專利名稱：壓電聲換能器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—個或多個實施例涉及一種壓電聲換能器(piezoelectric acoustictransducer)以及制造該壓電聲換能器的方法。
背景技術(shù)：
壓電聲換能器利用壓電現(xiàn)象在聲能和電能之間進行轉(zhuǎn)換。壓電聲換能器的例子包 括將電能轉(zhuǎn)換為聲能的微型揚聲器以及將聲能轉(zhuǎn)換為電能的麥克風(fēng)。 例如，壓電聲換能器包括振動板，在振動板中，第一電極、壓電層和第二電極堆疊 在膜片(di即hragm)上，其中，壓電聲換能器通過將電壓施加到第一和第二電極來使壓電 層膨脹或收縮，以使振動板振動。這些壓電聲換能器可以使振動板振動，而不需要使用另外 的磁體或驅(qū)動線圈。因此，與諸如電動揚聲器(electro-dynamic speaker)的音圈型聲換 能器相比，壓電聲換能器的結(jié)構(gòu)更簡單。 隨著諸如移動電話或個人數(shù)字助理(PDA)的小型電子裝置的發(fā)展，用于使小型電 子裝置中使用的聲換能器小型化的技術(shù)也已發(fā)展。在這一方面，具有簡單結(jié)構(gòu)的壓電聲換 能器容易小型化。在利用微機電系統(tǒng)(MEMS)使硅晶片上的壓電聲換能器小型化的技術(shù)中， 可用半導(dǎo)體制造工藝來制造壓電聲換能器，因此制造成本可減少。此外，可在單個芯片中包 括多個電路，因此聲器件可被小型化。 可以以相對簡單的工藝來制造壓電聲換能器，并且壓電聲換能器會易于小型化。 然而，在這些壓電聲換能器中，聲輸出(acoustic output)或靈敏度比音圈型聲換能器中的 低。

發(fā)明內(nèi)容
—個或多個實施例可包括一種能夠被小型化并且具有高聲輸出的壓電聲換能器 及其制造方法。 另外的方面將在下面的描述中被部分地闡述，并且部分地將通過描述而明顯，或 者通過實施例的實踐而了解。 —個或多個實施例可包括一種壓電聲換能器，包括基底，形成有穿孔區(qū)域；壓電 部分，位于穿孔區(qū)域的中間部分中，并且包括壓電層以及設(shè)置在壓電層的兩側(cè)的第一電極 和第二電極；變形層，連接到壓電部分的外周和基底，并且變形層是可彈性變形的，其中，壓 電部分的平面變形被傳遞給變形層，或者變形層的變形被傳遞給壓電部分，以使得變形層 與壓電部分一起振動。另外，第一電極可形成在壓電層的下側(cè)比壓電層小的區(qū)域中，第二電 極可形成在壓電層的上側(cè)比壓電層小的區(qū)域中，變形層可從基底的外邊緣延伸超過第二電 極的邊緣。 —個或多個實施例可包括一種壓電聲換能器，包括基底，形成有穿孔區(qū)域；變形 層，位于穿孔區(qū)域的中間部分中，并且變形層可以是可彈性變形的；壓電部分，連接變形層 的外周與基底，使得壓電部分的平面變形可被傳遞給變形層，或者變形層的變形被傳遞給
4壓電部分，以使得壓電部分與變形層一起振動，壓電部分可包括壓電層以及設(shè)置在壓電層 的兩側(cè)的第一電極和第二電極。此外，第一電極可形成在壓電層的下側(cè)比壓電層小的區(qū)域 中，并且可延伸超過變形層的外周，第二電極可形成在壓電層的上側(cè)比壓電層小的區(qū)域中， 壓電部分可從基底的內(nèi)邊緣延伸至超過變形層的外邊緣。 壓電部分的幾何中心面可位于與變形層的幾何中心面不同的平面上。 所述壓電聲換能器還可包括壓電部分絕緣層，設(shè)置在壓電層與第一電極之間，或
者設(shè)置壓電層與第二電極之間，或者設(shè)置壓電層與第一電極之間以及壓電層與第二電極之間。 所述壓電聲換能器還可包括第一電極端子和第二電極端子，通過第一電極端子 和第二電極端子將電壓施加到第一電極和第二電極，第一電極端子和第二電極端子設(shè)置在 基底的上側(cè)；第一引線和第二引線，分別將第一電極和第二電極連接到第一電極端子和第 二電極端子。 所述壓電聲換能器還可包括基底絕緣層，設(shè)置在基底的上側(cè)與第一電極端子之
間以及基底的上側(cè)與第二電極端子之間。
變形層可由聚對二甲苯或氧化硅形成。壓電層可由Zn0、AlN、PZT、PbTi03或PLT形成。 第一電極和第二電極可由從由Cr、Au、Cu、Al、Mo、Ti和Pt及其任何混合物組成的 組中選擇的至少一種金屬形成。 壓電聲換能器可以是微型揚聲器或麥克風(fēng)。 —個或多個實施例可包括一種制造壓電聲換能器的方法，該方法包括在基底上 形成包括第一電極、第一引線和第一電極端子的第一電極部分；在第一電極上形成壓電層； 在壓電層上形成第二電極，并在基底上形成包括第二引線和第二電極端子的第二電極部 分；在基底的沒有形成壓電層的區(qū)域中形成變形層；對基底的形成有壓電層和變形層的下 部進行蝕刻，以形成膜片。 壓電層可形成在基底的預(yù)定區(qū)域中，變形層可部分地形成在基底的形成有壓電層 的所述預(yù)定區(qū)域中，并部分地形成在基底的沒有形成壓電層的所述預(yù)定區(qū)域的外圍區(qū)域 中。 變形層可形成在基底的預(yù)定區(qū)域中，壓電層可部分地形成在基底的形成有變形層 的所述預(yù)定區(qū)域中，并部分地形成在基底的沒有形成變形層的所述預(yù)定區(qū)域的外圍區(qū)域 中。 所述方法還可包括在形成第一電極部分之前，在基底上形成絕緣層。
壓電層的幾何中心面可位于與變形層的幾何中心面不同的平面上。


通過下面結(jié)合附圖對實施例的描述，這些和/或其他方面將會變得清楚并更容易 理解，其中 圖1示出根據(jù)實施例的壓電聲換能器的平面圖； 圖2A至圖2C是根據(jù)其它實施例的分別沿線A-B、C-D和C_0_A截取的圖1所示的 壓電聲換能器的剖視 圖3A至圖4B示出根據(jù)實施例的圖1的壓電聲換能器的操作；
圖5示出根據(jù)另一實施例的圖1的壓電聲換能器的變形；
圖6示意性地示出根據(jù)另一實施例的壓電聲換能器； 圖7A至圖7D是示出根據(jù)實施例的制造圖1的壓電聲換能器的方法的示圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細說明實施例，其示例示出于附圖中，在附圖中，相同的標號始終表示相
同的元件。在這一方面，實施例可以有不同的形式，并且不應(yīng)被解釋為限于這里所闡述的描
述。因此，以下在附圖中參照并描述的實施例意在解釋本發(fā)明的多個方面。 圖1示出根據(jù)實施例的壓電聲換能器100的平面圖，圖2A至圖2C是根據(jù)其它實
施例的分別沿線A-B、 C-D和C-0-A截取的圖1所示的壓電聲換能器的剖視圖。 參照圖1以及圖2A至圖2C，根據(jù)當前實施例的壓電聲換能器100包括基底110，
形成有穿孔區(qū)域110a ;壓電部分，位于穿孔區(qū)域110a的中心部分；變形層130，連接壓電部
分的外周與基底IIO。 基底110可由一般材料，例如硅、玻璃等形成?；?10包括穿孔區(qū)域110a。穿孔 區(qū)域110a釋放(release)壓電部分和變形層130，以限定膜片(di即hragm)區(qū)域D，這將在 稍后進行描述。穿孔區(qū)域110a可以形成為例如圓形。圖l所示的參考標號100-1表示膜 片區(qū)域D的邊界。 壓電部分位于穿孔區(qū)域110a的中間部分中。圖1所示的參考標號100-3表示壓 電部分的外周的邊界。 壓電部分具有壓電電容結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括壓電層150以及設(shè)置在壓電層150兩側(cè) 的第一電極171和第二電極181。 第一電極171連同第一引線172和第一電極端子173 —起形成第一電極部分170。 第一電極端子173被設(shè)置在壓電部分的外周的外側(cè)，第一引線172將第一電極171與第一 電極端子173電連接。第一電極部分170可由從下述組中選擇的至少一種材料形成所述 組由Cr、Au、Cu、Al、Mo、Ti和Pt及其任何混合物組成。例如，第一電極部分170可形成為 單層或者多金屬層，如Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo和Ti/Pt。 壓電層150可形成為覆蓋第一電極171。換言之，壓電層150可形成在第一電極 171上，且比第一電極171略寬，以使得第一電極171和第二電極181可以彼此絕緣。壓電 層150可由一般壓電聲換能器中使用的壓電材料，如ZnO、AlN、PZT、PbTi03或PLT形成。
第二電極181連同第二引線182和第二電極端子183 —起形成第二電極部分180。 第二電極端子183被設(shè)置在壓電部分的外周的外側(cè)，第二引線182將第二電極181與第二 電極端子183電連接。第二電極部分180可形成為單層或者多金屬層，如Cr/Au、Au/Cu、Al、 Mo和Ti/Pt。第二電極181可以比壓電層150略小。第一電極171和第二電極181可以關(guān) 于被置于第一電極171和第二電極181之間的壓電層150彼此對稱。圖1所示的壓電部分 的外周的邊界100-3成為壓電層150的外周的邊界，標號100-4表示第一電極171和第二 電極181的外周的邊界。 變形層130連接壓電部分的外周與基底110，并且是可彈性變形的。變形層 130可從基底的外邊緣延伸超過第二電極181的邊緣。變形層130可由諸如聚對二甲苯(parylene)或低應(yīng)力非化學(xué)計量氮化硅(SixNy)的材料形成。變形層130可由具有小彈性 模量和低殘余應(yīng)力的材料形成，從而可以改善低頻音頻帶寬中的特性。
變形層130包括基底接合部分131、變形部分132和壓電部分接合部分133?；?接合部分131設(shè)置在基底110上。在圖1中，膜片區(qū)域D的邊界100-1成為基底接合部分 131的內(nèi)邊界。第一電極端子173和第二電極端子183所在的基底接合部分131的區(qū)域是 敞開的，以使得可以從外部與第一電極端子173和第二電極端子183電接觸。變形部分132 和壓電部分接合部分133設(shè)置在基底110的穿孔區(qū)域110a中。壓電部分接合部分133與 壓電層150的外周以及第二電極181的外周接觸，并支撐釋放的壓電部分。圖1中所示的 參考標號100-5表示壓電部分接合部分133的內(nèi)邊緣。如上所述，第二電極181形成為略 小于壓電層150，壓電層150的外周和第二電極181的外周呈階梯，以使得用于將壓電部分 接合部分133與壓電層150以及第二電極181結(jié)合的力可增大。變形部分132連接基底接 合部分131與壓電部分接合部分133，并且可以自由地、彈性地變形。變形部分132不延伸 到壓電部分接合部分133的內(nèi)邊緣100-5，因此第二電極181可被暴露于外部。
變形層130形成為相對于壓電層150具有預(yù)定高度差H。在這一方面，所述高度 差H對應(yīng)于變形層130的幾何中心面P2與壓電層150的幾何中心面Pl之間的距離。換言 之，壓電層150的平面變形力的中心線(見圖3A的Fl或圖4A的F3)形成在與變形層130 的幾何中心面P2不同的平面上。以動態(tài)的觀點來看變形層130，當以尺寸進行比較時，基底 接合部分131和壓電部分接合部分133是可忽略的，因此變形部分132的幾何中心面可被 定義為變形層130的幾何中心面P2。同時，除了第一電極171和第二電極181之外，在壓電 層150上沒有堆疊其它層。當?shù)谝浑姌O171和第二電極181關(guān)于它們之間的壓電層150對 稱時，壓電層150膨脹或收縮，而不彎曲。此外，壓電層150的橫向尺寸遠大于其縱向尺寸。 因此，壓電層150的壓電變形主要發(fā)生在壓電層150沿平面方向膨脹或收縮時。換言之，當 電壓被施加到第一電極171和第二電極181時，在壓電層150中產(chǎn)生使壓電層150膨脹或 收縮的平面變形力。壓電層150的平面變形力的中心線所在的平面被定義為壓電層150的 幾何中心面Pl。第一電極171的厚度可形成為與變形層130的厚度相比不可忽略，以使得 變形層130相對于壓電層150具有預(yù)定高度差H。 還可在第一電極171和第二電極181中的至少一個與壓電層150之間設(shè)置壓電部 分絕緣層。 可在第一電極端子173以及第二電極端子183與基底IIO之間設(shè)置基底絕緣層
120。例如，當基底110由導(dǎo)電材料(如硅)形成時，基底絕緣層120使基底IIO與第一電
極端子173以及第二電極端子183之間的部分電絕緣。圖1所示的參考標號100-2表示基
底絕緣層120的內(nèi)邊界。如果基底110具有絕緣性質(zhì)，則可省略基底絕緣層120。 接下來，將參照圖3A至圖4B描述根據(jù)當前實施例的壓電聲換能器100的操作。 圖3A和圖3B示出當預(yù)定電壓被施加到壓電層150時，由于壓電層150的平面膨
脹導(dǎo)致的膜片的運動。 如上所述，由于變形層130的幾何中心面P2與壓電層150的幾何中心面Pl彼此 不一致，所以在壓電層150中產(chǎn)生的膨脹變形力Fl不與變形層130的反作用力F2產(chǎn)生在 同一條線上。這樣，膨脹變形力Fl起到使變形部分132圍繞中心點C逆時針Rl扭曲的扭 矩的作用。結(jié)果，如圖3B所示，壓電部分向下運動。
圖4A和圖4B示出當預(yù)定電壓被施加到壓電層150時，由于壓電層150的平面收 縮導(dǎo)致的膜片的運動。 如上所述，由于變形層130的幾何中心面P2與壓電層150的幾何中心面Pl彼此 不一致，所以在壓電層150中產(chǎn)生的收縮變形力F3不與變形層130的反作用力F4產(chǎn)生在 同一條線上。這樣，收縮變形力F2起到使變形部分132圍繞中心點C順時針R2扭曲的扭 矩的作用。結(jié)果，如圖4B所示，壓電部分向上運動。 如上所述，隨著壓電層150膨脹或收縮，變形部分132彎曲，從而包括壓電部分的 膜片向上或向下振動。根據(jù)壓電聲換能器100的振動機制，變形層130僅在膜片的外周中 被使用，以使得結(jié)構(gòu)剛性可減小，并且可期望低電壓驅(qū)動下的上下振動。換言之，在根據(jù)當 前實施例的壓電聲換能器100中，壓電部分的壓電變形力不引起壓電部分的直接彎曲，而 是用作關(guān)于變形層130的扭矩，從而可改善膜片的振動特性。 在上述實施例中，變形層130的幾何中心面P2與壓電層150的幾何中心面P1彼此 不一致。然而，實施例不限于此。例如，即使變形層130的幾何中心面P2與壓電層150的 幾何中心面P1彼此一致，當壓電層150的殘余應(yīng)力和變形層130的殘余應(yīng)力不產(chǎn)生在同一 平面上時，變形層130的幾何中心面P2與壓電層150的幾何中心面Pl的彎曲軸(bending axis)不一致，并且產(chǎn)生偏心壓縮力或張力，變形層130也可彎曲。 已經(jīng)在電壓被施加到第一電極171和第二電極181時的情況下(即，微型揚聲器 的情況下)解釋了根據(jù)上述實施例的壓電聲換能器100的操作。然而，壓電層150的電能 和壓電變形能的轉(zhuǎn)換可以被相反地執(zhí)行。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員足以理解的是，根據(jù)當 前實施例的壓電聲換能器100可被用在將外部振動轉(zhuǎn)換為電能的麥克風(fēng)中。
圖5示出根據(jù)另一實施例的圖1的壓電聲換能器100的變形。參照圖5，根據(jù)當前 實施例的壓電聲換能器101還包括設(shè)置在壓電層150和第二電極181之間的壓電部分絕緣 層185。因此，可防止在大功率的壓電聲換能器101的壓電層150中可能發(fā)生的絕緣破壞。
圖6示意性地示出根據(jù)另一實施例的壓電聲換能器200。 參照圖6，根據(jù)當前實施例的壓電聲換能器200包括基底210，形成有穿孔區(qū)域 210a ;變形層230，位于穿孔區(qū)域210a的中間部分；壓電部分，連接變形層230的外周與基 底210。 基底210的穿孔區(qū)域210a限定膜片，并且可形成為例如圓形。 變形層230包括變形部分231和壓電部分接合部分233。變形部分231隨著壓電
部分的膨脹或收縮而彎曲。壓電接合部分233將變形部分231與壓電部分結(jié)合。 壓電部分從基底210的內(nèi)邊緣開始向著變形層230的外周形成。壓電部分可從基
底210的內(nèi)邊緣延伸至超過變形層230的外邊緣。壓電部分具有壓電電容結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包
括壓電層250以及設(shè)置在壓電層250的兩側(cè)的第一電極271和第二電極281。變形層230
的幾何中心面P2'和壓電層250的幾何中心面Pl'具有高度差H'。第一電極271連同第一
引線(未示出)和第一電極端子273 —起形成第一電極部分270，第二電極281連同第二引
線282和第二電極端子283 —起形成第二電極部分280。基底絕緣層220被置于基底210
與第一電極端子273以及第二電極端子283之間。 圖6的壓電聲換能器200的振動機制與圖1的壓電聲換能器100的振動機制基本 相同。換言之，如圖1中一樣，隨著電壓被施加到壓電層250，在壓電層250中產(chǎn)生使壓電層
8250膨脹或收縮的平面變形力。在壓電層250中產(chǎn)生使壓電層250膨脹或收縮的平面變形 力，由于變形層230的幾何中心面P2'和壓電層250的幾何中心面Pl'之間的高度差H'，該 平面變形力用作使變形部分231扭曲的扭矩，這樣，構(gòu)成膜片的變形層230和壓電部分向上 或向下振動。 接下來，將描述根據(jù)實施例的制造壓電聲換能器的方法。圖7A至圖7D是示出根 據(jù)實施例的制造壓電聲換能器100的方法的示圖。 參照圖7A，首先，制備基底110。在基底110的預(yù)定區(qū)域中形成基底絕緣層120。 當硅基底用作基底110時，氧化硅(Si02)被沉積在基底110的整個表面上，然后被圖案化， 從而在基底110的預(yù)定區(qū)域中形成基底絕緣層120。 接下來，參照圖7B，利用沉積工藝(如濺射或蒸鍍)形成單層或多金屬層，如Cr/ Au、 Au/Cu、 Al、 Mo和Ti/Pt。然后，所述單層或多金屬層被圖案化，以形成第一電極171、第 一引線172和第一電極端子173，從而形成第一電極部分170。接著，在第一電極171上堆 疊壓電層150。壓電層150被形成為覆蓋第一電極171，以使得壓電層150比第一電極171 寬。由ZnO、AlN、PZT、PbTi03或PLT形成的壓電層150可通過濺射或旋涂(spin coating) 被沉積，然后可被部分地蝕刻。接著，利用單層或多金屬層(如Cr/Au、Au/Cu、Al、Mo和Ti/ Pt)來形成包括第二電極181、第二引線182 (見圖2B)和第二電極端子183 (見圖2B)的第 二電極部分180。可利用沉積和蝕刻工藝或者剝離(lift-off)工藝來形成第二電極部分 180。第二電極181形成為比壓電層150小。 接下來，參照圖7C，聚對二甲苯或氮化硅被沉積在壓電層150以及第一電極部分 170和第二電極部分180上，聚對二甲苯或氮化硅薄層的部分區(qū)域130a和130b被選擇性地 蝕刻，從而形成變形層130。例如，可通過使用光致抗蝕劑作為蝕刻掩模的02等離子體蝕刻 來選擇性地蝕刻聚對二甲苯薄層。第一電極171可形成為與變形層130的厚度相比不可忽 略的厚度，以使得變形層130相對于壓電層150具有預(yù)定高度差H。 接下來，參照圖7D，通過以下方式在基底110的后表面形成膜片區(qū)域D :蝕刻基底 110的后表面，直到壓電部分的底表面和變形層130的底表面的部分被暴露為止，從而在基 底110中形成穿孔區(qū)域110a。基底110(例如，硅基底)的后表面可通過Si深度感應(yīng)耦合 等離子體反應(yīng)離子蝕刻(inductivccoupled plasma reactive ion etching, ICP RIE)來 蝕刻。以這樣的方式，變形層130和壓電部分被釋放，從而形成膜片。 如上所述，根據(jù)上述實施例中的一個或多個，僅在膜片的外周中使用低殘余應(yīng)力 的聚對二甲苯或低應(yīng)力非化學(xué)計量氮化硅(SixNy)，以使得結(jié)構(gòu)剛度可減小，并且可期望低 電壓驅(qū)動下的大變形。 另外，根據(jù)上述實施例中的一個或多個，可提供能夠小型化并且具有高聲輸出的 壓電聲換能器。另外，可實現(xiàn)低電壓驅(qū)動型壓電聲換能器，并且可在低頻音頻帶寬中提供足 夠的語音壓力(voice pressure)。 應(yīng)該理解的是，這里描述的實施例應(yīng)該被理解為僅是說明性目的，而非出于限制 性目的。每一實施例中的特征或方面的描述通常應(yīng)該被認為是對其它實施例中的其它相似 特征或方面可用。
權(quán)利要求
一種壓電聲換能器，包括基底，在基底中形成有穿孔區(qū)域；壓電部分，位于穿孔區(qū)域的中間部分中，該壓電部分包括壓電層，第一電極，設(shè)置在壓電層的第一側(cè)，第二電極，設(shè)置在壓電層的第二側(cè)；變形層，能夠彈性變形，并且連接壓電部分的外周與基底，其中，壓電部分的平面變形被傳遞給變形層，或者變形層的變形被傳遞給壓電部分，以使得變形層與壓電部分一起振動。
2. 如權(quán)利要求1所述的壓電聲換能器，其中，第一電極形成在壓電層的下側(cè)并在比壓 電層小的區(qū)域中，第二電極形成在壓電層的上側(cè)并在比壓電層小的區(qū)域中，變形層從基底 的外邊緣延伸超過第二電極的邊緣。
3. —種壓電聲換能器，包括 基底，在基底中形成有穿孔區(qū)域；變形層，位于穿孔區(qū)域的中間部分中，并且能夠彈性變形； 壓電部分，連接變形層的外周與基底，其中，壓電部分的平面變形被傳遞給變形層，或者變形層的變形被傳遞給壓電部分，以 使得壓電部分與變形層一起振動， 其中，壓電部分包括 壓電層；第一電極，設(shè)置在壓電層的第一側(cè)； 第二電極，設(shè)置在壓電層的第二側(cè)。
4. 如權(quán)利要求3所述的壓電聲換能器，其中，第一電極形成在壓電層的下側(cè)并在比壓 電層小的區(qū)域中，并且延伸超過變形層的外周，第二電極形成在壓電層的上側(cè)并在比壓電 層小的區(qū)域中，壓電部分從基底的內(nèi)邊緣延伸至超過變形層的外邊緣。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的壓電聲換能器，其中，壓電部分的幾何中心面在與 變形層的幾何中心面不同的平面上。
6. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的壓電聲換能器，所述壓電聲換能器還包括壓電 部分絕緣層，設(shè)置在壓電層與第一電極之間，或者設(shè)置壓電層與第二電極之間，或者設(shè)置壓 電層與第一電極之間以及壓電層與第二電極之間。
7. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的壓電聲換能器，所述壓電聲換能器還包括 第一 電極端子和第二電極端子，通過第一 電極端子和第二電極端子將驅(qū)動電壓施加到第一電極和第二電極，第一電極端子和第二電極端子設(shè)置在基底的上側(cè)；第一引線和第二引線，分別將第一電極和第二電極連接到第一電極端子和第二電極端子。
8. 如權(quán)利要求7所述的壓電聲換能器，所述壓電聲換能器還包括基底絕緣層，設(shè)置在 基底的上側(cè)與第一電極端子之間以及基底的上側(cè)與第二電極端子之 間。
9. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的壓電聲換能器，其中，變形層由聚對二甲苯和氧化 硅中的至少一種形成。
10. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的壓電聲換能器，其中，壓電層由Zn0、 A1N、 PZT、 PbTi03和PLT中的至少一種形成。
11. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的壓電聲換能器，其中，第一電極和第二電極由從 由Cr、 Au、 Cu、 Al、Mo、 Ti和Pt及其任何混合物組成的組中選擇的至少一種金屬形成。
12. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的壓電聲換能器，其中，壓電聲換能器是微型揚聲 器或麥克風(fēng)。
13. —種制造壓電聲換能器的方法，該方法包括 形成第一電極部分，包括 形成在基底上的第一電極， 形成在基底上的第一引線， 形成在基底上的第一電極端子； 在第一電極上形成壓電層； 在壓電層上形成第二電極；形成包括形成在基底上的第二引線和形成在基底上的第二電極端子的第二電極部分；在基底的沒有形成壓電層的區(qū)域中形成變形層； 對基底的形成有壓電層和變形層的下部進行蝕刻，以形成膜片。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在基底的預(yù)定區(qū)域中形成壓電層，部分地在基底 的形成有壓電層的所述預(yù)定區(qū)域中并且部分地在基底的沒有形成壓電層的所述預(yù)定區(qū)域 的外圍區(qū)域中形成變形層。
15. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，在基底的預(yù)定區(qū)域中形成變形層，部分地在基底 的形成有變形層的所述預(yù)定區(qū)域中并且部分地在基底的沒有形成變形層的所述預(yù)定區(qū)域 的外圍區(qū)域中形成壓電層。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括在形成第一電極部分之前，在基底上 形成絕緣層。
17. 如權(quán)利要求13至16中任一項所述的方法，其中，壓電層的幾何中心面在與變形層 的幾何中心面不同的平面上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種壓電聲換能器及其制造方法。在該壓電聲換能器中，壓電部分形成在膜片的一部分中，變形層形成在膜片的另一部分中。壓電部分的變形被傳遞給變形層，或者變形層的變形被傳遞給壓電部分，以使得變形層與壓電部分一起振動。
文檔編號H04R17/00GK101754077SQ200910224400
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月19日
發(fā)明者鄭秉吉, 鄭錫煥, 金東均 申請人:三星電子株式會社