專利名稱：高頻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用于通信用等基地站的高頻裝置。
背景技術(shù)：
圖8是現(xiàn)有的高頻裝置1的側(cè)視圖。高頻裝置1設(shè)置于手機等那樣的雙向通信的基 地站內(nèi)，在安裝平板2的上表面裝載有接收用的濾波器3和基板4?；?是雙面基 板，下表面?zhèn)鹊恼麄€面都形成有銅箔。
基板4的上表面形成有發(fā)送用功率放大器(PA)和接收用低噪音放大器(LNA)等高 頻電路以及對這些PA、 LNA等進行控制的控制電路。為了屏蔽該高頻電路，裝載有金屬 制的罩子5以覆蓋該高頻電路。
此處，因為PA和LNA等的放大器的散熱量較大，這些放大器所產(chǎn)生的熱量的散熱， 通過將放大器直接固定午安裝平板2上來進行?；蛘?，放大器通過在放大器的正下方設(shè) 置于基板4上的多個通孔來散熱，并使基板4下表面的銅箔與安裝平板2相#觸。而 且，還通過在安裝平板2的下表面安裝散熱板來進行放大器的散熱。
為了對應(yīng)近年手機的急劇普及和新的通信方式的導入或者通信服務(wù)地域的擴大等， 有必要增設(shè)基地站設(shè)備。但是，基地站設(shè)備的增設(shè)需要取得新的土地或擴大基地站的面 積。因此，通信行業(yè)人員對基地站所使用的小型的高頻裝置的需求逐漸增高。
而且，基于同樣的要求等，還有要求將高頻裝置1設(shè)置在天線鐵塔的頂上。鐵塔頂 上只有有限的設(shè)置空間，為了在此設(shè)置多個高頻裝置1，從而要求高頻裝置1的小型
化。又，為了將高頻裝置l容易地設(shè)置在鐵塔上，需要使高頻裝置l輕量化，為了實現(xiàn) 其輕量化，使高頻裝置1小型化的要求也逐漸增高。

發(fā)明內(nèi)容
高頻裝置具有構(gòu)成為與天線連接的天線連接器、基板、設(shè)置于基板上表面的導體 部、與天線連接器連接并裝載于基板上表面的濾波器以及與濾波器連接并設(shè)置于基板下 表面的高頻電路。濾波器包括中空狀的殼體和收容于殼體內(nèi)的諧振元件。殼體有向下方 開口的開口，還有圍繞開口的下端。殼體的下端與導體部相連接。該高頻裝置是小型的。


圖1是本發(fā)明的實施形態(tài)的高頻裝置的電路框圖。
圖2A是實施形態(tài)的高頻裝置的剖視圖。
圖2B是實施形態(tài)的高頻裝置的殼體的放大剖視圖。
圖2C是實施形態(tài)的高頻裝置的其它的殼體的放大剖視圖。
圖3是實施形態(tài)的高頻裝置的放大剖視圖。
圖4是實施形態(tài)的高頻裝置的散熱體的放大剖視圖。
圖5A是實施形態(tài)的高頻裝置的其它的散熱體的剖視圖。
圖5B是實施形態(tài)的高頻裝置的另一其它的散熱體的剖視圖。
圖6A是實施形態(tài)的其它的高頻裝置的放大剖視圖。
圖6B是實施形態(tài)的另一其它的高頻裝置的放大剖視圖。
圖7A是實施形態(tài)的高頻裝置放大剖視圖。
圖7B是實施形態(tài)的其它的高頻裝置的放大剖視圖。
圖8是現(xiàn)有的高頻裝置的側(cè)視圖。
具體實施例方式
圖1是本發(fā)明的實施形態(tài)的高頻裝置11的電路框圖。實施形態(tài)中的高頻裝置11 f吏 用于TDMA方式的通信方式，但適用于CDMA方式等其它的通信方式也是可以的。作為天 線端子而起作用的天線連接器12與天線12A連接構(gòu)成。即，構(gòu)成為，由天線12A接收的 接收信號輸入到天線連接器12,濾波器13的發(fā)送信號從天線連接器12輸出到天線 12A。也可以構(gòu)成為，僅進行由天線12A接收的接收信號輸入到天線連接器12，或者濾 波器的發(fā)送信號從天線連接器12輸出到天線12A這兩種操作中的一種。
循環(huán)器14具有輸入輸出端子14A、輸出端子14B和輸入端子14C這三個端子。濾波 器13連接于輸入輸出端子14A。低噪音放大器(LNA) 15連接于輸出端子14B，功率放 大器(PA) 16連接于輸入端子14C。由天線12A接收的接收信號通過天線連接器12輸入 到濾波器13。濾波器13對該接收信號進行濾波后，將該接收信號輸出到循環(huán)器14的輸 入輸出端子14A。循環(huán)器14將經(jīng)濾波器13濾波了的接收信號輸出到輸出端子14B，將/人 PA16輸出的發(fā)送信號輸出到輸入輸出端子14A。循環(huán)器14、 LNA15和PA16構(gòu)成高頻電路 IIA。艮卩、高頻電路11A包括LNA15和PA16。
控制電路17對PA16的開、關(guān)和PA16的放大率進行控制，還進一歩地通過檢測JPA16的放大率的異常來檢測PA16的故障。設(shè)置有與控制電路17、 LNA15、 PA16相連接 的多個連接器18。實施形態(tài)中，輸出連接器18A連接于LNA15的輸出端15B。輸入連接 器18B連接于PA16的輸入端16A。設(shè)置有電源用連接器18C,其輸入供給控制電路17、 LNA15、 PA16的電源。設(shè)置有與控制電路17連接的連接器18D。
對高頻裝置11的構(gòu)造進行說明。圖2A是高頻裝置11的剖視圖。 濾波器13是氣孔型濾波器，本實施形態(tài)中，具有約3GHz的帶寬并將其作為通過步頁 帶，且具有3個腔體113A 113C。濾波器13由殼體21、基板22和諧振元件23A 23C 構(gòu)成。殼體21由金屬構(gòu)成。天線連接器12通過螺絲等固定在殼體21的側(cè)面?；?2 的內(nèi)部設(shè)置有接地層22B。
殼體21包括箱體21B和隔板21D。箱體21B是中空形狀，具有向下開口的開口 21A。箱體21B具有頂板21F、從頂板21F的整個外周21G向下延伸的框體21E。殼體21 是通過沖壓加工等對表面處理電鍍的鋼板進行切斷、彎折從而整形而成。此時，箱體 21B和收容于箱體21B內(nèi)的隔板21D分別被個別加工，通過焊錫等進行連接從而制成殼 體21。
圖2B是殼體21的放大剖視圖。構(gòu)成殼體21的箱體21B和隔板21D具有金屬板121 和分別設(shè)置在金屬板面121A、 121B上的金屬層221、 321。金屬層221、 321具有高的熱 傳導率。金屬層221、 321的熱傳導率比金屬板121大。金屬層221、 321由能焊接的金 屬構(gòu)成。圖2C是其它的殼體21的放大剖視圖。構(gòu)成殼體21的箱體21B和隔板21D是由 金屬板421構(gòu)成，該金屬板421由具有高的熱傳導率且能焊接的金屬構(gòu)成。在實施形態(tài) 中，箱體21B是由如圖2B所示的金屬板121和金屬層221、 321構(gòu)成。金屬板121是7令 軋鋼板。金屬層221、 321由銅構(gòu)成，通過鍍銅形成在金屬板121的兩面。隔板21D是由 如圖2C所示的金屬板421所形成。金屬板421是銅板。箱體21B的金屬層221、 321也 可以由銀形成。而且，隔板21D的金屬板421也可以是銀板。又，隔板21D也可以與箱 體21B —樣，具有如圖2B所示的冷軋鋼板即金屬板121和通過鍍銀或者鍍銅形成的金屬 層221、 321。進一步地，具有箱體21B和隔板21D的殼體21也可以通過鋁壓鑄等方式 一體成型。在這種情況下，圖2B所示的金屬板121是由鋁壓鑄形成，由銀構(gòu)成的金屬層 221、 321通過電鍍形成在金屬板121的兩面。隔板21D和金屬層221、 321是由相同的 金屬構(gòu)成。
基板22包括具有上表面22U和下表面22L的、由絕緣材料構(gòu)成的絕緣板22F。接地 層22B在絕緣板22F的內(nèi)部，與上表面22U和下表面22L平行地延伸。在基板22的上表 面22U形成有導體部22A。殼體21安裝于基板22上以使得開口 21A被導體部22A遮 住。在由殼體21的箱體21B、隔板21D和導體部22A圍隔成的腔體113A 113C中分別 設(shè)置有諧振元件23A 23C。諧振元件23A 23C裝載于導體部22A上，與殼體21分離地 與導體部22A連接。又，殼體21和導體部22A之間也通過焊錫焊接連接。實施形態(tài)的高 頻裝置中，諧振元件23A 23C也可以與導體部22A分離地與殼體21連接。
圖3是高頻裝置11的放大剖視圖。在導體部22A的上表面122A上設(shè)置有絕緣膜25 使得導體部22A的上表面122A的露出部222A顯露出來。上表面122A的露出部222A設(shè) 置于諧振元件23A 23C、殼體21的正下方，露出部222A上沒有絕緣膜25。諧振元件 23A 23C、殼體21通過連接構(gòu)件24連接于導體部22A的上表面122A的露出部222A。 連接構(gòu)件24由焊錫等導電構(gòu)件構(gòu)成。圍繞殼體21的開口 21A的框體21E的下端21H和 導體22A通過連接構(gòu)件61連接。實施形態(tài)中的連接構(gòu)件61是焊錫。
連接構(gòu)件24的形狀和量影響到濾波器13的插入損失等特性。氣孔型濾波器13的腔 體113A 113C內(nèi)的角部容易集中電荷。諧振元件23A 23C和導體部22A的連接部分以 及殼體21和導體部22A的連接部分的形狀如果有銳角的部分，則該部分具有電荷集中的 傾向，對特性影響會變大。因此，為了使連接構(gòu)件24的形狀沒有銳角的部分，需要適當 地決定未形成絕緣膜25的導體部22A的上表面122A的露出部222A的尺寸。由此，能實 現(xiàn)插入損失較小的濾波器13。而且，由此可以減小焊錫等連接構(gòu)件24的量的偏差，從 而可以減小角部的形狀的偏差，能夠減小濾波器13和高頻裝置11的特性的偏差。
由于基板22的上表面22U上裝載有殼體21，因此導體部22A起到濾波器13的殼體 21的蓋子的作用，構(gòu)成濾波器13的腔體113A 113C。因此，不需要另外準備蓋子，也 不需要金屬模等，可以實現(xiàn)低價的濾波器13。并且，在基板22的下表面22L裝載有構(gòu) 成高頻電路11A和控制電路17的放大器26A和電子部件26。放大器26A是表面安裝型 電子部件，構(gòu)成高頻電路11A的LNA15和PA16，電子部件26也是表面安裝型，構(gòu)成高 頻電路11A和控制電路17的周邊電路。為了屏蔽高頻電路11A，在基板22的下表面22L 連接有金屬制的罩子27，以將電子部件26和放大器26A覆蓋。罩子27具有底板27A和 從底板27A的全部外周27B向上方延伸的側(cè)板27C，側(cè)板27C的上端27D連接于基板 22。由此，可以在基板22的上表面22U上形成有濾波器13，在下表面22L上形成循環(huán) 器14、 LNA15、 PA16和控制電路17等，因此可以得到小型的高頻裝置11 。
下面詳細說明高頻裝置11中對放大器26A所產(chǎn)生的熱量進行散熱的結(jié)構(gòu)。如圖2A 所示，隔板21D位于放大器26A的正上方。因此，放大器26A所產(chǎn)生的熱量通過基板22 傳遞到隔板21D。傳遞到隔板21D的熱量從箱體21B散熱。這樣，放大器26A通過濾波 器13的殼體21散熱，因此不需要另外準備散熱用的部件，能夠以低的價格且高的生產(chǎn) 率來制造高頻裝置11。實施形態(tài)中的隔板21D是由銅板構(gòu)成，因此具有高的熱傳導性。由此，構(gòu)成LNA15和PA16的放大器26A產(chǎn)生的熱量，很容易通過隔板21D散熱，因此即 使散熱面積隨著高頻裝置11的小型化而減少，也可以良好地進行散熱。
實施形態(tài)中，基板22是具有4層導電層的多層基板。接地層22B是這些導電層之 一。為了屏蔽形成于基板22的下表面22L的高頻電路IIA，構(gòu)成LNA15和PA16的放大 器26A的接地，即高頻電路11A的接地IIB連接于接地層22B。由此，放大器26A產(chǎn)生 的熱量可以通過接地層22B散熱，因此即使散熱面積隨著高頻裝置11的小型化而減少， 也可以良好地散熱。而且，即便不使用圖8所示的現(xiàn)有的高頻裝置1的安裝平板2也可 以進行放大器26A的散熱，因此可以使得高頻裝置11輕量化且小型化。
接地層22B最好與導體部22A大致同樣大小或者比該導體部22A大。由此，接地層 22B防止了濾波器13和高頻電路11A的信號的干涉。高頻電路11A由設(shè)置于基板22的 下表面22L的金屬制的罩子27和接地層22B圍起，可以可靠地進行屏蔽。
罩子27是通過沖壓加工等對表面處理鋼板進行切斷、彎折來整形的，所以能以便宜 的價格獲得。罩子27不限于沖壓加工，也可以通過壓鑄加工、切削加工等形成。但是， 重要的是罩子27要選擇熱傳導性良好的材料、表面處理。
實施形態(tài)中，連接器18安裝于基板22的上表面22U上。由此，不需要在罩子27上 設(shè)置從高頻裝置11的外部連接高頻裝置11和連接器18用的孔，可以可靠地對高頻電路 IIA進行屏蔽。而且，即使罩子27的下表面安裝有散熱板，也可以容易地從外部與連接 器18連接。
另外，本實施形態(tài)中，在基板22下表面22L，凹部22G設(shè)置在罩子27的側(cè)板27C 的正上方。接地層22B的露出部28從凹部22G顯露出來。罩子27的側(cè)板27C的上端 27D與接地層22B的露出部28接觸。由此，罩子27和接地層22B直接連接，因此可以 可靠地對高頻電路11A進行屏蔽。而且，構(gòu)成LNA15、 PA16的放大器26A所產(chǎn)生的熱量 通過接地層22B高效地傳遞給罩子27，因此即使散熱面積隨著高頻裝置11的小型化而 減少，也可以良好地進行散熱。另外，雖然本實施形態(tài)中罩子27是通過螺絲與基板22 固定的，但通過焊錫等連接也是可以的。
進一步地，本實施形態(tài)中導體部22A和接地層22B之間是非導通的。由此可以減少 高頻電路11A的信號向濾波器13泄露或者反過來濾波器13的信號進入(飛^込tf)高 頻電路11A等。
為了調(diào)整濾波器13的帶通特性，在殼體21上，在諧振元件23A 23C的上方分別設(shè) 置有調(diào)整螺絲29。通過使調(diào)整螺絲29旋轉(zhuǎn)，分別使諧振元件23A 23C和調(diào)整螺絲29 之間的距離變化，以調(diào)整濾波器13的帶通特性。另外，本實施形態(tài)中，在導體部22A上 配置有諧振元件23A 23C，因此調(diào)整螺絲29向基板22的反向側(cè)突出。因此，由于罩子27的底板27A平坦，能夠容易地將散熱板安裝在罩子27的底板27A上。進一步地，由 于罩子27與散熱板的接觸面積也可以較大，因此可以實現(xiàn)良好的散熱。
圖4是本實施形態(tài)的高頻裝置11的散熱體33放大剖視圖。為了顯露出接地層22B 的露出部32A、 32B，在基板22的下表面22L形成凹部22E。放大器26A安裝于凹部 22E。接地層22B的露出部32A與形成于放大器26A上表面的接地端子31連接。本實施 形態(tài)中，接地端子31與電子部件26同樣地通過焊錫焊接于接地層22B。在放大器26A 的側(cè)面設(shè)置有輸入端和輸出端。放大器26A的輸入端和輸出端分別與設(shè)置于基板22的下 表面22L的導體圖案(八°夕一乂)通過焊錫連接。由于放大器26A的接地端子31與從凹 部22E露出的接地層22B直接連接，因此放大器26A可以良好地進行散熱。
進一步地，接地層22B的露出部32B與露出部32A連接，從絕緣板22F和放大器 26A中露出。散熱體33包圍放大器26A的下方和側(cè)方。在接地層22B的露出部32B上安 裝有散熱體33的上端33A。散熱體33的下端33B與罩子27導熱性結(jié)合。由此，可以在 放大器26A近旁使放大器26A產(chǎn)生的熱量向罩子27散熱，因此可以良好地對放大器26A 進行散熱。本實施形態(tài)中，露出部32B在放大器26A的兩側(cè)與凹部22E連接形成。散熱 體33具有-字型形狀，其下端33B與安裝于罩子27內(nèi)表面的接觸彈簧34接觸。由此可 以對放大器26A進行良好的散熱。
圖5A是實施形態(tài)的其它的散熱體133的放大剖視圖。圖5A中，和圖4所示高頻裝 置相同的部分均采用相同的標記符號，其說明省略。圖5A所示的散熱體133具有從罩子 27的底板27A向上方突出的側(cè)板133A，側(cè)板133A的上端133B連接于接地層22B的露出 部32B。散熱體133圍住放大器26A的下方和側(cè)方。這樣，散熱體133由側(cè)板133A和罩 子.27的底板27A的一部分構(gòu)成，與罩子27形成為一體。由此，不再需要接觸彈簧34， 可以實現(xiàn)低價的高頻裝置11。散熱體133的側(cè)板133A也可以通過焊錫或者螺絲等固定 在罩子27上。由于如此通過螺絲或焊錫固定的散熱體133或接觸彈片34，即使因為罩 子27的制造尺寸的偏差等使得基板22和罩子27之間具有間隙，也可以使散熱體33與 罩子27充分接觸，因此可以對放大器26A的熱量進行良好的散熱。
圖5B是實施形態(tài)的另一其它的散熱體233的放大剖視圖。圖5B中，和圖5A所示散 熱體133相同的部分均采用相同的標記符號，其說明省略。圖5B所示的散熱體233具有 側(cè)板233A來替代圖5A所示的散熱體133的側(cè)板133A。側(cè)板233A的上端233B與接地層 22B的露出部32B連接。側(cè)板233A是將罩子27的底板27A的一部分向上彎折而形成 的。由此，在罩子27上形成有位于放大器26A的正下方的透孔(aperture) 233C。放大 器26A通過透孔233C從罩子27中顯露出來，因此通過透孔233C中空氣的流動，可以高 效地進行放大器26A的散熱。 ".圖6A是本實施形態(tài)的其它的高頻裝置111的放大剖視圖。圖6A中，和圖2A所示高 頻裝置11相同的部分均采用相同的標記符號，其說明省略。圖6A所示的高頻裝置111 中，進一步地包括設(shè)置于導體部22A和接地層22B之間的接地層22D。接地層22D被圖 案化(八'夕 一 >化)為規(guī)定的形狀。絕緣板22F具有位于上表面22U和接地層22D之間 的絕緣層122F、位于接地層22D和22B之間的絕緣層222F、位于接地層22B和下表面 22L之間的絕緣層322F。放大器26A的正上方的絕緣層122F中設(shè)置有連接導體部22A禾口 接地層22D的過孔導體(^ 7導體)22C。過孔導體22C進一步地將放大器26A發(fā)生的熱 量高效地傳遞給隔板21D。接地層22D的面積最好大于等于放大器26A的底面積。通過 這樣的構(gòu)成，即使散熱面積隨著高頻裝置111的小型化而減少，也可以使放大器26A良 好的散熱。而且，即便不使用圖8所示的現(xiàn)有的高頻裝置1的安裝平板2，也可以使放 大器26A散熱，因此可以實現(xiàn)高頻裝置111輕量化且小型化。
圖6B是本實施形態(tài)的另一其它的高頻裝置211的放大剖視圖。圖6B中，和圖6A所 示高頻裝置lll相同的部分均采用相同的標記符號，其說明省略。圖6B所示的高頻裝置 211中，代替圖6A所示的高頻裝置111的過孔導體22C，殼體21的隔板21D直接與接地 層22D連接?；?2的絕緣板22F的上表面22U上，設(shè)置有貫穿絕緣層122F使接地層 22D露出的凹部35。凹部35位于隔板21D的下端21H的正下方。隔板21D的下端21H和 接地層22D通過焊錫等連接構(gòu)件61連接。由此，從放大器26A傳遞給接地層22D的熱量 通過連接構(gòu)件61傳遞到隔板21D，因此可以有效地對放大器26A進行散熱。而且，最好 在凹部35的周圍形成有金屬膜。通過該金屬膜，熱量可以更容易地向殼體21傳遞。
圖7A和圖7B是實施形態(tài)中高頻裝置11的殼體21的放大剖視圖。在箱體21B的頂 板21F上設(shè)置有能使隔板21D的上端42插入的孔41 。圖7A中上端42并沒有從箱體21B 的頂板21F向上方突出。圖7B中上端42從箱體21B的頂板21F向上方突出。隔板21D 的上端42插入箱體21B的頂板21F的孔41中，通過由焊錫等金屬構(gòu)成的連接構(gòu)件43與 頂板21F連接。如圖2B所示，頂板21F具有金屬板121和分別設(shè)置于金屬板121的兩面 的金屬層221、 321。金屬層221設(shè)置于金屬板121的外表面，金屬層321設(shè)置于金屬板 121的內(nèi)表面。連接構(gòu)件43與頂板21F的外側(cè)的金屬層221連接。金屬層221具有比金 屬板121更高的熱傳導率，因此熱量可以容易的從隔板21D向箱體21B傳遞。
實施形態(tài)中，孔41是通過在從金屬層221向金屬板121的方向?qū)ο潴w21B的頂板 21F進行沖壓加工而形成的。由此，在天板21F的外側(cè)因沖壓加工而形成有圓角層(廣f ")44,所以金屬層221具有沿著孔41的內(nèi)壁41A延伸的延伸部45。由于連接構(gòu)件43 與延伸部45連接，故金屬層221與連接構(gòu)件43連接的面積可以比較大，熱量可以更容 易地從隔板21D向箱體21B傳遞。另外，實施形態(tài)中，"上表面"、"下表面"、"向上方"、"向下方"、"正下方"、"頂
板"、"底板"等指示方向的用語表示僅與殼體21、基板22、諧振元件23A 23C等高頻 裝置11的構(gòu)成部件的相對位置關(guān)系相依存的相對方向，并不是表示上下方向等絕對的方 向。
權(quán)利要求
1.一種高頻裝置，其特征在于，包括構(gòu)成為與天線連接的天線連接器；具有上表面和下表面的基板；設(shè)置于所述基板的所述上表面的導體部；與所述天線連接器連接、并裝載于所述基板的所述上表面的濾波器；以及與所述濾波器連接、并設(shè)置于所述基板的所述下表面的高頻電路，所述濾波器包括中空狀的殼體，所述殼體具有向下方開口的開口，并具有圍繞所述開口的下端；和收容于所述殼體的諧振元件，所述殼體的所述下端與所述導體部連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的高頻裝置，其特征在于，還包括絕緣膜，所述絕緣膜設(shè)置在所述導體部上且使得所述導體部具有露出所述導體部上 表面的第l露出部；第1連接構(gòu)件，該第1連接構(gòu)件將所述殼體的所述下端與所述導體部的所述上表面 的所述第l露出部連接。
3. 如權(quán)利要求2所述的高頻裝置，其特征在于，還包括 將所述諧振元件與所述導體部連接的第2連接構(gòu)件， 所述導體部的所述上表面還具有從所述絕緣膜露出的第2露出部， 所述諧振元件通過所述第2連接構(gòu)件與所述導體部的所述上表面的所述第2露出部連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的高頻裝置，其特征在于， 所述高頻電路包括放大器。
5. 如權(quán)利要求4所述的高頻裝置，其特征在于， 所述放大器具有接地端子，所述基板包括具有分別作為所述基板的所述上表面和所述下表面的上表面和下表面的絕緣板； 設(shè)置于所述絕緣板內(nèi)部、并且與所述放大器的所述接地端子連接的接地層。
6. 如權(quán)利要求5所述的高頻裝置，其特征在于，還包括 設(shè)置于所述基板的所述下表面的金屬制的罩子， 所述高頻電路設(shè)置于所述基板的所述下表面， 所述罩子覆蓋所述高頻電路并且與所述接地層連接。
7. 如權(quán)利要求5所述的高頻裝置，其特征在于， 所述接地層與所述導體部非導通。
8. 如權(quán)利要求5所述的高頻裝置，其特征在于，在所述基板的所述下表面設(shè)置有凹部，以便所述接地層具有露出的第1露出部， 所述高頻電路設(shè)置于所述基板的所述下表面， 所述放大器的所述接地端子連接于所述接地層的所述第1露出部。
9. 如權(quán)利要求5所述高頻裝置，其特征在于，還包括 設(shè)置于所述基板的所述下表面的金屬制的罩子； 與所述接地層和所述罩子連接的散熱體， ' 所述高頻電路設(shè)置于所述基板的所述下表面， 所述罩子覆蓋所述高頻電路，并且與所述接地層連接， 所述接地層還具有從所述凹部和所述放大器露出的第2露出部， 所述散熱體與所述接地層的所述第2露出部連接。
10. 如權(quán)利要求9所述的高頻裝置，其特征在于， 所述散熱體包圍所述放大器的下方和側(cè)面。
11. 如權(quán)利要求2所述的高頻裝置，其特征在于，所述殼體具有箱體和設(shè)置于所述箱體內(nèi)、并將所述箱體分隔成多個腔體的隔板，所述隔板具有與所述箱體連接的上端和與所述基板連接的下端，所述放大器位于所述隔板的正下方。
12. 如權(quán)利要求ll所述的高頻裝置，其特征在于，所述箱體具有金屬板和金屬層，所述金屬層設(shè)置于所述金屬板的外表面，并具有比 所述金屬板大的熱傳導率，所述箱體上形成有可以由所述隔板的所述上端插通的孔，所述殼體還包括將所述隔 板的所述上端與所述金屬層連接的、由金屬構(gòu)成的連接構(gòu)件。
13. 如權(quán)利要求12所述的高頻裝置，其特征在于， 所述隔板和所述金屬層由相同的金屬構(gòu)成。
14. 如權(quán)利要求ll所述的高頻裝置，其特征在于， 所述高頻電路具有接地，所述基板包括具有分別作為所述基板的所述上表面和所述下表面的上表面和下表面的絕緣板； 設(shè)置于所述絕緣板內(nèi)、并且與所述高頻電路的所述接地連接的接地層， 所述隔板的所述下端與所述接地層連接。
15. 如權(quán)利要求14所述的高頻裝置，其特征在于，還包括 位于所述放大器的正上方、連接所述接地層和所述導體部的導體。
全文摘要
本發(fā)明的高頻裝置包括構(gòu)成為與天線連接的天線連接器、基板、設(shè)置于基板上表面的導體部、與天線連接器連接并裝載于基板上表面的濾波器和與濾波器連接并設(shè)置于基板下表面的高頻電路。濾波器包括中空狀的殼體和收容于殼體內(nèi)的諧振元件。殼體有一向下方開口的開口，還有圍繞開口的下端。殼體的下端與導體部相連接。該高頻裝置是小型的。
文檔編號H04B1/06GK101662297SQ200910171590
公開日2010年3月3日 申請日期2009年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月28日
發(fā)明者中村俊昭, 北川元祥, 山田貴司, 淺川恭輝, 難波英樹, 高野伸司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社