專利名稱：固態(tài)成像裝置、其制造和驅(qū)動方法和照相機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及照相機(jī)、用于其的諸如電荷耦合裝置(CCD)型固態(tài)成像裝 置的固態(tài)成像裝置及其方法。
背景技術(shù)：
為了獲得CCD固態(tài)圖像裝置的大視角和高速傳輸，存在降低傳輸電極 的電阻的需求。這是因?yàn)槿绱说膫鬏旊姌O通常組成為RC分布常數(shù)電路，并 且傳輸電極的高電阻將導(dǎo)致由傳輸電極施加的傳輸脈沖的非尖銳性(鈍化) 和延遲來干擾CCD電荷的傳輸。所以傳輸電極和導(dǎo)線總線被制成為低電阻。
獲得低電阻傳輸電極的技術(shù)例如是，在傳輸電極由多晶硅組成時(shí)，引入 雜質(zhì)到多晶硅來使得電阻降低。或者，將多晶硅制成厚膜來獲得低電阻片。 在那些情況中，可以預(yù)期在厚度和電阻中僅有幾十個(gè)百分點(diǎn)的改進(jìn)。
作為獲得低電阻傳輸電極的另一方法，還公知一種使用低電阻材料用于 傳輸電極以代替多晶硅的方法。對于所使用的材料，硅化鎢(WSi)是公知 的。在使用WSi的情況中，預(yù)期電阻降低約一位數(shù)字。
對于電阻必須小多于一位數(shù)字的情況，已經(jīng)提出了一種設(shè)置，其由多晶 硅形成CCD自身的傳輸電極且利用比上述的WSi具有更低電阻的材料，諸 如鋁，作為分路導(dǎo)線(shuntwiring)(例如參考日本專利No. 3123068,日 本未審專利公開No. 7-283387、 7-226496、 8-236743和2003-60819 )。
實(shí)際上，多數(shù)迄今為止的技術(shù)使用了在垂直方向上沿傳輸CCD提供分 路導(dǎo)線的方法。如此的在垂直方向上的分路導(dǎo)線的缺點(diǎn)為傳輸模式有限， 且像素的交替?zhèn)鬏斔褂玫亩嘞囹?qū)動難于實(shí)現(xiàn)。
另外，在交叉方向上在幾個(gè)像素上連接由多晶硅制成的傳輸電極的設(shè)置 也變得需要。雖然必須保證多晶硅充分的厚度且多晶硅自身必須具有低電阻，例如，用于執(zhí)行高速驅(qū)動，但是使像素更精細(xì)的工作與使多晶硅膜更厚 的工作具有抵消的關(guān)系。這是因?yàn)楫?dāng)多晶硅膜變得更厚時(shí)，其上將要形成的
光陰影掩模的高度變大，使得當(dāng)像素變精細(xì)時(shí)光蝕(eclipse of light)(意味 著照射到像素上的光被光陰影掩模阻擋)變大。
已經(jīng)開發(fā)了除實(shí)現(xiàn)其大視角之外還具有精細(xì)像素的CCD固態(tài)成像裝 置，且現(xiàn)在一個(gè)像素的尺寸已經(jīng)變成約2jim。雖然存在實(shí)現(xiàn)更精細(xì)像素的各 種挑戰(zhàn)，但是維持和改善敏感度特性是最重要的。
在該情況中，因?yàn)楣饨邮詹糠值拈_口區(qū)域由于像素的微型化而減小，所 以需要像素的上層部分，諸如芯片上透鏡必須得到優(yōu)化來改善聚集性能。但 是，對光接收部分的入射光被傳輸電極自身阻擋，使得有人建議減小傳輸電 極的厚度和凸出。
作為減少凸出的建議，而非通過兩或三層多晶硅形成傳輸電極的垂直 CCD構(gòu)造，提出了通過一個(gè)多晶硅層形成單層傳輸電極的結(jié)構(gòu)(例如，參 考曰本未審查專利公開No. 2003-60819)。
但是，情況是具有大視角的CCD和具有高速傳輸?shù)腃CD等難于僅通過 公知的單層傳輸電極設(shè)置實(shí)現(xiàn)，且不能充分地減少入射光的光蝕。

發(fā)明內(nèi)容
期望提供一種在光接收部分的邊緣部分處、減少入射光阻擋且獲得大視 角和高速驅(qū)動的固態(tài)傳輸裝置。
依據(jù)本發(fā)明，提供有一種固態(tài)成像裝置，其包括多個(gè)光接收部分，沿 第一方向和垂直于第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè)傳輸溝道，沿第二方向延 伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的光接收部分之間；多個(gè)傳輸電極，包括設(shè)置于傳輸溝 道上的多個(gè)第一傳輸電極和設(shè)置在與第一傳輸電極相同的層中并在傳輸溝 道上多個(gè)第二傳輸電極，相鄰的第一傳輸電極設(shè)置于光接收部分的兩側(cè)，并 在第一方向上相連接；和多個(gè)低電阻導(dǎo)線，低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于傳輸電 極的數(shù)目，低電阻導(dǎo)線在第一方向上于第一傳輸電極上方延伸，且具有的電 阻小于第一傳輸電極和第二傳輸電極的電阻，所述多個(gè)低電阻導(dǎo)線在各傳輸 溝道上通過連接部分分別連接到第 一傳輸電極和第二傳輸電極。
如上所述的本發(fā)明的固態(tài)成像裝置中，傳輸脈沖可以通過低電阻導(dǎo)線被 傳輸?shù)絺鬏敎系郎系牡谝粋鬏旊姌O和第二傳輸電極，使得可以防止傳輸脈沖的非尖銳性(鈍化)和延遲。
而且，可以通過低電阻導(dǎo)線傳導(dǎo)傳輸脈沖，第一傳輸電^l和第二傳輸電 極的膜厚可以制造得薄。因此，在光接收部分的周邊部分處的第一傳輸電極、 第二傳輸電極和低電阻導(dǎo)線的高度可以制造得低。
依據(jù)本發(fā)明的固態(tài)成像裝置，可以減小在光接收部分的周邊部分處的入 射光的光蝕(阻擋)，且可以獲得更大的視角和高速驅(qū)動。
優(yōu)選地，固態(tài)成像裝置可以包括光陰影掩模，以中間插入絕緣膜的狀態(tài)， 設(shè)置于第一傳輸電極、第二傳輸電極和低電阻導(dǎo)線上，陰影掩模形成多個(gè)用 于光接收部分的開口。
依據(jù)本發(fā)明，提供一種制造固態(tài)成像裝置的方法，所述固態(tài)成像裝置包
括多個(gè)光接收部分，沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置； 多個(gè)傳輸溝道，沿所述第二方向延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的所述光接收部分之 間；多個(gè)傳輸電極，包括設(shè)置于所述傳輸溝道上的多個(gè)第一傳輸電極，相鄰 的所述第一傳輸電極設(shè)置于所述光接收部分的兩側(cè)，并在所述第一方向上相 連接；多個(gè)第二傳輸電極，設(shè)置在與所述第一傳輸電極相同的層中，并在所 述傳輸溝道上；和低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于傳輸電極的數(shù) 目，所述低電阻導(dǎo)線在所述第一方向上于所述第一傳輸電極上方延伸，且具 有小于所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極的電阻，所述低電阻導(dǎo)線在每 個(gè)傳輸溝道上通過連接部分分別連接到所述傳輸電極，該方法包括的步驟 為在第一方向和第二方向上形成多個(gè)光接收部分；形成在第二方向上延伸 的傳輸溝道，設(shè)置每個(gè)傳輸溝道于相鄰的光接收部分之間；且在傳輸溝道上 形成第一傳輸電極，相鄰的第一傳輸電極設(shè)置于光接收部分的兩側(cè)，并在第 一方向上連接；在傳輸溝道上在與第一傳輸電極相同的層中形成第二傳輸電 極；和形成低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于所述傳輸電極的數(shù)目， 所述低電阻導(dǎo)線在所述第一傳輸電極上于所述第一方向上延伸，且具有小于 所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極的電阻，所述低電阻導(dǎo)線在每個(gè)傳輸 溝道上通過連接部分連接到所述傳輸電極。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種驅(qū)動固態(tài)成像裝置的方法，用于通過四相驅(qū)動所 述固態(tài)成像裝置來驅(qū)動，該固態(tài)成像裝置包括多個(gè)光接收部分，沿第一方 向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè)傳輸溝道，沿所述第二方向 延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的光接收部分之間；多個(gè)傳輸電極，包括設(shè)置于所述傳輸溝道上的多個(gè)第一傳輸電極和設(shè)置在所述傳輸溝道上在與所述第一傳 輸電極相同的層中的多個(gè)第二傳輸電極，相鄰的所述第一傳輸電極設(shè)置于所
述光接收部分的兩側(cè)，并在所述第一方向上相連接；和低電阻導(dǎo)線，所述低
電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于傳輸電極的數(shù)目，所述低電阻導(dǎo)線在所述第一方向上 在所述第一傳輸電極上方延伸，且具有的電阻小于所述第一傳輸電極和所述 第二傳輸電極的電阻。所述低電阻導(dǎo)線通過連接部分分別連接到在各自的傳 輸溝道上的所述傳輸電極，并通過四相驅(qū)動方法驅(qū)動固態(tài)成像裝置。該四相
驅(qū)動法包括步驟通過所述低電阻導(dǎo)線施加具有不同相位的四相傳輸脈沖到 沿所述第二方向交替且重復(fù)布置在所述傳輸溝道上的所述第一傳輸電極和
所述第二傳輸電極；以及通過所述低電阻導(dǎo)線施加讀出脈沖到與所述光接收
部分相鄰的所述第二傳輸電極。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種驅(qū)動固態(tài)成像裝置的方法，用于通過三相驅(qū)動和
六相驅(qū)動所述固態(tài)成像裝置來驅(qū)動，所述固態(tài)成像裝置包括多個(gè)光接收部 分，沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè)傳輸溝道，沿 所述第二方向延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的所述光接收部分之間；多個(gè)傳輸電極， 包括布置在所述傳輸溝道上的多個(gè)第一傳輸電極、布置在所述傳輸溝道上在 所述第一傳輸電極的相同層中的多個(gè)第二傳輸電極、以及沿所述第一方向布 置在所述傳輸溝道上在所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極的相同層中 的多個(gè)第三傳輸電極，相鄰的所述的第一傳輸電極設(shè)置于所述光接收部分的 兩側(cè)，并在所述第一方向上相連接；和低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目 相應(yīng)于傳輸電極的數(shù)目，所述低電阻導(dǎo)線在所述第一方向上于所述第一傳輸 電極上方延伸，且具有小于所述第一、第二和第三傳輸電極的電阻，所述低 電阻導(dǎo)線分別與所述第一傳輸電極、所述第二傳輸電極和所述第三傳輸電極 通過連接部分在所述傳輸溝道上連接。所述低電阻導(dǎo)線通過連接部分分別連 接到在各自的傳輸溝道上的第一傳輸電極、第二傳輸電極和第三傳輸電極， 并通過三相或六相驅(qū)動方法驅(qū)動固態(tài)成像裝置。所述三相驅(qū)動方法包括步 驟通過所述低電阻導(dǎo)線施加具有不同相位的三相傳輸脈沖到沿所述第二方 向交替且重復(fù)地布置的所述第 一傳輸電極、所述第二傳輸電極和所述第三傳 輸電極；以及通過所述低電阻導(dǎo)線施加讀出脈沖到與所述光接收部分相鄰的 所述第三傳輸電極。所述六相驅(qū)動方法包括步驟通過所述低電阻導(dǎo)線施加 具有不同相位的六相傳輸脈沖到沿所述第二方向交替且重復(fù)地布置的所述第一傳輸電極、所述第二傳輸電極和所述第三傳輸電極；以及通過所述低電
阻導(dǎo)線施加讀出脈沖到與所述光接收部分相鄰的所述第二和第三傳輸電極。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種照相機(jī)，包括光學(xué)透鏡，和固態(tài)成像裝置，用 于將通過所述光學(xué)透鏡獲得的圖像轉(zhuǎn)化為電信號。所述固態(tài)成像裝置包括 多個(gè)光接收部分，沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè) 傳輸溝道，沿所述第二方向延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的所述光接收部分之間； 多個(gè)傳輸電極，包括多個(gè)第一傳輸電極，設(shè)置于所述傳輸溝道上，所述相 鄰第一傳輸電極設(shè)置于所述光接收部分的兩側(cè)，并在所述第一方向上相連 接；多個(gè)第二傳輸電極，設(shè)置于與所述第一傳輸電極相同的層中，并在所述 傳輸溝道上；和低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于傳輸電極的數(shù)目， 所述低電阻導(dǎo)線在所述第一方向上于所述第一傳輸電極上方延伸，且具有小 于所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極的電阻，所述低電阻導(dǎo)線在每個(gè)傳 輸溝道上通過連接部分分別連接到所述傳輸電極。


本發(fā)明的這些和其它目的和特征將從以下參考附圖描述的優(yōu)選實(shí)施例
而變得更加清楚，其中
圖1是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的照相機(jī)的基本設(shè)置的視圖2是依據(jù)本發(fā)明的第 一實(shí)施例的固態(tài)成像裝置中的像素部分的關(guān)鍵部
件的平面圖3A是沿圖2的線A-A，的截面圖，且圖3B是沿圖2的線B-B，的截面
圖4A和4B是制造依據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)成像裝置的步驟的截面圖； 圖5A和5B是制造依據(jù)第 一 實(shí)施例的固態(tài)成像裝置的步驟的截面圖； 圖6A和6B是制造依據(jù)第 一 實(shí)施例的固態(tài)成像裝置的步驟的截面圖； 圖7A和7B是制造依據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)成像裝置的步驟的截面圖； 圖8是依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的固態(tài)成像裝置中的像素部分的關(guān)鍵部 件的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將參考

照相機(jī)和用于其的固態(tài)成像裝置以及制造其的方法的優(yōu)選實(shí)施例。 第一實(shí)施例
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的照相機(jī)的示意圖。
圖1所示的照相機(jī)包括光透鏡系統(tǒng)41、電荷耦合裝置(CCD) 42、 CCD 驅(qū)動器43和信號處理器44。
光學(xué)透鏡系統(tǒng)可以包括物鏡，和自動聚焦和/或自動曝光調(diào)節(jié)透鏡和機(jī) 構(gòu)。在本實(shí)施例中，光透鏡系統(tǒng)41包括快門和光圈。光透鏡系統(tǒng)41接收圖 像的光并將其輸出到CCD42來在此處聚集。
CCD 42和CCD驅(qū)動器43協(xié)作來將到CCD 42的入射光轉(zhuǎn)化為電信號。
信號處理器44接收代表圖像的電信號且執(zhí)行例如圖像處理來重現(xiàn)圖像。 下面將描述CCD 42和CCD驅(qū)動器43的細(xì)節(jié)。
作為如圖1所示的CCD42的示例，通過CCD42和CCD驅(qū)動器43的 協(xié)作執(zhí)行四相驅(qū)動操作，對其將在后說明。在本實(shí)施例中將以四相驅(qū)動CCD 為例進(jìn)行說明。
圖2是依據(jù)本實(shí)施例作為圖1中CCD 42的示例的固態(tài)成像裝置的像素 部分的主要部分的平面圖。在本實(shí)施例中，將以四相驅(qū)動CCD為例進(jìn)行說 明。CCD42和CCD驅(qū)動器43的協(xié)作執(zhí)行四相驅(qū)動操作，其將在后說明。
在像素部分中，設(shè)置構(gòu)成像素的光接收部分1。在水平方向H和垂直方 向V上設(shè)置多個(gè)光接收部分1，這在圖中未示出。光接收部分l由光電二極 管組成，依據(jù)入射光量產(chǎn)生信號電荷并積累一段時(shí)間。
在垂直方向上延伸的傳輸溝道2在水平方向上設(shè)置相鄰于光接收部分 1。提供傳輸溝道2在設(shè)置于水平方向上的光接收部分1之間延伸。傳輸溝 道2產(chǎn)生分布勢能用于在垂直方向V上傳輸信號電荷。
傳輸電極3設(shè)置于在垂直方向V上延伸的傳輸溝道2上。傳輸電極3 在平面布圖上分為第一傳輸電極3a和第二傳輸電極3b。注意當(dāng)不需分開第 一傳輸電極3a和第二傳輸電極3b時(shí)，它們簡稱為傳輸電才及3。在本實(shí)施例 中，使用了單層傳輸電極設(shè)置，其中第一傳輸電極3a和第二傳輸電極3b形 成于同一層。例如通過多晶硅形成傳輸電極3。優(yōu)選地傳輸電極3具有例如 200nm或更薄的薄膜厚度來防止入射光的光蝕。
在傳輸溝道2中在傳輸方向上交替并反復(fù)地設(shè)置以上的第一傳輸電極3a和第二傳輸電極3b。以上說明的傳輸電極3和傳輸溝道2組成所謂的垂 直傳輸部分，對于在垂直方向上設(shè)置的光接收部分1的每條線設(shè)置為共有。
通過在設(shè)置于垂直方向上的光接收部分1之間延伸，第一傳輸電極3a 在水平方向H上相連接。當(dāng)組成2|amx2pm左右的像素時(shí)，光接收部分1 之間的第一傳輸電極3a的部分的寬度Wl是約0.45pm。
每個(gè)第二傳輸電極3b在傳輸溝道2上隔離，即，在水平方向H上分開 且不連接。第二傳輸電極3b設(shè)置相鄰于光接收部分1。
在水平方向H上延伸的兩個(gè)分路導(dǎo)線4設(shè)置于絕緣膜上方的第一傳輸電 極3a中。分路導(dǎo)線4由比形成傳輸電極3的多晶硅的電阻低的鴒形成。分路 導(dǎo)線4相應(yīng)于本發(fā)明的低電阻導(dǎo)線。分路導(dǎo)線4的數(shù)目相應(yīng)于為一個(gè)光接收 部分1設(shè)置的傳輸電極的數(shù)目，在本實(shí)施例中是兩個(gè)。 一個(gè)分路導(dǎo)線的寬度 W2是例如0.12|im且兩個(gè)分路導(dǎo)線之間的寬度W3是0.16|am。分路導(dǎo)線4分 為分路導(dǎo)線4a和分路導(dǎo)線4b，這取決于連接的目的。注意當(dāng)不需分開分路導(dǎo) 線4a和分路導(dǎo)線4b時(shí)，它們簡稱為分路導(dǎo)線4。
分路導(dǎo)線4a通過傳輸溝槽2上的連接部分5連接到第一傳輸電極3a。分 路導(dǎo)線4b通過傳輸溝槽2上的連接部分5連接到第一傳輸電極3b。
垂直方向V上在傳輸溝道2上交替并重復(fù)設(shè)置的第一傳輸電極3a和第二
OV3、 OV4的傳輸脈沖。傳輸脈沖的電壓OV1到<DV4例如是-7V到0V。
除了傳輸脈沖(DV1和OV3之外，相鄰于光接收部分1的浮置性第二傳 輸電極3b供給有讀出脈沖OR，用于將在光接收部分1中積累的信號電荷通 過分路導(dǎo)線4b傳輸?shù)絺鬏敎系?。讀出脈沖①R的電壓例如是+ 12V到+ 15V。
圖3A是沿圖2中線A-A，的截面圖，且圖3B是沿圖2中線B-B，的截 面圖。注意在圖3A中顯示了光陰影掩才莫6上方的上層部分的結(jié)構(gòu)，而在圖 3B中為了簡化附圖省略了該結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例中，使用例如由n型硅制成的半導(dǎo)體襯底10。在半導(dǎo)體襯底 IO中，形成p型阱ll。在p型阱ll中，形成n型區(qū)12，且在比n型區(qū)12 的位置更接近表面?zhèn)鹊奈恢眯纬蓀型區(qū)13。通過n型區(qū)12和p阱11的pn 結(jié)形成的光電二極管組成光接收部分1。因此，與n型區(qū)12比較，p型區(qū)13 形成得更接近表面?zhèn)?，形成具有減小的暗電流的埋覆光電二極管。相鄰于n型區(qū)12形成p型阱14，且在p型阱14中通過n型區(qū)形成傳輸 溝道2。在相鄰的光接收部分1之間形成用于防止信號電荷流動的p型溝道 阻擋部分16。在示出的示例中，在光接收部分1和光接收部分1左側(cè)的傳輸 溝道2之間成為讀柵極部分17。因此，傳輸電極3控制讀4冊極部分17的勢 能分布，且光接收部分1的信號電荷由左側(cè)的傳輸溝道2讀取。
在用各種半導(dǎo)體區(qū)形成的半導(dǎo)體村底10中，由多晶硅制成的傳輸電極3 經(jīng)柵極絕緣膜20形成。傳輸電極3的膜厚例如是O.l(im。
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中，例如由鴒制成的分路導(dǎo)線4經(jīng)絕緣膜21形成。分路導(dǎo)線4的膜厚例如 是0.1iam。形成絕緣膜21,在連接部分5處具有開口，且分路導(dǎo)線4和傳輸 電極3在連接部分5連接。
例如由氧化硅制成的層間絕緣膜22形成來覆蓋分路導(dǎo)線4。用于覆蓋傳 輸電極3和分路導(dǎo)線4的光陰影掩模6經(jīng)絕緣膜21和層間絕緣膜22形成。 光陰影掩模6形成，在光接收部分l的上方具有開口部分6a。
例如由磷硅酸鹽玻璃(PSG)或硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)膜制成的層 間絕緣膜23形成來全部覆蓋光陰影掩才莫6，且因此平化表面。
在層間絕緣膜23上，形成例如由氧化硅或氮化硅制成的內(nèi)層透鏡，且 在其上進(jìn)一步形成平化膜25。平化膜25例如由對可見光具有高光透射率的 樹脂形成。
在平化膜25上，形成多種彩色濾光器26,用于透射在預(yù)定的波長區(qū)中 的光。彩色濾光器26被著色為作為原色的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的任 何之一和作為補(bǔ)色的例如黃(Ye)、青(Cy)、洋紅(M)和綠(G)的任何之一。
在彩色濾光器26上，形成芯片上透鏡27。芯片上透鏡27由透光材料， 諸如負(fù)光敏樹脂形成。
之后，將說明依據(jù)上述實(shí)施例的固態(tài)成像裝置的操作。
入射光被芯片上透鏡27會聚，且因?yàn)椴噬珵V光器26只有在預(yù)定波長范 圍中的光透射。通過彩色濾光器26透射的光進(jìn)一步被內(nèi)層透鏡24收集且引 導(dǎo)到光接收部分l。
當(dāng)圖像的光例如照射到光接收部分1時(shí)，依據(jù)入射光量的信號電荷(本 示例中的電子)由光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生且在光接收部分1的n型區(qū)12中積累一定時(shí)間。當(dāng)讀出脈沖①R通過分路導(dǎo)線4b供應(yīng)到第二傳輸電極3b時(shí)，讀出柵 極部分17的勢能分布變化，且n型區(qū)12中的信號電荷讀出到傳輸溝道2。
在信號電荷讀出到傳輸溝道2之后，四相傳輸脈沖OV1到①V4在傳輸 方向V上通過分路導(dǎo)線4供給到傳輸電極3。傳輸溝道2的勢能分布有四相 傳輸脈沖OV1到OV4控制，且然后信號電荷在垂直方向V上傳輸。
雖然未示出，但是在信號電荷在垂直方向V上傳輸之后，它們通過水平 傳輸部分在水平方向上傳輸，通過輸出部分轉(zhuǎn)化為依據(jù)其信號電荷量的電壓
PT T^V山
J^柳J山。
接下來，將參考圖4到圖7中各步驟的截面圖，來說明依據(jù)上述的實(shí)施 例的制造固態(tài)成像裝置的方法。圖4到圖7中的步驟的截面圖相應(yīng)于圖3A 的截面圖。
如圖4A所示，在由n型硅形成的半導(dǎo)體襯底10中，通過離子注入方法 形成p型阱11、 n型區(qū)12、 p型區(qū)13、 n型傳輸溝道2、 p型阱14和p型溝 道阻擋部分16。注意離子注入可以在氧化硅膜等形成于半導(dǎo)體襯底10上的 情況下執(zhí)行。當(dāng)形成氧化硅膜等時(shí)，在離子注入之后去除它。
接下來，如圖4B所示，通過熱氧化方法或化學(xué)氣相沉積(CVD)方法 在半導(dǎo)體襯底10上形成例如由氧化硅形成的柵極絕緣膜20。連續(xù)地，在柵 極絕緣膜20上，通過CVD方法沉積多晶硅且通過干蝕刻對其進(jìn)行處理，從 而形成傳輸電極3。注意，在2(imx2Mm的像素的情況中，多晶硅膜厚優(yōu)選 為200nm或更薄來減少光蝕。
接下來，如圖5A所示，通過CVD方法形成覆蓋傳輸電極3的由氧化 硅等形成的絕緣膜21。連續(xù)地，去除在連接部分5處的絕緣膜21，使得部 分地暴露在傳輸溝道2上(或上方)的傳輸電極3。
接下來，如圖5B所示，例如通過濺射方法或CVD方法在絕纟彖力莫21上 形成鵠膜，且通過干蝕刻處理該鎢膜，從而形成分路導(dǎo)線4。
接下來，如圖6A所示，通過CVD方法沉積氧化硅膜等，從而形成覆 蓋傳輸電極3和分路導(dǎo)線4的層間絕緣膜22。
接下來，如圖6B所示，通過濺射方法和CVD方法形成鴒膜，通過干蝕 刻處理鎢膜來覆蓋傳輸電極3和分路導(dǎo)線4，從而形成在光接收部分1上(或 上方)的具有開口部分6a的光陰影掩才莫6。
接下來，如圖7A所示，通過CVD方法沉積BPSG膜或PSG膜來形成層間絕緣膜23。在沉積之后，通過執(zhí)行回流工藝，層間絕纟彖膜23的表面變 平坦。在回流工藝中，溫度變?yōu)?00。C或更高，從而對于分路導(dǎo)線4和光陰 影掩模6不使用鋁而使用鵠被設(shè)置得耐高溫。
接下來，如圖7B所示，在光接收部分l的上方，在層間絕緣膜23上形 成內(nèi)層透鏡24。為了形成內(nèi)層透鏡24，首先例如通過等離子體CVD方法沉 積氧化硅或氮化硅等的光透射膜，然后通過抗蝕劑施加、構(gòu)圖和回流工藝形 成具有凸透鏡形狀的抗蝕劑膜，且最后通過在抗蝕劑膜和光透射膜的蝕刻選 擇性變成約1的條件下執(zhí)行蝕刻，形成層間透鏡24。在形成層間透鏡24之 后，形成例如由對可見光具有高光透射率的樹脂制成的平化膜25。
如以下步驟，例如通過著色方法形成彩色濾光器26。然后，在彩色濾光 器26沉積諸如負(fù)光敏樹脂的光透射樹脂，且以與內(nèi)層透鏡24相同的方法使 用具有凸透鏡形狀的抗蝕劑圖案作為掩模進(jìn)行蝕刻，來形成芯片上透鏡27。 從以上的步驟，可以制造依據(jù)本發(fā)明的固態(tài)成像裝置。
接下來，將說明依據(jù)上述的本實(shí)施例的固態(tài)成像裝置的效果。
在本實(shí)施例中，使用了通過一層多晶硅層形成第一傳輸電極3a和第二 傳輸電極3b的單層傳輸電極結(jié)構(gòu)。然后，在水平方向上連接的第一傳輸電 極3a上，形成在水平方向上延伸且連接到傳輸溝道2上的第一傳輸電極3a 和第二傳輸電極3b的兩個(gè)分路導(dǎo)線4a和4b。
因?yàn)樗南鄠鬏斆}沖<DV1到OV4可以通過在水平方向上延伸的低電阻分 路導(dǎo)線4a和4b供給到傳輸溝道2上的第一傳輸電極3a和第二傳輸電極3b, 所以可以減少傳輸脈沖的非尖銳性(鈍化)和延遲。因此，可以實(shí)現(xiàn)大視角 和高速驅(qū)動。
而且，由于傳輸脈沖通過分路導(dǎo)線4a和4b供給到像素部分中所有傳輸 電極3，所以具有單層結(jié)構(gòu)的傳輸電極3不是必須為很低電阻，使得它可以 比相關(guān)技術(shù)情況中的那些可以制造得更薄。而且，因?yàn)榻M成分路導(dǎo)線4a和 4b的鴒比多晶硅的電阻低大約兩個(gè)量級(位數(shù))，所以它們可以被制造得更 薄。例如，傳輸電極3和分路導(dǎo)線4可以分別制造為200nm或更薄。因此， 覆蓋傳輸電極2和分路導(dǎo)線4且圍繞光接收部分1的光陰影掩模6的高度可 以降低，使得可以減少由光陰影掩才莫6造成的入射光光蝕。
而且，因?yàn)榉致穼?dǎo)線4a和4b在水平方向延伸，分路導(dǎo)線4a和4b連接 到在傳輸溝道2上沿水平方向的所有第一傳輸電極3a或所有第二傳輸電極3b。因此，對傳輸模式?jīng)]有限制的且其可以響應(yīng)像素的交替?zhèn)鬏數(shù)取?br> 另外，因?yàn)樵谒椒较蛏涎由斓姆致穼?dǎo)線4a和4b下提供第一傳輸電極 3a，所以當(dāng)讀出脈沖<DR通過分路導(dǎo)線4b供給到浮置型第二傳輸電極3b時(shí)， 在分路導(dǎo)線4b下的半導(dǎo)體襯底10的勢能分布由于作為下層的第一傳輸電極 3a的阻擋效應(yīng)不受影響。因此，在垂直方向上設(shè)置的光接收部分1之間的彩 色混和現(xiàn)象可以避免。
第二實(shí)施例
在第 一實(shí)施例中說明了四相驅(qū)動CCD的示例，而在本實(shí)施例中，將說 明六相驅(qū)動或三相驅(qū)動CCD的示例，其中CCD 42和CCD驅(qū)動器43協(xié)作 用于執(zhí)行三相驅(qū)動。圖8是依據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)成像裝置的像素部分的主 要部分的平面圖。注意相同的附圖標(biāo)記給予與圖2中那些相同的元件，且省 略對其的"i兌明。
在垂直方向V上延伸的傳輸溝道2中，設(shè)置由單層多晶硅制成的傳輸電 極3。在本實(shí)施例中，傳輸電極3除了第一傳輸電極3a和第二傳輸電極3b 之外還包括第三傳輸電極3c。傳輸電極3的膜厚優(yōu)選為例如200nm或更薄 來防止入射光的光蝕。
在傳輸溝道2上于垂直方向上交替并反復(fù)地設(shè)置第一傳輸電極3a、第二 傳輸電極3b和第三傳輸電極3c。傳輸電極3和傳輸溝道2組成所謂的垂直 傳輸部分，對于在垂直方向上設(shè)置的光接收部分1的每條線設(shè)置為共有。
第一傳輸電極3a通過在垂直方向上設(shè)置的光接收部分1之間延伸來在 水平方向H上連接，且每個(gè)第二傳輸電極3b在傳輸溝道2上具有隔離的形 狀，即，它在水平方向H上不連接，且具有分開的形狀，其與第一實(shí)施例中 的相同。
第三傳輸電極3c也在傳輸溝道2上具有分開的形狀，即在水平方向H 上不連接且具有以與第二傳輸電極3b相同的方式的分開的形狀。第三傳輸 電極3c相鄰于光接收部分1設(shè)置。
在傳輸電極3a中，在水平方向H上延伸的三個(gè)分路導(dǎo)線4經(jīng)絕緣膜形 成。分路導(dǎo)線4由比組成傳輸電極3的多晶硅電阻低的鵠形成，且相應(yīng)于本 發(fā)明的低電阻導(dǎo)線。分路導(dǎo)線4包括三種分路導(dǎo)線4a、 4b和4c。
分路導(dǎo)線4a通過傳輸溝道2上的連接部分5連接到第一傳輸電極3a。分路導(dǎo)線4b通過傳輸溝道2上的連接部分5連接到第二傳輸電極3b。分路 導(dǎo)線4c通過傳輸溝道2上的連接部分5連接到第三傳輸電極3c。
當(dāng)實(shí)現(xiàn)六相驅(qū)動時(shí)，具有不同相位的六相傳輸脈沖OVl、 OV2、 OV3、 OV4、 (DV5和OV6沿垂直方向通過在傳輸溝道2上的分^各導(dǎo)線4供給到在 垂直方向V上交替并反復(fù)設(shè)置的第一傳輸電極3a、第二傳輸電極3b和第三 傳輸電極3c。其中，讀出脈沖OR通過分路導(dǎo)線4b和4c供給到相鄰于像素 的兩個(gè)傳輸電極3b和3c。
當(dāng)實(shí)現(xiàn)三相驅(qū)動時(shí)，具有不同相位的三相傳llr脈沖0>V1、 OV2和OV3 沿垂直方向通過在傳輸溝道2上的分路導(dǎo)線4供給到在垂直方向V上交替并 反復(fù)設(shè)置的第一傳輸電極3a、第二傳輸電極3b和第三傳輸電極3c。其中， 讀出脈沖OR通過分路導(dǎo)線4c供給到例如相鄰于^象素的第三傳輸電4及3c之
如上所述，通過加入浮置型第三傳輸電極3c且提供在第一傳輸電極3a 上延伸的三個(gè)分路導(dǎo)線，可以實(shí)現(xiàn)固態(tài)成像裝置的三相或六相驅(qū)動。 依據(jù)本實(shí)施例的固態(tài)成像裝置具有與第一實(shí)施例相同的效應(yīng)。 本發(fā)明不限于實(shí)施例的以上說明。
例如，在以上的實(shí)施例中，i兌明了三相驅(qū)動、四相驅(qū)動和六相驅(qū)動的示 例，但是還可以獲得兩相驅(qū)動。在兩相驅(qū)動的情況中，傳輸電極3和分路導(dǎo) 線4的布置與第一實(shí)施例的布置相同。通過改變傳輸脈沖。3到Ol以及04 到02，且通過對傳輸電極3a和3b下的傳輸溝道2給予勢能梯度可以實(shí)現(xiàn) 兩相驅(qū)動。而且，還可以獲得多于六相的驅(qū)動。在該情況中，1^又通過加入浮 置型傳輸電極和增加分路導(dǎo)線的數(shù)目就可以實(shí)現(xiàn)。
另夕卜，本發(fā)明的固態(tài)成像裝置可以還應(yīng)用于行間傳輸型固態(tài)成像裝置和 幀行間傳輸型固態(tài)成像裝置?？梢詫怅幱把谀?的上層結(jié)構(gòu)進(jìn)行本發(fā)明的 各種修改。在以上實(shí)施例中提到的數(shù)值和材料只是示例且本發(fā)明不限于那 些。
本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解在權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)，可以 依據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素進(jìn)行各種修改、組合、子組合和替換。
本發(fā)明包含與在2004年7月29日于日本專利局提交的日本專利申請 JP2004-221981相關(guān)的主題，其全部內(nèi)容引入作為參考。
權(quán)利要求
1. 一種固態(tài)成像裝置，包括多個(gè)光接收部分，沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè)傳輸溝道，沿所述第二方向延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的所述光接收部分之間；多個(gè)傳輸電極，包括多個(gè)第一傳輸電極，設(shè)置于所述傳輸溝道上，相鄰的所述第一傳輸電極設(shè)置于所述光接收部分的兩側(cè)，并在所述第一方向上相連接；和多個(gè)第二傳輸電極，設(shè)置于與所述第一傳輸電極相同的層中，并在所述傳輸溝道上；和多個(gè)低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于所述傳輸電極的數(shù)目，所述低電阻導(dǎo)線在所述第一傳輸電極上方延伸，且具有比所述傳輸電極的電阻小的電阻，所述多個(gè)低電阻導(dǎo)線在各所述傳輸溝道上通過連接部分分別連接到所述多個(gè)傳輸電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述傳輸溝道上的各 個(gè)第二傳輸電極分開設(shè)置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述第二傳輸電極通 過所述低電阻導(dǎo)線供給有讀出電壓，用于將在所述光接收部分積累的信號電 荷讀出到所述傳輸溝道。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，還包括光陰影掩模，以中間 插入絕緣膜的狀態(tài)，設(shè)置于所述第一傳輸電極、所述第二傳輸電極和所述低 電阻導(dǎo)線上，所述光陰影掩模形成多個(gè)用于所述光接收部分的開口。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中所述傳輸電極還包括多 個(gè)第三傳輸電極，設(shè)置于與所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極相同的層 上，并沿所述第一方向在所述傳輸溝道上；且所述多個(gè)低電阻導(dǎo)線包括三條低電阻導(dǎo)線，所述三條低電阻導(dǎo)線通過在 所述第一傳輸電極上延伸來設(shè)置，所述三條低電阻導(dǎo)線分別與所述第一傳輸 電極、所述第二傳輸電極和所述第三傳輸電極通過連接部分在所述傳輸溝道 上連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的固態(tài)成像裝置，其中，在所述傳輸溝道上各 個(gè)所述第三傳輸電極分開設(shè)置。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極由多晶硅形成，且所述低電阻導(dǎo) 線由鴒形成。
8. —種制造固態(tài)成像裝置的方法，所述固態(tài)成像裝置包括多個(gè)光接 收部分，沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè)傳輸溝道， 沿所述第二方向延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的所述光接收部分之間；多個(gè)傳輸電 極，包括設(shè)置于所述傳輸溝道上的多個(gè)第一傳輸電極和設(shè)置在與所述第一傳 輸電極相同的層中且在所述傳輸溝道上的多個(gè)第二傳輸電極，相鄰的所述第 一傳輸電極設(shè)置于所述光接收部分的兩側(cè)，并在所述第一方向上相連接；和 低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于傳輸電極的數(shù)目，所述低電阻導(dǎo) 線在所述第一傳輸電極上方延伸，且具有的電阻小于所述第一傳輸電極和所 述第二傳輸電極的電阻，所述低電阻導(dǎo)線在各自的傳輸溝道上通過連接部分分別連接到所述傳輸電極， 所述方法包括如下步驟在所述第 一方向和所述第二方向上形成所述多個(gè)光接收部分；形成在所述第二方向上延伸的傳輸溝道，設(shè)置每個(gè)所述傳輸溝道于相鄰 的所述光接收部分之間；且在所述傳輸溝道上形成所述第 一傳輸電極，相鄰的所述第 一傳輸電極設(shè) 置于所述光接收部分的兩側(cè)，并在所述第一方向上相連接；在所述傳輸溝道上在與所述第一傳輸電極相同的層中形成所述第二傳 輸電極；和形成其數(shù)目與所述傳輸電極的數(shù)目對應(yīng)、在所述第一傳輸電極上延伸、 具有的電阻小于所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極的電阻、且在各自的 傳輸溝道上通過連接部分分別連接到所述傳輸電極的低電阻導(dǎo)線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造固態(tài)成像裝置的方法，其中，在所述傳 輸溝道上分開設(shè)置各個(gè)所述第二傳輸電極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造固態(tài)成像裝置的方法，包括步驟以中 間插入絕緣膜的狀態(tài)，形成設(shè)置于所述第一傳輸電極、所述第二傳輸電極和 所述低電阻導(dǎo)線上的光陰影掩模；所述光陰影掩模形成多個(gè)用于所述光接收部分的開口。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造固態(tài)成像裝置的方法，所述多個(gè)傳輸電 極還包括第三傳輸電極，所述第三傳輸電極布置在所述傳輸溝道上在與所述 第一和第二傳輸電極相同的層中，該方法還包括步驟在與所述第一傳輸電 極和所述第二傳輸電極相同的層中，于所述傳輸溝道上形成第三傳輸電極；其中形成低電阻布線的導(dǎo)線的步驟包括形成三條低電阻導(dǎo)線，所述三條 低電阻導(dǎo)線通過在所述第一傳輸電極上延伸來設(shè)置，且所述三條低電阻導(dǎo)線 分別與所述第一傳輸電極、所述第二傳輸電極和所述第三傳輸電極通過連接 部分在所述傳輸溝道上連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造固態(tài)成像裝置的方法，其中， 所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極由多晶硅形成，且所述低電阻導(dǎo)線由鵠形成。
13. —種驅(qū)動固態(tài)成像裝置的方法，用于通過四相驅(qū)動所述固態(tài)成像裝 置來驅(qū)動，該固態(tài)成像裝置包括多個(gè)光接收部分，沿第一方向和垂直于所 述第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè)傳輸溝道，沿所述第二方向延伸，每個(gè)設(shè) 置于相鄰的光接收部分之間；多個(gè)傳輸電極，包括設(shè)置于所述傳輸溝道上的 多個(gè)第一傳輸電極和設(shè)置在所述傳輸溝道上在與所述第一傳輸電極相同的 層中的多個(gè)第二傳輸電極，相鄰的所述第一傳輸電極設(shè)置于所述光接收部分 的兩側(cè)，并在所述第一方向上相連接；和低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù) 目相應(yīng)于傳輸電極的數(shù)目，所述低電阻導(dǎo)線在所述第一傳輸電極上方延伸， 且具有的電阻小于所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極的電阻；所述低電阻導(dǎo)線通過連接部分分別連接到在各自的傳輸溝道上的所述 傳輸電極，并通過四相驅(qū)動方法驅(qū)動固態(tài)成像裝置，該四相驅(qū)動法包括步驟照射光到所述光接收部分從而在所述光接收部分中產(chǎn)生且積累依 據(jù)入射光量的信號電荷；通過所述低電阻導(dǎo)線供應(yīng)讀出脈沖OR到所述第二傳輸電極，使所 述信號電荷^皮讀出到所述傳輸溝道；通過所述低電阻導(dǎo)線供應(yīng)四相傳輸脈沖0)V1至OV4到沿所述第二 方向交替并重復(fù)布置的所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極，使所述 信號電荷在所述第二方向上傳輸；以及通過傳輸部分使所述信號電荷在所述第 一方向上傳輸，通過輸出部分將所述信號電荷轉(zhuǎn)化為依據(jù)其信號電荷量的電壓且輸出該電壓。
14. 一種驅(qū)動固態(tài)成像裝置的方法，用于通過三相驅(qū)動和六相驅(qū)動所述 固態(tài)成像裝置來驅(qū)動，所述固態(tài)成像裝置包括多個(gè)光接收部分，沿第一方 向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置；多個(gè)傳輸溝道，沿所述第二方向 延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的所述光接收部分之間；多個(gè)傳輸電極，包括布置在 所述傳輸溝道上的多個(gè)第一傳輸電極、布置在所述傳輸溝道上在所述第一傳 輸電極的相同層中的多個(gè)第二傳輸電極、以及沿所述第一方向布置在所述傳 輸溝道上在所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極的相同層中的多個(gè)第三 傳輸電極，相鄰的所述的第一傳輸電極設(shè)置于所述光接收部分的兩側(cè)，并在 所述第一方向上相連接；和低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于傳輸 電極的數(shù)目，所述低電阻導(dǎo)線在所述第一傳輸電極上方延伸，且具有的電阻 小于所述第一、第二和第三傳輸電極的電阻，所述低電阻導(dǎo)線分別與所述第 一傳輸電極、所述第二傳輸電極和所述第三傳輸電極通過連接部分在所述傳 輸溝道上連接，所述低電阻導(dǎo)線通過三相或六相驅(qū)動方法驅(qū)動固態(tài)成像裝置，所述三相 驅(qū)動方法包括步驟通過所述低電阻導(dǎo)線施加讀出脈沖(DR到與所述光接收部分相鄰的 所述第三傳輸電極；以及通過所述低電阻導(dǎo)線施加具有不同相位的三相傳輸脈沖OVl至 ①V3到沿所述第二方向交替且重復(fù)地布置的所述第一傳輸電極、所述 第二傳輸電極和所述第三傳輸電極； 所述六相驅(qū)動方法包括步驟通過所述低電阻導(dǎo)線施加讀出脈沖①R到與所述光接收部分相鄰的 所述第二和第三傳輸電極；以及通過所述低電阻導(dǎo)線施加具有不同相位的六相傳輸脈沖(DV1至 (DV6到沿所述第二方向交替且重復(fù)地布置的所述第一傳輸電極、所述第 二傳輸電極和所述第三傳輸電極。
15. —種照相機(jī)，包括 光學(xué)透鏡，和固態(tài)成像裝置，用于將通過所述光學(xué)透鏡獲得的圖像轉(zhuǎn)化為電信號， 所述固態(tài)成像裝置包括多個(gè)光接收部分，沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向設(shè)置； 多個(gè)傳輸溝道，沿所述第二方向延伸，每個(gè)設(shè)置于相鄰的所述光接收部 分之間；多個(gè)傳輸電極，包括多個(gè)第一傳輸電極，設(shè)置于所述傳輸溝道上，相鄰的所述第一傳輸 電極設(shè)置于所述光接收部分的兩側(cè)，并在所述第一方向上相連接；多個(gè)第二傳輸電極，設(shè)置于與所述第一傳輸電極相同的層中，并在所述傳輸溝道上；和多條低電阻導(dǎo)線，所述低電阻導(dǎo)線的數(shù)目相應(yīng)于傳輸電極的數(shù)目，所述 低電阻導(dǎo)線在所述第一傳輸電極上方延伸，且具有的電阻小于所述第一傳輸 電極和所述第二傳輸電極的電阻，所述低電阻導(dǎo)線在各自的傳輸溝道上通過 連接部分分別連接到所述傳輸電極。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的照相機(jī)，其中，所述傳輸溝道上的各個(gè)第 二傳輸電極分開設(shè)置。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的照相機(jī)，其中，所述第二傳輸電極通過所 述低電阻導(dǎo)線供給有讀出電壓，用于將在所述光接收部分積累的信號電荷讀 出到所述傳輸溝道。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的照相機(jī)，其中，所述固態(tài)成像裝置包括光 陰影掩模，以中間插入絕緣膜的狀態(tài)，設(shè)置于所述第一傳輸電極、所述第二 傳輸電極和所述低電阻導(dǎo)線上，所述光陰影掩模形成多個(gè)用于所述光接收部 分的開口。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的照相機(jī)，其中所述傳輸電極還包括 第三傳輸電極，設(shè)置于與所述第一傳輸電極和所述第二傳輸電極相同的層上，并沿所述第一方向在所述傳輸溝道上；和其中，所述多條低電阻導(dǎo)線包括三條低電阻導(dǎo)線，所述三條低電阻導(dǎo)線 通過在所述第一傳輸電極上延伸來設(shè)置，且所述三條低電阻導(dǎo)線分別與所述 第一傳輸電極、所述第二傳輸電極和所述第三傳輸電極通過連接部分在所述 傳輸溝道上連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種固態(tài)成像裝置，其能夠減少在光接收部分的周邊部分的入射光的光蝕(阻擋)且實(shí)現(xiàn)更大視角和高速驅(qū)動。采用了由一層多晶硅層形成第一傳輸電極和第二傳輸電極的單層傳輸電極結(jié)構(gòu)。兩條分路導(dǎo)線形成于在水平方向上連接的第一傳輸電極上，且例如四相傳輸脈沖通過低電阻分路導(dǎo)線供給到在傳輸溝道上的第一電極和第二電極。
文檔編號H04N5/372GK101425527SQ200810177448
公開日2009年5月6日 申請日期2005年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月29日
發(fā)明者神戶秀夫 申請人:索尼株式會社