專利名稱：一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及射頻非接觸式讀寫存儲卡技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種通過射頻非接 觸式讀寫存儲卡的裝置。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代社會科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，非接觸式射頻卡技術(shù)的應(yīng)用逐漸成熟，人們 日常生活中常見的非接觸式射頻卡有多種，如非接觸式IC公交卡，非接觸式IC門禁卡等， 但是現(xiàn)有技術(shù)提供的非接觸式射頻卡技術(shù)中其非接觸式IC的存儲容量太小，技術(shù)不夠成 熟，不能滿足人們需通過射頻讀寫大容量存儲卡的要求。因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本實用新型的目的在于提供一種通過射頻非接觸 式讀寫存儲卡的裝置，其使非接觸式終端通過射頻就可以實現(xiàn)對各種存儲卡的讀寫，滿足 人們通過射頻讀寫大容量存儲卡的要求，為人們提供了方便。為了達(dá)到上述目的，本實用新型采取了以下技術(shù)方案一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其中，包括依次連接的射頻收發(fā)模塊、 射頻調(diào)制解調(diào)模塊、微控制單元，以及存儲卡接口模塊，其中所述射頻收發(fā)模塊，用于接收非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號，并將所 述非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號，以及，用于接收射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所述第二射頻信號匹 配為非接觸式終端可接收的第三射頻信號，并向所述非接觸式終端發(fā)射所述匹配后的第三 射頻信號；所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊，用于接收所述射頻收發(fā)模塊發(fā)送來的第一射頻信號，并 將所述第一射頻信號調(diào)制成第一數(shù)字信號，以及，用于接收所述微控制單元發(fā)來的第二數(shù)字信號，并將所述第二數(shù)字信號調(diào)制成第 二射頻信號發(fā)送給所述射頻信號收發(fā)模塊；所述微控制單元，用于接收所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送來的第一數(shù)字信號，并將 所述第一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成存儲卡讀寫命令信號，以及，用于接收所述存儲卡接口模塊發(fā)送來的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并將所述存儲卡讀 寫結(jié)果信號轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字信號發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊；所述存儲卡接口模塊，用于接收所述微控制單元發(fā)送的存儲卡讀寫命令信號，并 將所述存儲卡讀寫命令信號發(fā)送給與其聯(lián)接的存儲卡處理，以及，用于接收所述存儲卡處理后的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并向所述微控制單元發(fā)送所 述存儲卡讀寫結(jié)果信號。所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其中，所述射頻收發(fā)模塊包括天線單元和射頻匹配單元；所述天線單元與所述射頻匹配單元聯(lián)接，用于接收非接觸式終端讀 寫存儲卡請求的射頻信號，以及，用于向所述非接觸式終端發(fā)射所述匹配后的第三射頻信 號；所述射頻匹配單元與所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊聯(lián)接，用于將所述非接觸式終端讀寫 存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號并發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊，以及，用于 接收射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所述第二射頻信號匹配為非接觸式 終端可接收的第三射頻信號。所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其中，所述存儲卡為SD卡、MMC卡、CF 卡、T卡、MS卡、接觸式IC卡、智能卡或CPU卡。所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其中，還包括一與所述微控制單元聯(lián) 接的供電模塊，用于給所述微控制單元供電。所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其中，所述微控制單元為一型號為TI MSP430的MCU芯片，所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊為一非接觸讀寫芯片NXP PN531。所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其中，所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊的輸入 輸出端10聯(lián)接所述MCU的輸入輸出端10，所述MCU的CMD、DAT0 3、CLK端和所述存儲卡 接口模塊聯(lián)接。一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的方法，其中，包括通過射頻非接觸式讀寫存 儲卡的裝置，所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置包括依次連接的射頻收發(fā)模塊、射 頻調(diào)制解調(diào)模塊、微控制單元，以及存儲卡接口模塊，其中，所述的方法包括步驟所述射頻收發(fā)模塊接收非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號，并將所述非接 觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號；所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊接收所述射頻收發(fā)模塊發(fā)送來的第一射頻信號，并將所述 第一射頻信號調(diào)制成第一數(shù)字信號；所述微控制單元接收所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送來的第一數(shù)字信號，并將所述第 一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成存儲卡讀寫命令信號；所述存儲卡接口模塊接收所述微控制單元發(fā)送的存儲卡讀寫命令信號，并將所述 存儲卡讀寫命令信號發(fā)送給與其聯(lián)接的存儲卡處理。所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的方法，其還包括步驟所述存儲卡接口模塊接收所述存儲卡處理后的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并向所述微 控制單元發(fā)送所述存儲卡讀寫結(jié)果信號；所述微控制單元接收所述存儲卡接口模塊發(fā)送來的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并將所 述存儲卡讀寫結(jié)果信號轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字信號發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊；所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊接收所述微控制單元發(fā)來的第二數(shù)字信號，并將所述第二 數(shù)字信號調(diào)制成第二射頻信號發(fā)送給所述射頻信號收發(fā)模塊；所述射頻收發(fā)模塊接收射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所述第 二射頻信號匹配為非接觸式終端可接收的第三射頻信號，并向所述非接觸式終端發(fā)射所述 匹配后的第三射頻信號。所述的方法，其中，所述存儲卡為SD卡、MMC卡、CF卡、T卡、MS卡、接觸式IC卡、 智能卡或CPU卡。[0032]有益效果本實用新型提供一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，使非接觸 式終端通過射頻可以讀寫大容量存儲卡，滿足人們通過射頻讀寫大容量存儲卡的要求，為 人們提供了方便，且其結(jié)構(gòu)簡單，操作方便。

圖1是本實用新型實施例提供的通過射頻非接觸式讀寫存儲卡裝置的結(jié)構(gòu)框圖；圖2是本實用新型實施例提供的通過射頻非接觸式讀寫存儲卡裝置部分模塊的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的通過射頻非接觸式讀寫存儲卡裝置工作原理流 程圖。
具體實施方式
本實用新型實施例提供一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其使非接觸式 終端通過射頻可以讀寫大容量存儲設(shè)備。為使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清 楚、明確，以下參照附圖并舉實施例對本實用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。本實用新型實施例提供的一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，如圖1所 示，包括依次連接的射頻收發(fā)模塊100、射頻調(diào)制解調(diào)模塊200、微控制單元300，以及存儲 卡接口模塊400，其中所述射頻收發(fā)模塊100，用于接收非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號，并將 所述非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號，以及，用于接收射頻調(diào)制解調(diào)模塊200發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所述第二射頻信 號匹配為非接觸式終端可接收的第三射頻信號，并向所述非接觸式終端發(fā)射所述匹配后的 第三射頻信號；所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊200，用于接收所述射頻收發(fā)模塊100發(fā)送來的第一射頻 信號，并將所述第一射頻信號調(diào)制成第一數(shù)字信號，以及，用于接收所述微控制單元300發(fā)來的第二數(shù)字信號，并將所述第二數(shù)字信號調(diào)制 成第二射頻信號發(fā)送給所述射頻信號收發(fā)模塊100 ；所述微控制單元300，用于接收所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊200發(fā)送來的第一數(shù)字信 號，并將所述第一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成存儲卡讀寫命令信號，以及，用于接收所述存儲卡接口模塊400發(fā)送來的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并將所述存儲 卡讀寫結(jié)果信號轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字信號發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊200 ；所述存儲卡接口模塊400，用于接收所述微控制單元300發(fā)送的存儲卡讀寫命令 信號，并將所述存儲卡讀寫命令信號發(fā)送給與其聯(lián)接的存儲卡處理，以及，用于接收所述存儲卡處理后的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并向所述微控制單元300發(fā) 送所述存儲卡讀寫結(jié)果信號。在本實施例中，更為具體的所述射頻收發(fā)模塊100包括天線單元110和射頻匹 配單元120 ；所述天線單元110與所述射頻匹配單元120聯(lián)接，用于接收非接觸式終端讀寫 存儲卡請求的射頻信號，以及，用于向所述非接觸式終端發(fā)射所述匹配后的第三射頻信號； 其中，所述天線單元可以為感應(yīng)天線。所述天線單元和射頻匹配單元可以為13.56M、433M、[0047]所述射頻匹配單元120與所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊200聯(lián)接，用于將所述非接觸 式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號并發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊 200，以及，用于接收射頻調(diào)制解調(diào)模塊200發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所述第二射頻 信號匹配為非接觸式終端可接收的第三射頻信號。進(jìn)一步地，所述存儲卡接口模塊可以為一存儲卡卡套，可以連接各種類型的存儲 卡，例如，連接大容量的存儲卡，使非接觸式終端通過射頻可以讀寫大容量存儲設(shè)備。所述 存儲卡可為SD卡、MMC卡、CF卡、T卡、MS卡、接觸式IC卡、智能卡或CPU卡。進(jìn)一步地，所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其還包括一與所述微控制 單元聯(lián)接的供電模塊，用于給所述微控制單元、射頻調(diào)制解調(diào)模塊和存儲卡供電，所述供電 模塊可以為一電池。當(dāng)然，所述微控制單元還可以由射頻傳遞的能量供電，例如由射頻調(diào)制 解調(diào)模塊將射頻能量轉(zhuǎn)換為電源供電。進(jìn)一步地，所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊可以是一非接觸讀寫芯片NXPPN531。所述微控 制單元可以為一型號為MSP430的MCU。所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊200的輸入輸出端10聯(lián)接 所述MCU的輸入輸出端10，所述MCU的CMD、DAT0 3、CLK端和所述存儲卡接口模塊聯(lián)接。本實施例提供的通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，使非接觸式終端通過射頻 可以讀寫大容量存儲卡、接觸式IC卡或智能卡，滿足人們通過射頻讀寫大容量存儲卡的要 求，為人們提供了方便，且其結(jié)構(gòu)簡單，操作方便。上述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其工作原理包括如下步驟601、所述射頻收發(fā)模塊接收非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號，并將所述 非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號；602、所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊接收所述射頻收發(fā)模塊發(fā)送來的第一射頻信號，并將 所述第一射頻信號調(diào)制成第一數(shù)字信號；603、所述微控制單元接收所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送來的第一數(shù)字信號，并將所 述第一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成存儲卡讀寫命令信號；604、所述存儲卡接口模塊接收所述微控制單元發(fā)送的存儲卡讀寫命令信號，并將 所述存儲卡讀寫命令信號發(fā)送給與其聯(lián)接的存儲卡處理。605、所述存儲卡接口模塊接收所述存儲卡處理后的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并向所 述微控制單元發(fā)送所述存儲卡讀寫結(jié)果信號；606、所述微控制單元接收所述存儲卡接口模塊發(fā)送來的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并 將所述存儲卡讀寫結(jié)果信號轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字信號發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊；607、所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊接收所述微控制單元發(fā)來的第二數(shù)字信號，并將所述 第二數(shù)字信號調(diào)制成第二射頻信號發(fā)送給所述射頻信號收發(fā)模塊；608、所述射頻收發(fā)模塊接收射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所 述第二射頻信號匹配為非接觸式終端可接收的第三射頻信號，并向所述非接觸式終端發(fā)射 所述匹配后的第三射頻信號。本實用新型提供的通過射頻非接觸式讀寫存儲卡裝置，使非接觸式終端通過射頻 可以讀寫大容量存儲卡、接觸式IC卡或智能卡，滿足人們通過射頻讀寫大容量存儲卡的要 求，為人們提供了方便，且其結(jié)構(gòu)簡單，操作方便。[0062] 應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換， 而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其特征在于，包括依次連接的射頻收發(fā)模塊、射頻調(diào)制解調(diào)模塊、微控制單元，以及存儲卡接口模塊，其中所述射頻收發(fā)模塊，用于接收非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號，并將所述非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號，以及，用于接收射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所述第二射頻信號匹配為非接觸式終端可接收的第三射頻信號，并向所述非接觸式終端發(fā)射所述匹配后的第三射頻信號；所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊，用于接收所述射頻收發(fā)模塊發(fā)送來的第一射頻信號，并將所述第一射頻信號調(diào)制成第一數(shù)字信號，以及，用于接收所述微控制單元發(fā)來的第二數(shù)字信號，并將所述第二數(shù)字信號調(diào)制成第二射頻信號發(fā)送給所述射頻信號收發(fā)模塊；所述微控制單元，用于接收所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送來的第一數(shù)字信號，并將所述第一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成存儲卡讀寫命令信號，以及，用于接收所述存儲卡接口模塊發(fā)送來的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并將所述存儲卡讀寫結(jié)果信號轉(zhuǎn)換成第二數(shù)字信號發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊；所述存儲卡接口模塊，用于接收所述微控制單元發(fā)送的存儲卡讀寫命令信號，并將所述存儲卡讀寫命令信號發(fā)送給與其聯(lián)接的存儲卡處理，以及，用于接收所述存儲卡處理后的存儲卡讀寫結(jié)果信號，并向所述微控制單元發(fā)送所述存儲卡讀寫結(jié)果信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其特征在于，所述射頻 收發(fā)模塊包括天線單元和射頻匹配單元；所述天線單元與所述射頻匹配單元聯(lián)接，用于接 收非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號，以及，用于向所述非接觸式終端發(fā)射所述匹 配后的第三射頻信號；所述射頻匹配單元與所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊聯(lián)接，用于將所述非接觸式終端讀寫存儲 卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號并發(fā)送給所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊，以及，用于接收 射頻調(diào)制解調(diào)模塊發(fā)送過來的第二射頻信號，并將所述第二射頻信號匹配為非接觸式終端 可接收的第三射頻信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其特征在于，所述存儲 卡為SD卡、MMC卡、CF卡、T卡、MS卡、接觸式IC卡、智能卡或CPU卡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其特征在于，還包括一 與所述微控制單元聯(lián)接的供電模塊，用于給所述微控制單元供電。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其特征在于，所述微控 制單元為一型號為TI MSP430的MCU芯片，所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊為一非接觸讀寫芯片NXP PN531。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其特征在于，所述射頻 調(diào)制解調(diào)模塊的輸入輸出端10聯(lián)接所述MCU的輸入輸出端10，所述MCU的CMD、DAT0 3、 CLK端和所述存儲卡接口模塊聯(lián)接。
專利摘要本實用新型提供一種通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，所述裝置包括依次連接的射頻收發(fā)模塊、射頻調(diào)制解調(diào)模塊、微控制單元，以及存儲卡接口模塊；所述射頻收發(fā)模塊接收非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號，并將所述非接觸式終端讀寫存儲卡請求的射頻信號匹配為第一射頻信號；所述射頻調(diào)制解調(diào)模塊將所述第一射頻信號調(diào)制成第一數(shù)字信號；所述微控制單元將所述第一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成存儲卡讀寫命令信號。本實用新型所提供的通過射頻非接觸式讀寫存儲卡的裝置，其使非接觸式終端通過射頻就可以實現(xiàn)對各種存儲卡的讀寫，滿足人們通過射頻讀寫大容量存儲卡的要求，為人們提供了方便，且其結(jié)構(gòu)簡單，操作方便。
文檔編號H04B1/38GK201607752SQ20092026051
公開日2010年10月13日 申請日期2009年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者姚志文, 饒俊峰 申請人:深圳市安捷信聯(lián)科技有限公司