專(zhuān)利名稱(chēng)：動(dòng)磁平面線圈型傳聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種傳聲器，尤其涉及一種動(dòng)磁平面線圈型傳聲器。
背景技術(shù)：
常見(jiàn)的動(dòng)圈式傳聲器，是一個(gè)固定的永磁體芯體上套懸著一個(gè)線圈(動(dòng)圈)，線圈 上面和一個(gè)振動(dòng)膜(音膜)在無(wú)應(yīng)力、不受力的狀態(tài)下粘合，當(dāng)外界聲壓使振動(dòng)膜振動(dòng)。這 時(shí)它就帶動(dòng)線圈運(yùn)動(dòng)，作為在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的線圈，就會(huì)產(chǎn)生動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)隨聲壓作用而 相應(yīng)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)，輸出后就成為了一個(gè)由聲-電的隨音頻變化的電壓輸出。這 就完成了聲-電轉(zhuǎn)換的作用。這種動(dòng)圈傳聲器，由于它的組成部分難以微型化。雖然電容 傳聲器可以實(shí)現(xiàn)微型化，但是，常用的電容傳聲器(駐極體傳聲器)，一般電容傳聲器它是 把一個(gè)金屬化了的薄膜粘貼在一個(gè)金屬環(huán)上形成一個(gè)膜環(huán)，將此膜環(huán)通過(guò)一個(gè)墊圈隔開(kāi)和
一個(gè)金屬薄板的背極相對(duì)而立，形成了一個(gè)電容器，根據(jù)物理學(xué)原理，電容器上的電荷Q和 電容器的電容C及電容器兩極板間的電壓V之間有著Q = CV的關(guān)系。若外來(lái)的聲壓作用 于振動(dòng)膜上使振膜和背極間距離d改變時(shí)，這時(shí)，該電容器的電容C會(huì)按下列關(guān)系變化C =e S/d， S :為電容器極板的面積，e :為電容器中介質(zhì)的介電常數(shù)，也就是當(dāng)聲壓加大時(shí)， 兩極板間距離d變小，則C會(huì)變大，若振膜向上振動(dòng)時(shí)，d會(huì)變大，則C變小。由Q = CV的 變化關(guān)系，則V也就相應(yīng)變化。這樣，隨著聲壓變化則d變化，則輸出電壓V相應(yīng)變化，這樣 就通過(guò)由于電容量變化而完成的聲-電轉(zhuǎn)換作用的。 但是，由于電容性器件其電容量在PF數(shù)量級(jí)，則其阻抗則是高阻抗的。這樣，對(duì)信 號(hào)傳輸不利，由于是高阻抗的，則線路傳輸衰減大，不可能遠(yuǎn)距離傳輸。因此，就需要有一個(gè) 阻抗變換器，這個(gè)阻抗變換器目前常用的是用一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管(如J-FET)來(lái)完成的。盡管 現(xiàn)在J-FET是可以做得很小，但由于它的溫度特性，受電磁干擾影響等使電容傳聲器(駐極 體傳聲器)的性能受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種微型低阻抗動(dòng)磁平面線圈型傳聲器。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案 —種動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，包括蝸旋平面線圈和磁性膜，并且蝸旋平面線圈與 磁性膜相面對(duì)，在蝸旋平面線圈與磁性膜之間設(shè)有間隙。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn) (1)本發(fā)明采用了讓原來(lái)不動(dòng)的磁體成為可動(dòng)，且隨聲壓作用而運(yùn)動(dòng)，這樣就又改 變了動(dòng)圈傳聲器中動(dòng)圈和振動(dòng)膜(音膜)相連的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的動(dòng)圈由一般的螺管形狀線 圈改為蝸旋平面排列的方式制成的平面線圈。這樣，就大大降低了其高度方向上的尺寸，從 而實(shí)現(xiàn)了小型化。在本發(fā)明中，阻抗取決于蝸旋平面線圈的參數(shù)，因此，本發(fā)明是低阻抗的， 它無(wú)需阻抗變換器，由此便可進(jìn)行遠(yuǎn)距離傳輸，也不會(huì)像電容傳聲器那樣，因溫度特性、電 磁干擾等影響傳聲器的性能。這就使得本發(fā)明同時(shí)具有體積小、阻抗低的優(yōu)點(diǎn)，并使其成為微型低阻抗的動(dòng)磁平面線圈型傳聲器。
(2)本發(fā)明所采用的釹鐵硼微粉膜能夠提高傳聲器的靈敏度。
(3)隨著傳聲器的微型化，振膜也會(huì)越來(lái)越小。為了提高系統(tǒng)的順性，本發(fā)明開(kāi)設(shè) 了氣孔，該氣孔減少振膜(磁性膜)阻尼作用，從而可以使其靈敏度得以進(jìn)一步提高。
此外，動(dòng)磁平面線圈型微傳聲器有著成本低，制作簡(jiǎn)單、性能好等優(yōu)點(diǎn)。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明的再一結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
—種動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，包括蝸旋平面線圈1和磁性膜2，并且蝸旋平面線圈 1與磁性膜2相面對(duì)，在蝸旋平面線圈1與磁性膜2之間設(shè)有間隙。在本實(shí)施例中
在蝸旋平面線圈1和磁性膜2外部設(shè)有罩3，在罩3上設(shè)有聲通道，在聲通道上封 蓋有防塵布4。 間隙由設(shè)在蝸旋平面線圈1與磁性膜2之間的墊7形成，所述墊7可以直接放置 蝸旋平面線圈1與磁性膜2之間，也可以連接于磁性膜2上，還可以設(shè)在罩3上。所述墊7
的具體實(shí)現(xiàn)方式有多種，例如
(1)所述墊7為墊塊；
(2)所述墊7為環(huán); (3)所述墊7為在蝸旋平面線圈的邊緣設(shè)置突起物(參照?qǐng)D3); (4)為固定磁性膜2并使其平整，通常將磁性膜2固定在膜環(huán)上，本實(shí)施例就可以
將這一膜環(huán)同時(shí)作為墊來(lái)使用。 本實(shí)施例在磁性膜2上設(shè)有氣孔5，還可在罩3上設(shè)有與蝸旋平面線圈1與磁性膜 2之間的間隙相通的氣孔8 ;本實(shí)施例的磁性膜2為釹鐵硼微粉膜。 為得到磁性膜2或釹鐵硼微粉膜，將釹鐵硼微粉混入膠中，利用甩膠法使之均勻 涂布再聚合物膜上，再在其上覆蓋與下面已涂釹鐵硼微粉膜同材質(zhì)(或異材質(zhì))的聚合物 膜，對(duì)此復(fù)合膜充磁后，即可制成強(qiáng)磁性薄膜。此外， (1)本發(fā)明的特征就在于從原理上和一般的傳聲器不相同。它是動(dòng)磁、平面線圈， 低阻抗、微型傳聲器。 —般的動(dòng)圈式傳聲器中，永磁體的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，動(dòng)圈在垂直于磁場(chǎng)的方向上的 長(zhǎng)度為l。由于聲壓作用而使線圈在垂直于磁場(chǎng)方向上運(yùn)動(dòng)速度為v時(shí)，則由于聲壓作用而 在線圈上產(chǎn)生的"動(dòng)生"電動(dòng)勢(shì)為
E動(dòng)二 P lv 而本發(fā)明專(zhuān)利中，若線圈的面積為S，帶有釹鐵硼微粉的振膜在聲壓作用下運(yùn)動(dòng)， 而使其磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間而變化。這時(shí)變化率為這時(shí)在線圈上產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)是"感
生"電動(dòng)勢(shì)，其大小為
<formula>formula see original document page 5</formula> 這在物理原理上是兩個(gè)不同的概念。
(2)本發(fā)明的動(dòng)磁部分是將釹鐵硼微粉用嵌入(夾入)的方法構(gòu)成的。 第一種制作方法是將釹鐵硼微粉包裹后，混入熔融的聚合物液體中，通過(guò)熱壓、拉
伸使之嵌入聚合物薄膜中。 第二種制作方法是將釹鐵硼微粉均有分散于膠體中，通過(guò)甩膠使之均勻涂覆在聚 合膜表面上。 第二種、第三種方法將釹鐵硼微粉涂覆在聚合膜表面后，再在其上覆蓋一層聚合
物膜，這層膜和有釹鐵硼微粉的聚合物膜可以使同材質(zhì)的也可以使異材質(zhì)的。
(3)平面線圈的形狀，按外形要求而定，可以是圓形的渦旋式密排式繞制的，也可
以是矩形(方形)的跑道式的密繞排列的。 隨著器件的微型化，平面線圈也可以是用光刻蝕的方式刻蝕形成的。 若用多層平面線圈則需要考慮其電流方向，以保證產(chǎn)生的電流方向的一致性。
(4)由于傳聲器的靈敏度是正比于v4^的，Sd是振膜的等效勁度；Sb是振膜和
+
平面線圈間腔體的等效勁度。因此，為了提高傳聲器的靈敏度。除了釹鐵硼膜的磁性強(qiáng)弱， 平面線圈的圈數(shù)等因素外，降低振膜的等效勁度，即膜的張力大小，對(duì)靈敏度又影響。Sd小 則靈敏度就會(huì)提高，若振膜上用激光法開(kāi)孔，則使Sb減少而使靈敏度提高。
權(quán)利要求
一種動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，其特征在于包括蝸旋平面線圈(1)和磁性膜(2)，并且蝸旋平面線圈(1)與磁性膜(2)相面對(duì)，在蝸旋平面線圈(1)與磁性膜(2)之間設(shè)有間隙。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，其特征在于在蝸旋平面線圈(1)和 磁性膜(2)外部設(shè)有罩(3)，在罩(3)上設(shè)有聲通道，在聲通道上封蓋有防塵布(4)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，其特征在于磁性膜(2)為釹鐵硼微 粉膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，其特征在于間隙由設(shè)在蝸旋平面線 圈(1)與磁性膜(2)之間的墊(7)形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，其特征在于在磁性膜(2)上設(shè)有氣 孔(5)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，其特征在于在罩(3)上設(shè)有與 蝸旋平面線圈(1)與磁性膜(2)之間的間隙相通的氣孔(8)。
全文摘要
一種動(dòng)磁平面線圈型傳聲器，包括蝸旋平面線圈和磁性膜，并且蝸旋平面線圈與磁性膜相面對(duì)，在蝸旋平面線圈與磁性膜之間設(shè)有間隙。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明采用了讓原來(lái)不動(dòng)的磁體成為可動(dòng)，且隨聲壓作用而運(yùn)動(dòng)，這樣就又改變了動(dòng)圈傳聲器中動(dòng)圈和振動(dòng)膜(音膜)相連的結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的動(dòng)圈由一般的螺管形狀線圈改為蝸旋平面排列的方式制成的平面線圈。這樣，就大大降低了其高度方向上的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)了小型化。在本實(shí)用新型中，阻抗取決于蝸旋平面線圈的參數(shù)，因此，本實(shí)用新型是低阻抗的，它無(wú)需阻抗變換器，由此便可進(jìn)行遠(yuǎn)距離傳輸。
文檔編號(hào)H04R9/08GK101711006SQ20091023213
公開(kāi)日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2009年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月2日
發(fā)明者吳宗漢 申請(qǐng)人:吳宗漢