專利名稱：具有降低的寄生耦合的活動銜鐵接收器的制作方法
具有斷氐的寄生^的活動^4失接收器000"本發(fā)明涉及一種活動^^^L器，其中^4失被置于一個或多個線圉 的磁場中，并因引入到線圏中的電信號而振動。特別的是，本發(fā)明涉及M降 低的寄生通量躲的緊湊的活動嫩接收器。 背景狄
以下，本發(fā)明的某些實施例將參考附圖被描述，其中0006]附
圖1示出了才娘所/i^的接收器的實施例的穿過接收器的械面.0007]附圖2示出了用于附圖1中所示M器的第—組件.0008附圖3示出了用于附圖1中所示接收器的第二子組件，00091附圖4示出了用于提供斷W卜殼和線團(tuán)之間的寄^^的實施例，0010然而本發(fā)明允"ifi午多不同形式的實施例，按照當(dāng)前所^i^f的被iM 是^t^發(fā)明橋ft的舉例而不是旨在將本發(fā)明廣泛的方面限制^i^里所圖示和 /或所描述的實施例的,，附圖中示出了并JLiM^C明的詳細(xì)M實施例中將被描述， M實施方式
區(qū)域32和34H被提供在外殼中。這些部件的操作將在以下描述。0017]附圖2示出了所述接收器10的子組件，其中上外殼部分32和36 沒有安裝，以使得線圏18、隔膜24和密封件28是_可見的，可以看出當(dāng)安裝密封件28 適用于密封M器10的縱向內(nèi)#瑯分(部件37 )以M面和頂部36。 自然地，其沒有要求朝向側(cè)部和頂部密封。從附圖l，可以看到聲音輸出30充分地遠(yuǎn)離輸出端延伸以提供進(jìn)入由隔膜24的上側(cè)所定義的室29的開口，
為了除去這些通量路徑，JJf殼部分36由導(dǎo)磁的或非傳導(dǎo)材^h^ 成。^b方式中，^MC^體20， 22至線圏18僅有的通量i^it過了沿所述接 收器10的"J^r向延伸的導(dǎo)激卜殼部分34。然而，由于^卜絲分34和線圏 18之間的尺寸重疊(dimensional overiap)與外^P分36和線圍18之間的重 疊相》沐非常大的斷氐，這種寄生通量躲十分小，另外，來自線圏18的AC 通量必須通過,12、 Ji^卜殼部分34并返回所述M的固定端14而進(jìn)行。0027]為了進(jìn)一步增加有效的通量5^，外殼部分32 ^tfei^5q5L朝向端部 14的方向延伸^E^m體20， 22的端部。而且，所期望的是，為了降#^, 12通向外殼部分32^是^jMc^體20， 22外面的任何通量，所述gl2在垂直于接收器10的縱向軸的方向上不寬于永磁體20, 22的^1。
為了l^ffl^liU，兩個7JC^體20， 22被^^在隔J^^且件的^ 側(cè)。然而，為了徹單個磁體(即，20， 22中的一個)產(chǎn)生DC通量，這些永 磁體20， 22中的一個可以被代替或除去.0038可以看出當(dāng)前接收器10盡管保留了有用的通量路徑并降^il抑制 了寄生通量絲，錄可被制造得非常小。實際上，接收器10的厚狄由外殼 部分32的厚度、磁體20， 22以及它們之間的空氣間隙的尺寸所決定的。另夕卜， 可4W平的、寬的線團(tuán)18，其可湖^it種薄外殼內(nèi)。00391當(dāng)前接收器10的厚>1^ lmm或麟，并且其^l可以是2.7mm或0040在本文中，"緊M"tM所i^一外殼部分比第二外殼部分更靠 i^^體組件，并JL/斤^二外絲分比第一外殼部分更靠敏團(tuán)。實際上，當(dāng) 所彭卜殼部分、驅(qū)動線圈和磁體組件突出預(yù)定平面時，第—第二外殼部分可 形W卜殼的部分，絲別與磁體組件和驅(qū)動線圈重疊。W卜，在某些實施例中 所ii^一第二線團(tuán)沒有重疊。0041^^文中，>^^組件可包^個或多個在接收器中^^-^處 于不同位置的磁體，但^斤有的^W^與產(chǎn)生被i^4空氣間隙中的磁場。
^LM:中，賄才脈的接收器在線圏和外殼之間具有寄生齡。整 個外殼通常是可導(dǎo)磁的，由相同的材W"J成，并且為了不浪費(fèi)狄器中的空間， 位置十分靠近線團(tuán)地設(shè)置。通常，外殼沿其M (沿所述^的方向)W相 同的滅面，##本發(fā)明，通過提^""種緊絲驅(qū)動線團(tuán)并且具有比緊^^磁體組^HU的材料更低的磁導(dǎo)率的外殼部分，使得所述寄生^NWff氐。0045]這種斷氐可以通過許多方式獲得。 一種方式是其所ii^二外殼部分 包括一個或多個開口或孔。在這種情況中，所iif 一和第二外殼部分可以由相 同的材辨'j成。那么，所述^^開口將提供比5Wf^料更低的^^導(dǎo)率，為 了防止聲音vyjl些孔中傳出來，可以選糊是，這些孑IV開口可用具有^^導(dǎo)率 (比所述第一外殼部分的材料或具有: IV開口的第二外殼部分的材料剩氐)的材 糊沐充。0046另一種方式是提供具有降^^度的一個或多個區(qū)域的第二外殼部 分。如^it些區(qū)域，例如夕卜殼接著產(chǎn)生了不適當(dāng)?shù)牡蛷?qiáng)度，為了增加強(qiáng)度而且 ^^所i^二外殼部分的^t導(dǎo)率足夠的低，這些斷^f度的區(qū)域可"絲" 或M有缺率的材料。
NH^f度的區(qū)g提供有^V開口的區(qū)域可以多個方^^擇。在一種方式中，所述開口/孑u區(qū)m均勻地分布在所^二外殼部分上。在另一種方式中，^M門被提供在所述第二外殼部分的外圍區(qū)域以使得其中心區(qū)域，甚至最靠 i^斤述驅(qū)動線圏的部分，可以具有與所^一外殼部^-樣高的磁導(dǎo)率，但是 這轉(zhuǎn)^t與中心部分磁'隔離，，的^^絲性的部分所環(huán)繞，因此防線I^f氐 對于線圈的寄生耦合。0048提供所述第二外殼部分的另一種方U簡單的提供材料的整^P 分，該^NP分的材料比所絲一外殼部分的材料(或者如果其由不同的材料 或非正常尺寸的材料所制成時第一外殼部分的平均磁導(dǎo)率)^T更低的磁導(dǎo)率。 這樣，所錄二外殼部分可以是由不同于第一外絲^材^^成，0049這樣所^二外^分可以由抗磁性的或非磁性的順磁^#料制成 或由導(dǎo)^^N^^成，但是這些材料上^5:有"^用^^'14##非磁14#*^真 充的孑U開口/縫隙，以使得有效的磁導(dǎo)率斷氐。0050在某些實施例中，所錄一外絲分形成包括第一外殼部分、永久 >^^組件、空氣間隙和導(dǎo)磁的隔J6I^L件的第一封閉的m量路徑的部分，這個 通量路徑，通常稱為DC通量路徑，^W提，收器的最佳功能的最^^m導(dǎo) 率。0051^i^種情況下，通量5M圣是磁體(或"^fi^體)的通量>^^#^的一 個極逸向該>^體的另一個極的5^。自然地，更多的^^^可以另_通量^^圣的一部分，其中磁力^A—個磁體的一M向^^體的一極，等等。由于其中磁力線不肯W皮打開，所有的通量5^^tp是閉合的。如果需要的話，通量穿it/斤有 的材料，但是作為電信號，如^it樣存在并可行的話，優(yōu)先選擇/絲紐的導(dǎo) 體。
同時，該外殼包括在第一方向延伸莉^5l伸穿過導(dǎo)磁隔J^且件的 封閉的ACm^的第三導(dǎo)敏卜^p分。該AC通量i8g^i過線圍產(chǎn)生并為 了獲得隔J^i件的運(yùn)動，其在空氣間隙中傳播。為了伏化該通量路徑，所^ ^卜殼部^t提供，其^空氣間咪返回線圏的至少部分imh傳導(dǎo)或引導(dǎo)通 量，0057] 4it種情況下，所述隔j^a件可在垂直于所鄉(xiāng)一方向的平面內(nèi)具 有平坦的橫截面，并且第三外殼部分至少J4^隔jgya件所在的平面內(nèi)延伸， 這樣，由于磁糾常i5X^所述隔jgya件上方或下方，所述隔jyya件^ feil付面或方向Ji^于第^卜殼部分，這付面或方向為它們4U'司提供了最艦量的傳輸，另外，特別是如果^^器是平的，所i^^Jt殼部分絲于線團(tuán)的部 分減少，至少與上平面相比，因此與從空氣間隙端至線圏端的所有外殼所定義的位置相比，外殼與線圍之間的寄生通量，被斷氐，但仍^5"在。因為AC通量iJ^圣必須存在，所以i^不肯&i^的。0058可見所述AC通量#~"^隔^1且件所在的平面內(nèi)傳播。
^求1的接收器，*#絲于，所必卜殼包括在第一方向良 伸并形成穿過隔Mi且件延伸的封閉AC m量路徑的部分的第三導(dǎo)磁的外殼部 分，
7. ##^，]#求1的M器，^#絲于，第-^卜絲，成包括所鄉(xiāng) 一導(dǎo)渴妙卜殼部分、永磁體組件、空氣間隙和隔Jgy且件的第一封閉mi^圣的部 分，
8. 才M^U，虔求i的^lt器，^#絲于，垂直于隔J^a件所P艮定的平面，所^卜殼M不大于1.9mm的最;U^寸。
9. 杉l^3U'J^求1的M器，其特征在于，在垂直于第一方向的平面內(nèi)，所i^卜殼在隔^a件所限定的平面內(nèi)MH，以;si與其垂直的厚度，所述寬^f度的l至10倍之間，
10. #^^'決求1的接收器，^#絲于，驅(qū)動線團(tuán)具有預(yù)定t;l和高 度的平坦的橫栽面，并JL^斤^二外殼部^^形以斷^I區(qū)動線圏與接收器外 殼之間的寄生感應(yīng)^,
全文摘要
一種具有降低外殼和線圈之間寄生通量的外殼部分的活動銜鐵接收器。所述外殼具有靠近線圈的外殼部分，并且其比靠近磁體組件設(shè)置的外殼部分具有更低的磁導(dǎo)率。
文檔編號H04R11/00GK101257735SQ20081009206
公開日2008年9月3日 申請日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月20日
發(fā)明者D·J·M·莫金, N·貝克曼, P·馬達(dá)法里 申請人:桑尼奧荷蘭有限公司