專利名稱：一種適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微機電器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，本發(fā)明涉及一種適合單芯片集 成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
硅微電容傳聲器是一種新型的傳聲器，它通常由硅微電容芯片部分和外圍電 路部分組成。其中硅微電容芯片部分是傳聲器的核心，當(dāng)接收到聲壓的變化，通 過間隙的變化而產(chǎn)生一個可變的電容。外圍電路部分由DC-DC直流升壓電路和阻 抗變換器組成，DC-DC直流升壓電路產(chǎn)生一個高于電源電壓值的直流電壓，作為 偏置電壓提供給硅微電容芯片，而阻抗變換器具有很高的輸入阻抗和小的輸入電 容，起到緩沖放大的作用，將負(fù)載能力小的硅微電容芯片的信號進(jìn)行緩沖或放大。 硅微電容傳聲器的靈敏度一般在0.2 25 mV/Pa的范圍內(nèi)，電容為1 20pF， 頻率響應(yīng)在10Hz 15KHz的范圍內(nèi)。
硅微電容芯片部分由硅基片及其上的穿孔背板或者說聲學(xué)孔背板、空氣隙、 隔離層、保護(hù)、振動膜及金屬電極組成。由于其制作工藝的復(fù)雜性，隨著技術(shù)的 發(fā)展，很多新的結(jié)構(gòu)及其制備方法不斷地被提出。
己知有多種硅微電容傳聲器的例子，這些例子分別采用了不同的結(jié)構(gòu)或方式 來實現(xiàn)硅微電容傳聲芯片的穿孔背板或者說聲學(xué)孔背板、空氣隙、隔離層、振動 膜等，如Hohm(1986)采用鍵合的方法將分別有振動膜和聲孔的兩硅片鍵合在一 起，制作了硅微電容芯片；Bergqvist和Rudolf (1990)等在Hohm的基礎(chǔ)上， 增加了一個后空室，并采用了有多個小聲學(xué)阻尼孔的背板；Sche印er和Van der Donk (1992)等采用了不同的振動膜；Pedersen (1997)等描述了 一種帶集成CMOS 前置放大器的聚酰亞胺薄膜電容傳聲器，他使用了低于300度的低溫工藝，以便 可以在制作完硅微電容傳聲芯片后可以進(jìn)行CMOS后處理工藝。
本申請人已經(jīng)獲得授權(quán)的相關(guān)發(fā)明專利包括"微硅麥克風(fēng)及其制備方法" (授權(quán)號CN1684546)和"一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法"(授權(quán) 號CN1791281)，分別提出了新型的硅微電容傳聲器芯片的結(jié)構(gòu)及其制備方法。
以上所述已知的硅微電容傳聲器都包括硅微電容傳聲芯片、直流偏置電路和 高輸入阻抗的阻抗變換器三個主要部分，硅微電容傳聲芯片上電容的微小變化引 起其電壓的變化，此電壓通過阻抗變換器輸出一個交流電壓信號。當(dāng)作為一個獨立的傳聲器時，這種方式的優(yōu)點是采用非常直接的方法完成了從振動膜的機械振 動到電信號的轉(zhuǎn)換過程。這樣的傳聲器使用起來也很方便。但也有如下的不足之 處1) 由于硅微電容傳聲芯片上需要一個大的偏置電壓，這個電壓通常高于電源電壓，因此，需要一個DC-DC直流升壓電路，而將硅微電容傳聲 芯片、DC-DC直流偏置電路和高輸入阻抗的阻抗變換器集成在一起， 因為每部分的制作工藝不能完全兼容， 一般來講， 一體化集成是比較 困難的。2) 由于高的直流偏置電壓要通過一個大的偏置電阻(示例地，如500M 歐姆或更大)才能保證其在低頻端的頻率響應(yīng)有較小的衰落，這個電 阻的制作也比較困難。3) 傳統(tǒng)的傳聲器中所用的阻抗變換器通常是JFET，即結(jié)型場效應(yīng)管，它 有非常好的噪聲特性。目前集成化的CMOS工藝， 一般很難達(dá)到JFET 那么低的噪聲水平。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中一體化集成硅微電容傳聲器所面臨的困 難，從而提供一種工藝簡單的，適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系 統(tǒng)(圖1)，包括電容傳聲芯片，其特征在于，還包括集成高Q射頻諧振器和射 頻振蕩電路，所述集成高Q射頻諧振器與電容傳聲芯片串聯(lián)或并聯(lián)，并與所述射 頻振蕩電路一起構(gòu)成一個射頻振蕩回路；該射頻振蕩回路的輸出是一個頻率調(diào)制 的射頻信號；所述的集成高Q射頻諧振器的品質(zhì)因數(shù)Q至少為100。上述技術(shù)方案中，所述電容傳聲芯片是硅微電容傳聲芯片。上述技術(shù)方案中，所述硅微電容傳聲芯片是利用現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路工 藝，在硅基片上通過體刻蝕工藝制作而成的芯片，該芯片由硅基片及其上的穿孔 背板、空氣隙、隔離層、保護(hù)層、振動膜及金屬電極組成。上述技術(shù)方案中，所述的集成高Q射頻諧振器是利用現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路
工藝，在硅基片上制作的薄膜體聲波諧振器(FBAR)或高階多模體聲波諧振器 (HBAR);或者是由壓電晶體或壓電陶瓷構(gòu)成的晶體諧振器；或者是高Q集成電
感和高Q集成電容組成的諧振器。
上述技術(shù)方案中，所述的集成高Q射頻諧振器的諧振頻率范圍為10MHz 10GHz。
上述技術(shù)方案中，所述的射頻振蕩電路由品體三極管、M0S管、場效應(yīng)管、 集成運算放大器等和若干電阻、電容和電感一起構(gòu)成，該射頻振蕩電路與所述的 硅微電容傳聲芯片和所述的集成高Q射頻諧振器一起，構(gòu)成一個皮爾斯(Pierce) 射頻振蕩器或密勒(Miller)射頻振蕩器或克拉潑(Clapp)射頻振蕩器或考皮 茨(Colpitts)射頻振蕩器。
上述技術(shù)方案中，所述射頻振蕩電路包括一個提供產(chǎn)生并維持振蕩的跨導(dǎo)的 M0S三極管，該M0S三極管的柵極和漏極分別與硅微電容傳聲芯片和集成高Q射 頻諧振器的一端連接，所述硅微電容傳聲芯片和集成高Q射頻諧振器的另一端相 互串聯(lián)；所述V10S三極管的源極S接地；所述三極管的柵極和漏極還分別連接一 個接地電容，所述M0S三極管的漏極輸出作為所述射頻振蕩電路的輸出端。
上述技術(shù)方案中，所述硅微電容傳聲芯片、集成高Q射頻諧振器和射頻振蕩 電路用相互兼容的CMOS工藝制作并構(gòu)成一個單芯片系統(tǒng)。
本發(fā)明具有如下有益效果
1) 省去了傳統(tǒng)的硅微電傳聲器中不容易和CMOS工藝兼容或制作困難的 DC-DC直流升壓電路、500M歐姆以上的大電阻以及低噪聲JFET阻抗變換器。
2) 由于所述的硅微電容傳聲器芯片和薄膜體聲波諧振器(FBAR)(高Q 諧振器的一種)都是采用和CMOS相互兼容的半導(dǎo)體制作工藝，因此，本發(fā)明提 供的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)易于一體化集成，形成一個單芯片系統(tǒng)(即S0C)。
3) 這種將電容變化轉(zhuǎn)換成頻率變化的方法，可以避免傳聲器在低頻端 由于偏置電阻太小而引起的衰落。原理上講，本發(fā)明提出的調(diào)頻硅微電容傳聲器 系統(tǒng)的低頻響應(yīng)可以從直流開始。
4) 由本發(fā)明提出的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)的輸出是頻率調(diào)制的射頻 信號，所以，在構(gòu)成無線麥克風(fēng)系統(tǒng)時，可以直接通過天線發(fā)射出去，這樣大大 簡化系統(tǒng)的設(shè)計。并且當(dāng)調(diào)頻的帶寬很大時，在接收端有很大的調(diào)頻增益，從而 使整個無線通訊系統(tǒng)有較強的抗干擾能力。
總之，本發(fā)明提供的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，不但克服了已知硅微電容傳
聲器一體化集成時所面臨的一些困難，而且其制作工藝與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容， 從而提供一種適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)。


圖1調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)原理性框圖 圖2適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)電路原理圖 圖3基于調(diào)頻硅微電容傳聲器的無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)原理圖 圖4基于調(diào)頻硅微電容傳聲器的有線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)原理圖
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一歩詳細(xì)描述。
實施例1:
圖1示出了本發(fā)明的一個實施例的原理性框圖。本發(fā)明即一種適合單芯片集成的 調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)包括硅微電容傳聲芯片、集成高Q射頻諧振器和射頻振蕩電
路三個部分。所述的硅微電容傳聲芯片和所述的集成高Q射頻諧振器通過串聯(lián)或并聯(lián)
的方式連接在一起，和所述的射頻振蕩電路一起構(gòu)成一個射頻振蕩電路。
本發(fā)明的工作原理是這樣的所述的硅微電容傳聲芯片的作用等效一個可變 電容，當(dāng)接收到變化的聲壓時，它的電容將產(chǎn)生微小的改變。當(dāng)所述的硅微電容 傳聲芯片和所述的集成高Q射頻諧振器串連或并聯(lián)在一起與所述的射頻振蕩電 路相連接而構(gòu)成振蕩器時，所述的硅微電容傳聲芯片上電容的微小改變將牽引所
述的集成高Q射頻諧振器，從而微小地改變整個振蕩電路輸出信號的頻率，即將
電容的微小變化轉(zhuǎn)換成振蕩電路頻率的變化。這樣，所述的調(diào)頻硅微電容傳聲器 系統(tǒng)的輸出是一個頻率調(diào)制的調(diào)頻射頻信號。
所述的硅微電容傳聲芯片是一種廣義的硅微電容傳聲芯片，它是利用現(xiàn)代超 大規(guī)模集成電路工藝，在硅基片上通過復(fù)雜的體刻蝕工藝制作而成。硅微電容芯 片由硅基片及其上的穿孔背板或者說聲學(xué)孔背板、空氣隙、隔離層、保護(hù)、振動 膜及金屬電極組成。由于其制作工藝的復(fù)雜性，隨著技術(shù)的發(fā)展，很多新的結(jié)構(gòu) 及其制備方法不斷地被提出。這里不限定硅微電容傳聲芯片的結(jié)構(gòu)。所述的硅微 電容傳聲芯片也可以是傳統(tǒng)的電容傳聲芯片(如有機膜電容傳聲器芯片和金屬膜 電容傳聲器芯片等)。本發(fā)明優(yōu)選硅微電容傳聲芯片。
所述的集成高Q射頻諧振器是一種廣義的高品質(zhì)因數(shù)的諧振器(其品質(zhì)因數(shù)Q>100)，它一般是指利用現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路工藝，在硅基片上制作的薄膜體 聲波諧振器(FBAR)或高階多模體聲波諧振器(HBAR);也可以是由不同切割的 石英晶體、鈮酸鋰、鉭酸鋰、PMNT等壓電晶體或壓電陶瓷PZT構(gòu)成的晶體諧振 器；也可以是高Q集成電感和高Q集成電容組成的諧振器。本發(fā)明優(yōu)選的是和 CMOS制作工藝兼容、在硅基片上制作的薄膜體聲波諧振器(FBAR)。所述的集成 高Q射頻諧振器的諧振頻率范圍為10圖z lOGHz。所述的射頻振蕩電路是廣義的射頻振蕩電路，它的功能是與所述的硅微電容 傳聲芯片和所述的集成高Q射頻諧振器一起，構(gòu)成一個射頻振蕩器。本發(fā)明優(yōu)選 皮爾斯(Pierce)結(jié)構(gòu)射頻振蕩器，也稱為三點式振蕩器；這里也可以是采用別 的結(jié)構(gòu)的射頻振蕩器，如密勒(Miller)振蕩電路、克拉潑(Clapp)振蕩電路、 考皮茨(Colpitts)振蕩電路等。所述的射頻振蕩電路通常由晶體三極管、MOS 管、場效應(yīng)管、集成運算放大器等放大器和若干電阻、電容和電感一起構(gòu)成。本實施例給出的是用硅微電容傳聲芯片傳感音頻信號的實例，但從工作原 理可知，本發(fā)明和本實施例并不限于硅微電容傳聲芯片，也可以是別的電容式傳 感芯片，如電容式微位移傳感芯片、電容式壓力傳感芯片等，只要是傳感物理量 的變化能夠引起電容的變化即可。對于不同的硅微電容傳感芯片，得到相應(yīng)的物 理傳感信息。實施例2:圖2示出了本發(fā)明的另一個實施例的原理圖。本實施例給出了適合單芯片集 成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)的集成電路實現(xiàn)的具體細(xì)節(jié)。本實施例與實施例1 相同的部分不再重述。從圖2可以看出，本實施例給出的本發(fā)明即一種適合單芯片集成的調(diào)頻硅微 電容傳聲器系統(tǒng)包括硅微電容傳聲芯片、FBAR諧振器和射頻振蕩電路三個部分。 所述的硅微電容傳聲芯片和所述的FBAR諧振器串連在一起，并分別與N型MOS 三極管Q3的柵極G和漏極D連接，此MOS三極管的源極S接地。所述的N型MOS 三極管Q3的柵極G和漏極D分別與電容C1、電容C2連接，電容C1和電容C2 的另外一端接地。所述的N型MOS三極管Q3與所述的硅微電容傳聲芯片和FBAR諧振器以及所 述的電容C1、電容C2構(gòu)成共源極皮爾斯(Pierce)三點式振蕩電路，其中正反 饋網(wǎng)絡(luò)由所述的硅微電容傳聲芯片和所述的FBAR諧振器以及所述的電容C1和電 容C2組成，所述的N型M0S三極管Q3提供產(chǎn)生和維持振蕩的跨導(dǎo)。
電路中的P型M0S管Ql和Q2以及電阻Rl和R2構(gòu)成一個偏置網(wǎng)絡(luò)，用來設(shè) 置所述的N型M0S三極管Q3的工作點。其中所述的P型M0S管Ql和Q2構(gòu)成一 個電流鏡像。
本實施例中所有的部分都可以用相互兼容的CMOS工藝制作，因此可以實現(xiàn) 一體化集成。
實施例3:
圖3示出了本發(fā)明的另一個實施例的原理圖。本實施例給出了基于調(diào)頻硅微 電容傳聲器的無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)原理圖。本實施例與實施例l、實施例2相同 的部分不再重述。
從圖3可以看出，基于調(diào)頻硅微電容傳聲器的無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)由無線發(fā) 射部分和無線接收部分組成。其中所述的無線發(fā)射部分包括調(diào)頻硅微電容傳聲器 系統(tǒng)、緩沖放大器以及天線匹配電路和天線所述的無線接收部分包括調(diào)頻解調(diào) 電路、傳感信號輸出、低通濾波電路、射頻混頻電路、本地射頻振蕩器、天線匹 配和低噪聲放大電路和天線。
無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)的工作過程是這樣的所述的調(diào)頻硅微電容傳聲器將接
收到的音頻信號變成射頻調(diào)頻信號，此射頻調(diào)頻信號經(jīng)過所述的緩沖放大和天線 匹配電路進(jìn)行功率放大，通過所述的天線發(fā)射出去。在接收端，天線接收到射頻 調(diào)頻信號，通過所述的天線匹配和低噪聲放大電路將接收到的微弱信號進(jìn)行放 大，然后，將放大的射頻調(diào)頻信號傳遞給所述的射頻混頻電路。所述的射頻混頻 電路將來自所述本地射頻振蕩器輸出的本振信號與來自所述的天線匹配和低噪 聲放大電路輸出的射頻調(diào)頻信號進(jìn)行混頻，將混頻輸出給所述的低通濾波電路以 濾去高頻載波和鏡像頻率信號，只保留所要的低頻調(diào)頻信號，此調(diào)頻信號經(jīng)過所 述的調(diào)頻解調(diào)電路恢復(fù)出音頻信號，此音頻信號通過所述的傳感信號輸出可以以 音頻的方式輸出(如驅(qū)動楊聲器)，也可以連接到遠(yuǎn)端的設(shè)備上。
對于載波頻率不是太高的情況下，所述的低通濾波電路、射頻混頻電路和本 地射頻振蕩器可以省略，所述的天線匹配和低噪聲放大電路輸出可以直接連接所 述的調(diào)頻解調(diào)電路，這樣整個系統(tǒng)變得非常簡單。所述的基于調(diào)頻硅微電容傳聲器的無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)中的無線發(fā)射部分 可以一體化集成，這樣，所述的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)、緩沖放大和天線匹配電路和天線可以集成在一起，形成一個無線調(diào)頻麥克風(fēng)的單芯片系統(tǒng)(即soc)。 對于短距離無線傳輸?shù)那闆r，所述的緩沖放大和天線匹配電路也可以省略，這樣， 所述的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)和天線就可以集成在一起構(gòu)成一個單芯片集成 無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)。從這個實施例可以看出，在構(gòu)成無線通訊系統(tǒng)時，本發(fā)明可以大大簡化系統(tǒng) 的設(shè)計，并可以一體化集成，形成一個單芯片無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)。實施例4:圖4示出了本發(fā)明的另一個實施例的原理圖。本實施例給出了基于調(diào)頻硅微 電容傳聲器的有線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)原理圖。從圖4可以看出，基于調(diào)頻硅微電容傳聲器的有線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)和實施例 3中的無線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)有很多相同的地方。實際上在實施例3中，去掉與無 線有關(guān)的部件，用導(dǎo)線連接在一起，就構(gòu)成了有線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)?；谡{(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)的有線調(diào)頻麥克風(fēng)系統(tǒng)包括調(diào)頻硅微電容傳 聲器系統(tǒng)、調(diào)頻解調(diào)電路、傳感信號輸出、低通濾波電路、射頻混頻電路和本地 射頻振蕩器。它的工作原理與實施例3相同，這里不再重述。同實施例3的情況一樣，對于載波頻率不是太高的情況下，所述的低通濾波 電路、射頻混頻電路和本地射頻振蕩器可以省略，所述的調(diào)頻硅微電容傳聲器系 統(tǒng)可以直接連接所述的調(diào)頻解調(diào)電路，這樣整個系統(tǒng)變得非常簡單。
權(quán)利要求
1、一種適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，包括電容傳聲芯片，其特征在于，還包括集成高Q射頻諧振器和射頻振蕩電路，所述集成高Q射頻諧振器與電容傳聲芯片串聯(lián)或并聯(lián)，并與所述射頻振蕩電路一起構(gòu)成一個射頻振蕩回路；該射頻振蕩回路的輸出是一個頻率調(diào)制的射頻信號；所述的集成高Q射頻諧振器的品質(zhì)因數(shù)Q至少為100。
2、 按權(quán)利要求1所述的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，其特征在于，所述電容傳聲芯片是硅微電容傳聲芯片。
3、 按權(quán)利要求2所述的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，其特 征在于，所述硅微電容傳聲芯片是利用現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路工藝，在硅基片上 通過體刻蝕工藝制作而成的芯片，該芯片由硅基片及其上的穿孔背板、空氣隙、 隔離層、保護(hù)層、振動膜及金屬電極組成。
4、 按權(quán)利要求1所述的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，其特 征在于，所述的集成高Q射頻諧振器是利用現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路工藝，在硅基片上制作的薄膜體聲波諧振器或高階多模體聲波諧振器；或者是由壓電晶體或壓 電陶瓷構(gòu)成的晶體諧振器；或者是高Q集成電感和高Q集成電容組成的諧振器。
5、 按權(quán)利要求1所述的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，其特 征在于，所述的集成高Q射頻諧振器的諧振頻率范圍為10MHz 10GHz。
6、 按權(quán)利要求1所述的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，其特 征在于，所述的射頻振蕩電路由放大器、若干電阻、電容和電感一起構(gòu)成；所述 放大器包括晶體三極管、M0S管、場效應(yīng)管或集成運算放大器所述射頻振蕩電 路、硅微電容傳聲芯片以及集成高Q射頻諧振器構(gòu)成的射頻振蕩回路是一個皮爾 斯結(jié)構(gòu)射頻振蕩回路，或者是密勒射頻振蕩回路，或者是克拉潑射頻振蕩回路， 或者是考皮茨射頻振蕩回路。
7、 按權(quán)利要求6所述的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，其特 征在于，所述射頻振蕩電路包括一個提供產(chǎn)生并維持振蕩的跨導(dǎo)的M0S三極管， 該MOS三極管的柵極和漏極分別與硅微電容傳聲芯片和集成高Q射頻諧振器的一 端連接，所述硅微電容傳聲芯片和集成高Q射頻諧振器的另一端相互串聯(lián)；所述 M0S三極管的源極S接地；所述三極管的柵極和漏極還分別連接一個接地電容， 所述M0S三極管的漏極輸出作為所述射頻振蕩電路的輸出端。
8、按權(quán)利要求1所述的適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，其特 征在于，所述硅微電容傳聲芯片、集成高Q射頻諧振器和射頻振蕩電路用相互兼 容的CMOS工藝制作并構(gòu)成--個單芯片系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種適合單芯片集成的調(diào)頻硅微電容傳聲器系統(tǒng)，包括電容傳聲芯片，其特征在于，還包括集成高Q射頻諧振器和射頻振蕩電路，所述集成高Q射頻諧振器與電容傳聲芯片串聯(lián)或并聯(lián)，并與所述射頻振蕩電路一起構(gòu)成一個射頻振蕩回路；該射頻振蕩回路的輸出是一個頻率調(diào)制的射頻信號。本發(fā)明的優(yōu)點是省去了傳統(tǒng)的硅微電傳聲器中不容易和CMOS工藝兼容或制作困難的DC-DC直流升壓電路、500M歐姆以上的大電阻以及低噪聲JFET阻抗變換器。另外，本發(fā)明將電容變化轉(zhuǎn)換成頻率變化的方法，可以避免傳聲器在低頻端由于偏置電阻太小而引起的衰落。利用本發(fā)明可以大大簡化無線麥克風(fēng)系統(tǒng)的設(shè)計。
文檔編號H04R19/04GK101115325SQ20061008900
公開日2008年1月30日 申請日期2006年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月28日
發(fā)明者喬東海, 亮 湯, 靜 田, 郝震宏 申請人:中國科學(xué)院聲學(xué)研究所