專(zhuān)利名稱(chēng)：一種多槽位系統(tǒng)中的單板上電控制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及通信設(shè)備的單板上電技術(shù)，更具體地說(shuō)，涉及一種多 槽位系統(tǒng)中的單板上電控制裝置。
背景技術(shù)：
通信設(shè)備上單板功耗都比較大，如果多塊單板同時(shí)上、下電，其沖擊 對(duì)電源的影響將會(huì)很大，而一塊單板在熱插拔時(shí)也會(huì)對(duì)其它單板也會(huì)產(chǎn)生 沖擊，由于瞬間拉低電源電流，有可能造成其它單板異常復(fù)位，并且由于
很多芯片都有很多種不同的電源，比如core電壓，1/0電壓等，芯片內(nèi)部 初始化和配置需要對(duì)這些電源上電先后順序進(jìn)行控制，防止芯片由于上電 時(shí)序不對(duì)導(dǎo)致工作異常。
目前比較常用的上電控制的系統(tǒng)解決方案有
1、 如圖1，其方案是單板上使用MOS管，通過(guò)延緩MOSFET管的導(dǎo) 通時(shí)間，利用MOSFET管未完全導(dǎo)通時(shí)的高阻來(lái)實(shí)現(xiàn)電流浪涌抑制功能。
單板上電后，通過(guò)150K電阻對(duì)22U電容充電，電容電壓慢慢上升，醒OS 管柵極電壓也就上升，NMOS慢慢打開(kāi)，當(dāng)電壓達(dá)到醒OS管完全導(dǎo)通時(shí)電 壓時(shí)，麗OS管完全導(dǎo)通，呈低電阻，電流暢通。緩啟動(dòng)過(guò)程得以實(shí)現(xiàn)，也 可以用相同的原理去控制不同電壓的上電時(shí)序。這種方案的缺點(diǎn)是由于 是模擬器件搭建的電路，精確的時(shí)間沒(méi)有辦法控制，只能估算一個(gè)大概的 時(shí)間，并且當(dāng)系統(tǒng)所有的單板為同一種單板時(shí)，上電瞬間還是會(huì)對(duì)電源產(chǎn) 生很大的沖擊。
2、 如圖2，其方案是使用專(zhuān)用的IC，比如Lattice公司出產(chǎn)的 ispPAC-POWR1208芯片，以完成上電時(shí)序控制和電源監(jiān)控功能。
VM0N[1，12]為監(jiān)控電源的輸入管腳，監(jiān)控這些輸入電源，在輸出管腳 產(chǎn)生對(duì)醒OS管或者LCO或者開(kāi)關(guān)電源的導(dǎo)通，可以編程分別控制每一路的 電源。這種方案的缺點(diǎn)是由于專(zhuān)用IC的使用，增加了成本，并且當(dāng)系統(tǒng)所有的單板為同一種單板時(shí)，當(dāng)上電瞬間還是會(huì)對(duì)電源產(chǎn)生很大的沖擊。
3、使用應(yīng)用于服務(wù)器的IPMS系統(tǒng)。IPMS系統(tǒng)能單元組成具體包括智 能平臺(tái)管理控制器(IPMC)、智能平臺(tái)管理總線(IPMB)、獨(dú)立的電源供應(yīng) 模塊及系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)接口電路。IPMB采用可靠性比較高的can—bus，系統(tǒng)上 電后，所有線卡的IPMC電路單元上電，經(jīng)由IPMC上active的CAN開(kāi)始完 成系統(tǒng)掃描等完成初始化工作，然后通過(guò)智能平臺(tái)管理總線(IPMB) CAN 總線，按照程序依次控制其它線卡上電，如根據(jù)登記的CAN節(jié)點(diǎn)ID大小， 依次延遲200ms通知CAN節(jié)點(diǎn)將線卡內(nèi)DC/DC電源模塊的控制端由off打 開(kāi)為on,線卡內(nèi)的IPMC需要檢測(cè)判斷上電是否成功，并反饋給管理IPMC， 完成單板以板內(nèi)上電時(shí)序控制，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了緩啟。這種方案的缺點(diǎn)是設(shè) 計(jì)復(fù)雜，設(shè)計(jì)周期長(zhǎng)，成本高，而且沒(méi)有在相類(lèi)^(的系統(tǒng)中成熟的使用案 例，風(fēng)險(xiǎn)比較大。

實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于上述情況，本實(shí)用新型提供了一種多槽位系統(tǒng)中的單板上電控 制裝置，能夠簡(jiǎn)單方便地實(shí)現(xiàn)對(duì)不同單板的上電時(shí)序控制。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案 一種多槽位系統(tǒng)中的單板上電控制裝置，所述單板分別插設(shè)于一個(gè)槽
位中，系統(tǒng)為每一槽位分配有一個(gè)BID信息，所述上電控制裝置包括上電
控制電路和開(kāi)關(guān)電路，所述上電控制電路包括至少兩路延時(shí)支路，每一路
延時(shí)支路為所述BID信息的一條信息位線，按照對(duì)應(yīng)BID信息位的電平選 擇接通或者斷開(kāi)，所述延時(shí)支路中至少有兩路串聯(lián)有一電容，各路延時(shí)支 路并聯(lián)構(gòu)成的并聯(lián)支路的一端通過(guò)一電阻連接系統(tǒng)電源的一端，并聯(lián)支路 的另一端連接系統(tǒng)電源的另一端，所述開(kāi)關(guān)電路連接于所述并聯(lián)支路和單 板電源輸入之間。
進(jìn)一步的，所述延時(shí)支路中的每一路中串聯(lián)有一電容，各路延時(shí)支路 中串聯(lián)的電容值互不相同。
所述的上電控制裝置的特點(diǎn)還在于，開(kāi)關(guān)電路的兩輸入端之間還連接 有一個(gè)二極管串聯(lián)電路。
所述二極管串聯(lián)電路中包括一穩(wěn)壓二極管。
4所述開(kāi)關(guān)電路可以為NMOS開(kāi)關(guān)電路。也可以為光耦電路。
本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置多路延時(shí)支路，延時(shí)支路中至少有兩路串聯(lián)有不 同容值的電容，每一路延時(shí)支路對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的BID信息的一位，通過(guò)BID信 息位電平不同，可以選擇接入或者斷開(kāi)該路延時(shí)支路，從而使得在不同槽 位上并聯(lián)的電容值不同，因而產(chǎn)生不同的延時(shí)時(shí)間，保證了不同槽位之間 可以具有不同的上電時(shí)序，實(shí)現(xiàn)對(duì)單板不同上電時(shí)序的控制。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的M0S管控制熱插拔及上電方案的電路結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的專(zhuān)用IC控制上電時(shí)序方案的電路結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
中的光耦電路的上電控制裝置結(jié)構(gòu)示 意圖4是本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
中的麗0S電路的上電控制裝置結(jié)構(gòu)示 意圖。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)照附圖并結(jié)合具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)說(shuō)明。 參見(jiàn)圖3和圖4，本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的單板上電控制裝置主要
的實(shí)現(xiàn)思想是通過(guò)并聯(lián)不同容值的電容產(chǎn)生不同的總電容值C，通過(guò)對(duì)
這個(gè)電容C和一個(gè)電阻R上電，控制麗OS管或者光偶是否導(dǎo)通，從而控制 單板是否上電。由公式t二RC，可以得出不同的時(shí)間，即可以產(chǎn)生不同的上 電延遲。
如圖3所示，以一個(gè)8槽位的系統(tǒng)為例，系統(tǒng)背板為各個(gè)槽位的單板 提供3位的本槽位的BID信息，可以為不同槽位分配不同的BID 信息，例如1槽位為000， 2槽位為001…8號(hào)槽位為111，為1指的是在 背板上連接到-48VGND電平上，為0指的是在背板上連接到-48V電平上。 稱(chēng)圖中BID信息的每一條信息位線為一路延時(shí)支路，可以在每一路延時(shí)支 路中都串聯(lián)一電容，當(dāng)然，如果要求的不同上電時(shí)序種類(lèi)不多的話，也可 不必每一路延時(shí)支路都串聯(lián)電容，例如圖示三路延時(shí)支路中可以只有兩路 串聯(lián)有電容。各路延時(shí)支路并聯(lián)構(gòu)成一并聯(lián)支路，并聯(lián)支路的一端(圖中
5為-48VGND電平端)通過(guò)一電阻連接系統(tǒng)電源的一端，并聯(lián)支路的另一端 連接系統(tǒng)電源的另一端，由于各路延時(shí)支路對(duì)應(yīng)于BID信息的每一位，而 BID各信息位根據(jù)電平值的不同而選擇連接到-48VGND電平或者-48V電平， 因而延時(shí)支路也就按照BID信息位的電平不同而選擇接通到并聯(lián)支路中或 者是從并聯(lián)支路中斷開(kāi)，因此，根據(jù)BID信息的不同，并聯(lián)支路將會(huì)產(chǎn)生 不同的并聯(lián)電容值。稱(chēng)并聯(lián)支路和電阻為上電控制電路，上電控制電路通 過(guò)開(kāi)關(guān)電路連接單板電源輸入，開(kāi)關(guān)電路在圖3所示的實(shí)施例中為光耦電 路，在圖4所示的實(shí)施例中為蘭OS電路，開(kāi)關(guān)電路位于并聯(lián)支路和單板電 源輸入之間，其兩輸入端連接上電控制電路的兩輸出端，兩輸出端連接單 板電源的DC-DC模塊的"ON"和"-48V"管腳。開(kāi)關(guān)電路的兩輸入端之間 還連接有一個(gè)二極管串聯(lián)電路。在本實(shí)施例中，二極管串聯(lián)電路包括一個(gè) 穩(wěn)壓二極管和一個(gè)普通二極管。其中，穩(wěn)壓二極管用于穩(wěn)定電容兩端的電 壓，而普通二極管則用于促進(jìn)電容的放電。
系統(tǒng)上電時(shí)，單板上的48V電源的DC-DC模塊的使能管腳懸空(即高 電平)，而使能為低有效，所以單板不上電。背板送上來(lái)的BID信號(hào)直接連 接到大小不同的電容上，電容的大小可選為3種，單板插在不同槽位就像 打開(kāi)不同的電容的開(kāi)關(guān)，從而產(chǎn)生不同的充電電容，由于上電時(shí)間tiC, 所以會(huì)產(chǎn)生不同的延時(shí)來(lái)控制單板上NM0S管或光耦等導(dǎo)通與否，實(shí)現(xiàn)給整 個(gè)系統(tǒng)上的不同槽位的上電延時(shí)控制。
以電容分別為022U、 C2二10U、 C3:47U，槽位分別為1、 2， R二15K為 例具體說(shuō)明
在單板上BID0接22U電容的負(fù)極，BID1接10U的負(fù)極，BID2接47U 的負(fù)極，在背板上(根據(jù)槽位不同而不同)1槽位BID都接-48V， 2槽位BID接-48V， 2接-48VGND，則在1槽位，Cl、 C2、 C3電容 都充電，總的電容079U，上電時(shí)間大約為t=79U*15K=l. 185s;若在2槽 位則只有C1、C2充電，總的電容C=30U，上電時(shí)間大約為t=79U*15K=0. 45s， 比l槽位的單板上電晚0.735s。需要了解的是，以上是以各路延時(shí)支路中 串聯(lián)的電容值互不相同為例，這樣可以產(chǎn)生最多種類(lèi)的上電時(shí)序，即8個(gè) 槽位的上電時(shí)序各不相同，但并不限制各個(gè)電容值必須不同，在需要的上 電時(shí)序不多的情況下，也可以出現(xiàn)相同的電容值，則一些槽位的上電時(shí)序 將會(huì)相同。使用本實(shí)用新型方案時(shí)，可以為前端輸入的電源(即系統(tǒng)電源)在電 源板上做好防雷擊浪涌等隔離及保護(hù)。
本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有上電控制設(shè)計(jì)所存在的問(wèn)題和不足，提供一種新 的系統(tǒng)單板上電控制解決方案。其優(yōu)點(diǎn)有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)周期短，成本 較低，可靠性高，減小了對(duì)電源的要求，能夠比較準(zhǔn)確的針對(duì)系統(tǒng)來(lái)設(shè)計(jì) 上電時(shí)間，同時(shí)應(yīng)用場(chǎng)景廣泛，即可用于通信設(shè)備中不同槽位單板上電控 制的解決方案，也可以應(yīng)用于單板上不同電源上電時(shí)序的控制。
本實(shí)用新型的實(shí)施例及其說(shuō)明僅用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本 實(shí)用新型的不當(dāng)限定?；诒緦?shí)用新型構(gòu)思的任何修改或變形，應(yīng)當(dāng)屬于 本實(shí)用新型權(quán)利要求所保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求1. 一種多槽位系統(tǒng)中的單板上電控制裝置，所述單板分別插設(shè)于一個(gè)槽位中，其特征在于，系統(tǒng)為每一槽位分配有一個(gè)BID信息，所述上電控制裝置包括上電控制電路和開(kāi)關(guān)電路，所述上電控制電路包括至少兩路延時(shí)支路，每一路延時(shí)支路為所述BID信息的一條信息位線，按照對(duì)應(yīng)BID信息位的電平選擇接通或者斷開(kāi)，所述延時(shí)支路中至少有兩路串聯(lián)有一電容，各路延時(shí)支路并聯(lián)構(gòu)成的并聯(lián)支路的一端通過(guò)一電阻連接系統(tǒng)電源的一端，并聯(lián)支路的另一端連接系統(tǒng)電源的另一端，所述開(kāi)關(guān)電路連接于所述并聯(lián)支路和單板電源輸入之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的上電控制裝置，其特征在于，所述延時(shí)支路中 的每一路中串聯(lián)有一電容，各路延時(shí)支路中串聯(lián)的電容值互不相同。
3. 如權(quán)利要求l所述的上電控制裝置，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電路的 兩輸入端之間還連接有一個(gè)二極管串聯(lián)電路。
4. 如權(quán)利要求3所述的上電控制裝置，其特征在于，所述二極管串聯(lián) 電路中包括一穩(wěn)壓二極管。
5. 如權(quán)利要求1至4任一所述的上電控制裝置，其特征在于，所述開(kāi) 關(guān)電路為NMOS開(kāi)關(guān)電路。
6. 如權(quán)利要求1至4任一所述的上電控制裝置，其特征在于，所述開(kāi) 關(guān)電路為光耦電路。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多槽位系統(tǒng)中的單板上電控制裝置，所述單板分別插設(shè)于一個(gè)槽位中，系統(tǒng)為每一槽位分配有一個(gè)BID信息，所述上電控制裝置包括上電控制電路和開(kāi)關(guān)電路，所述上電控制電路包括至少兩路延時(shí)支路，每一路延時(shí)支路為所述BID信息的一條信息位線，按照對(duì)應(yīng)BID信息位的電平選擇接通或者斷開(kāi)，所述延時(shí)支路中至少有兩路串聯(lián)有一電容，各路延時(shí)支路并聯(lián)構(gòu)成的并聯(lián)支路的一端通過(guò)一電阻連接系統(tǒng)電源的一端，并聯(lián)支路的另一端連接系統(tǒng)電源的另一端，所述開(kāi)關(guān)電路連接于所述并聯(lián)支路和單板電源輸入之間。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了對(duì)不同槽位單板的不同上電時(shí)序控制。
文檔編號(hào)H04L12/10GK201263158SQ20082009618
公開(kāi)日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2008年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月7日
發(fā)明者李宏起, 申雅玲 申請(qǐng)人:中興通訊股份有限公司