專(zhuān)利名稱(chēng)：基于MR Sensor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法及其手機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法及該手機(jī)，特別是涉及一種基于MR Sensor 進(jìn)行手機(jī)開(kāi)合蓋狀態(tài)識(shí)別的方法及采用該識(shí)別方法的手機(jī)。
背景技術(shù)：
如今電子產(chǎn)品外觀設(shè)計(jì)要求越來(lái)越高，結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，如手機(jī)，手機(jī)中央處理器 需要得到手機(jī)狀態(tài)的狀態(tài)，從而對(duì)應(yīng)不同的界面。傳統(tǒng)的手機(jī)狀態(tài)識(shí)別方法有二種一種采 用接近傳感器依靠紅外線(xiàn)的發(fā)射與發(fā)射來(lái)判斷是否有物體靠近，從而識(shí)別手機(jī)的狀態(tài)。其 缺點(diǎn)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本非常高，且使用場(chǎng)合受限。第二種是采用霍爾器件即利用垂直于霍 爾器件的磁場(chǎng)來(lái)判斷磁鐵是否靠近，從而識(shí)別手機(jī)的狀態(tài)。但這種方法也存在成本較高，使 用場(chǎng)合受限的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服現(xiàn)有手機(jī)等電子產(chǎn)品在進(jìn)行狀態(tài)識(shí)別時(shí) 存在識(shí)別成本高且使用場(chǎng)合受限的缺陷，提供一種識(shí)別靈敏度高，且成本很低、使用場(chǎng)合也 不受限的基于MR knsor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法及使用該MR knsor進(jìn)行狀態(tài)識(shí)別的手 機(jī)。本發(fā)明是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題的一種基于MRknsor進(jìn)行手 機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法，其特征在于，其包括以下步驟S1、將至少一 MR Sensor置于手機(jī)上蓋的邊緣；S2、將至少一磁鐵置于手機(jī)下蓋邊緣，并使磁鐵的磁力線(xiàn)能水平穿過(guò)該MR Sensor ；&、開(kāi)合手機(jī)上、下蓋，該MR Sensor進(jìn)行磁場(chǎng)感應(yīng)檢測(cè)；、、該MRknsor將感應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)反饋至中央處理器。其中，步驟&中該MR Sensor進(jìn)行磁場(chǎng)感應(yīng)的檢測(cè)包括S31、當(dāng)手機(jī)處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)，該MR knsor感應(yīng)到無(wú)磁力線(xiàn)；S32、當(dāng)手機(jī)處于合蓋狀態(tài)時(shí)，該MR knsor感應(yīng)到有磁力線(xiàn)。其中，該磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度為大于或等于1. 5Mt。本發(fā)明還提供一種使用上述的識(shí)別方法的手機(jī)，其包括一設(shè)于該手機(jī)內(nèi)的一中央 處理器，其特征在于，其還包括至少分別設(shè)于該手機(jī)上下蓋上的一磁鐵及一MR Sensor，其 中，當(dāng)手機(jī)處于合蓋狀態(tài)時(shí)，該磁鐵的磁力線(xiàn)水平穿過(guò)該MR Sensor0其中，該MR knsor與該中央處理器電連接。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于由于當(dāng)磁場(chǎng)水平穿過(guò)MR Sensor(英文全稱(chēng) Magnet-Resistance sensor，磁阻傳感器)時(shí)，MR knsor就會(huì)產(chǎn)生中斷信號(hào)，因此本發(fā)明 利用MR knsor感應(yīng)是否有水平磁力線(xiàn)穿過(guò)，進(jìn)行磁鐵靠近或遠(yuǎn)離的判斷，從而有效識(shí)別手 機(jī)開(kāi)、合蓋的狀態(tài)。本發(fā)明不僅識(shí)別靈敏度高，且其制造成本低，使用方便，可以解決各種型號(hào)手機(jī)的開(kāi)、合蓋狀態(tài)的識(shí)別與判斷。


圖1為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的MR Sensor的基本應(yīng)用原理圖。圖2為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的合蓋狀態(tài)下翻蓋手機(jī)的應(yīng)用結(jié)構(gòu)圖。圖3為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的開(kāi)蓋狀態(tài)下翻蓋手機(jī)的應(yīng)用結(jié)構(gòu)圖。圖4為本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的正向合蓋狀態(tài)下的旋屏手機(jī)的應(yīng)用圖。圖5為本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的反向合蓋狀態(tài)下的旋屏手機(jī)的應(yīng)用圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明提供一種基于MR knsor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法，其包括以下步驟S1、將MR Sensor設(shè)于手機(jī)上蓋的靠近邊緣的底端；&、將磁鐵置于手機(jī)下蓋的靠近邊緣處的底端，并使磁鐵的磁力線(xiàn)能水平穿過(guò)該 MR Sensor ；該磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度為大于或等于1. 5Mt。即1. 5Mt磁場(chǎng)強(qiáng)度為磁場(chǎng)感應(yīng)的最低 識(shí)別門(mén)限。S3、當(dāng)手機(jī)上、下蓋開(kāi)合狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)，該MR knsor進(jìn)行相應(yīng)的磁場(chǎng)感應(yīng)檢 測(cè)；當(dāng)手機(jī)處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)，該MR knsor感應(yīng)到無(wú)磁力線(xiàn)；當(dāng)手機(jī)處于合蓋狀態(tài)時(shí)，該MR Sensor感應(yīng)到有磁力線(xiàn)。、、該MRknsor將感應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)反饋至中央處理器。本發(fā)明還提供一種使用MR knsor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的手機(jī)，其至少包括一設(shè) 于該手機(jī)內(nèi)的中央處理器，一分別設(shè)于該手機(jī)上下蓋上的一磁鐵及一 MR Sensor,由于MR knsor器件的特點(diǎn)是當(dāng)磁場(chǎng)水平穿過(guò)MR knsor時(shí)，MR knsor就會(huì)產(chǎn)生中斷信號(hào)，因此， 當(dāng)手機(jī)處于合蓋狀態(tài)時(shí)，該磁鐵的磁力線(xiàn)水平穿過(guò)該MR Sensor0其中，該MR knsor與該 中央處理器電連接。MR knsor與中央處理器電連接部分及中央處理器的工作原理部分為 現(xiàn)有技術(shù)，在此不作贅述。結(jié)合不同款式的手機(jī)，具體實(shí)施方式
如下實(shí)施例1如圖1所示，圖1為MR knsor基本應(yīng)用原理圖。磁鐵1的位置可以在MR Sensor 2的上方，也可以和MR Sensor2在同一水平面上，甚至磁鐵1和MR Sensor 2略微錯(cuò)開(kāi)也可 以識(shí)別。實(shí)施例2如圖2，圖3所示的一翻蓋手機(jī)4，圖2為MR Sensor應(yīng)用于合蓋狀態(tài)下翻蓋手機(jī) 的結(jié)構(gòu)圖，圖3為MR knsor應(yīng)用于開(kāi)蓋狀態(tài)下翻蓋手機(jī)的結(jié)構(gòu)圖。將磁鐵3的極性水平 放置在翻蓋手機(jī)4的上蓋401的靠邊緣的底端，磁鐵3的N極或S極朝向板尾，S極或N極 遠(yuǎn)離板尾，靠所示磁力線(xiàn)301水平穿過(guò)MR Sensor 5，來(lái)感應(yīng)翻蓋手機(jī)4的開(kāi)、合蓋狀態(tài)。狀態(tài)識(shí)別對(duì)應(yīng)表為
權(quán)利要求
1.一種基于MR knsor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法，其特征在于，其包括以下步驟 S1、將至少一 MR Sensor置于手機(jī)上蓋的邊緣；&、將至少一磁鐵置于手機(jī)下蓋邊緣，并使磁鐵的磁力線(xiàn)能水平穿過(guò)該MR Sensor ； S3、開(kāi)合手機(jī)上、下蓋，該MR knsor進(jìn)行磁場(chǎng)感應(yīng)檢測(cè)； 、、該MR Sensor將感應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)反饋至中央處理器。
2.如權(quán)利要求1所述的基于MRknsor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法，其特征在于，步驟& 中該MR Sensor進(jìn)行磁場(chǎng)感應(yīng)的檢測(cè)包括531、當(dāng)手機(jī)處于開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)，該MRknsor感應(yīng)到無(wú)磁力線(xiàn)；532、當(dāng)手機(jī)處于合蓋狀態(tài)時(shí)，該MRSensor感應(yīng)到有磁力線(xiàn)。
3.如權(quán)利要求1所述的基于MRknsor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法，其特征在于，該磁鐵 的磁場(chǎng)強(qiáng)度為大于或等于1. 5Mt。
4.一種使用如權(quán)利要求1所述的識(shí)別方法的手機(jī)，其包括一設(shè)于該手機(jī)內(nèi)的一中央處 理器，其特征在于，其還包括至少分別設(shè)于該手機(jī)上下蓋上的一磁鐵及一 MR Sensor，其 中，當(dāng)手機(jī)處于合蓋狀態(tài)時(shí)，該磁鐵的磁力線(xiàn)水平穿過(guò)該MR Sensor0
5.如權(quán)利要求4所述的識(shí)別方法的手機(jī)，其特征在于，該MRknsor與該中央處理器電 連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于MR Sensor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的方法及其手機(jī)，該方法包括以下步驟S1、將至少一MR Sensor置于手機(jī)上蓋的邊緣；S2、將至少一磁鐵置于手機(jī)下蓋邊緣，并使磁鐵的磁力線(xiàn)能水平穿過(guò)該MRSensor；S3、開(kāi)合手機(jī)上、下蓋，該MR Sensor進(jìn)行磁場(chǎng)感應(yīng)檢測(cè)；S4、該MR Sensor將感應(yīng)的檢測(cè)信號(hào)反饋至中央處理器。使用MR Sensor進(jìn)行手機(jī)狀態(tài)識(shí)別的手機(jī)包括一設(shè)于該手機(jī)內(nèi)的中央處理器，至少分別設(shè)于該手機(jī)上下蓋上的一磁鐵及一MR Sensor，其中，當(dāng)手機(jī)處于合蓋狀態(tài)時(shí)，該磁鐵的磁力線(xiàn)水平穿過(guò)該MR Sensor。本發(fā)明不僅識(shí)別靈敏度高，且其制造成本低，使用方便，用于各種樣式的手機(jī)的開(kāi)、合蓋狀態(tài)的識(shí)別與判斷。
文檔編號(hào)H04M1/02GK102118459SQ200910215490
公開(kāi)日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者黃穎 申請(qǐng)人:上海晨興希姆通電子科技有限公司