專利名稱：：電容器麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種電容器麥克風(fēng)，其通過半導(dǎo)體器件制造工藝被制造并且適合于MEMS(micro-electromechanicalsystem)，更具體i也，涉及一種電容器麥克風(fēng)，其中將由聲波引起振動(dòng)的膜片與板(plate)相對(duì)布置以便產(chǎn)生響應(yīng)二者之間的靜電電容變化的電信號(hào)。本申請(qǐng)要求五個(gè)日本專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，這五個(gè)日本專利申請(qǐng)為曰本專利申請(qǐng)No.2006-92039(申請(qǐng)日2006年3月29日)、日本專利申請(qǐng)No.2006-92063(申請(qǐng)日:2006年3月29日)、日本專利申請(qǐng)No.2006-92076(申請(qǐng)?jiān)?006年3月29日)、日本專利申請(qǐng)No.2006-278246(申請(qǐng)日2006年10月12日)以及日本專利申請(qǐng)No.2006-281902(申請(qǐng)日2006年10月16曰)，其通過引用的方式引入于此。
背景技術(shù)：
：傳統(tǒng)上已經(jīng)開發(fā)了通過半導(dǎo)體器件制造工藝制造的各種類型的電容器麥克風(fēng)。通常所知的電容器麥克風(fēng)的構(gòu)成方式為具有移動(dòng)電極的由聲波引起振動(dòng)的膜片與具有固定電極的板相對(duì)布置，其中膜片和板彼此相距一定的距離并且由絕緣分隔物(insulatingspacer)支撐。也就是說，利用彼此相對(duì)布置的膜片和板形成電容器(即，靜電電容)。在前述電容器麥克風(fēng)中，當(dāng)膜片由于聲波而振動(dòng)時(shí)，由其位移引起靜電電容變化，使得靜電電容的變化被轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。當(dāng)膜片的位移與相對(duì)布置的電極之間的距離的比增加時(shí)，電容器麥克風(fēng)的靈敏度便增加，即通過改善膜片的振動(dòng)特性來增加電容器麥克風(fēng)的靈敏度。此外，當(dāng)減小對(duì)靜電電容的變化不作貢獻(xiàn)的寄生電容時(shí)，電容器麥克風(fēng)的靈敏度也增加。由日本電氣學(xué)會(huì)發(fā)表的文章"MechanicalpropertiesofCapacitiveSiliconMicrophone，，教導(dǎo)了一種電容器麥克風(fēng)，其中利用導(dǎo)電(conductive)薄膜形成膜片和板。在此，將分隔物固定在膜片的整個(gè)外圍(periphery);因此，當(dāng)聲波被傳輸?shù)侥て瑫r(shí)，在膜片的中心部發(fā)生相對(duì)較大的位移，而在膜片的周邊的發(fā)生非常小的位移。結(jié)果，在膜片中心部的振動(dòng)作為電容變化被有效地探測(cè)，而僅寄生電容發(fā)生在膜片的外圍。寄生電容降低了電容器麥克風(fēng)的靈敏度。日本特開平09-508777和美國(guó)專利No.4,776,019教導(dǎo)了一種電容器麥克風(fēng)，其中通過利用用于支撐膜片的彈性結(jié)構(gòu)(springstructure)來改善膜片的振動(dòng)特性以便提高靈敏度。具體地，狹縫形成在膜片中，將彈性功能施加到由狹縫限定的區(qū)域。然而，因?yàn)榘灞徊贾脼檎麄€(gè)與具有彈性功能的膜片相對(duì)應(yīng)，所以寄生電容發(fā)生在由膜片的振動(dòng)引起小位移的區(qū)域中，因此減小了電容器麥克風(fēng)的靈敏度。曰本特表No.2004-506394教導(dǎo)了一種電容器麥克風(fēng)，其中利用絕緣材料形成布置在具有移動(dòng)電極的膜片對(duì)面的板，且后電極僅布置在板的位于膜片中心部對(duì)面的指定部分中，使得有效地探測(cè)與膜片的中心部相應(yīng)的靜電電容的變化，從而，減小在膜片外圍的寄生電容，從而提高靈敏度。然而，因?yàn)楹箅姌O僅布置在板的位于膜片中心部對(duì)面的指定部分中，所以制造工藝變得復(fù)雜并且降低了制造產(chǎn)率，從而增加了制造成本。當(dāng)通過利用刻蝕去除介于膜片和板之間的犧牲層而形成空隙時(shí)，用于固定板和后電極的絕緣材料會(huì)被輕微地刻蝕。解決這個(gè)問題的對(duì)策必須引入制造工藝中，這樣便會(huì)進(jìn)一步增加制造成本。非專利文獻(xiàn)l:由日本電氣學(xué)會(huì)發(fā)表的文章，其名稱為"MechanicalpropertiesofCapacitiveSiliconMicrophone"(文件號(hào)MSS-01-34)專利文獻(xiàn)1:日本特開平09-508777專利文獻(xiàn)2:美國(guó)專利No.4,776,019專利文獻(xiàn)3:日本特表No.2004-506394
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的問題電容麥克風(fēng)的靈敏度取決于膜片的振動(dòng)特性、形成在膜片和背板(backplate)之間的寄生電容以及背板的剛度(rigidity);因此，用于提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度的現(xiàn)有技術(shù)存在這樣的問題產(chǎn)生結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和運(yùn)行的不穩(wěn)定性，并且由于復(fù)雜的制造工藝而引起制造產(chǎn)率變低。例如，可以采用一種對(duì)策，其中為了降^f氐寄生電容，多個(gè)小孔形成在背板的位于膜片周邊部分對(duì)面的區(qū)域中以便減小二者之間基本相對(duì)的區(qū)域；然而，這樣降低了背板的機(jī)械強(qiáng)度并且增加了背板的不需要的變形。此外，可能來形成凸部以便控制膜片的過量的振動(dòng)，從而即使當(dāng)過量的聲壓被施加到膜片時(shí)，或者機(jī)械沖擊從外部施加到電容麥克風(fēng)時(shí)，有可能防止膜片與布置在背板的指定部分中的后電極的接觸。然而，這需要用于在由絕緣材料構(gòu)成的背板上形成后電極的復(fù)雜工藝，從而降低了制造產(chǎn)率，增加了制造成本。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種電容器麥克風(fēng)，這種電容器麥克風(fēng)在不使制造工藝變復(fù)雜的情況下改善膜片的振動(dòng)特性并且減小膜片和板之間的寄生電容，從而增加靈敏度。解決所述問題的手段根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，電容器麥克風(fēng)包括具有導(dǎo)電性的膜片，該膜片包括中心部以及以徑向方式向外延伸的多個(gè)臂并且該膜片由于聲波而4展動(dòng)；具有導(dǎo)電性的背板，其位于膜片對(duì)面；基板，其位于背板對(duì)面以便面對(duì)膜片并且具有用于緩和施加到膜片的壓力的腔；以及支持部件，在基板上方支撐膜片而且使背板的臂的末端與膜片的外周部絕緣，從而形成膜片的中心部和背板之間的空隙，在上述的電容器麥克風(fēng)中，在圍繞腔的基板和膜片之間形成高于形成在多個(gè)臂之間的聲阻的高的聲阻。在前述構(gòu)造中，具有齒輪狀形狀的膜片在振動(dòng)特性方面得到了改善，并且背板的外周部不位于在膜片的臂之間形成的切口的對(duì)面；因此，可以避免寄生電容的出現(xiàn)。此外，容易利用導(dǎo)電材料制造膜片和背板。而且，在圍繞腔的基板和膜片之間形成高的聲阻，所以可以防止到達(dá)膜片的聲波在臂之間傳輸。也就是，利用筒單的制造工藝，便可以改善膜片的振動(dòng)特性，并且可以減小膜片和背板之間的不需要的寄生電容；因此，可以提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度。優(yōu)選的是從背板的中心到背板的外端的距離比從膜片的中心到臂的末端的距離短。從而，便可以進(jìn)一步減小寄生電容。因?yàn)榕c膜片相比，背板的尺寸減小了，所以可以增加背板的剛度；因此，可以在不降低電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行穩(wěn)定性的前提下放大膜片的尺寸。優(yōu)選的是在與膜片的臂相對(duì)的位置處，切口形成在背板中。從而，背板和膜片的臂之間不出現(xiàn)寄生電容，使得靜電電容形成在背板和膜片的中心部之間；因此，可以減小寄生電容的比率。優(yōu)選的是支持部件由用于支撐膜片的臂的末端的第一支持部和位于膜片的臂之間以便支撐背板的第二支持部構(gòu)成。因?yàn)閮H膜片的臂的末端由第一支持部支撐，所以與膜片的整個(gè)外圍被固定的現(xiàn)有技術(shù)相比，可以改善膜片的振動(dòng)特性。因?yàn)閷⒂糜谥伪嘲宓耐庵懿康牡诙С植慷ㄎ灰云ヅ湫纬稍谀て谋壑g的切口，所以與膜片相比，背板的尺寸是可以減小的；因此，可以增加背板的剛度。而且，因?yàn)槟て捅嘲逯苯又卧诨迳戏剑钥梢杂煤?jiǎn)單的制造工藝來制造電容器麥克風(fēng)。優(yōu)選的是腔具有沿膜片的中心部?jī)?nèi)側(cè)形成的開口。也就是，形成腔的開口以基本匹配膜片的中心部，使得腔具有足夠大的體積。結(jié)果，腔的內(nèi)側(cè)的空氣的彈性常數(shù)(springconstant)變得足夠地??；因此，可以保持膜片的良好的振動(dòng)特性。由于具有高于膜片的臂之間的聲阻的高的聲阻的通道的形成，所以可以防止達(dá)到膜片的聲波在臂之間傳輸。腔可以具有沿膜片的外緣且向內(nèi)形成的開口。在這種情況下，腔的開口形成以完全匹配膜片；因此，腔具有足夠大的體積；從而，可以保持膜片的良好的振動(dòng)特性。優(yōu)選的是在膜片的臂中形成多個(gè)小孔。從而，可以減小膜片的臂的剛度；這樣會(huì)使臂在膜片的振動(dòng)模式中容易變形，并且這樣會(huì)增加中心部的位移。從而，可以進(jìn)一步改善膜片的振動(dòng)特性。在制造工藝中，刻蝕溶液經(jīng)由膜片的臂的孔被滲入以便利用刻蝕去除介于膜片的臂和基板之間的犧牲層，從而形成空隙。也就是，通過在膜片的臂中形成孔，是可以筒化制造工藝的，并且可以進(jìn)一步改善膜片的振動(dòng)特性；從而，可以提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度?？蛇x擇地，電容器麥克風(fēng)可以由具有導(dǎo)電性的背板、具有導(dǎo)電性的膜片、基板和支持部件構(gòu)成，該背板包括中心部和以徑向方式向外延伸的臂，該膜片位于背板對(duì)面以便由于聲波而振動(dòng)，基板位于背板對(duì)面以便面對(duì)膜片并且具有用于緩和施加到膜片的壓力的腔，支持部件在基板上方支撐膜片而且使背板的臂的末端與膜片的外周部絕緣，從而形成在膜片和背板的中心部之間的空隙。在這種情況中，優(yōu)選的是在與背板的臂相對(duì)的位置處，在膜片中形成切口。根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，適合于前述電容器麥克風(fēng)的支持部件由其下表面接合膜片的多個(gè)臂的末端的分隔物、其內(nèi)端接合分隔物的上表面的懸架部、具有絕緣特性并且在基板上方支撐懸架部的外端的第一支持部以及具有絕緣特性并且在基板上方支撐背板的外周部的第二支持部構(gòu)成，其中空隙形成在膜片的中心部和背板之間。如上所述，由于膜片經(jīng)由分隔物接合利用第一支持部被支撐在基板上方的懸架部的結(jié)構(gòu)，所以可以緩和膜片的應(yīng)力并且可以進(jìn)一步改善振動(dòng)特性。優(yōu)選的是第二支持部位于膜片的多個(gè)臂之間。也就是，因?yàn)橛糜谥伪嘲宓耐庵懿康牡诙С植勘欢ㄎ灰云ヅ湓谀て亩鄠€(gè)臂之間形成的切口，所以與膜片相比可以減小背板的尺寸。這樣便可以增加背板的剛度；因此，可以在不破壞電容器麥克風(fēng)的穩(wěn)定性的前提下放大膜片。由于膜片和背板被獨(dú)立支撐在基板上方的結(jié)構(gòu)，所以可以用簡(jiǎn)單的制造工藝生產(chǎn)電容器麥克風(fēng)。優(yōu)選的是懸架部與背板由相同的材料構(gòu)成且同時(shí)形成。從而，不需要形成懸架部的特定的工藝，可以簡(jiǎn)化電容器麥克風(fēng)的制造工藝。優(yōu)選的是在懸架部中形成多個(gè)孔。這樣降低了懸架部的剛度；并且在膜片的振動(dòng)模式中會(huì)使懸架部易于變形；并且這樣也增加膜片的中心部的位移；因此，可以進(jìn)一步改善膜片的振動(dòng)特性。而且，經(jīng)由懸架部的孔將刻蝕溶液滲入以便利用刻蝕去除介于背板和膜片之間的犧牲層，從而形成二者之間的空隙。優(yōu)選的是高于膜片的多個(gè)臂之間的聲阻的高的聲阻形成在圍繞腔的基板和膜片之間。從而，可以防止到達(dá)膜片聲波在多個(gè)臂之間傳輸；因此，可以進(jìn)一步提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度。根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面，適合于前述電容器麥克風(fēng)的支持部件由支撐膜片的外周部的具有絕緣特性的第一支持部、插入到形成在膜片的中心部的多個(gè)小孔以便在基板上方支撐背板的多個(gè)第二支持部構(gòu)成。這限制背板的尺寸以僅匹配膜片的中心部的尺寸；因此，可以減小電容器麥克風(fēng)的尺寸。由于背板的機(jī)械強(qiáng)度的增加，所以即使當(dāng)為了提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度而增加施加在膜片和背板之間的電壓時(shí)，也可以避免由于出現(xiàn)在相對(duì)電極之間的靜電吸引而引起的背板的變形，并且可以避免由于來自外部的沖擊而引起的背板的變形；因此，可以改善膜片的振動(dòng)特性。另外，可以確保該電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行穩(wěn)定性。因?yàn)槔枚鄠€(gè)第二支持部將背板直接支撐在基板上方，所以能夠以穩(wěn)定的方式支撐背板。因?yàn)槟て耐庵懿坎晃挥诒嘲宓膶?duì)面，所以它們之間不出現(xiàn)寄生電容。在以上，優(yōu)選的是具有絕緣特性的停止層布置在形成在膜片和背板之間的空隙中。從而，即使當(dāng)過量的聲壓被施加到膜片時(shí)，或者即使當(dāng)來自外部的沖擊被施加到電容器麥克風(fēng)時(shí)，也可以由于停止層的干預(yù)而避免膜片的過量的變形；因此，可以防止膜片與背板接觸。優(yōu)選的是將停止層固定到第二支持部。也就是，利用第二支持部以穩(wěn)定方式將停止層直接支撐在基板上方；因此，可以確實(shí)地防止膜片與背板接觸。優(yōu)選的是多個(gè)小孔分別形成在位于基板對(duì)面的膜片的外圍部分的多個(gè)區(qū)域中。這降低了膜片的剛度，使得在振動(dòng)模式中膜片易于變形并且增加中心部的位移；因此，可以改善膜片的振動(dòng)特性。就此而論，多個(gè)小孔僅形成在位于基板對(duì)面的多個(gè)區(qū)域中但是它們不形成在位于腔對(duì)面的其他區(qū)域中；因此，到達(dá)膜片的聲波不在對(duì)振動(dòng)不起作用的情況下傳輸通過多個(gè)孔。本發(fā)明的效果本發(fā)明展示了這樣的效果，其中用簡(jiǎn)單的制造工藝改善了膜片的振動(dòng)特性，并且減小了膜片和背板之間的不需要的寄生電容，使得提高了電容器麥克風(fēng)的靈敏度。具體地，可以改善具有齒輪狀形狀的膜片的振動(dòng)特性；并且可以避免寄生電容的出現(xiàn)，因?yàn)楸嘲宓耐庵懿坎晃挥谛纬稍谀て谋壑g的切口的對(duì)面。因?yàn)樵趪@腔的基板和膜片之間形成高的聲阻，所以可以避免到達(dá)膜片的聲波在臂之間傳輸。因?yàn)榕c膜片相比，背板的尺寸減小了，所以可以增加背板的剛度；因此，可以在不降低電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行穩(wěn)定性的前提下增加膜片的尺寸。因?yàn)榍痪哂行纬稍谀て耐饩墐?nèi)側(cè)的開口，所以其具有足夠大的體積；因此，可以保持膜片的良好的振動(dòng)特性。由于多個(gè)小孔形成在膜片的臂中，所以降低了膜片的臂的剛度，使得在膜片的振動(dòng)模式中臂易于變形，從而增加了中心部的位移。通過膜片的臂的孔將刻蝕溶液滲入以便利用刻蝕去除介于基板和膜片之間的犧牲層，乂人而形成空隙。從而，可以進(jìn)一步改善膜片的振動(dòng)特性。當(dāng)適合于本發(fā)明的電容器麥克風(fēng)的支持部件由分隔物、懸架部、第一支持部以及第二支持部構(gòu)成時(shí)，膜片經(jīng)由分隔物接合利用第一支持部被支撐在基板上方的懸架部；因此，可以減輕膜片的應(yīng)力，并且可以進(jìn)一步改善振動(dòng)特性。此外，多個(gè)孔形成在懸架部中以便降低剛度，其中通過這些孔將刻蝕溶液滲入以便去除介于背板和膜片之間的犧牲層，從而形成二者之間的空隙。從而，可以進(jìn)一步改善膜片的振動(dòng)特性。適合于本發(fā)明的電容器麥克風(fēng)的支持部件由具有絕緣特性且支撐膜片的外圍部分的第一支持部以及具有絕緣特性的多個(gè)第二支持部構(gòu)成，其中多個(gè)第二支持部被插入形成在膜片的中心部的多個(gè)小孔中以便在基板上方支撐背板時(shí)，可以改善膜片的振動(dòng)特性，并且可以增加背板的機(jī)械強(qiáng)度。也就是，即使當(dāng)為了提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度而增加施加在膜片和背板之間的電壓時(shí)，也可以避免由于出現(xiàn)在相對(duì)電極之間的靜電吸引而引起的背板的變形，并且可以避免由于來自外部的沖擊而引起的背板的變形；因此，可以改善膜片的振動(dòng)特性，并且可以確保電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行的穩(wěn)定性。此外，因?yàn)榫哂薪^緣特性的停止層布置在形成在膜片和背板之間的空隙中，所以即使當(dāng)過量的聲壓被施加到膜片時(shí)，或者即使當(dāng)來自外部的機(jī)械沖擊被施加到電容器麥克風(fēng)時(shí)，也可以由于停止層的干預(yù)而避免膜片的過量的變形；因此，可以防止膜片與背板接觸。此外，多個(gè)小孔形成在位于基板對(duì)面的膜片的外圍部分的多個(gè)區(qū)域中以便減小膜片的剛度；這使得膜片在振動(dòng)模式中易于變形并且增加中心部的位移；因此，可以改善膜片的振動(dòng)特性。就此而論，多個(gè)小孔僅形成在位于基板對(duì)面的多個(gè)區(qū)域中而沒有在其他區(qū)域中形成；因此，到達(dá)膜片的聲波不在對(duì)振動(dòng)不起作用的情況下傳輸通過多個(gè)孔。圖1(A)為示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的構(gòu)造的平面圖；(B)為沿(A)中的線A-A剖取的截面圖；(C)為(B)的局部的放大圖。圖2(A)為示出具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的平面圖；(B)為(A)的截面圖。圖3(A)為示出為在實(shí)驗(yàn)中使用而制備的電容器麥克風(fēng)的平面圖；(B)為(A)的截面圖。圖4為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第一個(gè)步驟的圖5為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第二個(gè)步驟的截面圖。圖6為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第三個(gè)步驟的截面圖。圖7為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第四個(gè)步驟的截面圖。圖8為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第五個(gè)步驟的截面圖。圖9為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第六個(gè)步驟的截面圖。圖10為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第七個(gè)步驟的截面圖。圖11為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第八個(gè)步驟的截面圖。圖12為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第九個(gè)步驟的截面圖。圖13為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十個(gè)步驟的截面圖。圖14為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十一個(gè)步驟的截面圖。圖15為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十二個(gè)步驟的截面圖。圖16為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十三個(gè)步驟的截面圖。圖17為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十四個(gè)步驟的截面圖。圖18為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十五個(gè)步驟的截面圖。圖19為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十六個(gè)步驟的截面圖。圖20為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十七個(gè)步驟的截面圖。圖21為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十八個(gè)步驟的截面圖。圖22為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第十九個(gè)步驟的截面圖。圖23為示出才艮據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第二十個(gè)步驟的截面圖。圖24為示出才艮據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第二十一個(gè)步驟的截面圖。圖25為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第二十二個(gè)步驟的截面圖。圖26為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第二十三個(gè)步驟的截面圖。圖27為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第二十四個(gè)步驟的截面圖。圖28為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法的第二十五個(gè)步驟的截面圖。圖29(A)為示出將形成在膜片和背板之間的靜電電容的變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的探測(cè)電路的構(gòu)造的電路圖；(B)為示出布置有導(dǎo)電膜的探測(cè)電路的構(gòu)造的電路圖。圖30(A)為示出才艮據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的構(gòu)造的平面圖；(B)為沿(A)中的線A-A剖取的截面圖；(C)為沿(A)中的線B-B剖取的截面圖。圖31(A)為示出將形成在膜片和背板之間的靜電電容的變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的探測(cè)電路的構(gòu)造的電路圖；(B)為示出布置有導(dǎo)電膜的探測(cè)電路的構(gòu)造的電路圖。圖32(A)為示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的構(gòu)造的截面圖；(B)為示出從(A)中示出的構(gòu)造中去除背板的構(gòu)造的平面圖；(C)為沿(A)中的線A-A剖取的截面圖；(D)為沿(A)中的線B-B剖取的截面圖。圖33(A)為示出根據(jù)第三實(shí)施例的第一變體的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；(B)為示出從圖(A)中示出的結(jié)構(gòu)中去除背板的結(jié)構(gòu)的平面圖；(C)為沿圖(A)中的線A-A剖取的截面圖；(D)為沿圖(A)中的線B-B剖取的截面圖。圖34(A)為示出第三實(shí)施例的第二變體的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；(B)為示出從(A)中示出的結(jié)構(gòu)去除背板的結(jié)構(gòu)的平面圖；(C)為沿(A)中的線A-A剖取的截面圖；(D)為沿(A)中的線B-B剖取的截面圖。圖35(A)為示出本發(fā)明的第一實(shí)施例的第四變體的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；(B)為沿(A)中的線A-A剖耳又的截面圖；(C)為(B)的局部的放大圖。附圖標(biāo)記說明10膜片12中心部14臂16孑L20背板22中心部24臂26孔30基板32腔34通道40空隙50第一支持部54第二支持部60第一凸部70第二凸部541絕緣膜542導(dǎo)電膜543絕緣膜1010膜片1012中心部1014臂1020背板1020b懸架部1022中心部1024臂1026孔1026a孔1030基板1032腔1034通道1040空隙1052分隔物1054第二支持部1054b第一支持部1541154215432010201220142016201820202022202420302032絕緣膜導(dǎo)電膜絕緣膜膜片中心部外圍部分孔小孔背板小孔引出配線基板腔2034通道2040空隙2050第一支持部2052第二支持部2160停止層具體實(shí)施方式將參考附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。就此而論，實(shí)施例中相同的構(gòu)成元件由相同的附圖標(biāo)記表示。第一實(shí)施例將參考圖l對(duì)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電容麥克風(fēng)的構(gòu)成進(jìn)行描述。圖1(A)為示出根據(jù)第一實(shí)施例的電容麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖1(B)為沿圖1(A)中的A-A線剖取的截面圖；圖1(C)為在截面圖(B)中由B標(biāo)注的部分的放大圖。圖1中示出的電容麥克風(fēng)由膜片10、背板20以及具有絕緣特性的支持部件的基板30構(gòu)成。膜片10和背板20每個(gè)都具有電極，其中它們彼此相對(duì)布置并利用具有絕緣特性的支持部件支撐。膜片IO為具有導(dǎo)電性的薄膜，其由添加磷(P)作為雜質(zhì)的多晶硅構(gòu)成，其中膜片10由盤狀(disk-like)的中心部12和以徑向方式向外延伸的六條臂14構(gòu)成，使得合起來的膜片IO具有齒輪狀形狀。多個(gè)孔16分別形成在六條臂中。膜片10的厚度為約0.5pm;中心部12的半徑為約0.35mm;臂14的長(zhǎng)度為約0.15mm。背板20經(jīng)由例如約4nm的空隙40與膜片IO平行布置。背板20為具有導(dǎo)電性的薄膜，其由添加磷(P)的多晶硅構(gòu)成，其中背板20由盤狀(disk-like)的中心部22和以徑向方式向外延伸的六條臂24構(gòu)成使得合起來的背板20具有齒輪狀形狀。多個(gè)孔26形成在背板20的中心部22和臂24中。背板20的孔26起聲孔的作用，聲孔通過從外部發(fā)射的聲波以便向膜片10傳輸這些聲波。背板20的厚度為約1.5中心部22的半徑為約0.3mm;臂24的長(zhǎng)度為約0.1mm。背板20的中心部22與膜片10的中心部12同心地布置，其中背板20的中心部22的半徑小于膜片10的中心部12的半徑。此外，背板20的六條臂24與膜片10的臂14交替布置，其中每個(gè)臂24位于相鄰的臂14之間。換句話說，每個(gè)臂14位于相鄰的臂24之間。背板20的中心部22的中心和臂24的末端(distalend)之間的距離比膜片10的中心部12的半徑長(zhǎng)并且比膜片IO的中心部12的中心和臂14的末端之間的距離短。利用具有絕緣特性的第一支持部50，膜片10的臂14的末端被支撐在基板30上方。利用具有絕緣特性的第二支持部54,背板20的臂24的末端被支撐。將第二支持部54布置在由膜片10的臂14之間限定的位置處。就此而論，可以在膜片10中形成多個(gè)切口(cutout),使得臂14形成在切口之間。第一支持部50例如由氧化硅膜構(gòu)成。第二支持部54由絕緣膜541和543以及導(dǎo)電膜542構(gòu)成。絕緣膜541和543例如由氧化硅膜構(gòu)成。優(yōu)選的是導(dǎo)電膜542與具有導(dǎo)電性的膜片IO同時(shí)形成，其中導(dǎo)電膜542由添加磷雜質(zhì)的多晶硅構(gòu)成。將導(dǎo)電膜542置于與背板20和基板30相同的電勢(shì)，使得其作為用于降低電容器麥克風(fēng)的寄生電容的保護(hù)電極。就此而論，可以省略導(dǎo)電膜542?；謇缬珊穸确秶鸀閺?00|im到600pm的硅基板構(gòu)成，其中腔32穿過基板與膜片IO的中心部12相符，使得膜片IO被暴露。腔32沿膜片10的中心部12的內(nèi)側(cè)形成，使得其作為壓力緩和室，該壓力緩和室用于緩和施加到與背板20相對(duì)的膜片IO的壓力。此外，通道34是形成在存在于腔32附近的基板30和膜片IO之間的空間，其具有高于膜片10的臂14之間的聲阻的高的聲阻。如圖1(C)中顯示，基于通道34的高度H(即，膜片10和基板30之間的距離)和長(zhǎng)度L(即，從形成在膜片10的臂14中的多個(gè)孔16中最里面的孔16到腔32的端部的距離，或者/人膜片10的中心部12的端部到腔32的端部的距離)來控制聲阻，從而實(shí)現(xiàn)高于膜片10的臂14之間的聲阻的高聲阻。這樣，可以防止傳輸?shù)侥て?0的聲波在臂14之間傳播以及在臂14之間泄露。例如，通道34的高度H為2高度L為15(im。圖29(A)為示出將形成在膜片10和背板20之間的靜電電容的變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的探測(cè)電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。利用電荷泵(chargepump)CP對(duì)膜片IO施加穩(wěn)定的偏壓(biasvoltage)。背板20和膜片IO之間的靜電電容的變化以電壓變化的形式輸入到前置放大器A。因?yàn)榛?0和膜片IO被短路,所以在不設(shè)置導(dǎo)電膜542的情況下，背板20和基板30之間出現(xiàn)寄生電容。圖29(B)示出設(shè)置有導(dǎo)電膜542的探測(cè)電路的構(gòu)成。在此，前置放大器A形成電壓跟隨器(voltagefollower)電路以便使導(dǎo)電膜542作為保護(hù)電極。也就是，因?yàn)槔秒妷焊S器電路控制背板20和導(dǎo)電膜542以置于相同的電勢(shì)，所以可以去除背板20和導(dǎo)電膜542之間出現(xiàn)的寄生電容。此外，因?yàn)榛?0和膜片IO被短路，所以導(dǎo)電膜542和基板30之間的寄生電容變得與前置放大器A的輸出不相關(guān)。如上所述，因?yàn)橥ㄟ^提供導(dǎo)電膜542來形成保護(hù)電極，所以可以進(jìn)一步降低電容器麥克風(fēng)的寄生電容。如上所述，在根據(jù)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，膜片10和背板20都具有齒輪狀形狀，其中膜片IO的中心部12和背板20的中心部22彼此相對(duì)地布置。在平面圖中，膜片IO的臂14和背板的臂24彼此交替地布置，其中它們不相對(duì)布置。從而，可以避免不需要的寄生電容的出現(xiàn)。也就是，靜電電容形成在膜片IO的中心部12和背板20的中心部22之間，因此電信號(hào)響應(yīng)該-睜電電容的變化來產(chǎn)生；因此，可以顯著降低電容器麥克風(fēng)的其他部分中的寄生電容，從而顯著提高靈敏度。膜片IO的臂14的末端由第一支持部50來支撐。此外，從膜片10的中心部12的中心到第一支持部50的距離長(zhǎng)于從背板20的中心部22的中心到用于支撐臂24的末端的第二支持部54的距離。也就是，與膜片的整個(gè)外圍被固定的通常所知的電容器麥克風(fēng)以及在平面圖中膜片和背板具有基本相同的形狀的通常所知的電容器麥克風(fēng)相比，可以改善第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中的膜片IO的振動(dòng)特性。此外，背板20的中心部22的半徑小于膜片10的中心部12的半徑,從中心部.22的中心到第二支持部54的距離比被從中心部12的中心到第一支持部50的距離短。也就是，與在平面圖中膜片和背板具有基本相同的形狀的通常所知的電容器麥克風(fēng)相比，可以增加在第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中的背板20的剛度；因此，在不破壞運(yùn)行穩(wěn)定性的情況下，可以放大膜片10，從而改善膜片IO的振動(dòng)特性。由于在膜片IO的臂14中形成多個(gè)孔16，可以降低臂14的剛度，并且這可以使膜片10的臂14易于變形。從而，可以進(jìn)一步改善膜片IO的振動(dòng)特性。為了確認(rèn)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的效果，本申請(qǐng)的發(fā)明人生產(chǎn)了具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)以及用在實(shí)驗(yàn)中的電容器麥克風(fēng)，從而進(jìn)行下面的實(shí)驗(yàn)。具體地，圖2(A)和(B)示出具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的平面圖和截面圖，圖3(A)和(B)示出用在實(shí)驗(yàn)中的電容器麥克風(fēng)的平面圖和截面圖。在圖2(A)和(B)中示出的具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)中，利用第一支持部500將盤狀膜片100的整個(gè)外圍支撐在基板300上方。膜片100的半徑被設(shè)置為與第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中的從膜片10的中心部12的中心到臂14的末端的距離相同。此外，布置盤狀背板200以覆蓋膜片100的上表面，其中利用第二支持部540將背板200的整個(gè)外圍支撐在基板300上方。圖3(A)和(B)中示出的用在實(shí)驗(yàn)中的電容器麥克風(fēng)具有與圖2(A)和(B)中示出的電容器麥克風(fēng)基本相同的結(jié)構(gòu)，其中六個(gè)切口700形成于背板200的外圍從而減小寄生電容，并且其中切口700位于由第一支持部500支撐的膜片IOO的外周部附近。對(duì)圖2(A)和(B)中示出的具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)、圖3(A)和(B)中示出的用在實(shí)驗(yàn)中的電容器麥克風(fēng)以及圖1(A)、(B)和(C)中示出的第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)實(shí)施關(guān)于電極耐壓性、振動(dòng)位移值以及靈敏度的測(cè)量，從而產(chǎn)生表l中示出的結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>電極耐壓性等于這樣的電壓值，該電壓施加在膜片和背板之間，使得在將犧牲氧化物膜介于膜片和基板之間的條件下，即在將膜片整個(gè)固定在基板的條件下,由于靜電吸引而變形的背板與膜片接觸，其中電極耐壓性可以定義背板的強(qiáng)度目標(biāo)。振動(dòng)位移值是當(dāng)指定的聲壓^皮施加到膜片時(shí)膜片的中心部的位移值。靈敏度被表征為當(dāng)指定的聲壓被施加到膜片時(shí)的電容器麥克風(fēng)的輸出電壓，其中靈壽文度由下面的公式表征。靈敏度^振動(dòng)位移值x施加在電極之間的電壓x[靜電電容/(靜電電容+寄生電容)]在表l中，數(shù)值被表示成相對(duì)值，該相對(duì)值是在代表具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的電極耐壓性、振動(dòng)位移值以及靈每文度的值(即，"1.0")的基礎(chǔ)上計(jì)算的。在用于實(shí)驗(yàn)的電容器麥克風(fēng)中，與具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)相比，電極耐壓性減小為0.8倍。這是因?yàn)橛蓽p小了寄生電容的切口700在背板200中的形成引起的強(qiáng)度的降低。電極耐壓性的降低使電容器麥克風(fēng)運(yùn)行變得的不穩(wěn)定。在另一方面，在第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，即使背板20具有齒輪狀形狀而且切口形成在設(shè)置在中心部22的外周中的臂24之間，電極耐壓性也增加到具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的1.2倍。這是因?yàn)橛糜谥伪嘲?0的臂24的末端的第二支持部54位于形成在膜片10的臂14之間的切口，并且從背板20的中心部22的中心到第二支持部54的距離比在具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)中的從膜片100的中心到第一支持部500的距離短。從而，可以相對(duì)地增加背板20的剛度，從而增加了電極耐壓性。通過增加電極耐壓性，可以使第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行變得穩(wěn)定。在第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，膜片10的振動(dòng)位移值增加到具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的2.0倍。這是因?yàn)槟て琁O具有齒輪狀形狀，并且臂14的末端由第一支持部50支撐。也就是，在與膜片IOO的外圍被完全固定的具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)相比較的第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，可以改善膜片10的振動(dòng)特性，其中形成在臂14中的多個(gè)孔16有助于增加振動(dòng)位移值。此外，在第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，靈每文度增加到具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的3.0倍。這是因?yàn)槟て琁O的振動(dòng)位移值被增加到高于具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的膜片IOO的振動(dòng)位移值。此外，靜電電容主要形成在膜片10的中心部12和背板20的中心部22之間，并且臂14和臂24進(jìn)行相對(duì)彼此的位置改變以便不引起二者之間的寄生電容。也就是，在與具有通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)相比較的第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，可以顯著減小寄生電容。第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)為硅麥克風(fēng)(硅電容器麥克風(fēng))，其通過半導(dǎo)體器件制造工藝被制造。此后，將參考圖4到圖28對(duì)第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法進(jìn)行描述。首先，如圖4中所示，利用等離子體CVD(等離子體化學(xué)氣相沉積PlasmaChemicalVaporDeposition),2|om厚的由氧化珪膜構(gòu)成的第一絕緣膜50a形成在基板30上，基板30例如采用由單晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板形成。在后處理中去除第一絕緣膜50a,其中第一絕緣膜50a被用作犧牲層，該犧牲層被用來形成在膜片10的下方的基板30中的腔32并且被用來形成實(shí)現(xiàn)圍繞腔32的基板30和膜片10之間的期望的聲阻的通道34。此外，第一絕緣膜50a被用來形成用于在基板30上方支撐膜片10的第一支持部50。接著，如圖5中所示，利用減壓CVD(減壓化學(xué)氣相沉積DecompressionChemicalVaporD印osition),由摻磷的多晶硅構(gòu)成的O.5pm厚的第一導(dǎo)電層10a形成在第一絕緣膜50a上。第一導(dǎo)電層10a也形成在基板30的后側(cè)。接著，如圖6中所示，將光致抗蝕劑膜施加到形成在第一絕緣膜50a上的第一導(dǎo)電層10a的整個(gè)表面；然后，通過采用具有指定形狀的抗蝕劑掩模的光刻技術(shù)實(shí)施曝光和顯影，從而形成光致抗蝕劑圖案P1。接著，如圖7中所示，利用作為掩模的光致抗蝕劑圖案Pl實(shí)施諸如RIE(反應(yīng)離子刻蝕)的各向異性刻蝕，以便選擇性地去除第一導(dǎo)電層10a,從而將其處理為指定形狀，從而形成0.5pm厚的膜片10和與其連接的布線18，以及膜片10的臂14的多個(gè)孔16。接著，如圖8中所示，實(shí)施利用氧等離子體(02plasma)的灰化處理(ashing)和浸入由硫酸和過氧化氫構(gòu)成的混合溶液中的溶解處理以便去除光致抗蝕劑圖案P1。從而，通過第一導(dǎo)電層10a的圖案化形成膜片10，其中如圖1(A)中所示，膜片10具有由具有在平面圖中的盤狀形狀的中心部12和以徑向方式向外延伸的六個(gè)臂14構(gòu)成的齒輪狀形狀。多個(gè)孔16分別形成在六個(gè)臂14中。接著，如圖9中所示，利用等離子CVD，由氧化硅膜構(gòu)成的4(jm厚的第二絕緣膜52a形成在膜片10、引出配線18以及第一絕緣膜50a上。第二絕緣膜52a被沉積在第一絕緣膜50a上以便形成層壓絕緣膜54a。第二絕緣膜52a起犧牲膜的作用，其用于在膜片10和背板20之間形成空隙40并且在后處理中被去除犧牲膜。在后處理中，層壓絕緣膜54a用來形成在基板30上方支撐背板20的第二支持部54。接著，如圖IO中所示，通過減壓CVD，由摻雜磷的硅構(gòu)成的1.5pm厚的第二導(dǎo)電層20a形成在第二絕緣膜52a上。在基板30的后側(cè)，第二導(dǎo)電層20a也形成在第一導(dǎo)電層10a上。接著，如圖11中所示，將光致抗蝕劑膜施加在第二絕緣膜52a上的第二導(dǎo)電層20a的整個(gè)表面上；然后，利用光刻技術(shù)形成光致抗蝕劑圖案P2。接著，如圖12中所示，利用作為掩模的光致抗蝕劑圖案P2實(shí)施諸如RIE的各向異性刻蝕以便選擇性地去除第二導(dǎo)電層20a，-從而將其處理為指定形狀，因此而形成1.5jnm厚的背板20和與其連接的引出配線28,由此形成在背板20的中心部22中的多個(gè)孔26。接著，如圖13中所示，實(shí)施灰化處理以及利用由硫酸和過氧化氫構(gòu)成的混合溶液的溶解處理以便去除光致抗蝕劑圖案P2;接著，為了淬火(quenching)的目的而實(shí)施熱處理。如上所述，如圖1(A)中所示，利用第二導(dǎo)電層10a的圖案化形成的背板20具有包括具有在平面圖中的盤狀形狀的中心部22和以徑向方式向外延伸的六個(gè)臂24的齒輪狀形狀，其中多個(gè)孔26分別形成在中心部22和六個(gè)臂24中。如圖1(A)中所示，背板20的中心部22布置為與膜片10的中心部12同心，其中背板20的中心部22的半徑小于膜片10的中心部12的半徑。此外，背板20的六個(gè)臂24位于在膜片10的六個(gè)臂14之間形成的切口處。換句話說，膜片IO的六個(gè)臂14位于在背板20的六個(gè)臂24之間形成的切口處。而且，從背板20的中心部22的中心到臂24的末端的距離比膜片IO的中心部12的半徑長(zhǎng)但是比從膜片10的中心部12的中心到臂14的末端的距離短。接著，如圖14所示，利用等離子CVD,由氧化硅膜構(gòu)成的0.3iim厚的第三絕緣膜56形成在背板20、其引出配線28以及第二絕緣膜52a上。接著，如圖15所示，將光致抗蝕劑施加到第三絕緣膜56的整個(gè)表面；然后，利用光刻技術(shù)形成光致抗蝕劑圖案P3。光致抗蝕劑圖案P3具有在連接到膜片10的引出配線18上方以及連接到背板20的引出配線28上方的開口。接著，如圖16所示，利用作為掩模的光致抗蝕劑圖案P3實(shí)施濕法刻蝕和干法刻蝕之一或兩者以便選擇性地去除第三絕緣膜56和第二絕緣膜52a,從而形成用于暴露引出配線18和引出配線28的電極暴露孔58a和58b。接著，如圖17所示，實(shí)施灰化處理以及利用由硫酸和過氧化氫構(gòu)成的混合溶液的溶解處理以^_去除光致抗蝕劑圖案P3。接著，如圖18中所示，將由Al-Si構(gòu)成的金屬層60沉積在第三絕緣膜56的整個(gè)表面上，該表面還包括在電才及暴露孔58a和58b中暴露的引出配線18和引出配線28。接著，如圖19中所示，將光致抗蝕劑膜施加到金屬層60的整個(gè)表面；然后，利用光刻技術(shù)，形成覆蓋電極暴露孔58a和58b的光致抗蝕劑圖案P4。接著，如圖20中所示，利用作為掩模的光致抗蝕劑圖案P4實(shí)施使用混合酸的濕法刻蝕以便選擇性地去除金屬層60并且將其處理為指定形狀，從而形成經(jīng)由電極暴露孔58a和58b分別連接到引出配線18和引出配線28的第一電極60a和第二電極60b。接著，如圖21中所示，實(shí)施利用氧等離子體的灰化處理以及浸入到有機(jī)剝離液中的溶解處理以便去除光致抗蝕劑圖案P4。從而，第一電極60a經(jīng)由引出配線18連接到膜片10，第二電極60b經(jīng)由引出配線28連接到背板20。接著，如圖22中所示，利用研磨機(jī)拋光和去除位于基板30的后側(cè)的第二導(dǎo)電層20a和第一導(dǎo)電層10a;而且，拋光基板30的后側(cè)以便調(diào)整基板30的厚度使其在500pm到600pm的范圍內(nèi)。接著，如圖23中所示，利用光刻技術(shù)，光致抗蝕劑圖案P5形成在基板30的后側(cè)。光致抗蝕劑圖案P5具有與膜片IO的中心部12—致的開口。接著，如圖24中所示，利用作為掩模的光致抗蝕劑圖案P5實(shí)施諸如深度RIE的各向異性刻蝕以便選擇性地去除基板30，從而形成到達(dá)第一絕緣膜50a的開口32a。開口32a定位于沿膜片IO的中心部12的內(nèi)側(cè)。接著，如圖25中所示，實(shí)施灰化處理和利用有機(jī)剝離液的溶解處理以便去除光致抗蝕劑圖案P5。接著，如圖26中所示，將光致抗蝕劑膜施加到第一電極60a和第二電極60b,以及第三絕緣膜56的整個(gè)表面；然后，利用光刻技術(shù)形成光致抗蝕劑圖案P6。光致抗蝕劑圖案P6覆蓋第一電極60a和第二電極60b,以及引出配線18和引出配線28上方的第三絕^彖膜56。接著，如圖27中所示，利用作為掩模的光致抗蝕劑圖案P6實(shí)施使用稀釋氫氟酸(BufferedHF)的濕法刻蝕以便選擇性地去除第三絕緣膜56、第二絕緣膜52a以及第一絕緣膜50a。這時(shí)，形成在背板20的臂24和中心部22中的多個(gè)孔26用作當(dāng)去除介于背板20和膜片10之間的第二絕緣膜52a時(shí)引入刻蝕溶液的引導(dǎo)孔。此外，將稀釋氫氟酸引入到基板30的開口32a中以便利用刻蝕選擇性地去除第一絕緣膜50a。如上所述，通過去除介于在背板20和膜片10之間的第二絕緣膜52a，形成空隙40。此外，通過去除第一絕緣膜50a，擴(kuò)大了基板30的開口32a以到達(dá)膜片10從而形成腔32,并且具有期望的聲阻的通道34形成在圍繞腔32的基板30和膜片IO之間。同時(shí)，故意留下在膜片10的六個(gè)臂14的末端和基板30之間的第一絕緣膜50a，從而形成第一支持部50。此外，故意留下在背板20的六個(gè)臂24的末端和基板30之間的層壓絕緣膜54a，從而形成第二支持部54。接著，如圖28中所示，實(shí)施灰化處理和利用有機(jī)剝離液的溶解處理以便去除光致抗蝕劑圖案P6。從而，可以生產(chǎn)具有圖1(A)、(B)以及(C)中顯示的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)。在第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法中，具有不同圖案的抗蝕劑掩模被用于實(shí)施多次光刻；因此，可以直接采用通常所知的半導(dǎo)體制造工藝。此外，不需要現(xiàn)有技術(shù)中教導(dǎo)的復(fù)雜的工藝，并且在該復(fù)雜工藝中后電極被布置在位于膜片對(duì)面的由絕緣材料構(gòu)成的板的表面的指定部分上從而減小制造產(chǎn)率；因此，可以不增加制造成本。本發(fā)明的第一實(shí)施例不必局限于具有圖1(A)、(B)以及(C)中顯示的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)；因此，可以實(shí)現(xiàn)各種修改。以下，將解釋這些變體。(第一變體)修改第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)，使得背板20完全成形為盤狀形狀，其中背板20的半徑比膜片IO的中心部12的半徑長(zhǎng)但是比從膜片IO的中心部12的中心到臂14的末端距離短。在第一變體中，膜片IO具有包括中心部12和六個(gè)臂14的齒輪狀形狀；因此，在與形成在臂14之間的切口相對(duì)應(yīng)的位置處，不存在背板20，這樣便使得二者之間不產(chǎn)生寄生電容。此外，膜片10的臂14位于背板20的外周部之外；因此，二者之間不產(chǎn)生寄生電容。因此，在與具有圖2(A)以及圖2(B)中示出的通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)相比較的第一變體的電容器麥克風(fēng)中，可以顯著減小寄生電容。然而，因?yàn)槟て?0的臂14的內(nèi)部設(shè)置以與具有盤狀形狀的背板20的外周部匹配，所以二者之間也可以產(chǎn)生一些寄生電容。也就是，與第一實(shí)施例相比，第一變體在結(jié)構(gòu)上是簡(jiǎn)單的，而寄生電容可能稍微增加。第二變體修改第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)使得膜片10完全成形為盤狀形狀。在這種情況中，因?yàn)楸嘲?0具有包括中心部22和六個(gè)臂24的齒輪狀形狀，所以在與形成在臂24之間的切口相對(duì)應(yīng)的位置處，不存在膜片10;因此，這樣，二者之間不產(chǎn)生寄生電容。因此，在與具有圖2(A)以及圖2(B)中示出的通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)相比較的第二變體的電容器麥克風(fēng)中，可以顯著減小寄生電容。然而，因?yàn)楸嘲?0的臂24的內(nèi)部被定位以匹配具有盤狀形狀的膜片10的外周部，所以二者之間可能產(chǎn)生一些寄生電容。也就是，與第一實(shí)施例相比，第二變體可能稍微增加寄生電容。第三變體修改第一實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)使得在膜片10的臂14中不形成孔16，并且沿具有由中心部12和臂14構(gòu)成的齒輪狀形狀的膜片10的外周部形成腔32。在這種情況中，腔32的開口形成以完全與具有齒輪狀形狀的膜片10一致，除了臂14的末端之外；因此，根據(jù)第三變體的腔32的體積變得比根據(jù)第一實(shí)施例的腔32的體積大。從而，可以進(jìn)一步改善膜片10的振動(dòng)特性。第四變體將參考圖35對(duì)4艮據(jù)第一實(shí)施例的第四變體的電容器麥克風(fēng)進(jìn)行描述。圖35(A)為示出第四變體的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；(B)為沿(A)中的線A-A剖取的截面圖；以及(C)為(B)的局部的放大圖。如圖35(A)和(B)中所顯示，在第四變體的電容器麥克風(fēng)中，第一凸部60和第二凸部70形成在膜片10中。第一凸部形成相對(duì)于臂14的臺(tái)階形狀，其中這些第一凸部朝向基板30以便進(jìn)一步減小與在膜片10和圍繞腔32的基板30之間形成的通道34相對(duì)應(yīng)的空間。在與背板20的臂24相對(duì)的位置處，即，在膜片IO的切口處，第二凸部70形成為臺(tái)階形狀。第二凸部70朝向基板30以便進(jìn)一步減小與在膜片10的切口和圍繞腔32的基板30之間形成的通道34相對(duì)應(yīng)的空間。利用第一凸部60和第二凸部70，可以進(jìn)一步減小通道34的空間，其中因?yàn)樵摽臻g形成聲阻，所以是可以防止傳輸?shù)侥て琁O的聲波在臂14之間傳播并且在其之間泄露。由于第一凸部60和第二凸部70形成在膜片10中，所以可以降低膜片IO的剛度，這樣使得可以膜片IO容易由于聲壓而變形。從而，可以進(jìn)一步改善膜片10的振動(dòng)特性。就此而論，在第四變體中，第一凸部60和第二凸部70形成臺(tái)階形狀；但是這不是限制；因此，可以形成向基板30突出的微凹(dimple)或者波紋(corrugation)。而且，在與背板20的臂24相對(duì)的位置處，形成第二凸部70;但是這不是限制；因此，可以連續(xù)地形成第二凸部70，即，可以形成具有環(huán)形形狀的第二凸部70。此外，可以利用絕緣材料形成第一凸部60和第二凸部70的位于基才反30對(duì)面的部分。第二實(shí)施例接著，將參考圖30(A)、(B)和(C)對(duì)根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)進(jìn)行描述。圖30(A)為示出第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；(B)為沿(A)中的線A-A剖取的截面圖；以及(C)為沿(A)中的線B-B剖取的截面圖。第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)由膜片1010、背板1020以及具有用于支撐膜片1010和背板1020的支持部件的基板1030構(gòu)成。膜片IOIO為由多晶硅構(gòu)成的具有導(dǎo)電性的薄膜，其摻雜作為雜質(zhì)的磷，其中膜片IOIO具有包括具有盤狀形狀的中心部1012和以徑向方式向外延伸的六個(gè)臂1014的齒輪狀形狀。膜片1010的厚度為約0.5中心部1012的半徑為約0.35mm;臂1014的長(zhǎng)度為約0.15mm。背板1020與膜片1010平行布置且二者之間具有預(yù)定距離，例如，二者之間具有0.4pm的空隙1040。與膜片1010類似，背板1020為由摻磷的多晶硅構(gòu)成的具有導(dǎo)電性的薄膜，其中背板具有包括具有盤狀形狀的中心部1022和以徑向方式向外延伸的六個(gè)臂1024的齒輪狀形狀。多個(gè)孔1026形成在背板1020的中心部1022和臂1024中。背板1020的孔1024起聲孔(soundpole)的作用，來自外部的聲波穿過孔1026，然后被傳輸?shù)侥て?010。背板1020的厚度為約1.5中心部1022的半徑為約0.3mm;臂1024的長(zhǎng)度為約0.1mm。背板1020的中心部1022布置為與膜片1010同心，其中背板1020的中心部1022的半徑小于膜片1010的中心部1012的半徑。此外，背板1020的六個(gè)臂1024^^皮定位在形成在膜片1010的六個(gè)臂1014之間的六個(gè)切口處。換句話說，膜片1010的六個(gè)臂1014被定位在形成在背板1020的六個(gè)臂1024之間的六個(gè)切口處。從背板1020的中心部1022到臂1024的末端的距離比膜片1010的中心部1012的半徑長(zhǎng)但是比從膜片1010的中心部1012到臂1014的末端的距離短。膜片1010的臂1014的末端與具有絕緣特性的分隔物1052的下表面接合。分隔物1052的上表面與懸架部1020b的內(nèi)端接合。懸架部1020b為由與背板1020相同的材料構(gòu)成的薄膜，即，具有導(dǎo)電性的多晶硅，并且與背板1020同時(shí)形成。懸架部1020b的外端具有圍繞具有齒輪狀形狀的膜片1010的外緣的圓周形狀,其中利用具有絕緣特性的第一支持部1054b將其支撐在基板1030上方。在懸架部1020b中.，多個(gè)孔1026a形成在分隔物1052和第一支持部1054b之間限定的區(qū)域中。利用第二支持部1054，將背板1020的臂1024的末端支撐在基板1030上方，每個(gè)第二支持部都具有絕緣特性并且位于在膜片1010的臂1014之間形成的切口處。例如，分隔物1052、第一支持部1054b以及第二支持部1054由氧化硅膜構(gòu)成。利用絕緣膜1541和1543以及導(dǎo)電膜1542形成用于支撐背板1020的第二支持部1054。例如，絕緣膜1541和1543由氧化硅膜構(gòu)成。優(yōu)選的是導(dǎo)電膜1542與膜片1010同時(shí)形成并且由添加作為雜質(zhì)的磷的多晶硅構(gòu)成。將導(dǎo)電膜1542置于與背板1020或基板1030相同的電勢(shì)，其中導(dǎo)電膜1542起用于減小電容器麥克風(fēng)的寄生電容的保護(hù)電極的作用。就此而論，可以省略導(dǎo)電膜1542?；?030由厚度范圍為500pm到600pm的硅基板構(gòu)成，其中具有到達(dá)膜片1010的開口的腔1032通過與具有齒輪形狀的膜片IOIO相應(yīng)的基板1030。腔1032沿膜片1010的外周部的內(nèi)側(cè)形成,其中腔1032起用于緩和施加到與背板1020相對(duì)的膜片1010的壓力的壓力緩和室的作用。此外，具有高于膜片1010的臂1014之間的聲阻(acousticresistance)的聲阻的通道1034形成在圍繞腔1032的基板1030和膜片IOIO之間。該聲阻應(yīng)通道1034的高度H(即，膜片1010和基板1030之間的距離)和長(zhǎng)度L(即，從具有齒輪狀形狀的膜片1010的外周到腔1032的端部的距離)來控制，從而實(shí)現(xiàn)高于膜片1010的臂1014之間的聲阻的聲阻。具有高的聲阻的通道1034防止到達(dá)膜片1010的聲波在臂1014之間傳輸并且在臂14之間泄露。就此而論，通道1034的高度H為約2長(zhǎng)度L為約15mm。圖31(A)為示出將在膜片IOIO和背板1020之間的靜電電容的變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的探測(cè)電路的構(gòu)成的電路圖。利用電荷泵(chargepump)CP對(duì)膜片IOIO施加穩(wěn)定的偏壓。背板1020和膜片IOIO之間的靜電電容的變化以電壓變化的形式輸入到前置放大器A。因?yàn)榛?030和膜片1010被短路，所以在圖30(C)中示出的導(dǎo)電膜1542介入的情況下，背板1020和基板1030之間可以不出現(xiàn)寄生電容。圖31(B)示出設(shè)置有導(dǎo)電膜1542的探測(cè)電路的構(gòu)成。在此，前置放大器A的輸出端被連接到導(dǎo)電膜1542，以便利用前置放大器A形成電壓跟隨器電路；這使得導(dǎo)電膜1542可以起保護(hù)電極的作用。利用電壓跟隨器電路控制背板1020和導(dǎo)電膜1542處于相同的電勢(shì)，從而可以消除在背板1020和導(dǎo)電膜1542之間出現(xiàn)的寄生電容。此外，基板1030和膜片IOIO被短路，從而導(dǎo)電膜1542和基板1030之間的電容變得與前置放大器A的輸出不相關(guān)。如上所述，利用導(dǎo)電膜1542來形成保護(hù)電極以便進(jìn)一步減小電容器麥克風(fēng)的寄生電容。在根據(jù)第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，膜片1010和背板1020都具有齒輪狀形狀，其中膜片1010的中心部1012和背板1020的中心部1022彼此相對(duì)地布置。背板1020的六個(gè)臂1024定位在形成在膜片1010的六個(gè)臂1014之間的六個(gè)切口的位置；換句話說，膜片1010的六個(gè)臂1014定位在形成在背板1020的六個(gè)臂1024之間的六個(gè)切口的位置。為此，膜片1010的六個(gè)臂1014和背板1020的六個(gè)臂1024相對(duì)彼此在位置上移動(dòng)并且布置為彼此不相對(duì)；因此，它們之間可以不出現(xiàn)寄生電容。也就是，靜電電容形成在膜片1010的中心部1012和背板1020的中心部1022之間，/人而響應(yīng)該靜電電容的變化來產(chǎn)生電信號(hào)。因?yàn)槟て?010和背板1020之間的寄生電容被顯著地減小，所以可以顯著增加電容器麥克風(fēng)的靈敏度。膜片1010的臂1014的末端由分隔物1052、懸架部1020b以及第一支持部1054b來支撐，其中，,人膜片1010的中心部1012的中心到分隔物1052的距離長(zhǎng)于從背板1020的中心部1022的中心到用于支撐臂1024的末端的第二支持部1054的距離。為此，與膜片1010的外周部被直接支撐在基板1030上方的結(jié)構(gòu)以及在平面圖中膜片1010和背板1020都具有相同的形狀的結(jié)構(gòu)相比，第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)能進(jìn)一步改善膜片1010的振動(dòng)特性。此外，背板1020的中心部1022的半徑小于膜片1010的中心部1012的半徑，從中心部1022的中心到第二支持部1054的距離比從中心部1012的中心到分隔物1052的距離短。為此，與在平面圖中膜片1010和背板1020都具有相同形狀的結(jié)構(gòu)相比，可以增加背板1020的剛度；因此，可以在不破壞電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行穩(wěn)定性的情況下增加膜片1010的尺寸，并且可以改善膜片1010的振動(dòng)特性。由于多個(gè)孔1026a形成在懸架部1020b中，所以降低了與膜片1010的臂1014接合的懸架部1020b的剛度；這樣，在膜片1010的振動(dòng)模式中，使懸架部1020b易于變形；因此，可以進(jìn)一步改善膜片1010的振動(dòng)特性。為了確認(rèn)第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的效果，本申請(qǐng)的發(fā)明人生產(chǎn)具有圖2(A)和(B)中示出的通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)以及如圖3(A)和(B)中所示的用在實(shí)驗(yàn)中的電容器麥克風(fēng)，從而進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。表2中示出了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。表2電才及耐壓性振動(dòng)位移值靈敏度通常所知的結(jié)構(gòu)1.01.01.0實(shí)驗(yàn)的結(jié)構(gòu)0.8-—第二實(shí)施例1.28.012.0與表l中示出的第一實(shí)施例相比，在表2中示出的關(guān)于第二實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)結(jié)果中，電極耐壓性增加到通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)的1.2倍。這是因?yàn)橛糜谥伪嘲?020的臂1024的末端的第二支持部1054位于在膜片1010的臂1014之間形成的切口處；并且/人背板1020的中心部1022的中心到第二支持部1054的距離比從在通常所知的結(jié)構(gòu)中的膜片100的中心到第一支持部500的距離短；而且，背板1020的剛度比4交高。由于電極耐壓性的增加，所以可以提高第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行的穩(wěn)定性。在第二實(shí)施例中，膜片1010的振動(dòng)位移值增加到通常所知的結(jié)構(gòu)的振動(dòng)位移值的8.0倍。這是因?yàn)榫哂旋X輪形狀的膜片1010的臂1014的末端由分隔物1052和懸架部1020b支撐。也就是，與膜片IOO的全部周邊被固定的通常所知的結(jié)構(gòu)的電容器麥克風(fēng)相比，可以改善膜片IOIO的振動(dòng)特性。在第二實(shí)施例中，電容器麥克風(fēng)的靈敏度增加到通常所知的結(jié)構(gòu)的靈敏度的12.0倍。這是因?yàn)槟て?010的振動(dòng)位移值顯著高于通常所知的結(jié)構(gòu)的膜片IOO的振動(dòng)位移值，其中，靜電電容形成在膜片IOIO的中心部1012和背板1020的中心部1022之間，并且其中臂1014和臂1024不彼此相對(duì)放置以便在二者之間不出現(xiàn)寄生電容。也就是，在第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，可以顯著減小寄生電容。接著，將對(duì)第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法進(jìn)行描述。此電容器麥克風(fēng)為硅麥克風(fēng)(或者硅電容器麥克風(fēng))，其可以利用半導(dǎo)體器件制造工藝來制造。首先，經(jīng)由由氧化硅膜構(gòu)成的第一絕緣膜(或者第一犧牲膜)，由摻雜磷的多晶硅構(gòu)成的第一導(dǎo)電層形成在諸如單晶硅基板的半導(dǎo)體基板的基板1030上。第一導(dǎo)電層經(jīng)歷刻蝕，從而被處理為指定形狀，因此而形成膜片1010。如圖30(A)中所示，膜片1010具有包括具有盤狀形狀的中心部1012和以徑向方式向外延伸的六個(gè)臂1014的齒輪狀形狀。接著，經(jīng)由第二絕緣膜(或者第二犧牲膜)，由摻雜磷的多晶硅構(gòu)成的第二導(dǎo)電層形成在膜片1010以及第一絕緣膜上。第二導(dǎo)電層經(jīng)歷刻蝕，從而將處理為指定形狀，因此而形成背板1020以及懸架部1020b。如圖30(A)中所示，背板1020具有包括具有盤狀形狀的中心部1022和以徑向方式向外延伸的六個(gè)臂1024的齒輪狀形狀，其中多個(gè)孔1026a分別形成在懸架部1020b中。如圖30(A)中所示，背板1020的中心部1022布置為與膜片1010的中心部1012同心，其中背板1020的中心部1022的半徑小于膜片1010的中心部1012的半徑。此外，背板1020的六個(gè)臂1024位于在膜片1010的六個(gè)臂1014之間形成的六個(gè)切口處。換句話說，膜片1010的六個(gè)臂1014位于在背板1020的六個(gè)臂1024之間形成的六個(gè)切口處。而且，從背板1020的中心部1022的中心到臂1024的末端的距離比/人膜片1010的中心部1012的中心到臂1014的末端的距離短。如圖30(A)中所示，將懸架部1020b的內(nèi)端置于與膜片IOIO的臂1014的末端在平面圖中重疊的位置，其中懸架部1020b的外端具有圍繞具有齒輪狀形狀的膜片IOIO的外緣的圓周形狀。接著，由氧化硅膜構(gòu)成的第三絕緣膜形成在背板1020、懸架部1020b以及第二絕緣膜1052a上；然后，拋光基板1030的后側(cè)以便調(diào)整其厚度。接著，進(jìn)行諸如深度RIE的各向異性刻蝕以便選擇性地去除基板1030,從而形成到達(dá)第一絕^彖膜的開口。該開口定位于沿具有齒輪狀形狀的膜片1010的外周部的內(nèi)側(cè)。接著，利用作為掩模的指定的光致抗蝕劑圖案進(jìn)行使用稀釋氫氟酸的濕法刻蝕，從而選擇性地去除第三絕緣膜、第二絕緣膜以及第一絕緣膜。這時(shí)，通過形成在背板1020的臂1024和中心部1022中的孔1026和形成在懸架部1020b中的孔1026a，刻蝕溶液被引入，從而去除介于背板1020和膜片1010之間的第二絕緣膜。此外，將稀釋氫氟酸引入到基板1030的開口沖以便利用刻蝕選"^性地去除第一絕緣膜。如上所述，去除在背板1020和膜片1010之間的第二絕緣膜以便形成空隙1040。此外，通過去除第一絕緣膜，擴(kuò)大基板1030的開口以到達(dá)膜片1010，從而形成腔1032。而且，實(shí)現(xiàn)期望的聲阻的通道1034形成在圍繞腔1032的基板1030和膜片1010之間。同時(shí)，故意留下在膜片1010的臂1014的末端和懸架部1020b之間的第二絕緣膜，從而形成分隔物1052。此外，故意留下在懸架部1020b和基板1030之間的由第一絕緣膜和第二絕緣膜構(gòu)成的層壓絕緣膜，從而形成第一支持部1054b。此外，故意留下在背板1020的臂1024的末端和基板1030之間的層壓絕緣膜，從而形成第二支持部1054。根據(jù)前述的制造方法，可以生產(chǎn)圖30(A)、(B)以及(C)中示出的第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)。在此制造方法中，具有不同圖案的抗蝕劑掩才莫被用在光刻中；因此，可以直接采用通常所知的半導(dǎo)體制造工藝。就此而論，不必將第二實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)局限于圖30(A)、(B)以及(C)中顯示的結(jié)構(gòu)；因此，可以實(shí)現(xiàn)各種修改。例如，背板1020整體形成為盤狀形狀，其中背板的半徑比膜片1010的中心部1012的半徑長(zhǎng)但是比從膜片1010的中心部1012的中心到懸架部1020b的內(nèi)端的距離短。在上述變體中，其中膜片1010具有包括中心部1012和六個(gè)臂1014的齒輪狀形狀，膜片1010不位于背板1020在臂1014之間形成的切口處的外周部的對(duì)面；因此，二者之間不出現(xiàn)寄生電容。相對(duì)于定位在背板1020的外周部之外的膜片1010的臂1014之外也不出現(xiàn)寄生電容。也就是，與圖2(A)和(B)中示出的通常所知的結(jié)構(gòu)相比，在該變體中可以減小寄生電容。然而，因?yàn)槟て?010的臂1014的內(nèi)部位于具有盤狀形狀的背板1020的外周部的對(duì)面，所以在二者之間可以出現(xiàn)一些寄生電容。為此，與第二實(shí)施例相比較，在該變體中可以稍微增加寄生電容。第三實(shí)施例接著，將參考圖32(A)、(B)、和(C)對(duì)根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的構(gòu)成進(jìn)行描述。圖32(A)為示出第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的構(gòu)成的截面圖；圖32(B)為從圖32(A)中示出的結(jié)構(gòu)中去除背板的構(gòu)成的平面圖；以及圖32(C)為沿圖32(A)中的線A-A剖取的截面圖；以及圖32(D)為沿圖32(A)中的線B-B剖取的截面圖。如圖32(A)到(D)中所示，第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)由彼此相對(duì)布置的膜片2010以及背板2020、具有用于支撐膜片2010和背板2020的支持部件的基板2030構(gòu)成，膜片2010和背板2020彼此絕緣。膜片2010為由摻雜作為雜質(zhì)的磷的多晶硅構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜，其中膜片由具有盤狀形狀的中心部2012和圍繞中心部的外圍部分2014構(gòu)成。在膜片2010的中心部2012，在圓周方向彼此之間具有相等間隔的四個(gè)圓孔2016形成在與外圍部分2014相鄰的區(qū)域(下文中，被稱為中間區(qū)域)中，而且多個(gè)小孔2018也形成在其中。此外，多個(gè)小孔2018形成在四個(gè)區(qū)域中，這四個(gè)區(qū)域沿圓周方向彼此之間具有相等間隔且與在膜片2010的外圍部分2014中的四個(gè)孔2016相應(yīng)的形成。四個(gè)孔2016和多個(gè)小孔2018形成于膜片2010中的區(qū)域被布置為與基板2030相對(duì)應(yīng)。膜片2010的厚度為約0.5中心部2012的半徑為約0.35mm;包括外圍部分2014的膜片2010的總半徑為約0.5mm;每個(gè)孔2016的半徑為約25pm。背板2020與膜片2010平行布置且二者之間具有預(yù)定距離，例如，二者之間具有0.4[im的空隙2040。背板2020為由摻磷的多晶硅構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜，其中背板2020具有約2jim厚的盤狀形狀。背板2020布置為與膜片2010同心，其中背板2020的半徑與膜片2010的半徑基本相等。為此，背板2020-故布置在膜片2010的對(duì)面，而在平面圖中，外圍部分2014延伸在背才反20202010的聲孔的小孔2022形成在背板2020中。這里，背板2020的多個(gè)小孔2022被排列為不與平面圖中的膜片2010的多個(gè)小孔2018重疊。此外，連接到電極(未示出)的引出配線2024從背板2020的外周延伸。利用具有絕緣特性的第一支持部2050以圓周方式在基板2030上方支撐膜片2010的外圍部分2014的外周部。利用具有絕緣特性的四個(gè)圓柱狀第二支持部2052將背板2020支撐在基板2030上方，其中四個(gè)圓柱狀第二支持部2052被插入在膜片2010的四個(gè)孔2016中。第一支持部和第二支持部例如由氧化石圭膜構(gòu)成?；?030是厚度范圍為從500pm到600fim的硅基板，其中在與由膜片2010的中心部2012的中間區(qū)域圍繞的區(qū)域(下文中，被稱為中心區(qū)域)相對(duì)應(yīng)的位置處，其具有穿過基板2030而到達(dá)膜片2010的開口。在膜片2010的外圍部分2014中沒有形成的小孔2018的位置處，基板也具有穿過基板2030而到達(dá)膜片2010的開口。利用前述開口形成腔2032。腔2032起用于緩和施加到與背板2020相對(duì)的膜片2010的壓力的壓力緩和室的作用。實(shí)現(xiàn)指定的聲阻(acousticresistance)的通道2034形成在圍繞腔2032的基板2030和膜片2010之間。通過通道2034的高度H(即，膜片2010和基板2030之間的距離)和長(zhǎng)度L(即，從膜片2010的四個(gè)孔2016和多個(gè)小孔2018到腔2032的端部的最短距離)來控制該聲阻，/人而使中心部2012由于到達(dá)膜片2010的聲波而有效地振動(dòng)。就此而論，通道2034的高度為2長(zhǎng)度為15mm。不同于前述的構(gòu)件，第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)包括從膜片2010的外周延伸的引出配線、連接到該引出配線的電極、連接到背板2020的引出配線2024的電極、用于經(jīng)由這些電極在膜片2010和背板2020之間施加指定電壓的偏壓電路以及用于將在被施加指定電壓的膜片2010和背板2020之間形成的靜電電容的變化轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的探測(cè)電路。出于方便，省略了對(duì)它們的圖解和解釋。在第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)中，減小背板2020的尺寸以匹配膜片2010的中心部2012的尺寸；因此，與通常所知的其中背板和膜片具有基本相同的尺寸的結(jié)構(gòu)相比較，可以增加背板2020的機(jī)械強(qiáng)度。因此，即使當(dāng)出于改善電容器麥克風(fēng)的靈敏度的目的而增加施加在膜片2010和背板2020之間的電壓時(shí)，也可以抑制背板2020由相對(duì)的電極之間的靜電吸引而引起的變形，并且可以防止背板2020由于來自外部的沖擊而變形。也就是，可以改善膜片2010的振動(dòng)特性，并且可以保證電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行的穩(wěn)定性。因?yàn)楸嘲?020利用四個(gè)第二支持部2052直接支撐在基板2030上方，所以可以保持背板2020的穩(wěn)定性。也就是，可以抑制背板2020的變形；可以改善振動(dòng)特性；從而，可以保證電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行的穩(wěn)定性。雖然將背板2020置于膜片2010的中心部2012的對(duì)面，但是其在平面圖中不與背板2020的外部存在的膜片2010的外圍部分2014相對(duì)。為此，在膜片2010的外圍部分2014和背板2020之間不出現(xiàn)寄生電容。也就是，與背板和膜片彼此完全相對(duì)的通常所知的結(jié)構(gòu)相比較，第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)可以顯著減小寄生電容，從而提高靈壽文度。四個(gè)孔2016形成在膜片2010的中心部2012的中間區(qū)域中，并且多個(gè)孔2018形成在外圍。這降低了膜片2010的剛度以便容易實(shí)現(xiàn)其在振動(dòng)模式中的變形，從而可以增加膜片2010的位移。因此，可以改善膜片2010的振動(dòng)特性，從而提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度。通道2034形成在圍繞腔2032的基板2030和膜片2010之間，由此通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)置通道2034的高度H和長(zhǎng)度L來控制聲阻。這使得中心部2012可以由于經(jīng)由期望的聲阻傳輸?shù)侥て?010的聲波而有效地振動(dòng)；因此，可以顯著地改善膜片2010的振動(dòng)特性，從而提高電容器麥克風(fēng)的靈敏度。就此而論，四個(gè)孔2016和多個(gè)小孔2018受限制地形成在膜片2010的直接面對(duì)基板2030的區(qū)域中，其中這些孔沒有形成在直接面對(duì)腔2032的區(qū)域中。為此，到達(dá)膜片2010的聲波不引起振動(dòng)能量；因此，可以防止聲波通過孔2016或者小孔2018。因?yàn)槟て?010和背板2020都利用導(dǎo)電材料形成，所以不必進(jìn)行復(fù)雜的制造工藝，在該復(fù)雜工藝中，與現(xiàn)有技術(shù)相似，面對(duì)膜片的后電極形成在背板由絕緣材料構(gòu)成的指定區(qū)域中；這使得可以簡(jiǎn)化電容器麥克風(fēng)的制造工藝此外，刻蝕溶液被傳輸通過形成在膜片2010中的多個(gè)小孔2018，以便利用刻蝕去除介于膜片2010和基板2030之間的犧牲層，從而形成二者之間的空隙。此外，刻蝕溶液被傳輸通過形成在基板2020中的多個(gè)小孔2022以便利用刻蝕去除介于背板2020和膜片2010之間的犧牲層，從而形成二者之間的氣隙。乂人而，可以簡(jiǎn)化制造工藝。在第三實(shí)施例中的電容器麥克風(fēng)中，利用四個(gè)第二支持部2052將背板2020支撐在基板2030上方，而第二支持部2052的數(shù)量不必局限為四個(gè)。例如，可以以穩(wěn)定的方式利用三個(gè)支撐2052支撐背板2020。在這種情況下，必需要在膜片2010中形成三個(gè)圓孔2016。第三實(shí)施例中的電容器麥克風(fēng)采用這樣的結(jié)構(gòu)其中，利用第一支持部2050將膜片2010的外圍部分2014的外周部以圓周方式支撐在基板2030上方；然而，膜片2010的支撐結(jié)構(gòu)不必限于這種結(jié)構(gòu)；因此，可以采用多種支撐結(jié)構(gòu)。例如，膜片2010的外圍部分2014的外周部不連續(xù)地以圓周方式支撐，而是在基板2030上方在多個(gè)位置被局部地支撐。可選擇地，利用經(jīng)由分隔物被基板2030支撐的懸架部可以支撐膜片2010;而且，利用經(jīng)由分隔物從背板2020的外周向外延伸的臂可以支撐膜片2010。也就是，為了壓力緩和的目的以及為了改善振動(dòng)特性的目的，在不干擾其中利用插入到形成在膜片2010中的多個(gè)孔2016的第二支持部2052將背板2020支撐在基板2030的上方的結(jié)構(gòu)的范圍內(nèi)，可以實(shí)現(xiàn)關(guān)于膜片2010的支撐結(jié)構(gòu)的多種修改。接著，將對(duì)第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法進(jìn)行描述。就此而論，第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)為利用半導(dǎo)體制造工藝制造的硅麥克風(fēng)。首先，經(jīng)由由氧化硅膜構(gòu)成的第一絕緣膜(或者第一犧牲膜)，由摻雜磷的多晶硅構(gòu)成的第一導(dǎo)電層形成在由單晶硅基板構(gòu)成的基板2030上。第一導(dǎo)電層通過刻蝕而被處理為指定形狀，因此形成膜片2010以及其引出配線。如圖32(B)中所示，膜片2010具有為盤狀形狀的中心部2012和形成在其周圍的外圍部分2014。彼此之間具有相等間隔的四個(gè)孔2016以圓周方式形成在I莫片2010的中心部2012的中間區(qū)域中，其中也形成多個(gè)小孔2018。在膜片2010的外圍部分2014范圍內(nèi)，多個(gè)小孔2018形成在與四個(gè)孔2016相應(yīng)的四個(gè)區(qū)域中。此外，連接到電極(未示出)的引出配線從膜片2010的外周延伸。接著，經(jīng)由由氧化硅膜構(gòu)成的第二絕緣膜(或者第二犧牲膜)，由摻雜磷的多晶硅構(gòu)成的第二導(dǎo)電層形成在膜片2010以及第一絕緣膜上。第二導(dǎo)電層通過刻蝕被處理為指定形狀，因此而形成背板2020以及引出配線2024。如圖32(A)中所示，背板2020具有盤狀形狀并且被布置為與膜片2010同心，其中背板的半徑與膜片2010的中心部2012的半徑基本相等。在背板2020中形成多個(gè)用作聲孔的小孔2022，來自外部的聲波傳輸通過小孔2022以便使聲波到達(dá)膜片2010。而且，連接到電極(未示出)的引出配線2024從背板2020的外周延伸。接著，由氧化硅膜構(gòu)成的第三絕緣膜形成在背板2020以及第二絕緣膜上；然后，拋光基板2030的后側(cè)以便調(diào)整其厚度。接著，進(jìn)行諸如深度RIE(deepRIE)的各向異性刻蝕以便選擇性地去除基板2030，從而形成到達(dá)第一絕緣膜的開口。該開口形成為與膜片2010的中心部2012的中心區(qū)域和在外周部2014中沒有形成小孔2018的區(qū)域相應(yīng)。接著，利用作為掩模的指定的光致抗蝕劑圖案進(jìn)行使用稀釋氫氟酸的濕法刻蝕，從而選擇性地去除第三絕緣膜、第二絕緣膜以及第一絕緣膜。此外，刻蝕溶液滲入到形成在背板2020中的多個(gè)小孔2022中，從而去除介于背板2020和膜片2010之間的第二絕緣膜?？涛g溶液被滲入到形成在膜片2010中的四個(gè)孔2016和多個(gè)小孔2018中，從而去除介于膜片2010和基板2030之間的第一絕緣膜。此外，稀釋氫氟酸被滲入到基板2030的開口中，從而選擇性地去除第一絕緣膜。如上所述，去除介于背板2020和膜片2010之間的第二絕緣膜以便形成空隙2040。由于去除第一絕緣膜，所以擴(kuò)大了基板2030的開口而使其到達(dá)膜片2010,從而形成腔2032,而且，實(shí)現(xiàn)期望的聲阻的通道2034形成在圍繞腔2032的基板2030和膜片2010之間。同時(shí)，故意留下在膜片2010和基板2030之間的第一絕緣膜以便形成第一支持部2050。此外，留下在背板2020和基板2030之間的由第一絕緣膜和第二絕緣膜構(gòu)成的層壓絕緣膜，從而形成插入到膜片2010的四個(gè)孔2016中的第二支持部2052。根據(jù)前述的制造方法，可以生產(chǎn)圖32(A)到(D)中示出的第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)。如上所述，第三實(shí)施例的電容器麥克風(fēng)的制造方法可以直接采用通常所知的半導(dǎo)體制造工藝，除了在光刻中使用具有不同圖案的抗蝕劑掩模之外。本發(fā)明的第三實(shí)施例不必限于圖32(A)到(D)中示出的結(jié)構(gòu)；因此，可以實(shí)現(xiàn)各種修改。下文中，將描述這些變體。第一變體將參考圖33對(duì)第三實(shí)施例的第一變體進(jìn)行描述。圖33(A)為示出根據(jù)第一變體的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；(B)為示出從圖(A)中示出的結(jié)構(gòu)中去除背板的結(jié)構(gòu)的平面圖；(C)為沿圖(A)中的線A-A剖取的截面圖；以及(D)為沿圖(A)中的線B-B剖取的截面圖。圖33(A)到(D)中示出的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)與圖32(A)到(D)中示出的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)基本相同；因此，下面的描述僅解釋二者之間的差異。第一變體的電容器麥克風(fēng)設(shè)置膜片2110,其在平面圖中不具有盤狀形狀而是完全形成為矩形并且由具有矩形形狀的中心部2112和外周部2114構(gòu)成。在膜片2110的中心部2112中，三個(gè)圓孔2116^^皮布置具有相等的間距并且形成在沿相對(duì)的長(zhǎng)邊設(shè)置且鄰近外周部的兩個(gè)區(qū)域的每個(gè)區(qū)域中，其中也形成多個(gè)小孔2118。此外，在膜片2110的外周部2114中，多個(gè)小孔2118也形成在沿相對(duì)的短邊設(shè)置并且鄰近孔2116的四個(gè)區(qū)域中?？偣擦鶄€(gè)孔2116和多個(gè)小孔2118形成于其中的這些區(qū)域位于基板2030對(duì)面。背板2120布置為與膜片2110平行且二者之間具有空隙2140。與膜片2110相似，背板2120具有平面圖中的矩形形狀，其中背板位于膜片2110的中心部的對(duì)面。在平面圖中，膜片2110的外周部2114延伸到背板2120的外部。用作聲孔的多個(gè)小孔2122形成在背板2120中。連接到電極(未示出)的引出配線2124從背板2120的外周延伸。利用具有絕緣特性的第一支持部2130將在沿膜片2110的外周部2114中的相對(duì)的長(zhǎng)邊的外周部支撐在基板2130上方。此外，利用具有絕緣特性的六個(gè)圓柱的第二支持部2152將背板2120支撐在基々反2130上方，該第二支持部被插入到膜片2110的六個(gè)孔2116中。穿過基板2130而到達(dá)膜片2110的開口形成與膜片的中心部2112和外圍部分2114的沒有形成六個(gè)孔2116和小孔2118的區(qū)域相應(yīng)，從而形成腔2132。實(shí)現(xiàn)期望的聲阻的通道2134在圍繞腔2132的基板2130和膜片2110之間形成。第一變體的電容器麥克風(fēng)的制造方法與前述制造方法基本相同，除了光刻中的具有不同圖案的抗蝕劑掩模之外；因此，將省略對(duì)其的描述。在第一變體的電容器麥克風(fēng)中，利用插入到膜片2110的孔2116中的第二支持部2152將背板2120支撐在基板2130上方并且將背面2120位于膜片2110的中心部2112對(duì)面；然而，不將背板置于外圍部分2114的對(duì)面。也就是，圖31中示出的第一變體的電容器麥克風(fēng)在基本特征方面與圖32中示出的電容器麥克風(fēng)相似，除了膜片2110和背板2120都為矩形形狀之外；因此，第一變體的電容器麥克風(fēng)展示了相似的效果。在第一變體的電容器麥克風(fēng)中，利用六個(gè)第二支持部2152將背板2120支撐在基^反2130上方；因此，與圖32中示出的電容器麥克風(fēng)相比，以更穩(wěn)定的方式支撐背板2120并且背板2120更難以變形。這樣，可以進(jìn)一步提高電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行的穩(wěn)定性。也就是，可以通過增加其尺寸而進(jìn)一步提高第一變體的電容器麥克風(fēng)的靈敏度。此外，利用第一支持部2150將沿膜片2110的外圍部分2112的長(zhǎng)邊放置的外周支撐在基板2130上方。也就是，與圖30中示出的利用第一支持部2150將膜片2010的外周部2014的外周以圓周方式支撐在基板2130上方的電容器麥克風(fēng)相比，圖33中示出的電容器麥克風(fēng)進(jìn)一步改善了膜片2110的振動(dòng)特性；因此，可以進(jìn)一步提高靈敏度。在第一變體的電容器麥克風(fēng)中，利用多個(gè)第二支持部2152將背板2120支撐在基板2130上方，其中，不必將第二支持部2152的數(shù)量限于六個(gè)。例如，可以進(jìn)一步添加沿背板2120的相對(duì)的短邊放置的兩個(gè)第二支持部2152，使得布置共八個(gè)第二支持部2152。在這種情況下，需要將形成在膜片2110中的孔2116的數(shù)量增加為8個(gè)；并且需要修改基板2130中的形成腔2132的開口的位置。通過增加第二支持部2152的數(shù)量，可以以穩(wěn)定的方式支撐背板2120,從而抑制背板的變形。這樣，可以通過增加電容器麥克風(fēng)的尺寸來進(jìn)一步提高其靈敏度。第二變體參考圖34對(duì)根據(jù)第三實(shí)施例的第二變體的電容器麥克風(fēng)進(jìn)行描述。在圖34中，(A)為示出第二變體的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)的平面圖；(B)為示出從(A)中示出的結(jié)構(gòu)去除背板的構(gòu)成的平面圖；(C)為沿(A)中的線A-A剖取的截面圖；以及(D)為為沿(A)中的線B-B剖取的截面圖。如圖34(A)到(D)中所示，第二變體的電容器麥克風(fēng)具有與圖33(A)到(D)中所示第一變體的電容器麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)類似的結(jié)構(gòu)；因此，僅對(duì)二者的差異進(jìn)行描述。第二變體的電容器麥克風(fēng)的特征為設(shè)置具有絕緣特性的被固定到各個(gè)六個(gè)第二支持部2152的中間部分的停止層2160，其在膜片2110和背板2120之間形成的空隙2140中在基板2130上方支撐背板2120。停止層2160為由多晶硅構(gòu)成的薄膜，其不添加雜質(zhì)，其中其具有盤狀形狀并且厚度為約0.5pn、半徑為約30(jm。就此而論，停止層2160和膜片2110之間的距離為約3jim。圖34中示出的第二變體的電容器麥克風(fēng)的制造方法與第一變體的電容器麥克風(fēng)的制造方法相比，另外引入了下面的步驟。與第一變體的制造方法類似，在形成膜片2110之后，經(jīng)由由氧化硅膜構(gòu)成的約3pm厚的附加的絕緣膜(或者附加的犧牲層)，不摻雜雜質(zhì)的多晶硅層形成在膜片2110和第一絕緣膜上方，其中利用刻蝕將該多晶硅層處理為指定形狀，從而形成停止層2160。此后，經(jīng)由第二絕緣膜(或者第二犧牲膜)，第二導(dǎo)電層形成在停止層2160和附加的絕纟彖膜上方；然后，其中利用刻蝕將第二導(dǎo)電層處理為指定形狀，從而形成背板2120。此外，第三絕緣膜形成在背板2120以及第二絕緣膜上方；然后，拋光背板2120的后側(cè)使得選擇性地去除基板2130,從而形成開口。此后，利用刻蝕選擇性地去除第三絕緣膜、第二絕緣膜、附加的絕緣膜以及第一絕緣膜，從而在背板2120和膜片2110之間形成空隙。腔2132形成在基板2130中；形成具有期望的聲阻的通道2134;以及膜片2110和基板2130之間形成第一支持部2150。此時(shí)，由背板2120和停止層2160之間的第二絕緣膜以及介于停止層2160和基板2130之間的附加的絕緣膜和第一絕緣膜構(gòu)成的層壓絕緣層形成第二支持部2152,其中停止層2160被固定到第二支持部2152的每個(gè)中間部分并且將背板2120支撐在基板2130上方。如上所述，可以生產(chǎn)圖34(A)到(D)中示出的第二變體的電容器麥克風(fēng)。除了圖32(A)到(D)中示出的電容器麥克風(fēng)實(shí)現(xiàn)的效果之外，圖34(A)到(D)中示出的第二變體的電容器麥克風(fēng)還展示了一種效果，其中通過在膜片2110和背板2120之間的空隙2140中設(shè)置具有絕緣特性的停止層2160，即使當(dāng)過量的聲壓施加到膜片2110以及即使從外部施加機(jī)械沖擊時(shí)，也可以防止膜片2110和背板2120彼此接觸。從而，可以進(jìn)一步穩(wěn)定電容器麥克風(fēng)的運(yùn)行。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明適合于引入諸如便攜式電話、信息終端、個(gè)人計(jì)算機(jī)以及音頻裝置的電子裝置的電容器麥克風(fēng)。權(quán)利要求1.一種電容器麥克風(fēng)，包括具有導(dǎo)電性的膜片，其包括中心部和多個(gè)以徑向方式向外延伸的臂并且其由于聲波而振動(dòng)；具有導(dǎo)電性的背板，其位于所述膜片的對(duì)面；具有腔的基板，其位于所述背板的對(duì)面以便面對(duì)所述膜片；第一支持部，在所述基板上方支撐所述膜片而且使所述膜片的臂的末端與所述基板絕緣，從而在所述基板和所述膜片之間形成通道；以及第二支持部，其位于所述膜片的臂之間以便在所述基板上方支撐所述背板而且使所述背板的外周部與所述基板絕緣，從而形成所述膜片的中心部與所述背板之間的空隙，其中從所述背板的中心到其外端的距離比從所述膜片的中心部的中心到所述臂的末端的距離短。2.如權(quán)利要求1所述的電容器麥克風(fēng)，其中所述通道在圍繞所述腔的基板和所述膜片之間形成聲阻。3.如權(quán)利要求l所述的電容器麥克風(fēng)，其中聲阻位于所述膜片的臂之間并且形成在所述基板和所述膜片之間。4.如權(quán)利要求1所述的電容器麥克風(fēng)，其中在所述背板中形成切口以匹配與所述膜片的臂相對(duì)的各個(gè)位置。5.如權(quán)利要求1所述的電容器麥克風(fēng)，其中向所述基板突出的凸部形成在所述膜片中并且定位在所述膜片的臂的位置。6.如權(quán)利要求1所述的電容器麥克風(fēng)，其中向所述基板突出的凸部形成在所述膜片中并且定位在所述膜片的臂之間的位置。7.如權(quán)利要求1所述的電容器麥克風(fēng)，其中所述腔具有沿所述膜片的中心部的內(nèi)側(cè)形成的開口。8.如權(quán)利要求1所述的電容器麥克風(fēng)，其中多個(gè)孔形成在所述膜片的臂中。9.一種電容器麥克風(fēng)，其包括具有導(dǎo)電性的背板，其包括中心部和多個(gè)以徑向方式向外延伸的臂；具有導(dǎo)電性的膜片，其位于所述背板的對(duì)面以便由于聲波而振動(dòng)；具有腔的基板，其位于所述背板的對(duì)面以便面對(duì)所述膜片；以及支持部件，在所述基板上方支撐所述膜片，而且所述支持部件使所述膜片的外周部與所述背板的臂的末端絕緣，從而在所述膜片和所述背板的中心部之間形成空隙。10.如權(quán)利要求9所述的電容器麥克風(fēng)，其中切口形成在與所述背板的臂相對(duì)的位置處的所述膜片中。11.一種電容器麥克風(fēng)，包括具有導(dǎo)電性的膜片，其包括中心部和多個(gè)以徑向方式向外延伸的臂以便由于聲波而振動(dòng)；具有導(dǎo)電性的背板，其位于所述膜片的對(duì)面；具有腔的基板，其位于所述背板的對(duì)面以便面對(duì)所述膜片；分隔物，其下表面與所述膜片的多個(gè)臂的末端接合；懸架部，其內(nèi)端與所述分隔物的上表面接合；具有絕緣特性的第一支持部，其在所述基板上方支撐所述懸架部的外端；以及具有絕緣特性的第二支持部，其在所述基板上方支撐所述背板的外周部，其中空隙形成在所述膜片的中心部和所述背板之間。12.如權(quán)利要求11所述的電容器麥克風(fēng)，其中從所述背板的中心到其外周的距離比從所述膜片的中心部的中心到所述臂的末端的距離短。13.如權(quán)利要求11所述的電容器麥克風(fēng)，其中多個(gè)切口形成在所述背板中，在與所述膜片的多個(gè)臂相對(duì)的位置處。14.如權(quán)利要求11所述的電容器麥克風(fēng)，其中所述第二支持部位于所述膜片的多個(gè)臂之間。15.如權(quán)利要求11所述的電容器麥克風(fēng)，其中所述懸架部由與所述背板相同的材料構(gòu)成并且所述懸架部與所述背板同時(shí)形成。16.如權(quán)利要求11所述的電容器麥克風(fēng)，其中多個(gè)孔形成在所述懸架部中。17.如權(quán)利要求11所述的電容器麥克風(fēng)，其中所述腔具有沿所述膜片的外周部的內(nèi)側(cè)形成的開口。18.—種電容器麥克風(fēng)，包括具有導(dǎo)電性的膜片，其包括具有多個(gè)孔的中心部和圍繞所述中心部的周邊部分以便由于聲波而振動(dòng)；具有導(dǎo)電性的背板，其位于所述膜片的對(duì)面；具有腔的基板，其位于所述背板的對(duì)面以便面對(duì)所述膜片；具有絕緣特性的第一支持部，其支撐所述膜片的中心部和所述背板的支持部件，在所述膜片的中心部和所述背板之間具有氣隙，并且所述第一支持部支撐所述膜片的周邊部分；以及多個(gè)具有絕緣特性的第二支持部，其被分別插入形成在所迷膜片的中心部中的多個(gè)孔中并且在所述基板上方支撐所述背板。19.如權(quán)利要求18所述的電容器麥克風(fēng)，其中所述背板位于所述膜片的中心部對(duì)面。20.如權(quán)利要求18所述的電容器麥克風(fēng)，其中將具有絕緣特性的停止層布置在所述膜片和所述背板之間的空隙中。21.如權(quán)利要求20所述的電容器麥克風(fēng)，其中將所述停止層固定到所述第二支持部。22.如權(quán)利要求18所述的電容器麥克風(fēng)，其中多個(gè)小孔形成在多個(gè)在所述膜片的周邊部分中位于所述基板對(duì)面的區(qū)域中。全文摘要本發(fā)明提供一種電容器麥克風(fēng)，其中，利用簡(jiǎn)單的制造工藝改善了膜片的振動(dòng)特性，并且減小了發(fā)生在膜片和背板之間的寄生電容，從而提高靈敏度。具體地，具有包括中心部和多個(gè)臂的齒輪狀形狀的膜片以及具有包括中心部和多個(gè)臂的齒輪狀形狀的背板在基板上方彼此相對(duì)布置，使得膜片的臂和背板的臂彼此不面對(duì)。另外，可以在基板上方彼此獨(dú)立地支撐膜片和背板。而且，可以在膜片的中心部中形成多個(gè)孔，使得利用插入到孔中的多個(gè)支撐將背板支撐在基板上方。文檔編號(hào)H04R19/00GK101406069SQ20078001034公開日2009年4月8日申請(qǐng)日期2007年3月28日優(yōu)先權(quán)日2006年3月29日發(fā)明者大村昌良,平出誠(chéng)治,蛯原雄作,鈴木幸俊,鈴木民人申請(qǐng)人:雅馬哈株式會(huì)社