(shí)例性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器的高度簡(jiǎn)化方框圖。
在所圖解說明的實(shí)施例中，一提供一用于調(diào)制所述激光輸出的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)的模擬數(shù)據(jù)源12被耦合至一預(yù)畸變器22。某些模擬發(fā)射器中固有的畸變會(huì)阻礙一線性電調(diào)制信號(hào)以線性方式轉(zhuǎn)變成一光學(xué)信號(hào)，并且會(huì)導(dǎo)致該信號(hào)發(fā)生畸變。
預(yù)畸變器22產(chǎn)生一與所述模擬調(diào)制信號(hào)結(jié)合的畸變信號(hào)。如此產(chǎn)生的畸變或預(yù)畸變被調(diào)整成在量級(jí)上與所述非線性激光器18中固有的二階或二階以上互調(diào)制分量畸變大致相等且符號(hào)相反。當(dāng)所述非線性激光器18被所述組合信號(hào)調(diào)制時(shí)，由畸變器22產(chǎn)生的畸變信號(hào)消除所述激光器的固有畸變，而且僅發(fā)射模擬源信號(hào)的線性部分。
例如，在一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)畸變器22將所述模擬信號(hào)數(shù)據(jù)分成兩個(gè)或更多個(gè)電路徑并在一個(gè)或多個(gè)所述路徑上產(chǎn)生類似于非線性激光器18中固有畸變的預(yù)畸變。所產(chǎn)生的預(yù)畸變是所述非線性激光器18固有畸變的反演，并且當(dāng)在應(yīng)用于非線性器件前與所述輸入信號(hào)再組合時(shí)，可用于消除所述器件固有畸變的影響。
在本實(shí)施例中，所述預(yù)畸變器信號(hào)驅(qū)動(dòng)增益級(jí)16，增益級(jí)16又驅(qū)動(dòng)所述非線性激光器18。所述增益級(jí)可具有多極，且可接收用于控制所述激光器輸出的各種不同參數(shù)(例如，舉例來說，調(diào)制幅值及偏壓)的一個(gè)或多個(gè)控制信號(hào)。在所描述的例示性實(shí)施例中，增益級(jí)16及激光器18分開一距離，此距離小于所述電信號(hào)的RF傳輸波長(zhǎng)。因此，在該實(shí)施例中，所述增益級(jí)被直接耦合至所述激光器的輸入而不需要一阻抗匹配電阻器來減小RF反射的影響。此外，該實(shí)施例中的所述增益級(jí)還可彼此直接耦合而不需要介入的阻抗匹配電阻器。
因此與傳統(tǒng)的光學(xué)發(fā)射器相比，所描述的例示性實(shí)施例可利用一低功率電源電壓并具有減小的功率消耗。所需電壓及功率的減小主要?dú)w因于在所述預(yù)畸變?cè)鲆婕?jí)與所述激光器之間沒有阻抗匹配電阻器。
激光器18可以是一激光器二極管、法布里—珀羅激光器(Fabry Perot laser)、或任何其它適合于光學(xué)通信的光學(xué)發(fā)射器。所述光學(xué)接收器22通過光學(xué)傳輸媒體20接收由激光器18輸出的線性模擬調(diào)制發(fā)射信號(hào)。所述光學(xué)接收器22可包括一個(gè)或多個(gè)光電二極管以用來探測(cè)所接收的光學(xué)信號(hào)并將所接收的光學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)換為一電信號(hào)。
圖5是一根據(jù)本發(fā)明一實(shí)例性實(shí)施例中的一光學(xué)發(fā)射器100的示意圖。例如，所述光學(xué)發(fā)射器100可在光纖通信系統(tǒng)中用作光學(xué)發(fā)射器。在某些實(shí)施例中，一DC隔直流電容器102將一預(yù)畸變模擬數(shù)據(jù)信號(hào)與放大器105耦合。所圖解說明的實(shí)施例可進(jìn)一步包括一分流至大地的阻抗匹配電阻器120。所述阻抗匹配電阻器120為耦合至所述激光器模塊的輸入的傳輸線提供所需的終端阻抗，借此使所述激光器模塊的輸入阻抗與所述傳輸線的特征阻抗之間能夠大致匹配。
所述放大器105是用放大的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)調(diào)制激光器110的高增益、高線性器件。在一實(shí)施例中，所述放大器包括一配置成一源極跟隨(DC-耦合共漏極)放大器的單一FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。在所述實(shí)施例中，所述晶體管的源極被直接耦合至所述激光器110。所述晶體管被耦合在所述電信號(hào)的RF波長(zhǎng)的一小部分內(nèi)并為所述激光器110提供一低輸出阻抗驅(qū)動(dòng)信號(hào)而不需要一介入的阻抗匹配電阻器。在其它實(shí)施例中，可使用所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所習(xí)知的其它晶體管。
所圖解說明的光學(xué)發(fā)射器100進(jìn)一步包括形成一偏壓T型網(wǎng)絡(luò)的一電容器130及電阻器140，此偏壓T型網(wǎng)絡(luò)將柵極偏壓控制信號(hào)150耦合至晶體管105的柵極來DC偏壓所述晶體管以保證線性運(yùn)作。所述電阻器130為所述預(yù)畸變數(shù)據(jù)信號(hào)提供DC(直流)負(fù)荷且所述電容器140提供分流至大地的AC。
在本實(shí)施例中，電容器160將晶體管105的漏極AC耦合至大地。所述電容器160可包括兩個(gè)并聯(lián)的電容器，其中一個(gè)具有相對(duì)小的電容量(例如，60至100pf)的電容器集成在所述激光器模塊中，且另一個(gè)具有較大電容量(例如，0.1uf)的電容器集成在所述激光模塊外部。
所述例示性實(shí)施例減小了耦合用于晶體管104線性運(yùn)作的所需電源電壓Vcc，因?yàn)闆]有電阻器與所述激光器二極管110串聯(lián)使用。例如，當(dāng)由最大電流驅(qū)動(dòng)時(shí)，所述激光器兩端的最大壓降通常約小于2.0V。因此，小于約3.5V的標(biāo)稱電源電壓Vcc為晶體管105在所有條件下的有效運(yùn)作提供足夠的漏極-柵極電壓。在某些情況下，所述電路的Vcc可能需要在略高的電壓下進(jìn)行優(yōu)化以獲得最優(yōu)畸變性能。此外，在本實(shí)施例中，所述晶體管被緊緊地耦合至所述激光器。與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，移除與所述激光器串聯(lián)的阻抗匹配電阻器還減小了所述晶體管的功率消耗。
所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員應(yīng)了解，可以在不違背其精神及本質(zhì)特征的前提下以其它具體形式實(shí)施本發(fā)明。例如，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，本發(fā)明不限于圖5中圖解說明的所述源極-跟隨放大器。相反，可使用各種高增益、高線性放大器設(shè)計(jì)來構(gòu)建所述例示性低功率光學(xué)發(fā)射器。例如，在圖6的簡(jiǎn)化方框圖中，將一共陰共柵放大器300直接耦合至激光器310以提供一低功率高線性發(fā)射器。
在此實(shí)施例中，一DC隔直流電容器340將一預(yù)畸變模擬數(shù)據(jù)信號(hào)與一級(jí)聯(lián)晶體管(例如MOSFET 320)耦合。圖解說明的實(shí)施例可進(jìn)一步包括分流至大地的一阻抗匹配電阻器350。所述阻抗匹配電阻器350又為耦合至所述激光器模塊的輸入的傳輸線提供所需的終端阻抗，借此使所述激光器模塊的輸入阻抗與所述傳輸線的特征阻抗之間能夠大致匹配。
在本實(shí)施例中，所述共陰共柵晶體管(例如MOSFET 320)的源極通過可用來限制所述器件的增益的負(fù)載電阻器360串行耦合至跨導(dǎo)晶體管(例如MOSFET 320)的漏極。在此實(shí)施例中，DC隔直流電容器370將取自晶體管320與330之間接點(diǎn)處的放大器輸出耦合至激光器310?？赏ㄟ^感應(yīng)器380對(duì)該激光器施加DC偏壓。
圖7是具有直接耦合至激光器的高增益、高線性共源極放大器的一光學(xué)發(fā)射器的簡(jiǎn)化示意圖。該解說明利用一共源極放大器的本發(fā)明的又一實(shí)施例，其中所述激光器400通過一DC隔直流電容器420直接耦合至一FET晶體管410的漏極。在此實(shí)施例中，負(fù)載電阻器430可耦合在所述電源電壓Vcc與所述晶體管410的漏極之間以設(shè)定所述器件的增益。
與傳統(tǒng)器件相比，本發(fā)明在保持相對(duì)高的性能的同時(shí)明顯降低了功率消耗。舉例來說，圖5中所圖解說明的級(jí)聯(lián)放大器可集成在激光器電路小片附近，從而不再需要與所述激光器二極管串聯(lián)的阻抗匹配電阻器。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)例性實(shí)施例具有直接耦合至一激光器的高增益、高線性共源極放大器的一光學(xué)發(fā)射器的簡(jiǎn)化示意圖；圖9是一描繪圖7中電路的頻率響應(yīng)及輸入返回?fù)p耗的曲線圖。特別地，圖9以圖解方式圖解說明所述共陰共柵放大器隨頻率變化的被測(cè)量頻率響應(yīng)(S21)及輸入返回?fù)p耗(S11)。圖解說明的共陰共柵放大器在300kHz至1GHz內(nèi)提供相對(duì)平坦的性能。
類似地，圖10以圖解方式圖解說明隨頻率而變化的載波噪聲比(C/N)、復(fù)合三次差拍(CTB)及復(fù)合二階畸變(CSO)。圖解說明的放大器滿足或超過用于發(fā)射器增益級(jí)的典型性能標(biāo)準(zhǔn)，即53dB載波噪聲比、65dB CTB及65dB CSO。因此，圖解說明的光學(xué)發(fā)射器的畸變性能通常受到所述預(yù)畸變電路的性能及所述激光器器件固有的非線性的限制。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)發(fā)射器模塊，其包括一外殼，其包括一用于接收一通信信號(hào)的電輸入；一放大器，其被設(shè)置于所述外殼中并連接至所述電輸入以用于以電子方式放大所述通信信號(hào)；及一激光器，其被設(shè)置于所述外殼中并連接至所述放大器以產(chǎn)生一自所述外殼向外發(fā)射的對(duì)應(yīng)于所述通信信號(hào)的調(diào)制光束。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中所述激光器由所述電通信信號(hào)進(jìn)行調(diào)幅。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中所述外殼是密封的。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中所述放大器包括一配置為一共集電極放大器的雙極晶體管。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中所述放大器包括一配置為一共漏極放大器的FET。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射器，其中所述通信信號(hào)是一模擬射頻信號(hào)。
7.如權(quán)利要求7所述的發(fā)射器，其進(jìn)一步包括一連接至所述放大器并設(shè)置于所述外殼中的預(yù)畸變電路。
8.一種光學(xué)發(fā)射器模塊，其包括一外殼，其包括一用于接收一通信信號(hào)的電輸入；一預(yù)畸變電路，其被設(shè)置于所述外殼中并連接至所述電輸入以用于以電子方式修改所述通信信號(hào)；及一激光器，其被設(shè)置于所述外殼中并連接至所述電路以產(chǎn)生一自所述外殼向外發(fā)射的對(duì)應(yīng)于所述通信信號(hào)的調(diào)制光束。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)射器，其中所述外殼是密封的。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)射器，其中所述通信信號(hào)是一模擬射頻信號(hào)。
11.一種光學(xué)發(fā)射器，其包括一驅(qū)動(dòng)電路，其用于接收一輸入信息信號(hào)并用于產(chǎn)生一調(diào)制電流輸出；及一封裝的激光器模塊，其包括一連接至所述驅(qū)動(dòng)電路的中間電路、及一連接至所述中間電路以用于產(chǎn)生一代表所述輸入信息信號(hào)的調(diào)制光束的半導(dǎo)體激光器、及一用于控制所述中間電路及所述激光器的環(huán)境溫度的溫度控制元件。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)射器，其中所述封裝的模塊是密封的。
13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)射器，其中所述中間電路是一預(yù)畸變電路。
14.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)發(fā)射器，其中所述放大器包括一源極跟隨放大器且其中所述激光器耦合至一放大器晶體管的一源極。
15.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)發(fā)射器，其中所述放大器包括一共陰共柵放大器且其中所述激光器被耦合在一共陰共柵晶體管與一跨導(dǎo)晶體管之間。
16.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)發(fā)射器，其中所述放大器包括一共源極放大器且其中所述激光器耦合至一放大器晶體管的漏極。
17.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)發(fā)射器，其進(jìn)一步包括一耦合至所述放大器與所述預(yù)畸變模擬輸入信號(hào)之間的所述第一電極的DC隔直流電容器。
18.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)發(fā)射器，其進(jìn)一步包括一耦合在所述激光器二極管與一激光器偏壓控制信號(hào)之間的感應(yīng)器，其中所述感應(yīng)器提供一至所述激光器二極管的DC電流路徑。
19.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)發(fā)射器，其進(jìn)一步包括一耦合在所述放大器的所述第一電極與大地之間的阻抗匹配電阻器。
20.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)發(fā)射器，其進(jìn)一步包括一耦合至所述放大器的所述第一電極的預(yù)畸變電路，其中所述預(yù)畸變電路產(chǎn)生一在量級(jí)上與所述激光器二極管所產(chǎn)生的固有畸變大致相等且符號(hào)相反的預(yù)畸變信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種光學(xué)發(fā)射器，其包括一外殼，其包含一設(shè)置于所述外殼中以接收一信息信號(hào)的電輸入；一放大器，其用于以電子方式放大所述輸入信號(hào)；及一激光器，其連接至所述放大器的輸出以產(chǎn)生一自所述外殼向外發(fā)射的對(duì)應(yīng)于所述信息信號(hào)的調(diào)制光束。
文檔編號(hào)H04B10/04GK1946009SQ20061000737
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2006年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月16日
發(fā)明者約翰·揚(yáng)內(nèi)利, 艾伯特·盧 申請(qǐng)人:昂科公司