專利名稱：電容l形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及傳聲器，尤其涉及電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
通常的硅麥克風(fēng)使用的電源和音頻輸出節(jié)點(diǎn)都是在硅麥克風(fēng)內(nèi)通過接線引 到硅麥克風(fēng)的PCB板表面，硅麥克風(fēng)內(nèi)的兩個(gè)電容布置成"一"字形排列。這 樣的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，連接的可靠性差，制造成本高，而這種電容的布置方式，限制 了 MEMS晶片的體積，而硅麥克風(fēng)的性能，在一定程度上取決于MEMS晶片的體 積。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、制造方便、連接可靠、性能優(yōu)良 的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)。為了達(dá)到上述要求，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是它有上下兩端開口的框架， 開口的上下兩端分別封有上PCB板和下PCB板，形成一容置空腔，容置空腔內(nèi) 包括有MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容，并貼裝于下PCB板的內(nèi)表面上，其特征 是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)，在框架內(nèi)壁設(shè) 有突塊，突塊的側(cè)面設(shè)有金屬層，金屬層與相應(yīng)的MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電 容連通，突塊上的金屬層均與在上PCB板和下PCB板外表的上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)導(dǎo) 通，形成雙面電氣連接通路；所述的兩個(gè)電容在框架內(nèi)呈L形布置；在框架與 上PCB板以及框架與下PCB板的周邊接觸面之間分別設(shè)有封閉的環(huán)狀金屬圈。根據(jù)上述方案制造的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，其優(yōu)點(diǎn)是該硅麥 克風(fēng)內(nèi)電子元件的接線引出由框架內(nèi)壁突塊上的金屬層形成的通路來完成，接 線緊貼在框架突塊側(cè)面壁上，使得連接可靠，加工和使用方便，在框架與上PCB 板和下PCB板的接觸面之間設(shè)的金屬圈可以使整個(gè)硅麥克風(fēng)不受外界電磁信號 的干擾。電容呈L形布置后使得框架內(nèi)更加合理，讓出的空間給MEMS晶片，能使MEMS晶片的體積足夠大。上PCB板和下PCB板的兩個(gè)外表面均有雙面貼裝功 能，適用于不同需要的PCB貼裝工藝。因此，該結(jié)構(gòu)具有連接可靠、工藝處理 簡單，制造和使用方便，性能好的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)局部剖視后的立體示意圖； 圖2是電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)的立體示意圖。其中1、框架；2、上PCB板；3、下PCB板；4、容置空腔；5、 MEMS晶片； 6、 IC晶片；7、電容；8、突塊；9、金屬層；10、導(dǎo)電層；11、上觸點(diǎn)；12、 金屬圈。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。圖1、圖2是電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖。從圖中看出， 它有上下兩端開口的矩形框架1，開口的上下兩端分別封有上PCB板2和下PCB 板3，形成一容置空腔4，容置空腔4內(nèi)包括有MEMS晶片5、 IC晶片6及兩個(gè) 呈L形布置的電容7，并貼裝于下PCB板3的內(nèi)表面上，在上PCB板2和下PCB 板3的外表面上都排布有相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)，在框架1內(nèi)壁設(shè)有突塊8，突塊8的 側(cè)面設(shè)有金屬層9，金屬層9與相應(yīng)的MEMS晶片5、 IC晶片6及兩個(gè)電容7連 通，突塊8上設(shè)有導(dǎo)電層10，加強(qiáng)了電氣連接的可靠性又增加了產(chǎn)品的環(huán)境變 化的適應(yīng)性，導(dǎo)電層10再與金屬層9及在上PCB板2和下PCB板3外表的上觸 點(diǎn)11和下觸點(diǎn)(在上觸點(diǎn)11對稱的下PCB板3的外表上)導(dǎo)通，形成雙面電 氣連接通路。在框架1與上PCB板2以及框架1與下PCB板3的周邊接觸面之 間分別設(shè)有封閉的環(huán)狀金屬圈12，該金屬圈12起到接地線作用的同時(shí)，又可起 到屏蔽作用，增強(qiáng)產(chǎn)品的抗高頻干擾能力，環(huán)狀金屬圈12的設(shè)計(jì)增強(qiáng)了產(chǎn)品封 裝過程中的密封性和一致性。上述的金屬層9和金屬圈12均為金屬化層。所述 的突塊8、金屬層9、上觸點(diǎn)11和下觸點(diǎn)共有相對獨(dú)立的兩組，是分別用于MEMS 晶片5、 IC晶片6的電源和音頻輸出的連接點(diǎn)。
權(quán)利要求1、電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，它有上下兩端開口的框架，開口的上下兩端分別封有上PCB板和下PCB板，形成一容置空腔，容置空腔內(nèi)包括有MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容，并貼裝于下PCB板的內(nèi)表面上，其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)，在框架內(nèi)壁設(shè)有突塊，突塊的側(cè)面設(shè)有金屬層，金屬層與相應(yīng)的MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容連通，突塊上的金屬層均與在上PCB板和下PCB板外表的上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)導(dǎo)通，形成雙面電氣連接通路；所述的兩個(gè)電容在框架內(nèi)呈L形布置；在框架與上PCB板以及框架與下PCB板的周邊接觸面之間分別設(shè)有封閉的環(huán)狀金屬圈。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，其特征是在 突塊與下PCB板和上PCB板之間設(shè)有與上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)導(dǎo)通的導(dǎo)電層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，其特征是所 述的金屬層為金屬化層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，其特征是所 述的金屬圈為金屬化層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，其特征是所 述的突塊、金屬層、上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)有相對獨(dú)立的兩組。
專利摘要本實(shí)用新型是一種電容L形排列的雙面雙用硅麥克風(fēng)，它有上下兩端開口的框架，開口的上下兩端分別封有上PCB板和下PCB板，形成一容置空腔，容置空腔內(nèi)包括有MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容，并貼裝于下PCB板的內(nèi)表面上，其特征是在上PCB板和下PCB板的外表面上都排布有相應(yīng)的電路結(jié)構(gòu)，在框架內(nèi)壁設(shè)有突塊，突塊的側(cè)面設(shè)有金屬層，金屬層與相應(yīng)的MEMS晶片、IC晶片及兩個(gè)電容連通，突塊上的金屬層均與在上PCB板和下PCB板外表的上觸點(diǎn)和下觸點(diǎn)導(dǎo)通，形成雙面電氣連接通路；所述的兩個(gè)電容在框架內(nèi)呈L形布置；在框架與上PCB板以及框架與下PCB板的周邊接觸面之間分別設(shè)有封閉的環(huán)狀金屬圈。該實(shí)用新型具有連接可靠、工藝處理簡單，制造和使用方便，性能好的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H04R1/00GK201393299SQ20092011709
公開日2010年1月27日 申請日期2009年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月9日
發(fā)明者馮金奇 申請人:浙江新嘉聯(lián)電子股份有限公司