專利名稱：超薄型的微型揚(yáng)聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及的是一種用于電子和通訊領(lǐng)域中的揚(yáng)聲器，尤其是一種適用于手機(jī)、 筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、MP3或MP4等電子和通訊產(chǎn)品及設(shè)備的動(dòng)圈式超薄型微型揚(yáng)聲 器。
背景技術(shù)：
由于現(xiàn)代生活中所使用的手機(jī)、PDA、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、MP3、 MP4等電子及 通訊產(chǎn)品及設(shè)備，越來越傾向于薄型化，體積大為縮減，因此這些電子及通訊產(chǎn)品及設(shè)備 的機(jī)體內(nèi)規(guī)劃給揚(yáng)聲器或受話器裝設(shè)的空間十分有限；即便如此，所裝設(shè)的揚(yáng)聲器或受話 器仍然希望在限制的條件下發(fā)揮出最佳效能，這就需要借助于揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有技術(shù)中， 外磁動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的結(jié)構(gòu)主要是由外緣輪轂成圓形的主架，分別被嵌入在主架內(nèi)構(gòu)成整體 的磁體、華司、T鐵，與主架粘合為一體的振膜，以及音圈、前蓋、焊片構(gòu)成；目前，這 種結(jié)構(gòu)的揚(yáng)聲器要實(shí)現(xiàn)更加薄型化，同時(shí)又要讓薄型揚(yáng)聲器發(fā)揮出最佳的效能，就必須在 現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)行革新、創(chuàng)新。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服上述存在的不足，而提供一種結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，使用安裝 方便，既能滿足超薄型設(shè)計(jì)，又能保證在限制的條件下發(fā)揮最佳效能的超薄型的微型揚(yáng)聲
器o
本實(shí)用新型的目的是通過如下技術(shù)方案來完成的，它主要是由外緣輪轂成圓形的主 架，分別被嵌入在主架內(nèi)構(gòu)成整體的磁體、華司、T鐵，與主架粘合為一體的反向球頂振 膜，以及音圈、前蓋、焊片構(gòu)成；所述的華司的內(nèi)徑邊沿上設(shè)置有一圈向下的壓印槽，并 在華司的外徑周邊設(shè)置有一圈倒角邊。
本實(shí)用新型所述的T鐵中心處設(shè)置有一向內(nèi)的凹陷空間，在該凹陷空間的周邊設(shè)置有 一圈倒角邊；所述的振膜中間設(shè)計(jì)為反向球頂，即在振膜中間處設(shè)置有向下并與T鐵中間 的凹陷空間相對應(yīng)的凹陷。
所述的T鐵中心處開設(shè)有一小孔，并在該T鐵的外圈周邊上設(shè)置有一圈倒角邊。
本實(shí)用新型所述的振膜反向球頂， 一般常規(guī)振膜均為正向球頂，因受結(jié)構(gòu)的限制，振膜球頂?shù)母叨纫彩艿较拗?，最大只?.3mm,導(dǎo)致球頂?shù)膭傂圆蛔?，中高頻衰減，達(dá)不到全 頻帶效果，反之振膜設(shè)計(jì)為反向球頂，與T鐵的內(nèi)凹陷相對應(yīng)，有足夠空間保證球頂高度 及剛性，從而克服上述缺陷。 所述振膜設(shè)計(jì)為反向球頂。
本實(shí)用新型主要通過優(yōu)化磁路系統(tǒng)，提高磁場強(qiáng)度，優(yōu)化振膜設(shè)計(jì)，以保證揚(yáng)聲器性 能發(fā)揮最佳效果，具有結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，使用安裝方便，既能滿足超薄型設(shè)計(jì)，又能保證 在限制的條件下發(fā)揮最佳效能等特點(diǎn)。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型的T鐵結(jié)構(gòu)示意圖A。
圖3是本實(shí)用新型的T鐵結(jié)構(gòu)示意圖B。
圖4是本實(shí)用新型的T鐵結(jié)構(gòu)示意圖C。
圖5是本實(shí)用新型的T鐵結(jié)構(gòu)示意圖D。
圖6是本實(shí)用新型的華司結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7是本實(shí)用新型的振膜結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作詳細(xì)的介紹附圖1所示，本實(shí)用新型主要是由外緣 輪轂成圓形的主架1，分別被嵌入在主架1內(nèi)構(gòu)成整體的磁體采用釹鐵硼2、華司3、 T 鐵4，與主架1粘合為一體的振膜5，以及音圈6、前蓋7、焊片8構(gòu)成；所述的T鐵4中 心處設(shè)置有一向內(nèi)的凹陷空間9，在該凹陷空間9的周邊設(shè)置有一圈倒角邊10，見附圖2 所示，這里采用做倒角邊以及中間凹陷空間的設(shè)置，目的是在減少漏磁，提高磁場強(qiáng)度的 同時(shí)，為設(shè)計(jì)成方向球頂?shù)恼衲ぬ峁┯欣目臻g。本實(shí)用新型所述主架1的外緣輪轂不排 除制造成形如田徑跑道圓或橢圓形；T鐵4不排除制造成如圖3、圖4和圖5等形狀。
附圖2所示的還有所述的T鐵4中心處開設(shè)有一小孔11，該小孔可以降低空氣力阻， 使振膜能夠自然均勻地振動(dòng)，減少揚(yáng)聲器的失真；另外在該T鐵4的外圈周邊上設(shè)置有一 圈倒角邊12，該倒角邊12的目的在于降低磁阻，使磁力線更順暢地通過導(dǎo)磁板與磁路系 統(tǒng)，構(gòu)成磁回路，.達(dá)到提高磁場強(qiáng)度的效果，同時(shí)也能使T鐵嵌入主架更牢固。所述的T 鐵材質(zhì)為08F， T鐵極性柱設(shè)計(jì)為凹陷、倒角處理，中間部位開孔，T鐵的導(dǎo)磁板部分作 為斜角處理，整個(gè)磁路系統(tǒng)嵌入主架中成為一個(gè)整體。附圖6所示，本實(shí)用新型所述華司3的內(nèi)徑邊沿上設(shè)置有一圈向下的壓印槽13，并在 華司3的外徑周邊設(shè)置有一圈倒角邊14，該倒角邊14可以降低磁阻，使磁力線更順暢通 過導(dǎo)磁板與磁路系統(tǒng)，構(gòu)成磁回路，達(dá)到提高磁場強(qiáng)度的效果。所述的壓印槽13可以增 加振膜的振幅空間，提高生產(chǎn)效率及合格率；所述的華司材質(zhì)為08F,它嵌入主架成一個(gè) 整體。
附圖7所示，本實(shí)用新型所述的振膜5中間設(shè)計(jì)為反向球頂15，即在振膜5中間處設(shè) 置有向下并與T鐵4中間的凹陷空間9相對應(yīng)的凹陷。所述的振膜采用高分子薄膜材料， 它與主架粘結(jié)為一體。常規(guī)的振膜設(shè)計(jì)為正向球頂，因而達(dá)不到全頻帶要求，同時(shí)失真也 高，而上述設(shè)計(jì)則解決了上述缺陷。
本實(shí)用新型所述的音圈由金屬導(dǎo)線繞制成封閉管狀，線圈頂緣接合于振膜，底面保持 微小距離環(huán)繞于華司外圍，線圈的金屬導(dǎo)線由主架的切線缺口處引出，連接于電路板的兩 電極，用以接受輸入信號。所述的前蓋采用不銹鋼材料，形狀與振膜的外緣輪轂大致相同， 罩于振膜上方，周邊與主架相結(jié)合。所述的焊片采用磷青銅，嵌入主架內(nèi)部，和主架稱為 一個(gè)整體。
權(quán)利要求1、一種超薄型的微型揚(yáng)聲器，它主要是由主架，分別被嵌入在主架內(nèi)構(gòu)成整體的磁體、華司、T鐵，與主架粘合為一體的振膜，以及音圈、前蓋、焊片構(gòu)成，其特征在于所述華司(3)的內(nèi)徑邊沿上設(shè)置有一圈向下的壓印槽(13)，并在華司(3)的外徑周邊設(shè)置有一圈倒角邊(14)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄型的微型揚(yáng)聲器，其特征在于所述的T鐵(4)中心處 設(shè)置有一向內(nèi)的凹陷空間(9)，在該凹陷空間(9)的周邊設(shè)置有一圈倒角邊(10);所述 的振膜(5)中間設(shè)計(jì)為反向球頂(15)，即在振膜(5)中間處設(shè)置有向下并與T鐵(4) 中間的凹陷空間(9)相對應(yīng)的凹陷。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄型的微型揚(yáng)聲器，其特征在于所述的T鐵(4)中心處 開設(shè)有一小孔(11)，并在該T鐵(4)的外圈周邊上設(shè)置有一圈倒角邊(12)。
專利摘要一種超薄型的微型揚(yáng)聲器，它主要是由主架，分別被嵌入在主架內(nèi)構(gòu)成整體的磁體、華司、T鐵，與主架粘合為一體的振膜，以及音圈、前蓋、焊片構(gòu)成；所述華司的內(nèi)徑邊沿上設(shè)置有一圈向下的壓印槽，并在華司的外徑周邊設(shè)置有一圈倒角邊；所述的T鐵中心處設(shè)置有一向內(nèi)的凹陷空間，在該凹陷空間的周邊設(shè)置有一圈倒角邊；所述振膜中間設(shè)計(jì)為反向球頂，即在振膜中間處設(shè)置有向下并與T鐵中間的凹陷空間相對應(yīng)的凹陷；所述的T鐵中心處開設(shè)有一小孔，并在該T鐵的外圈周邊上設(shè)置有一圈倒角邊；它具有結(jié)構(gòu)簡單、緊湊，使用安裝方便，既能滿足超薄型設(shè)計(jì)，又能保證在限制的條件下發(fā)揮最佳效能等特點(diǎn)。
文檔編號H04R9/06GK201248129SQ20082016293
公開日2009年5月27日 申請日期2008年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日
發(fā)明者吳四兵, 虎浩月 申請人:徐瑞根