專利名稱：背照式圖像傳感器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種背照式(back side illumination)圖像傳感器。
背景技術：
圖像傳感器是用于將光學信號轉換為電信號的半導體器件，主要分為電荷耦合器 件(CCD)或CMOS圖像傳感器(CIS)。 根據(jù)現(xiàn)有技術的CIS，是通過離子注入方法在襯底上形成光電二極管。但是，為了 增加像素數(shù)量而不增大芯片尺寸，光電二極管的尺寸逐漸減小，因此光接收部的面積也逐 漸縮小，導致圖像質量下降。 此外，因為堆疊高度沒有對應于光接收部的面積減小而充分減小，所以由于被稱 為"艾里斑"的光衍射現(xiàn)象，輸入到光接收部的光子數(shù)量減少。 為了解決上述問題，提供了一種背照式圖像傳感器，它通過晶片背側來接收光線，
從而將光接收部的上部的階梯差最小化，并避免因為金屬布線所導致的光干涉。 圖1是剖視圖，示出形成根據(jù)現(xiàn)有技術的背照式圖像傳感器的過程。 根據(jù)現(xiàn)有技術的背照式圖像傳感器，在襯底前側形成光接收器件和金屬線，然后
對襯底進行背側研磨工藝，從而將襯底的背側去除預定厚度。也就是說，將襯底的背側研磨
掉預定厚度，以調節(jié)外部模塊與光學透鏡之間的距離。 但是，根據(jù)現(xiàn)有技術的背照式圖像傳感器，是將SOI (絕緣體上硅)晶片用作有光 接收器件和電路部分的供體晶片(donor wafer)，然后將SOI晶片接合到承載晶片。然后， 對供體晶片進行背側打薄(thi皿ing)工藝。
根據(jù)現(xiàn)有技術的供體晶片的背側打薄工藝如下所述。 首先，對供體晶片進行背側打薄工藝，使厚度為幾十個y m的硅層保留在SOI晶片
的埋置氧化物(BOX)層上。然后進行回蝕工藝，從而完成背側打薄工藝。 但是根據(jù)現(xiàn)有技術，是將昂貴的SOI晶片用作供體晶片，會因此而增加制造成本。 此外，根據(jù)如圖1所示的現(xiàn)有技術，對供體晶片進行背側研磨時會出現(xiàn)晶片邊緣
打薄現(xiàn)象。因此，在隨后進行回蝕工藝時，在晶片邊緣部分會出現(xiàn)芯片故障，導致經(jīng)濟效益
顯著下降。 此外，根據(jù)現(xiàn)有技術，對厚度為幾十個Pm的晶片進行回蝕工藝時，晶片中心部分 會暴露在等離子體損害下，從而降低傳感器性能。 此外，根據(jù)現(xiàn)有技術，只在形成有光電二極管的襯底的背側形成隔離區(qū)，因此會出 現(xiàn)串擾現(xiàn)象。 同時，根據(jù)現(xiàn)有技術，可使用非晶硅(Si)來沉積光電二極管。另外，在Si襯底上
3形成讀出電路并在另一個晶片上形成光電二極管之后，也可通過晶片間(wafer-toiafer) 接合方法將光電二極管形成在讀出電路上方，以形成圖像傳感器(下面稱為"3D圖像傳感 器")。在這種情況下，光電二極管通過金屬線與讀出電路相連接。 然而，根據(jù)制造3D圖像傳感器的現(xiàn)有技術，必須對包括讀出電路的晶片與包括光 電二極管的晶片進行晶片間接合工藝。由于這種晶片間的接合，所以不能保證讀出電路與 光電二極管之間的電連接。例如，根據(jù)現(xiàn)有技術，在讀出電路上形成金屬線，然后進行晶片 間接合工藝，使金屬線與光電二極管形成接觸。此時，金屬線不一定穩(wěn)固地與光電二極管形 成接觸，因此在金屬線與光電二極管之間形成歐姆接觸會有困難。此外，根據(jù)現(xiàn)有技術，在 與光電二極管電連接的金屬線中會出現(xiàn)短路現(xiàn)象。雖然已經(jīng)進行了很多研究和探索來防止 這種短路現(xiàn)象，但是這需要很復雜的工藝。

發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例提供一種背照式圖像傳感器及其制造方法，能夠穩(wěn)定有效地去除 背照式圖像傳感器的襯底的背側。 此外，本發(fā)明的實施例提供一種背照式圖像傳感器及其制造方法，能夠抑制串擾 現(xiàn)象。 本發(fā)明的實施例還提供一種背照式圖像傳感器及其制造方法，能夠顯著降低制造 成本。 此外，本發(fā)明的實施例提供一種背照式圖像傳感器及其制造方法，當在同一襯底 上形成光電探測器和讀出電路時，能通過將光接收部上的堆疊最小化而將入射光的光量最 大化，并且能抑制因為金屬布線(routing)所導致的光干涉和光反射現(xiàn)象。
根據(jù)一個實施例，提供一種背照式圖像傳感器，包括隔離區(qū)和像素區(qū)，位于第一 襯底的前側；光電探測器和讀出電路，位于所述像素區(qū)上；層間介電層和金屬線，位于所述 第一襯底的前側；第二襯底，被接合到形成有所述金屬線的所述第一襯底的前側；像素分 隔離子注入層，在所述第一襯底的背側位于所述隔離區(qū)上；以及微透鏡，在所述第一襯底的 背側位于所述光電探測器上。 根據(jù)實施例，提供一種制造背照式圖像傳感器的方法，所述方法包以下步驟通過 在第一襯底的前側的整個區(qū)域上方注入離子，形成離子注入層；通過在形成有離子注入層 的所述第一襯底的前側形成隔離區(qū)，限定像素區(qū)；在所述像素區(qū)上形成光電探測器和讀出 電路；在所述第一襯底的前側形成層間介電層和金屬線；將第二襯底接合到形成有所述金 屬線的所述第一襯底的前側；去除由所述離子注入層限定的所述第一襯底的下部；在所述 第一襯底的背側于所述隔離區(qū)上形成像素分隔離子注入層；以及在所述第一襯底的所述背 側于所述光電探測器上形成微透鏡。 根據(jù)另一實施例，提供一種制造背照式圖像傳感器的方法，所述方法包括以下步 驟通過在第一襯底的前側形成隔離區(qū)，限定像素區(qū)；通過在第一襯底的前側的整個區(qū)域 上方注入離子，形成離子注入層；在所述像素區(qū)上形成光電探測器和讀出電路；在所述第 一襯底的前側形成層間介電層和金屬線；將第二襯底接合到形成有所述金屬線的所述第一 襯底的前側；去除由所述離子注入層限定的所述第一襯底的下部；在所述第一襯底的背側 于所述隔離區(qū)上形成像素分隔離子注入層；以及在所述第一襯底的所述背側于所述光電探測器上形成微透鏡。 根據(jù)本發(fā)明的背照式圖像傳感器及其制造方法，能夠通過離子注入方法穩(wěn)定而有 效地去除襯底的背側。也就是說，本發(fā)明采用的是離子注入和分切方法而不是進行背側研 磨和回蝕工藝，因此不會出現(xiàn)邊緣裸片故障和等離子體損害。


圖1是剖視圖，示出形成根據(jù)現(xiàn)有技術的背照式圖像傳感器的過程； 圖2是剖視圖，示出根據(jù)實施例的背照式圖像傳感器；以及 圖3a至圖8是剖視圖，示出制造根據(jù)實施例的背照式圖像傳感器的方法。
具體實施例方式
下面參照附圖描述背照式圖像傳感器及其制造方法的實施例。 在各個實施例的說明中，可以理解的是當一個層(或膜)被指稱是在另一個層或 襯底"之上"時，它可以直接位于另一個層或襯底之上，或者也可以存在中間層。此外，可以 理解的是當一個層(或膜)被指稱是在另一個層"之下"時，它可以直接位于另一個層之下， 并且也可以存在一個或更多中間層。另外，當一個層(或膜)被指稱是在兩層"之間"時， 它可以是該兩層之間的唯一一個層，或者也可以存在一個或更多中間層。
圖2是剖視圖，示出根據(jù)實施例的背照式圖像傳感器。 根據(jù)實施例的背照式圖像傳感器包括隔離區(qū)110和像素區(qū)，位于第一襯底100的 前側；光電探測器120和讀出電路130，位于像素區(qū)上；層間介電層160和金屬線140，位于 第一襯底100的前側；第二襯底200，被接合到形成有金屬線140的第一襯底100的前側； 像素分隔離子注入層115，在第一襯底100的背側位于隔離區(qū)110上；以及微透鏡1S0，在第 一襯底100的背側位于光電探測器120上。 根據(jù)實施例的背照式圖像傳感器及其制造方法，襯底的背側可通過離子注入方法
穩(wěn)定而有效地去除。也就是說，實施例采用的是離子注入和分切(cleaving)方法，不用進
行背側研磨和回蝕工藝，因此不會出現(xiàn)邊緣裸片(die)故障和等離子體損害。 此外，根據(jù)實施例，在襯底的背側于充當隔離區(qū)(110)的像素分隔絕緣層上形成
像素分隔離子注入層，因此有效地抑制了像素之間的串擾，從而提高了圖像質量。 下面參照圖3a至圖8描述根據(jù)實施例的背照式圖像傳感器及其制造方法。 圖3a至圖3c示出形成離子注入層105的實例。 首先如圖3a所示，在第一襯底100的前側形成離子注入層105。第一襯底100可 以是外延晶片，但是實施例不限于此。由離子注入層105將第一襯底100分隔為下部100a 和上部100b。 根據(jù)實施例的制造背照式圖像傳感器的方法，用外延晶片作為供體晶片(第一襯
底100)。因為實施例采用外延晶片而不是SOI晶片，所以能顯著降低制造成本。 此外，根據(jù)實施例，用外延晶片作為供體晶片，并且光檢測器和電路部分一起形成
在外延晶片上光電探測器，因此與將光檢測器設置在電路和金屬互連上方光電探測器的3D
圖像傳感器不同，本發(fā)明的實施例不要求接合工藝。因此，可以很容易地制造3D圖像傳感
器而不會產(chǎn)生與接合和接觸相關的問題。
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可通過將離子注入到第一襯底100的前側中而形成離子注入層105。因為第一襯 底100的背側厚度為幾百個以上，所以優(yōu)選通過第一襯底100的前側來注入離子。
也就是說，因為第一襯底100的厚度大于離子注入深度，所以很難通過第一襯底 100的背側注入離子。因此根據(jù)實施例，在形成金屬線140或者對第二襯底200進行接合工 藝之前，在第一襯底100中形成離子注入層105，所以很容易在接合工藝之后去除第一襯底 100的下部100a。 根據(jù)實施例，通過注入離子(例如氫(H)或氦(He)離子)來形成離子注入層105， 但是實施例不限于此。 此外，根據(jù)另一實施例，如圖3b所示，在第一襯底100的前側已形成隔離區(qū)110之 后形成離子注入層105。例如，在第一襯底100的前側形成隔離區(qū)110以限定像素區(qū)，然后 再形成離子注入層105。此時，可通過STI工藝來形成隔離區(qū)110。 根據(jù)實施例，通過使用離子注入層105，無須進行研磨工藝即可輕易而穩(wěn)定地去除 襯底的背側，因此能顯著提高產(chǎn)品產(chǎn)量。 此外，根據(jù)實施例，通過利用氫或氦進行離子注入工藝，以形成在對外延晶片進行 制造工藝時充當分切層的離子注入層105。然后，在已完成第一襯底100的工藝之后，將充 當供體晶片的第一襯底100接合到充當承載晶片(handle wafer)的第二襯底200。然后， 對充當供體晶片的第一襯底100進行分切工藝，以用于背側打薄的目的。在這種情況下，因 為已去除了第一襯底IOO的下部，所以充當供體晶片的第一襯底IOO很薄，為了方便進行接 合工藝之后的濾色鏡工藝，所以用第二襯底200充當承載晶片。 根據(jù)實施例，采用的是離子注入和分切工藝，無須進行背側研磨和回蝕工藝，因此 不會出現(xiàn)現(xiàn)有技術中諸如邊緣裸片故障和等離子體損害這樣的問題。 此外，根據(jù)實施例，不對供體晶片進行研磨工藝，因此供體晶片上沒有施加物理應 力，從而避免了光電探測器和讀出電路的損壞。 根據(jù)另一實施例，如圖3c所示，可在像素區(qū)中已形成光電探測器120之后形成離 子注入層105。光電探測器120可包括光電二極管，但是實施例不限于此。通過在P型第一 襯底100中形成N型離子注入?yún)^(qū)，然后在第一襯底100的N型離子注入?yún)^(qū)中形成Po區(qū)(未 示出)，可獲得光電探測器120，但是實施例不限于此。因為有Po區(qū)，所以不會產(chǎn)生多余的 電子。此外，根據(jù)實施例，形成PNP結以實現(xiàn)電荷轉儲(dumping)效應。
參照圖4，在形成離子注入層105和光電探測器120之后，在包括光電探測器120 的第一襯底100上形成充當電路部分的讀出電路130。讀出電路130可包括傳輸晶體管、復 位晶體管、驅動晶體管和選擇晶體管，但是實施例不限于此。 根據(jù)實施例，充當供體晶片的第一襯底100可以是外延晶片，并且光電探測器120 是和讀出電路130 —起形成在第一襯底100上。因此，與將光電探測器形成在電路上方的 3D圖像傳感器不同，本發(fā)明的實施例不需要接合工藝，因此可簡化制造工藝，不會產(chǎn)生與接 合和接觸相關的問題。同時，當將承載晶片接合到供體晶片時，將絕緣層(例如層間介電 層)插入在承載晶片與供體晶片之間，因此不會產(chǎn)生與接合相關的問題。
此外，根據(jù)實施例，通過將光接收部上的堆疊最小化，可將入射光的光量最大化， 并且能抑制因為金屬布線所導致的光干涉和光反射現(xiàn)象，因此能將圖像傳感器的光學特性 最優(yōu)化。
然后再參照圖4，在第一襯底100上形成層間介電層160、金屬線140以及焊盤金 屬線。金屬線140可包括第一金屬M1、第二金屬M2等等。 在邏輯區(qū)中形成焊盤金屬線150。焊盤金屬線150可包括第一金屬Ml、第二金屬 M2、第三金屬M3等等，但是實施例不限于此。焊盤可對準金屬線140的第一金屬M1。因此， 在已將第一襯底100接合到第二襯底200之后，就能很容易地通過第一襯底100的背側進 行焊盤開口工藝。這是因為從第一襯底100背側到焊盤的深度很淺。 然后如圖5所示，將第二襯底200接合到包括金屬線140的第一襯底100的前側。
例如，將充當承載晶片的第二襯底200面向金屬線140而接合到第一襯底100。 根據(jù)實施例，在第二襯底200上表面形成絕緣層210并將其接合到第一襯底，從而
提高第一襯底100與第二襯底200之間的接合力。絕緣層210可包括氧化物層或氮化物層，
但是實施例不限于此。因為將絕緣層210接合到第一襯底100，同時與充當?shù)谝灰r底100的
前側的層間介電層160形成接觸，所以能顯著提高第一襯底100與第二襯底200之間的接合力。 然后如圖6所示，將第一襯底100的下部100a從如圖5所示那樣接合到第二襯底 200的第一襯底100去除。此時，離子注入層105充當去除第一襯底100的下部100a的基 準線。例如，對離子注入層105進行熱處理工藝，以使氫離子進入氣泡中，然后用刀片將第 一襯底100的下部100a切除，只留下第一襯底100的上部100b。之后，對第一襯底100的 切除表面進行平坦化工藝。 同時，在與采用分切技術的3D圖像傳感器相關的專利中，光電探測器和讀出電路 分別形成于它們自己的晶片上，然后進行接合和互連工藝。根據(jù)現(xiàn)有技術，通常剛好在接合 之前使用氫離子或氦離子進行離子注入工藝以形成分切層。 但是根據(jù)現(xiàn)有技術的3D圖像傳感器，不能保證讀出電路與光電二極管之間的電 連接，并且在與光電二極管電連接的金屬線中可能會出現(xiàn)短路。 與此不同，根據(jù)本發(fā)明的實施例，是用外延晶片作為充當供體晶片的第一襯底 IOO，并且光電探測器120是與讀出電路130 —起形成在第一襯底100上。因此，無須采用 將具有光電探測器的襯底接合到具有電路的襯底的接合工藝。因此，能夠很容易地制造圖 像傳感器而不會產(chǎn)生與接合和接觸相關的問題。 同時，根據(jù)現(xiàn)有技術的3D圖像傳感器，能夠剛好在接合工藝之前注入氫離子或氦 離子。也就是說，光電探測器產(chǎn)生的電子被傳輸?shù)叫纬稍趩为毜囊r底上的電子電路部分，則 電壓會因此改變。所以，根據(jù)現(xiàn)有技術，不必在形成有光電二極管的襯底上形成金屬線和層 間介電層，從而能夠剛好在接合工藝之前注入氫離子或氦離子。 與此不同，根據(jù)本發(fā)明的實施例，光電探測器120是與讀出電路130 —起形成在第 一襯底100上。也就是說，因為光電探測器120和讀出電路130形成在第一襯底100上， 所以對供體晶片(第一襯底100)進行BEOL(后段)工藝以形成金屬線140和層間介電層 160。 因此，根據(jù)實施例的工藝方法，并非剛好在接合工藝之前進行使用氫離子或氦離 子的離子注入工藝。而是在將金屬線140和層間介電層160形成于充當?shù)谝灰r底100的外 延晶片上之前使用用氫離子或氦離子進行離子注入工藝。 參照圖7，在第一襯底的背側于隔離區(qū)110上形成像素分隔離子注入層115。例如，
7在制備了用以在隔離區(qū)110上部暴露出第一襯底背側的掩模圖案310之后，使用掩模圖案 310作為離子注入掩模而進行離子注入工藝，從而形成像素分隔離子注入層115。例如，像 素分隔離子注入層115可包括重摻雜P型離子注入?yún)^(qū)。 根據(jù)實施例，因為像素分隔離子注入層是形成在襯底背側且位于像素分隔絕緣層
(隔離區(qū))上方，所以能有效地抑制像素之間的串擾，從而提高圖像質量。 然后如圖8所示，去除掩模圖案310，在第一襯底100的背側于光電探測器120上
形成濾色鏡170。同時，對于例如包括垂直堆疊的R、 G、 B光電二極管的光電探測器120這
樣的實施例，可省略濾色鏡170。 之后，在濾色鏡170上形成微透鏡180。 然后露出焊盤。根據(jù)實施例，通過第一襯底100的背側露出焊盤。因為焊盤與第 一金屬Ml對準，所以很容易通過第一襯底100的背側來露出焊盤。 根據(jù)這些實施例的背照式圖像傳感器及其制造方法，能夠通過離子注入方法穩(wěn)定 而有效地去除襯底的背側。也就是說，本發(fā)明采用的是離子注入和分切方法而不是進行背 側研磨和回蝕工藝，因此不會出現(xiàn)邊緣裸片故障和等離子體損害。 此外，根據(jù)實施例，在襯底背側于像素分隔絕緣層(隔離區(qū))上形成像素分隔離子 注入層，因此能有效地抑制像素之間的串擾，從而提高圖像質量。 此外，根據(jù)實施例，不對供體晶片進行研磨工藝，因此能避免光電探測器和電路部 分的損壞。 此外，根據(jù)實施例，是將外延晶片作為供體晶片，并且光電探測器是與電路部分一 起形成在外延晶片上。因為采用的是外延晶片而不是SOI晶片，所以能顯著降低制造成本。
根據(jù)實施例，是將外延晶片作為供體晶片，并且光電探測器是與電路部分一起形 成在外延晶片上，因此與將光電探測器形成在電路上方的3D圖像傳感器不同，本發(fā)明的實 施例不需要接合工藝，因此可簡化制造工藝，不會產(chǎn)生與接合和接觸相關的問題。同時，當 將承載晶片接合到供體晶片時，將絕緣層(例如層間介電層)插入在承載晶片與供體晶片 之間，因此不會產(chǎn)生與接合相關的問題。 此外，根據(jù)實施例，通過將光接收部上的堆疊最小化，可將入射光的光量最大化， 并且能抑制因為金屬布線所導致的光干涉和光反射現(xiàn)象，因此能將圖像傳感器的光學特性 最優(yōu)化。 本說明書中所涉及的"一個實施例"、"實施例"、"示例性實施例"等，其含義是結合 該實施例描述的特定特征、結構或特性均包括在本發(fā)明的至少一個實施例中。說明書中出 現(xiàn)于各處的這些術語不一定都涉及同一個實施例。此外，當結合任一實施例描述特定特征、 結構或特性時，都認為其落入本領域普通技術人員結合其他實施例就可以實現(xiàn)的這些特定 特征、結構或特性的范圍內。 盡管對實施例的描述中結合了其中多個示例性實施例，但可以理解的是，在本公 開內容的原理的精神和范圍之內，本領域普通技術人員完全可以推導出許多其它變化和實 施例。尤其是，可以在該公開、附圖和所附權利要求的范圍內對組件和/或附件組合設置中 的排列進行多種變化和改進。除組件和/或排列的變化和改進之外，其他可選擇的應用對 于本領域普通技術人員而言也是顯而易見的。
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權利要求
一種背照式圖像傳感器，包括隔離區(qū)和像素區(qū)，位于第一襯底的前側；光電探測器和讀出電路，位于所述像素區(qū)上；層間介電層和金屬線，位于所述第一襯底的前側；第二襯底，被接合到形成有所述金屬線的所述第一襯底的前側；像素分隔離子注入層，在所述第一襯底的背側位于所述隔離區(qū)上；以及微透鏡，在所述第一襯底的背側位于所述光電探測器上。
2. 如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中所述像素分隔離子注入層包括P型離 子注入?yún)^(qū)。
3. 如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，還包括焊盤，位于所述第一襯底的前側，所 述焊盤通過所述第一襯底的背側而露出。
4. 如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，還包括絕緣層，介于所述第一襯底的前側 與所述第二襯底之間。
5.—種制造背照式圖像傳感器的方法，所述方法包括以下步驟 通過在第一襯底的前側的整個區(qū)域上方注入離子，形成離子注入層； 通過在所述第一襯底的前側形成隔離區(qū)，限定像素區(qū)； 在所述像素區(qū)上形成光電探測器和讀出電路； 在所述第一襯底的前側形成層間介電層和金屬線； 將第二襯底接合到形成有所述金屬線的所述第一襯底的前側； 去除由所述離子注入層限定的所述第一襯底的下部；在去除所述第一襯底的下部之后，在所述第一襯底的背側于所述隔離區(qū)上形成像素分 隔離子注入層；以及在所述第一襯底的背側于所述光電探測器上形成微透鏡。
6. 如權利要求5所述的方法，其中形成像素分隔離子注入層的步驟包括將離子注入 所述第一襯底的背側中，使得所述像素分隔離子注入層從所述第一襯底的背側的表面延伸 到所述隔離區(qū)。
7. 如權利要求5所述的方法，其中形成像素分隔離子注入層的步驟包括在所述隔離 區(qū)上形成P型離子注入?yún)^(qū)。
8. 如權利要求5所述的方法，其中形成離子注入層的步驟包括注入氫離子或氦離子。
9. 如權利要求5所述的方法，其中形成離子注入層的步驟通過所述第一襯底的前側注 入離子，使得所述離子注入層以預定深度形成在所述第一襯底的前側的整個區(qū)域上方。
10. 如權利要求5所述的方法，其中去除所述第一襯底的下部的步驟包括通過使用所述離子注入層，在所述第一襯底的與所述第一襯底的前側相對的一側去除所述第一襯底的 一部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種背照式圖像傳感器及其制造方法。所述背照式圖像傳感器包括隔離區(qū)和像素區(qū)，位于第一襯底的前側；光電探測器和讀出電路，位于所述像素區(qū)上；層間介電層和金屬線，位于所述第一襯底的前側；第二襯底，被接合到形成有所述金屬線的所述第一襯底的前側；像素分隔離子注入層，在所述第一襯底的背側位于所述隔離區(qū)上；以及微透鏡，在所述第一襯底的背側位于所述光電探測器上。根據(jù)本發(fā)明的背照式圖像傳感器及其制造方法，能夠通過離子注入方法穩(wěn)定而有效地去除襯底的背側。也就是說，本發(fā)明采用的是離子注入和分切方法而不是進行背側研磨和回蝕工藝，因此不會出現(xiàn)邊緣裸片故障和等離子體損害。
文檔編號H04N5/335GK101771059SQ20091026216
公開日2010年7月7日 申請日期2009年12月25日 優(yōu)先權日2008年12月26日
發(fā)明者金文煥 申請人:東部高科股份有限公司