專利名稱：揚(yáng)聲器單元和揚(yáng)聲器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及揚(yáng)聲器單元和揚(yáng)聲器裝置，并例如可應(yīng)用于所謂纖薄型揚(yáng) 聲器。
背景技術(shù)：
如圖1所示，常規(guī)的揚(yáng)聲器單元1具有揚(yáng)聲器振動膜2，其處于頂部 打開的大致錐形。揚(yáng)聲器振動膜2的外周部分由框架3經(jīng)由邊緣4支撐。 另一方面，揚(yáng)聲器振動膜2的內(nèi)周的開口部分由附裝到框架3的減震器5 支撐。因此，揚(yáng)聲器振動膜2以可沿前后方向自由移動的方式附裝到框架揚(yáng)聲器振動膜2固定到圓筒形的音圈架6，并附裝為半球頭罩2A沿著 揚(yáng)聲器振動膜2的大開口方向突起以在開口部分的上側(cè)處覆蓋開口部分的 狀態(tài)，在圓筒音圈架6上，由導(dǎo)線制成的音圈7纏繞在其開口部分的下 側(cè)。因此防止了以上揚(yáng)聲器振動膜2在徑向上的變形，并防止了灰塵等的 進(jìn)入。在揚(yáng)聲器單元1中，用于使揚(yáng)聲器振動膜2往復(fù)振動的磁路部分13固 定地附裝在框架3的底側(cè)上。該磁路部分13具有磁軛10，磁軛10是盤形 的，其上從中部具有向上延伸的圓柱體IOA，環(huán)形的板8固定為層疊在磁 體9上。在揚(yáng)聲器單元1中，如果作為將該板8的頂部與框架3的底部固定的 結(jié)果而將磁路部分13附裝到框架3，則其上纏繞音圈7的音圈架6被保持 為其周圍處于在柱體10A與板8之間形成的磁隙gl中不被接觸的狀態(tài)。因此，在揚(yáng)聲器單元1中，如果通過基于從外部經(jīng)由端子12和柔性 導(dǎo)線(日語中通常稱作"kinshisen" ) 11施加的音頻信號而施加的電流， 將電磁力供應(yīng)到磁路部分13的音圈7，則以上音圈7被磁體9吸引或排斥。因此，揚(yáng)聲器振動膜2往復(fù)振動，并產(chǎn)生與音頻信號相對應(yīng)的聲波。近年來，期望更加纖薄的揚(yáng)聲器單元1，并且已經(jīng)提出了具有薄振動 膜與具有薄板形狀的音圈架的端部結(jié)合(而不是前述揚(yáng)聲器單元1中大致錐形的揚(yáng)聲器振動膜2)的構(gòu)造的所謂纖薄型揚(yáng)聲器單元(例如，見曰本 專利公開No. 2002-223495)發(fā)明內(nèi)容在日本專利公開No. 2002-223495所示的纖薄型揚(yáng)聲器單元中，已經(jīng) 存在如下問題，即，雖然其具有音圈架的凸起部分通過穿過具有通孔的減 震器而結(jié)合、并且提高了音圈架與減震器的結(jié)合強(qiáng)度的構(gòu)造，但是音圈架 對于振動膜的驅(qū)動方向的強(qiáng)度較弱，并且其引起聲音質(zhì)量的劣化。考慮到前述問題，期望提供一種揚(yáng)聲器單元和使用該揚(yáng)聲器單元的揚(yáng) 聲器裝置，其能夠以簡單結(jié)構(gòu)提高音圈架的強(qiáng)度并以高質(zhì)量輸出聲音。注意，術(shù)語"音圈架"通常表示圓筒形的一種。但是，在本申請的說 明中，以下通用情況下還將平面的一種稱為"音圈架"。根據(jù)本發(fā)明的實施例，揚(yáng)聲器單元設(shè)置有磁路，其形成槽形的磁 隙；框架，其用于容納和保持所述磁路；振動膜，其以可振動的方式附裝 到所述框架；平面型音圈架，其布置為穿過所述磁隙的大致中部，并且其 一端與所述振動膜結(jié)合，音圈粘接到所述平面型音圈架的表面，并且在所 述表面上形成用于提高所述振動膜在振動方向上的強(qiáng)度的凸起和凹入部 分；以及減震器，其附裝到所述框架以支撐所述平面型音圈架的另一端。因此，在揚(yáng)聲器單元中，通過凸起和凹入部分來增強(qiáng)當(dāng)在振動方向上 驅(qū)動振動膜時平面型音圈架的強(qiáng)度，并且對于驅(qū)動力，振動膜可以直線振 動。于是，可以輸出高質(zhì)量的聲音。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，揚(yáng)聲器裝置設(shè)置有揚(yáng)聲器單元，包 括磁路，其形成槽形的磁隙；框架，其用于容納和保持所述磁路；振動 膜，其以可振動的方式附裝到所述框架；平面型音圈架，其布置為穿過所 述磁隙的大致中部，并且其一端與所述振動膜結(jié)合，音圈粘接到所述平面 型音圈架的表面，并且在所述表面上形成用于提高所述振動膜在振動方向上的強(qiáng)度的凸起和凹入部分；以及減震器，其附裝到所述框架以支撐所述平面型音圈架的另一端；以及殼體，其用于容納所述揚(yáng)聲器單元。因此，再揚(yáng)聲器裝置中，當(dāng)在振動方向上驅(qū)動容納在殼體中的揚(yáng)聲器單元的振動膜時，通過凸起部分和凹入部分來增強(qiáng)平面型音圈架的強(qiáng)度，并且振動膜可以直線振動。于是，可以輸出高質(zhì)量的聲音。當(dāng)結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)描述時，本發(fā)明的性質(zhì)、原理和應(yīng)用將變得更加清楚，在附圖中相似部件由相似標(biāo)號或符號表示。


在附圖中圖1是示出傳統(tǒng)常規(guī)揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的示意性剖視圖；圖2是示出本發(fā)明實施例的揚(yáng)聲器裝置的總體構(gòu)造的示例性立體圖；圖3A和3B是示出纖薄型揚(yáng)聲器單元的尺寸的示意性立體圖；圖4是示出纖薄型揚(yáng)聲器單元的總體構(gòu)造的示意性立體圖；圖5是示出雙直隙磁路的示意性立體圖；圖6是示出雙直隙磁路的構(gòu)造的示意性立體圖；圖7是示出纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的示意性剖視圖；圖8A至8C是示出振動膜的構(gòu)造的示意圖；圖9是示出平面音圈驅(qū)動器的總體構(gòu)造的示意性立體圖；圖IO是示出矩形音圈架的構(gòu)造的示意性立體圖；圖11是示出軌道型平面音圈的構(gòu)造的示意圖；圖12是示出平面音圈驅(qū)動器的剖視構(gòu)造的示意性剖視圖；圖13A和13B是用于解釋雙直隙磁路的驅(qū)動力的示意圖；圖14是示出巻形減震器的構(gòu)造的示意性立體圖；圖15A至15D是用于解釋磁性流體的對中功能的示意圖；圖16是用于解釋揚(yáng)聲器單元的聲壓頻率特性的特性曲線圖；圖17A和17B是示出方向特性的示意圖；圖18是示出在其他實施例(1)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖19是示出在其他實施例(2)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖20是示出在其他實施例(3)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖21是示出在其他實施例(4)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖22是示出在其他實施例(5)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖23是示出在其他實施例(6)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖24是示出在其他實施例(7)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖25是示出在其他實施例(8)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖26是示出在其他實施例(9)中的纖薄型揚(yáng)聲器單元的剖視構(gòu)造的 示意性剖視圖；圖27A和27B是示出在其他實施例中的直隙磁路的構(gòu)造的示意性立體 圖；并且圖28是示出在其他實施例中音圈的構(gòu)造的示意性立體圖。
具體實施方式
將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。 (1)揚(yáng)聲器裝置的總體構(gòu)造如圖揚(yáng)聲器振動膜2所示，標(biāo)號20示出了揚(yáng)聲器裝置，其作為整體 具有其中根據(jù)本發(fā)明的纖薄型揚(yáng)聲器單元21和22以其豎直排列以使得整 體寬度盡可能窄的狀態(tài)容納在狹長殼體23中的構(gòu)造。殼體23附裝到支座 24。如圖3A和3B所示，纖薄型揚(yáng)聲器單元21和22的尺寸是寬14mm、 高108mm，深21mm。它們用布置在振動膜31上/下的螺栓32和33附裝到殼體23。(2)揚(yáng)聲器單元的構(gòu)造接著，將描述纖薄型揚(yáng)聲器單元21和22的構(gòu)造。但是，因為兩個單 元具有相同的構(gòu)造，所以出于方便的考慮，這里將僅描述揚(yáng)聲器單元21 的構(gòu)造，并且將省略對揚(yáng)聲器單元22的構(gòu)造的描述。如圖4所示，在揚(yáng)聲器單元21中，振動膜31以前后方向可振動的方 式附裝到具有孔(未示出)的擋板面板36，該孔的整體比狹長的振動膜 31小得多，并且形成在中部，而且雙直隙磁路40布置在框架34內(nèi)，框架 34設(shè)置在擋板面板36下方。如圖5所示，例如，在雙直隙磁路40中，最大能積較高的neogium磁 體(此后，簡稱作磁體)47和48以間隔開預(yù)定距離的平行狀態(tài)附裝到上 板41與下板44之間，是的可以通過薄且小的磁體47和48有效地獲得所 需的磁通強(qiáng)度。關(guān)于這一點，"最大能積"是表示磁體性能的單位，其是 殘余磁通強(qiáng)度(Br)與矯頑磁力(HC)的乘積變?yōu)樽畲髸r的情況。在此雙直隙磁路40中，在上板41中形成在右上板42與左上板43之 間的槽形的間隙被磁體47和48用作磁隙g2，并且在下板44中形成在右 下板45與左下板46之間的槽形的間隙被用作磁隙g3。如圖6所示，在實際應(yīng)用中，磁體47固定在大致L形的右下板45上 的預(yù)定位置處，并在具有與右下板45相同尺寸和形狀的右上板42被固定 為兩者重疊的狀態(tài)下對磁體47進(jìn)行充磁(在此情況下，上側(cè)是S極，下 側(cè)是N極)。另一方面，磁體48在大致L形的左下板46上的預(yù)定位置處被固定為 面對右下板45的磁體47，并且在具有與左下板46相同尺寸和形狀的左上 板43被固定為兩者重疊的狀態(tài)下對磁體48進(jìn)行充磁(在此情況下，上側(cè) 是N極，下側(cè)是S極)。在此狀態(tài)下，右下板45的側(cè)表面和左下板46的側(cè)表面粘接，并且右 上板42的側(cè)表面和左上板43的側(cè)表面粘接。因此，如圖5所示，形成了 具有磁隙g2 (其中磁通量從左上板43流向右上板42)和磁隙g3 (其中磁 通量從右下板45流向左下板46)的雙直隙磁路40 (圖5)。艮口，在雙直隙磁路40中，在右下板45、磁體47和右上板42結(jié)合為 一個主體的狀態(tài)下進(jìn)行充磁，并在左下板46、磁體48和左上板43結(jié)合為 一個主體的狀態(tài)下進(jìn)行充磁，再將兩者粘接。結(jié)果，形成了槽形的磁隙g2 和g3。在雙直隙磁路40中，如上所述，左下板46和左上板43的充磁方向和 右下板45和右上板42的充磁方向彼此相反。因此，通過如上所述將其形 成為左側(cè)和右側(cè)分別充磁接著將其結(jié)合，可以極大地改善批量生產(chǎn)的性 能。關(guān)于這一點，除了右上板42喝右下板45的上下部分之外，左上板43 喝左下板46的上下部分也互相具有相同尺寸和形狀，而且右上板42和左 上板43，以及右下板45和左下板46互相具有相同尺寸和形狀。因此，極 大地改善了部件的通用性和適用性。在使用這種雙直隙磁路40的纖薄型揚(yáng)聲器單元21中，如圖7所示， 作為其剖視構(gòu)造，平面音圈驅(qū)動器49布置在附裝于框架34內(nèi)的雙直隙磁 路40的磁隙g2與g3之間。關(guān)于這一點，在圖7中的纖薄型揚(yáng)聲器單元 21中，出于簡化說明的目的省略了揚(yáng)聲器單元21 (圖4)的擋板面板36 的描述。在此揚(yáng)聲器單元21中(圖7)，其安裝平面音圈驅(qū)動器49的頂端與 振動膜31的大致中部抵靠的狀態(tài)，并且在平面音圈驅(qū)動器49的底部穿過 巻形減震器35的中部的狀態(tài)下將平面音圈驅(qū)動器49附裝到巻形減震器 35，巻形減震器35附裝到框架34的底部。因此，其可以如箭頭所示在磁 隙g2和g3之間往復(fù)移動。如圖8A所示，振動膜31由例如延展的云母材料制成為窄長的船形， 其前側(cè)31A略微凹入。如圖8B和8C所示，振動膜31具有兩條軌道形狀 的凸起31C和31D設(shè)置在其后側(cè)31B的中部處的構(gòu)造。在此振動膜31中，凸起31C和31D之間的距離L與平面音圈驅(qū)動器 49的厚度D大致相同(圖7)。凸起31C和31D在將平面音圈驅(qū)動器49 的頂端與振動膜31的中部組裝時用于定位，并且在其被強(qiáng)制固定的狀態(tài) 下，平面音圈驅(qū)動器49的頂端被插入在凸起31C和31D之間。注意，振動膜31經(jīng)由邊緣41A和41B附裝到框架34。但是，后側(cè) 31B與邊緣41A和41B附裝在一起，更具體而言，在振動膜31的前側(cè) 31A面向外的狀態(tài)下。因此，與其在邊緣41A和41B曝露于外側(cè)的狀態(tài)附 裝的情況相比，對于振動膜31可以采取更大的面積。因此，可以提高低 音性能。如圖9所示，平面音圈驅(qū)動器49具有軌道型平面音圈51粘接到矩形 音圈架51的大致中部的構(gòu)造，矩形音圈架51是薄板形，并且由例如聚酰 亞胺膜制成。注意，作為矩形音圈架51的材料，可以使用聚酰亞胺膜、 聚酰胺非紡物、玻璃聚亞酰胺植入片、鋁、黃銅、耐熱牛皮紙、云母片等。如圖10所示，在矩形音圈架51中，形成具有微小落差的凹入部分 61，其沿著縱向上的兩側(cè)具有波紋形狀，而沿著橫向上的兩側(cè)具有直線形 狀，并在矩形音圈架51的大致中部處形成長窄凸起部分62，其略小于軌 道型平面音圈52的內(nèi)部區(qū)域并具有與凹入部分61相同的落差。這里，因為矩形音圈架51 (圖10)形成為薄板形，所以與常規(guī)揚(yáng)聲 器單元中使用的圓筒形的音圈架相比，其具有在如箭頭(圖7)所示的振 動膜31的前后方向上的強(qiáng)度不夠大的問題。但是，構(gòu)思了利用設(shè)置在與 矩形音圈架51的軌道型平面音圈52分離的位置處的凹入部分61和為定位 軌道型平面音圈52所設(shè)置的凸起部分62，來充分增強(qiáng)了振動膜31振動的 前后方向上的強(qiáng)度。此外，在矩形音圈架51 (圖IO)中，形成六個通孔63-68以與軌道型 音圈52繞凸起部分62粘接的部分重疊。因此，當(dāng)軌道型平面音圈52經(jīng)由 凸起部分62被定位并粘接時，軌道型平面音圈52的直線部分面對通孔 63-68。如圖ll所示，軌道型平面音圈52是單層巻繞的軌道型，并具有巻繞 為平面以粘接到矩形音圈架51的形狀。作為軌道型平面音圈52的軌道形 式，為了產(chǎn)生在如圖7所示的磁隙g2和g3中箭頭方向上的驅(qū)動力，期望 沿著縱向上兩側(cè)的直線部分52A較長，而彎曲部分52B較短，與矩形音圈 架51相匹配。如圖12所示，通過將軌道型平面音圈52粘接到矩形音圈架51來形成 平面音圈驅(qū)動器49。但是，此時，凹入部分61和凸起部分62的落差被設(shè) 定為小于軌道型平面音圈52的導(dǎo)線直徑。因此，軌道型平面音圈52粘接 為略突出超過矩形音圈架51的表面。因此，如圖13A和13B所示，當(dāng)平面音圈驅(qū)動器49布置在雙直隙磁 路40的磁隙g2和g3之間時，其趨于接收以上磁隙g2中的磁通量Jl和磁 隙g3中的磁通量J2。因此，當(dāng)電流il流到軌道型平面音圈52時，根據(jù)左 手定則，可以在磁隙g2和g3中產(chǎn)生用于在振動膜31 (未示出)振動的前 后方向上使得平面音圈驅(qū)動器49往復(fù)移動的驅(qū)動力。最后，如圖14所示，巻形減震器35將平面音圈驅(qū)動器49穩(wěn)定地支撐 在雙直隙磁路40的磁隙g2和g3中。作為其材料，使用對植入諸如酚醛樹 脂之類的熱固材料的織物進(jìn)行熱模制得到的材料，對電木沖壓得到的蝶式 減震器，通過注模樹脂形成的蝶式減震器等。作為減震器的形狀，為了使 得其遵循在振動方向上的往復(fù)運(yùn)動，通過多個波紋來形成褶皺形狀，巻形 等是所期望的。此巻形減震器35的截面具有大致M形。在其大致中部設(shè)置使得平面 音圈驅(qū)動器49的矩形音圈架51的底部穿過的長窄通孔35A，并且其在矩 形音圈架51的底部從通孔35A略微突出的狀態(tài)下被附裝。順便提及，在揚(yáng)聲器單元21 (圖7)中，所謂磁性流體Rl在右上板 42和左上板43之間的磁隙g2和右下板45與左下板46之間的磁隙g3中 封閉。因此，可以獲得平面音圈驅(qū)動器49的振動穩(wěn)定性的提高，磁通強(qiáng) 度Jl和J2的提高，以及軌道型平面音圈52的散熱的改善。這里，磁性流體Rl表示一種液體，其包含微粒直徑為10.0nm (IOO人)程度的磁性粒子(例如，氧化鐵)、表面活性劑和基體液體，并 與包括永磁性較強(qiáng)的物質(zhì)的磁體發(fā)生作用，并且是穩(wěn)定的膠質(zhì)溶液，其中 通過將表面活性劑吸收在磁性粒子的表面上使得基體液體中的磁性粒子不 會凝聚(絮凝)。注意，作為基體液體，根據(jù)用途和使用環(huán)境的考慮，可 以使用誰、烴油、酯油、氟油等。該磁性流體Rl具有如下特性，雖然其在磁場為零時是非磁性的液體，但是其通過使得從外部作用的磁場而被充磁，并且如果去除了從外部作用的磁場，充磁消失。通過利用該特性，平面音圈驅(qū)動器49可以保持 在磁隙g2和g3的中部處。在實際應(yīng)用中，在揚(yáng)聲器單元21中，根據(jù)如圖15A所示的狀態(tài)，平 面音圈驅(qū)動器49布置在雙直隙磁路40的磁隙g2和g3中的磁性流體Rl 中，如果如圖15B所示，接收到外力使得平面音圈驅(qū)動器49從磁隙g2和 g3的中心偏離，則與該力相對應(yīng)量的磁性流體R1S被推處并沿箭頭方向移 動。但是，如圖15C所示，揚(yáng)聲器單元21具有對于移動量的磁性流體 R1S試圖達(dá)到右下板45側(cè)更強(qiáng)的磁場的特性。因此，對于移動量的磁性流 體R1S向箭頭方向返回。結(jié)果，平面音圈驅(qū)動器49可以再次保持在磁隙 g2和g3的中部處。因此，在揚(yáng)聲器單元21中，不僅通過巻形減震器35，而且還通過磁 性流體Rl的對中功能，使平面音圈驅(qū)動器49能夠總是保持在磁隙g2和 g3的中部處。于是，可以雙重防止以上平面音圈驅(qū)動器49從磁隙g2和g3 的中部移動到左側(cè)或右側(cè)，并與左上板42、左上板43、右下板45和左下 板46接觸的情況。(3)揚(yáng)聲器單元的特性圖16示出了對于具有以上構(gòu)造的揚(yáng)聲器單元21的聲壓頻率特性的檢 測結(jié)果。發(fā)現(xiàn)，在該揚(yáng)聲器單元21中，從中音和高音到約200Hz的低 音，聲壓水平相對較高。因此，可以認(rèn)為，如果制造一個覆蓋200Hz以下 低音的副低音揚(yáng)聲器，則可以由該低音揚(yáng)聲器和揚(yáng)聲器單元21覆蓋全范 圍。圖17A示出了傳統(tǒng)揚(yáng)聲器單元1的方向特性，圖17B示出了在本申請 的實施例中的纖薄型揚(yáng)聲器單元21的方向特性。在傳統(tǒng)揚(yáng)聲器單元i (圖17A)中，其處于這樣的狀態(tài)，雖然方向特 征在lOOOHz以下的頻帶通常較出色，但是在超過2000Hz的頻率，如粗箭 頭所示，可以說在揚(yáng)聲器單元l的左右方向和后方是不出色的。另一方面，在本申請的實施例的纖薄型揚(yáng)聲器單元21 (圖17B)中，發(fā)現(xiàn)即使其處于600Hz、 1000Hz、 2000Hz、 4000Hz和訓(xùn)OHz的任意頻 帶，其都具有在全部方向上出色的方向特性，而不僅僅是如粗箭頭所示揚(yáng) 聲器單元21的前方，還包括左右方向和后方。這被認(rèn)為是因為在纖薄型 揚(yáng)聲器單元21中，與傳統(tǒng)揚(yáng)聲器單元1相比寬度非常窄，并且其變?yōu)榻?近線聲源。(4)操作和效果根據(jù)以上構(gòu)造，在本申請的實施例的纖薄型揚(yáng)聲器單元21中，平面 音圈驅(qū)動器49布置在雙直隙磁路40的磁隙g2和g3的大致中部處。如果 電流il流動到軌道型平面音圈52，則根據(jù)右手定則，產(chǎn)生使得平面音圈 驅(qū)動器49在振動膜31振動的前后方向上往復(fù)移動的驅(qū)動力。此時，在平面音圈驅(qū)動器49中，通過膜或片狀的薄板材料來形成矩 形音圈架51。因此，在振動膜31在振動方向上的強(qiáng)度不大的部分中，在 矩形音圈架51中形成具有微小落差的凹入部分61，并在矩形音圈架51的 大致中部處形成與凹入部分61具有相同落差的窄長凸起部分62，凹入部 分61具有沿著縱向兩側(cè)形成的波形邊界和沿著橫向兩側(cè)形成的直線形邊 界，凸起部分62具有略小于軌道型平面音圈52的內(nèi)部區(qū)域的尺寸。因 此，通過凹入部分61和凸起部分62的肋片結(jié)構(gòu)提高了振動膜31在振動方 向上的強(qiáng)度。因此，在揚(yáng)聲器單元21中，提高了矩形音圈架51自身在平面音圈驅(qū) 動器49的驅(qū)動方向上的強(qiáng)度。于是，可以防止由于矩形音圈架51的強(qiáng)度 不足而引起聲音質(zhì)量的劣化。此外，在揚(yáng)聲器單元21 (圖7)中，具有試圖接近更強(qiáng)磁場的特性的 磁性流體Rl被封閉在雙直隙磁路40的磁隙g2和g3中。因此，即使其接 收到外力使得平面音圈驅(qū)動器49從布置在磁隙g2和g3的大致中部的狀態(tài) 移動到任一側(cè)，都可以通過被外力暫時移動的磁性流體R1S試圖接近更強(qiáng) 磁場的運(yùn)動，使平面音圈驅(qū)動器49可以對中到磁隙g2和g3的大致中部。因此，在揚(yáng)聲器單元21中，通過磁性流體Rl的對中功能以及巻形減 震器35，平面音圈驅(qū)動器49可以保持在磁隙g2和g3的大致中部處。于 是，可以避免上述平面音圈驅(qū)動器49接觸右上板42、左上板43、右下板45和左下板46，并可以防止聲音質(zhì)量的劣化。此外，在揚(yáng)聲器單元21 (圖7)中，在振動膜31的前側(cè)31A面對外 部的狀態(tài)下，將振動膜31的后側(cè)31B附裝到邊緣41A和41B。因此，與 在邊緣41A和41B曝露于外部的狀態(tài)下附裝的情況相比，可以使振動膜 31采取更大的面積。于是，可以在將框架34形成為盡可能窄的同時防止 低音特性不足，并可以輸出高質(zhì)量的聲音。根據(jù)以上構(gòu)造，在揚(yáng)聲器單元21中，因為通過肋片結(jié)構(gòu)提高了矩形 音圈架51自身在平面音圈驅(qū)動器49的驅(qū)動方向上的強(qiáng)度，所以可以防止 由于矩形音圈架51的強(qiáng)度不足引起的聲音質(zhì)量的劣化，并可以輸出高質(zhì) 量的聲音。(5)其他實施例在前述實施例中，如圖7所示，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21 的情況，其中在振動膜31的前側(cè)31A面對外側(cè)而邊緣41A和41B不曝露 于外部的狀態(tài)下將振動膜31的后側(cè)31B附裝到邊緣41A和41B。但是， 本發(fā)明不限于此，而如圖18 (其中相同標(biāo)號用于與圖7相應(yīng)的部件)所 示，可以使用如下所述的揚(yáng)聲器單元72，其所使用的振動膜61的面對方 向與振動膜31相反，并在振動膜61的前側(cè)61A面對外部的情況下將邊緣 71A和71B曝露于外部，并且邊緣71A和71B附裝到振動膜61的前側(cè) 61A。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21的情 況，其中兩個磁體47和48布置在雙直隙磁路40中。但是，本發(fā)明不限于 磁，而如圖19所示，可以使用如下所述的揚(yáng)聲器單元74，其例如僅使用 一個磁體47，并將左中板73布置在磁體48的位置上，僅由磁體47產(chǎn)生 磁通量J1、 J2。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21的情 況，其中采用了用于支撐平面音圈驅(qū)動器49的矩形音圈架51的巻形減震 器(圖7)。但是，本發(fā)明不限于此，如圖20所示，可以使用如下所述的 揚(yáng)聲器單元76，其中采用雙波紋形式的褶皺減震器75代替巻形減震器 35。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21的情況，其中采用了用于支撐平面音圈驅(qū)動器49的矩形音圈架51的巻形減震 器(圖7)。但是，本發(fā)明不限于此，如圖21所示，可以使用如下所述的 揚(yáng)聲器單元78，其中采用雙波紋形式的褶皺減震器75代替巻形減震器 35，并且采用用于支撐平面音圈驅(qū)動器49的矩形音圈架51的頂部的雙波 紋形式的褶皺減震器77。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21的情 況，其中采用具有大致M形截面的巻形減震器35 (圖7)。但是，本發(fā)明 不限于此，而如圖22所示，可以使用如下所述的揚(yáng)聲器單元80，其中采 用具有大致W形截面的巻形減震器79。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21的情 況，其中采用巻形阻尼器35 (圖7)。但是，本發(fā)明不限于此，而如圖23 (其中相同標(biāo)號用于與圖7相對應(yīng)的部件)所示，可以使用如下所述的揚(yáng) 聲器單元82，其使用具有集成的減震器81的平面音圈驅(qū)動器，其中矩形 音圈架51的底部延展并形成為巻形，并連接倒框架34的底部。在此情況下，在揚(yáng)聲器單元82 (圖23)中，如同揚(yáng)聲器單元21 (圖 7)那樣將平面音圈驅(qū)動器49連接到巻形減震器35是不必要的。因此， 可以進(jìn)一步簡化構(gòu)造。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21的情 況，其中采用巻形減震器35 (圖7)。但是，本發(fā)明不限于此，而如圖24 (其中相同標(biāo)號用于與圖23相對應(yīng)的部件)所示，可以使用如下所述的 揚(yáng)聲器單元84，其中采用具有大致W形截面的減震器(其來源于具有集 成減震器81的平面音圈驅(qū)動器中的軌道型平面音圈52)，其底部延展并 以巻形粘接到矩形音圈架83，具有集成的減震器81的平面音圈驅(qū)動器的 頂部和矩形音圈架83的巻形的頂部連接到框架34的底部。在此情況下，在揚(yáng)聲器單元84中，與揚(yáng)聲器單元21 (圖7)那樣將 平面音圈驅(qū)動器49連接到巻形減震器35的情況相比，可以簡化結(jié)構(gòu)。同 時，與揚(yáng)聲器單元82 (圖23)相比，可以顯著改善具有集成減震器81的 平面音圈驅(qū)動器的減震功能和振動方向上的強(qiáng)度。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21的情況，其中采用的平面音圈驅(qū)動器49中，單層纏繞軌道型的軌道型平面音 圈52粘接到矩形音圈架51。但是，本發(fā)明不限于此，而如圖25 (其中相 同標(biāo)號用于與圖7相對應(yīng)的部件)所示，可以使用如下所述的揚(yáng)聲器單元 87，其具有平面音圈驅(qū)動器86，其中粘接了雙層纏繞軌道型平面音圈 85。此外，可以使用如下所述的揚(yáng)聲器單元，其具有的平面音圈驅(qū)動器 中，采用更多層的纏繞軌道型平面音圈，例如三層纏繞和四層纏繞。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的揚(yáng)聲器單元21 (圖7) 的情況，其中平面音圈驅(qū)動器49的軌道型平面音圈52布置在磁隙g2和 g3的大致中部處，并且產(chǎn)生在振動膜31振動的前后方向上的驅(qū)動力。但 是，本發(fā)明不限于此，而如圖26 (其中相同標(biāo)號用于與圖7相對應(yīng)的部 件)所示，可以使用如下所述的揚(yáng)聲器單元89，其中平面音圈驅(qū)動器88 的軌道型平面音圈52僅布置在磁隙g2的大致中部處，并且產(chǎn)生在振動膜 31振動的前后方向上的驅(qū)動力。在此情況下，在揚(yáng)聲器單元89 (圖26)中，因為其具有僅使用磁隙 g2的結(jié)構(gòu)，所以平面音圈驅(qū)動器88在縱向上的長度可以更短。于是，可 以縮短揚(yáng)聲器單元89自身的深度。此外，在前述實施例中，涉及使用如下所述的雙直隙磁路40的情 況，如圖5和6所示，通過將大致L形的右上板42和左上板43、以及右 下板45和左下板46粘接來形成磁隙g2和g3。但是，本發(fā)明不限于此， 而如圖27A (其中相同標(biāo)號用于與圖7相應(yīng)的部件)所示，可以使用如下 所述的雙直隙磁路97，其中直線形狀的右上板91和左上板93在分開了磁 體47和48的磁隙g2的情況下附裝到框架34，直線形的右下板92和左下 板94在分開了磁體47和48的磁隙g3的情況下附裝到框架34。此外，如圖27B所示，在揚(yáng)聲器單元21中，代替雙直隙磁路40，可 以使用單直隙磁路98，其中直線形的右上板91和左上板93在分開了磁體 47和48的磁隙g2的情況下附裝到框架34，并且作為單個直線板的下板 95附裝到框架34。此外，在前述實施例中，涉及使用如圖IO所示的矩形音圈架51的情況。但是，本發(fā)明不限于此，而如圖28所示，可以使用如下所述音圈架 101，其具有肋片結(jié)構(gòu)，在該肋片結(jié)構(gòu)中對于凹入部分118形成矩形凸起 部分102-113，并結(jié)合有在粘接軌道型平面音圈52 (未示出)時用于定位 的凸起部分114，并在上述凸起部分114上形成三個孔部115-117。此外，在前述實施例中，涉及使用具有如圖7所示的構(gòu)造的揚(yáng)聲器單 元21。但是，本發(fā)明不限于，而可以使用具有其中結(jié)合如圖18-28所示的 多個構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的揚(yáng)聲器單元。根據(jù)本發(fā)明的實施例，通過凸起部分和凹入部分來增強(qiáng)軌道型音圈架 在驅(qū)動振動膜時沿振動方向的強(qiáng)度，并且對于驅(qū)動力，振動膜可以直線振 動。于是，可以輸出高質(zhì)量的聲音。因此，可以實現(xiàn)具有簡單結(jié)構(gòu)的能提 高音圈架強(qiáng)度的揚(yáng)聲器單元和使用該揚(yáng)聲器單元的揚(yáng)聲器裝置。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施例，在沿振動方向來驅(qū)動容納在殼體中的揚(yáng) 聲器單元的振動膜時，通過凸起部分和凹入部分來增強(qiáng)平面型音圈架的強(qiáng) 度，并且對于驅(qū)動力，振動膜可以直線振動。因此，可以實現(xiàn)具有簡單結(jié) 構(gòu)的能夠提高音圈架強(qiáng)度并能夠高質(zhì)量輸出聲音的揚(yáng)聲器裝置。雖然已經(jīng)結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行了描述，但是對于本領(lǐng)域的技 術(shù)人員顯而易見的是，可以進(jìn)行修改、組合和子組合，因此覆蓋在所附權(quán) 利要求內(nèi)的全部修改和改變都落在本發(fā)明的真實精神和范圍內(nèi)。本發(fā)明包含于200年1月29日和2007年3月6日遞交給日本專利局 的日本專利申請jp 2007-018274和JP 2007-056299相關(guān)的主題，其整個內(nèi) 容通過引用被結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種揚(yáng)聲器單元，包括磁路，其形成槽形的磁隙；框架，其用于容納并保持所述磁路；振動膜，其以可振動的方式附裝到所述框架；平面型音圈架，其布置為大致穿過所述磁隙的中部，并且其一端與所述振動膜結(jié)合，音圈粘接到所述平面型音圈架的表面，并且在所述表面上形成用于提高所述振動膜在振動方向上的強(qiáng)度的凸起和凹入部分；以及減震器，其附裝到所述框架以支撐所述平面型音圈架的另一端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器單元，其中在所述平面型音圈架中，在所述表面上的粘接所述音圈并面對所述磁 隙的部分的位置處形成通孔，并且磁性流體被封閉在所述磁隙中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器單元，其中在所述平面型音圈架中，所述凸起和凹入部分的落差小于所述音圈的 導(dǎo)線直徑。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器單元，其中在所述振動膜中，在其后側(cè)上形成兩個凸起部件，所述兩個凸起部件 在結(jié)合所述平面型音圈架的一端時用于定位，并在所述一端插入的狀態(tài)下 進(jìn)行結(jié)合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的揚(yáng)聲器單元，其中 所述減震器具有所述平面型音圈架被延展的架一體式構(gòu)造。
6. —種揚(yáng)聲器裝置，包括揚(yáng)聲器單元，包括磁路，其形成槽形的磁隙；框架，其用于容納和 保持所述磁路；振動膜，其以可振動的方式附裝到所述框架；平面型音圈 架，其布置為大致穿過所述磁隙的中部，并且其一端與所述振動膜結(jié)合， 音圈粘接到所述平面型音圈架的表面，并且在所述表面上形成用于提高所 述振動膜在振動方向上的強(qiáng)度的凸起和凹入部分；以及減震器，其附裝到 所述框架以支撐所述平面型音圈架的另一端；以及殼體，其用于容納所述揚(yáng)聲器單元。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種揚(yáng)聲器單元和揚(yáng)聲器裝置，能夠以簡單結(jié)構(gòu)提高音圈架的強(qiáng)度，并以高質(zhì)量輸出聲音，其設(shè)置有磁路，其形成槽形的磁隙；框架，其用于容納和保持磁路；振動膜，其以可振動的方式附裝到框架；平面型音圈架，其布置為穿過磁隙的大致中部，并且其一端與振動膜結(jié)合，音圈粘接到平面型音圈架的表面，并且在所述表面上形成用于提高振動膜在振動方向上的強(qiáng)度的凸起和凹入部分；以及減震器，其附裝到框架以支撐平面型音圈架的另一端。
文檔編號H04R9/02GK101237716SQ20081000631
公開日2008年8月6日 申請日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月29日
發(fā)明者池田繪美子, 田上隆久 申請人:索尼株式會社