專(zhuān)利名稱(chēng)：一種通信設(shè)備密集e1接口電磁干擾抑制裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電磁干擾(EMI)抑制技術(shù)，具體涉及一種通信設(shè)備密集El接口 電磁干擾抑制裝置。
背景技術(shù)：
隨著通信系統(tǒng)設(shè)備El (2048kbit/s)接口密集程度提高，以及使用環(huán)境越來(lái)越復(fù)雜， 多路信號(hào)傳輸容易帶來(lái)電磁兼容性問(wèn)題，特別是傳導(dǎo)與輻射騷擾容易超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)限值要 求，給產(chǎn)品的電磁兼容認(rèn)證帶來(lái)諸多問(wèn)題，在沒(méi)有采用密集E1接口電磁干擾抑制技術(shù) 的2M端子板上傳輸多路2M信號(hào)時(shí)，通過(guò)信號(hào)線(xiàn)的傳導(dǎo)與輻射騷擾通常會(huì)超出標(biāo)準(zhǔn)要 求。為了抑制設(shè)備的傳導(dǎo)與輻射騷擾，通過(guò)產(chǎn)品測(cè)試認(rèn)證，對(duì)通信設(shè)備密集El (2048kbit/s)接口采用一定的電磁干擾(EMI)抑制技術(shù)十分必要。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決通信設(shè)備密集El (2048kbit/s)接口存在的電磁干擾(EMI)問(wèn)題，本實(shí)用 新型提出一種通信設(shè)備密集El接口電磁千擾抑制裝置，其包括一個(gè)或多個(gè)多路2M電 磁干擾抑制部件，所述多路2M電磁干擾抑制部件包括信號(hào)輸入連接單元、信號(hào)輸出連 接單元以及連接在信號(hào)輸入連接單元和信號(hào)輸出連接單元之間的EMI濾波電路單元， 所述EMI濾波電路單元包括多個(gè)并聯(lián)的T形濾波器電路以及接地端子，所述T形濾波 器電路包括依次串聯(lián)的第一鐵氧體磁珠、三端電容和第二鐵氧體磁珠，三端電容的接地 端與所述EMI濾波電路單元的接地端子連接。
其中，所述裝置連接在El端口與信號(hào)變壓器之間。
其中，為了與信號(hào)變壓器對(duì)應(yīng)，每個(gè)多路2M電磁干擾抑制部件包括8個(gè)T形濾波 器電路以及對(duì)應(yīng)的輸入輸出接口以同時(shí)處理4路2M信號(hào)。
其中，每個(gè)多路2M電磁干擾抑制部件被形成為集成電路形式安裝于印制電路板上。
本實(shí)用新型在不改變?cè)卸俗影錚CB結(jié)構(gòu)尺寸大小情況下，釆用密集2M端口電 磁干擾抑制技術(shù)能明顯地抑制傳導(dǎo)騷擾與輻射騷擾，使設(shè)備更好地滿(mǎn)足相關(guān)電磁兼容標(biāo) 準(zhǔn)要求。

圖1是多路2M電磁干擾抑制部件的硬件原理框圖； 圖2是多路2M電磁干擾抑制部件的電路原理圖； 圖3是多路2M電磁干擾抑制部件的信號(hào)流程圖； 圖4是多路2M電磁千擾抑制部件的外觀(guān)主視圖； 圖5是多路2M電磁干擾抑制部件的外觀(guān)左視圖； 圖6是多路2M電磁干擾抑制部件的外觀(guān)仰視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
。
圖1示出了用于組成本實(shí)用新型所述密集El接口 EMI抑制裝置的模塊化的多路 2M電磁干擾抑制部件的原理框圖，所述多路2M電磁干擾抑制部件包括信號(hào)輸入連接 單元、信號(hào)輸出連接單元、EMI濾波電路單元。其中，信號(hào)輸入連接單元提供多路2M 信號(hào)輸入接口，信號(hào)輸出連接單元提供多路2M信號(hào)的輸出接口， EMI濾波電路單元包 括多個(gè)節(jié)點(diǎn)端子，所述濾波電路單元用于濾除2M信號(hào)中的電磁干擾分量，并將該電磁 干擾分量通過(guò)接地端子引入地平面。對(duì)多個(gè)所述的多路2M電磁干擾抑制部件進(jìn)行并聯(lián) 組合可以組成密集E1接口 EMI抑制裝置，為密集E1接口提供EMI抑制。
圖2示出了所述的多路2M電磁干擾抑制部件的電路原理圖
多路2M電磁干擾抑制組件輸入端中，露在外面有11 In根針，分別連接Il~In路 信號(hào)，對(duì)應(yīng)悍接在PCB板上，內(nèi)部與相應(yīng)的濾波元器件連接；
EMI濾波電路單元采用n個(gè)T形濾波器電路并聯(lián)組成，每個(gè)T形濾波器電路對(duì)應(yīng) 一個(gè)輸入針，對(duì)共模騷擾信號(hào)進(jìn)行抑制。其中，每個(gè)T形濾波器電路包括一個(gè)三端電容 和兩個(gè)鐵氧體磁珠，所述鐵氧體磁珠分別與三端電容的輸入端與輸出端串聯(lián)連接，三端 電容的接地端連接到EMI濾波電路單元的接地端子G1、 G2針，G1和G2針焊接連接 到PCB板上的接地平面上。
多路2M電磁干擾抑制組件輸出連接有01 On針，對(duì)應(yīng)于同輸入的Il In針，所述 01 On針與EMI濾波電路單元的輸出端連接。
所述密集El接口 EMI抑制裝置可以安裝在El接口與信號(hào)變壓器之間，以提供電 磁干擾抑制，具體如圖3所示。
由于現(xiàn)有的E1端口常用的信號(hào)變壓器模塊一般可以處理4路2M信號(hào)，為與信號(hào)變壓器模塊一一對(duì)應(yīng)，可以取『8，即將8根E1 (4路2M)信號(hào)線(xiàn)的濾波電路器件(三 端電容和鐵氧體磁珠)以及對(duì)應(yīng)的輸入針、輸出針?lè)庋b成集成電路，構(gòu)成4路2M電磁 干擾抑制部件，集成的4路2M電磁干擾抑制部件外觀(guān)如圖4一6所示，由于采用了集 成電路的形式，可以將所述4路2M電磁干擾抑制部件形成多種組合，滿(mǎn)足通信設(shè)備密 集E1接口相應(yīng)路數(shù)2M的使用需要。
所述裝置在2M端子板采用多路2M電磁干擾抑制技術(shù)，在不影響2M信號(hào)傳輸質(zhì) 量的同時(shí)，能有效抑制2M信號(hào)接口及信號(hào)線(xiàn)上的電磁騷擾，保護(hù)設(shè)備可靠穩(wěn)定工作。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用于限制本，凡在本實(shí)用新型精神和 原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均包含于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種通信設(shè)備密集E1接口電磁干擾抑制裝置，包括一個(gè)或多個(gè)多路2M電磁干擾抑制部件，所述多路2M電磁干擾抑制部件包括信號(hào)輸入連接單元、信號(hào)輸出連接單元以及連接在信號(hào)輸入連接單元和信號(hào)輸出連接單元之間的EMI濾波電路單元，所述EMI濾波電路單元包括多個(gè)并聯(lián)的T形濾波器電路以及接地端子，所述T形濾波器電路包括依次串聯(lián)的第一鐵氧體磁珠、三端電容和第二鐵氧體磁珠，三端電容的接地端均與所述EMI濾波電路單元的接地端子連接。
2、 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于所述裝置連接在E1端口與信號(hào)變壓器 之間。
3、 如權(quán)利要求l所述的裝置，其特征在于為了與信號(hào)變壓器對(duì)應(yīng)，每個(gè)多路2M 電磁干擾抑制部件包括8個(gè)T形濾波器電路以及對(duì)應(yīng)的信號(hào)輸入連接單元、信號(hào)輸出連 接單元以同時(shí)處理4路2M信號(hào)。
4、 如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于每個(gè)多路2M電磁干擾抑制部件被形 成為集成電路形式安裝于印制電路板上。
專(zhuān)利摘要一種通信設(shè)備密集E1接口電磁干擾抑制裝置，包括一個(gè)或多個(gè)多路2M電磁干擾抑制部件，所述多路2M電磁干擾抑制部件包括信號(hào)輸入連接單元、信號(hào)輸出連接單元以及連接在信號(hào)輸入連接單元和信號(hào)輸出連接單元之間的EMI濾波電路單元，所述EMI濾波電路單元包括多個(gè)并聯(lián)的T形濾波器電路以及接地端子，所述T形濾波器電路包括依次串聯(lián)的第一鐵氧體磁珠、三端電容和第二鐵氧體磁珠，三端電容的接地端與所述EMI濾波電路單元的接地端子連接。所述裝置在不改變?cè)卸俗影錚CB結(jié)構(gòu)尺寸大小情況下，采用密集2M端口電磁干擾抑制技術(shù)能明顯地抑制傳導(dǎo)騷擾與輻射騷擾，使設(shè)備更好地滿(mǎn)足相關(guān)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)要求。
文檔編號(hào)H04B15/02GK201260173SQ20082010952
公開(kāi)日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月30日
發(fā)明者劉江鋒, 徐向平, 游漢濤, 鄒崇振, 陳思思 申請(qǐng)人:烽火通信科技股份有限公司