專利名稱：具有可編程芯片上電阻器端接的低電壓差動信令驅(qū)動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及數(shù)據(jù)驅(qū)動器，且更確切地說，涉及低電壓差動信令驅(qū)動器。
背景技術(shù)：
例如移動電話等無線裝置可使用并行的低速互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)線來進(jìn)行芯片外的數(shù)據(jù)通信，即電話調(diào)制解調(diào)器(例如移動臺調(diào)制解調(diào)器(MSM))與液晶顯示器 (LCD)或相機之間的數(shù)據(jù)通信。多條并行的低速CMOS線會占據(jù)芯片上的寶貴空間，且對于較小形狀因數(shù)的翻蓋式電話來說，很難在微小的折疊接頭上通過許多(例如十八條到二十條)并行線?？蓪π酒鈹?shù)據(jù)通信使用串行高速數(shù)據(jù)線。此類數(shù)據(jù)線可使主機(例如MSM) 與客戶端(例如LCD或相機)之間的導(dǎo)線的數(shù)目實質(zhì)性最小化。然而，由于串行線的數(shù)據(jù)速率提高，所以變得更加難以使用CMOS軌到軌驅(qū)動器，其可能無法在較高數(shù)據(jù)速率下操作?？墒褂玫碗妷翰顒有帕?LVDS)驅(qū)動器向例如顯示器等接收芯片在芯片外發(fā)射串行高速數(shù)據(jù)。LVDS驅(qū)動器是一種流行形式的單元，其在接收端處以所需的電壓擺動(例如 250毫伏(mV))將電流導(dǎo)引到外部電阻器。擺動的變化通常限于擺動值的大概百分之二十 (20%)。然而，芯片上帶隙電流可具有變化以對抗制造期間的工藝變化。此工藝變化可為正或負(fù)百分之二十(士20%)或更大。此工藝變化可使得LVDS輸出驅(qū)動器擺動變化正或負(fù)百分之二十(士20% )，這可能導(dǎo)致LVDS輸出驅(qū)動器出現(xiàn)故障。因此，需要一種改進(jìn)的低電壓差動信令驅(qū)動器。

發(fā)明內(nèi)容
揭示一種低電壓差動信令驅(qū)動器，且其可包含電流導(dǎo)引輸出電路，所述電流導(dǎo)引輸出電路具有第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出。所述低電壓差動信令驅(qū)動器還可包含可編程芯片上電阻器。所述可編程芯片上電阻器可選擇性操作以充當(dāng)端接電阻器且控制驅(qū)動器的輸出擺動。當(dāng)可編程芯片上電阻器啟用時，在可編程芯片上電阻器與芯片外端接電阻器之間劃分驅(qū)動電流。在特定方面中，電流導(dǎo)引輸出電路可包含第一正開關(guān)、并聯(lián)連接到第一正開關(guān)的第二正開關(guān)、與第二正開關(guān)串聯(lián)連接的第一負(fù)開關(guān)及與第一正開關(guān)串聯(lián)連接且與第一負(fù)開關(guān)并聯(lián)連接的第二負(fù)開關(guān)。此外，電流導(dǎo)引輸出電路可操作以在第一電路配置與第二電路配置之間切換。在第一電路配置中，驅(qū)動電流可流動穿過至少第一正開關(guān)、第二驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、第一驅(qū)動器輸出及第一負(fù)開關(guān)。在第二電路配置中，驅(qū)動電流可流動穿過至少第二正開關(guān)、第一驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、第二驅(qū)動器輸出及第二負(fù)開關(guān)。在此方面中，第一正開關(guān)及第二正開關(guān)可為P-MOSFET開關(guān)，且第一負(fù)開關(guān)及第二負(fù)開關(guān)可為N-MOSFET開關(guān)。此外，在此方面中，低電壓差動信令驅(qū)動器還可包含差動緩沖器，其連接到第一正開關(guān)、第二正開關(guān)、第一負(fù)開關(guān)及第二負(fù)開關(guān)。差動緩沖器可操作以使電流導(dǎo)引輸出電路在第一電路配置與第二電路配置之間切換。低電壓差動信令驅(qū)動器還可包含共模反饋電路，其連接到第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出。共模反饋電路可經(jīng)配置以感測共模輸出電壓并將共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較。如果共模輸出電壓不同于參考電壓，則共模反饋電路可調(diào)整低電壓差動信號驅(qū)動器的驅(qū)動電流以實現(xiàn)所需的共模輸出電壓。在另一方面中，揭示一種裝置，且其可包含低電壓差動信令驅(qū)動器。低電壓差動信令驅(qū)動器可包含電流導(dǎo)引輸出電路，所述電流導(dǎo)引輸出電路具有第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出。所述低電壓差動信令驅(qū)動器還可包含可編程芯片上電阻器。所述可編程芯片上電阻器可選擇性操作以充當(dāng)端接電阻器且控制驅(qū)動器的輸出擺動。在此方面中，電流導(dǎo)引輸出電路可包含第一正開關(guān)、并聯(lián)連接到第一正開關(guān)的第二正開關(guān)、與第二正開關(guān)串聯(lián)連接的第一負(fù)開關(guān)及與第一正開關(guān)串聯(lián)連接且與第一負(fù)開關(guān)并聯(lián)連接的第二負(fù)開關(guān)。此外，電流導(dǎo)引輸出電路可操作以在第一電路配置與第二電路配置之間切換。在第一電路配置中，驅(qū)動電流可流動穿過至少第一正開關(guān)、第二驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、第一驅(qū)動器輸出及第一負(fù)開關(guān)。在第二電路配置中，驅(qū)動電流可流動穿過至少第二正開關(guān)、第一驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、第二驅(qū)動器輸出及第二負(fù)開關(guān)。 在此方面中，第一正開關(guān)及第二正開關(guān)可為P-MOSFET開關(guān)，且第一負(fù)開關(guān)及第二負(fù)開關(guān)可為N-MOSFET開關(guān)。此外，在此方面中，低電壓差動信令驅(qū)動器還可包含差動緩沖器，其連接到第一正開關(guān)、第二正開關(guān)、第一負(fù)開關(guān)及第二負(fù)開關(guān)。差動緩沖器可操作以使電流導(dǎo)引輸出電路在第一電路配置與第二電路配置之間切換。低電壓差動信令驅(qū)動器還可包含共模反饋電路，其連接到第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出。共模反饋電路可經(jīng)配置以感測共模輸出電壓并將共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較。如果共模輸出電壓不同于參考電壓，則共模反饋電路可調(diào)整低電壓差動信號驅(qū)動器的驅(qū)動電流以實現(xiàn)所需的共模輸出電壓。在又一方面中，揭示一種裝置，且其可包含低電壓差動信令驅(qū)動器。低電壓差動信令驅(qū)動器可包含電流導(dǎo)引輸出裝置，所述電流導(dǎo)引輸出裝置具有第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出；以及可編程芯片上電阻器裝置。所述可編程芯片上電阻器裝置可選擇性操作以充當(dāng)端接電阻器且控制驅(qū)動器的輸出擺動。電流導(dǎo)引輸出裝置可包含第一正開關(guān)裝置、并聯(lián)連接到第一正開關(guān)裝置的第二正開關(guān)裝置、與第二正開關(guān)串聯(lián)連接的第一負(fù)開關(guān)裝置及與第一正開關(guān)裝置串聯(lián)連接且與第一負(fù)開關(guān)裝置并聯(lián)連接的第二負(fù)開關(guān)裝置。在此方面中，電流導(dǎo)引輸出裝置可操作以在第一配置與第二配置之間切換。在第一配置中，驅(qū)動電流可流動穿過至少第一正開關(guān)裝置、第二驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、第一驅(qū)動器輸出及第一負(fù)開關(guān)裝置。在第二配置中，驅(qū)動電流可流動穿過至少第二正開關(guān)裝置、第一驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、第二驅(qū)動器輸出及第二負(fù)開關(guān)裝置。此外，在此方面中，第一正開關(guān)裝置及第二正開關(guān)裝置可包含P-MOSFET開關(guān)，且其中第一負(fù)開關(guān)裝置及第二負(fù)開關(guān)裝置可包含N-MOSFET開關(guān)。所述裝置還可包含控制裝置，其連接到第一正開關(guān)裝置、第二正開關(guān)裝置、第一負(fù)開關(guān)裝置及第二負(fù)開關(guān)裝置。控制裝置可操作以使電流導(dǎo)引輸出裝置在第一配置與第二配置之間切換。此外，所述裝置可包含共模反饋裝置，其連接到第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出。共模反饋裝置可經(jīng)配置以感測共模輸出電壓并將共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較。如果共模輸出電壓不同于參考電壓，則共模反饋裝置可調(diào)整低電壓差動信號驅(qū)動器的驅(qū)動電流以實現(xiàn)所需的共模輸出電壓。在又一方面中，揭示一種將互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動低電壓信號以供芯片外發(fā)射的方法，且其可包括在低電壓差動信令驅(qū)動器處接收互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號；將所述低電壓差動信令驅(qū)動器切換成第一電路配置或第二電路配置；以及選擇性控制所述低電壓差動信令驅(qū)動器上的可編程芯片上電阻器，以便控制驅(qū)動器的輸出擺動。所述方法還可包含將互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動輸出電壓并感測共模輸出電壓。此外，所述方法可包含將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；以及當(dāng)所述共模輸出電壓與所述參考電壓不相等時調(diào)整所述驅(qū)動電流。在此方面中，可使用共模反饋放大器來調(diào)整驅(qū)動器輸出擺動。在又一方面中，揭示一種裝置，且其可包含用于在低電壓差動信令驅(qū)動器處接收互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號的裝置；用于將所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動輸出電壓的裝置；用于將所述低電壓差動信令驅(qū)動器切換成第一電路配置或第二電路配置的裝置；以及用于選擇性控制所述低電壓差動信令驅(qū)動器上的可編程芯片上電阻器以便控制驅(qū)動器的輸出擺動的裝置。此外，所述裝置可包含用于感測共模輸出電壓的裝置。所述裝置還可包含用于將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較的裝置；以及用于當(dāng)所述共模輸出電壓與所述參考電壓不相等時調(diào)整所述驅(qū)動電流的裝置。此外，所述裝置可包含用于調(diào)整驅(qū)動器輸出擺動的裝置。在另一實施例中，揭示一種裝置，且其可包含用于在低電壓差動信令驅(qū)動器處接收互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號的邏輯；用于將所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動輸出電壓的邏輯；用于將所述低電壓差動信令驅(qū)動器切換成第一電路配置或第二電路配置的邏輯；以及用于選擇性控制所述低電壓差動信令驅(qū)動器上的可編程芯片上電阻器以便控制驅(qū)動器輸出擺動的邏輯。所述裝置還可包含用于感測共模輸出電壓的邏輯。此外，所述裝置可包含用于將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較的邏輯；以及用于當(dāng)所述共模輸出電壓與所述參考電壓不相等時調(diào)整所述驅(qū)動電流的邏輯。此外，所述裝置可包含用于控制驅(qū)動器輸出擺動的邏輯。


在圖中，各圖中相同參考數(shù)字始終指代相同部分，除非另有指示。圖1是根據(jù)一方面的數(shù)據(jù)系統(tǒng)的圖；圖2是根據(jù)一方面的無線裝置的圖；圖3是根據(jù)一方面的低電壓差動信令驅(qū)動器的第一圖；圖4是低電壓差動信令驅(qū)動器的第二圖；圖5是低電壓差動信令驅(qū)動器的第三圖；圖6是低電壓差動信令驅(qū)動器的第四圖；圖7是低電壓差動信令驅(qū)動器的第五圖；以及圖8是說明根據(jù)一方面的將CMOS輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動低電壓信號以用于芯片外發(fā)射的方法的流程圖。
具體實施例方式詞語“示范性”在本文中意味著“充當(dāng)實例、例子或說明”。不必將本文中描述為 “示范性”的任何方面解釋為與其它方面相比為優(yōu)選或有利的。在此描述中，術(shù)語“應(yīng)用程序”還可包含具有可執(zhí)行內(nèi)容的文件，所述可執(zhí)行內(nèi)容例如是目標(biāo)代碼、腳本、字節(jié)代碼、標(biāo)記語言文件及補丁。另外，本文中所提到的“應(yīng)用程序”還可包括本質(zhì)上不可執(zhí)行的文件，例如可能需要打開的文檔或其它需要存取的數(shù)據(jù)文件。術(shù)語“內(nèi)容”還可包含具有可執(zhí)行內(nèi)容的文件，所述可執(zhí)行內(nèi)容例如是目標(biāo)代碼、 腳本、字節(jié)代碼、標(biāo)記語言文件及補丁。另外，本文中所提到的“內(nèi)容”還可包括本質(zhì)上不可執(zhí)行的文件，例如可能需要打開的文檔或其它需要存取的數(shù)據(jù)文件。在此描述中，術(shù)語“通信裝置”、“無線裝置”、“無線電話”、“無線通信裝置”及“無線手持機”可互換使用。隨著第三代(3G)無線技術(shù)的出現(xiàn)，更大的帶寬可用性已實現(xiàn)具有無線能力的更多電子裝置。因此，無線裝置可為蜂窩式電話、尋呼機、PDA、智能電話、導(dǎo)航裝置或具有無線連接的計算機。圖1展示數(shù)據(jù)系統(tǒng)，其大體上標(biāo)示為100。如圖所示，數(shù)據(jù)系統(tǒng)100可包含主機裝置102及客戶端裝置104。主機裝置102可為例如移動電話等無線裝置的電路芯片。此外， 客戶端裝置104可為移動電話或其它無線裝置內(nèi)的液晶顯示器(LCD)?；蛘撸蛻舳搜b置 104可為移動電話或其它無線裝置內(nèi)的相機。如圖1中說明，主機裝置102可包含第一芯片106，且第一芯片106可包含發(fā)射器芯片108。發(fā)射器芯片108可為低電壓差動信號(LVDS)驅(qū)動器，例如結(jié)合圖3到圖7描述的LVDS驅(qū)動器。客戶端裝置104可包含第二芯片110，其可包含接收器芯片112，所述接收器芯片經(jīng)配置以從發(fā)射器芯片108接收數(shù)據(jù)。主機裝置102可經(jīng)由傳輸線114連接到客戶端裝置104。確切地說，發(fā)射器芯片108可經(jīng)由傳輸線114連接到或以其它方式耦合到接收器芯片112。傳輸線114可為電纜、柔性導(dǎo)線、PCB板上的跡線、其組合，或此項技術(shù)中已知的某種其它導(dǎo)體。參看圖2，展示無線裝置的示范性非限制性方面，且大體上將其標(biāo)示為220。如圖所示，無線裝置220包含芯片上系統(tǒng)222，其包含耦合在一起的數(shù)字信號處理器2M及模擬信號處理器226。如圖2中說明，顯示器控制器2 及觸摸屏控制器230耦合到數(shù)字信號處理器224。處于芯片上系統(tǒng)222外部的觸摸屏顯示器232又耦合到顯示器控制器2 和觸摸屏控制器230。圖2進(jìn)一步指示視頻編碼器234 (例如，逐行倒相制式(PAL)編碼器、順序傳送彩色與記憶制式(SECAM)編碼器或美國國家電視委員會制式(NTSC)編碼器)耦合到數(shù)字信號處理器224。此外，視頻放大器236耦合到視頻編碼器234和觸摸屏顯示器232。而且， 視頻端口 238耦合到視頻放大器236。如圖2中描繪，通用串行總線(USB)控制器240耦合到數(shù)字信號處理器224。而且，USB端口 242耦合到USB控制器對0。存儲器244及訂戶身份模塊(SIM)卡246也可耦合到數(shù)字信號處理器224。此外，如圖2所示，數(shù)碼相機248可耦合到數(shù)字信號處理器224。在示范性方面中，數(shù)碼相機248是電荷耦合裝置(CCD)相機或互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q相機。如圖2中進(jìn)一步說明，立體聲音頻編解碼器(CODEC) 250可耦合到模擬信號處理器226。此外，音頻放大器252可耦合到立體聲音頻CODEC 250。在示范性方面中，第一立體聲揚聲器2M及第二立體聲揚聲器256耦合到音頻放大器252。圖2展示麥克風(fēng)放大器 258也可耦合到立體聲音頻CODEC 250。此外，麥克風(fēng)260可耦合到麥克風(fēng)放大器258。在特定方面中，調(diào)頻(FM)無線電調(diào)諧器262可耦合到立體聲音頻CODEC 250。而且，F(xiàn)M天線 264耦合到FM無線電調(diào)諧器262。此外，立體聲頭戴受話器266可耦合到立體聲音頻CODEC 250。圖2進(jìn)一步指示射頻(RF)收發(fā)器268可耦合到模擬信號處理器226。RF開關(guān)270 可耦合到RF收發(fā)器268及RF天線272。如圖2中所示，小鍵盤274可耦合到模擬信號處理器226。此外，具有麥克風(fēng)的單聲道頭戴耳機276可耦合到模擬信號處理器226。此外， 振動器裝置278可耦合到模擬信號處理器226。圖2還展示電源280可耦合到芯片上系統(tǒng) 222。在特定方面中，電源280是直流(DC)電源，其將電力提供給無線裝置220的需要電力的各個組件。此外，在特定方面中，電源是可再充電DC電池或從連接到AC電源的交流(AC) 到DC變壓器得到的DC電源。圖2進(jìn)一步指示第一物理層(PHY) 282可位于顯示器控制器230與顯示器/觸摸屏 232之間。在特定方面中，第一 PHY 282可包含驅(qū)動器，例如下文結(jié)合圖3到圖7描述的驅(qū)動器。第二 PHY 284可駐留于視頻放大器236與顯示器/觸摸屏232之間。第二 PHY 284 可包含驅(qū)動器，例如下文結(jié)合圖3到圖7描述的驅(qū)動器。此外，如圖2所示，(XD/CM0S相機 248可包含第三PHY 2860第三PHY 286可包含驅(qū)動器，例如下文結(jié)合圖3到圖7描述的驅(qū)動器。此外，第四PHY 288可駐留于DSP 2 與(XD/CM0S相機248之間。第四PHY 288 可包含驅(qū)動器，例如下文結(jié)合圖3到圖7描述的驅(qū)動器。在此方面中，第三PHY 286可充當(dāng)從(XD/CM0S相機248到DSP 2 的前向鏈路驅(qū)動器，且第四PHY 288可充當(dāng)從DSP 2 到 (XD/CM0S相機248的反向鏈路驅(qū)動器。因此，可在DSP 224與(XD/CM0S相機248之間建立雙向通信。如圖2中描繪，觸摸屏顯示器232、視頻端口 238、USB端口 M2、相機M8、第一立體聲揚聲器254、第二立體聲揚聲器256、麥克風(fēng)沈0、FM天線沈4、立體聲頭戴受話器沈6、 RF開關(guān)270、RF天線272、小鍵盤274、單聲道頭戴耳機276、振動器278及電源280在芯片上系統(tǒng)222外部。在特定方面中，本文中所述的方法步驟中的一者或一者以上可作為計算機程序指令存儲于存儲器244中。這些指令可由處理器2對、2沈執(zhí)行，以便執(zhí)行本文中所述的方法。 此外，處理器224、226、存儲器M4、存儲于其中的指令或其組合可充當(dāng)用于執(zhí)行本文中所述的方法步驟中的一者或一者以上的裝置?，F(xiàn)在參看圖3，展示了低電壓差動信令(LVDQ驅(qū)動器，且將其大體上標(biāo)示為300。 如圖所示，LVDS驅(qū)動器300可位于電路芯片302(例如，硅電路芯片)上。LVDS驅(qū)動器300 可包含第一正開關(guān)304及第二正開關(guān)306。第一正開關(guān)304及第二正開關(guān)可為P-MOSFET開關(guān)。如圖所示，第一負(fù)開關(guān)308可與第二正開關(guān)306串聯(lián)連接。第二負(fù)開關(guān)310可與第一正開關(guān)304串聯(lián)連接。第一正開關(guān)304及第二負(fù)開關(guān)310與第一負(fù)開關(guān)308及第二正開關(guān) 306并聯(lián)。負(fù)開關(guān)308、310可為N-MOSFET開關(guān)。
圖3進(jìn)一步指示LVDS驅(qū)動器300可包含差動緩沖器312，S卩，例如CMOS單端到差動緩沖器。差動緩沖器312包含輸入314、第一輸出316及第二輸出318。差動緩沖器312 的第一輸出316可連接到第一正開關(guān)304及第二負(fù)開關(guān)310。差動緩沖器312的第二輸出 318可連接到第二正開關(guān)306及第一負(fù)開關(guān)308。如圖3中進(jìn)一步描繪，第一電流源3M可連接到第一正開關(guān)304及第二正開關(guān) 306。第二電流源3 可連接到第一負(fù)開關(guān)308及第二負(fù)開關(guān)310。第一電流源3 可為 PFET電流源，且第二電流源3 可為nFET電流源。在操作期間，開關(guān)304、306、308、310可充當(dāng)電流導(dǎo)引輸出開關(guān)，即電流導(dǎo)引輸出裝置，且可斷開及閉合以允許電流沿著下述特定路徑在電流源3對、3沈之間流動。為了不過度干擾鏈路共模電壓，pFET及nFET電流源的接通時間可謹(jǐn)慎匹配。這確保在接通的瞬態(tài)期間，鏈路共模電壓不會被拉得過高或過低。圖3還展示具有電阻器330的帶隙塊328。帶隙塊3 可向驅(qū)動器300提供與溫度無關(guān)的帶隙電流Ibg。因為帶隙電阻Rbg隨工藝及/或操作條件改變，所以此電流可隨工藝及/或操作條件改變。Rbg可改變多達(dá)正或負(fù)百分之二十(士20%)，且因此、可改變多達(dá)正或負(fù)百分之二十(士20%)。此外，在特定方面中，第一電流源3M可鏡射帶隙電流。帶隙電流Ibg等于帶隙電壓Vbg除以帶隙電阻Rbg (如帶隙電阻器330所示)。如圖3所示，驅(qū)動器300可包含第一驅(qū)動器輸出332及第二驅(qū)動器輸出334?？删幊绦酒想娮杵?36(即，可編程芯片上電阻器裝置)可跨驅(qū)動器輸出332、334而連接。 在特定方面中，可編程芯片上電阻器336可具有與帶隙塊3 相同的電阻。此外，在特定方面中，當(dāng)跨相同類型的電阻器(例如，可編程芯片上電阻器336)取得輸出電壓擺動時，可抵消因電阻器中的工藝變化及/或操作條件引起的帶隙電流的減少或增加。此配置可產(chǎn)生對驅(qū)動器300的輸出擺動的相對嚴(yán)格的控制。此外，可編程芯片上電阻器336還可充當(dāng)源端接電阻器，且實質(zhì)性改進(jìn)驅(qū)動器300的抖動性能，并擴展驅(qū)動器的帶寬?？删幊绦酒想娮杵?36的可編程性質(zhì)允許驅(qū)動器選擇可編程芯片上電阻器336的值。因此，使用可編程芯片上電阻器336作為芯片上端接電阻器，驅(qū)動器300的帶寬實質(zhì)性增加，且輸出擺動控制的精確度也實質(zhì)性增加。當(dāng)驅(qū)動器300斷開時，可編程芯片上電阻器336可被停用，以便為位于傳輸線上的任何其它驅(qū)動器提供相對高的阻抗。驅(qū)動器300還可包含共模反饋(CMFB)放大器338，其具有第一輸入340及第二輸入；342。此外，CMFB放大器338可包含第一輸出344及第二輸出；346。CMFB放大器338的第一輸入340可通過第一電阻器348及第二電阻器350連接到第一驅(qū)動器輸出332及第二驅(qū)動器輸出334。CMFB放大器338的第二輸入342可連接到參考電壓。如圖所示，第一電阻器348及第二電阻器350可并聯(lián)安裝于CMFB放大器338的第一輸入340與驅(qū)動器輸出 332,334之間。此配置有助于感測輸出332、334的共模。CMFB放大器338的第一輸出344 可經(jīng)連接以調(diào)諧第一電流源324，以便將Vmid調(diào)整為Vref。CMFB放大器338的第二輸出346 可經(jīng)連接以調(diào)諧第二電流源326，以便將Vmid調(diào)整為Vref。應(yīng)了解，Vmid是驅(qū)動器輸出332、 334的所感測的共模電壓。在特定方面中，CMFB放大器338可感測共模輸出電壓，即在驅(qū)動器300的輸出 332、334處，且將所述電壓值與參考電壓(例如，電源電壓的一半)比較。如果所述值不同， 則CMFB放大器338可調(diào)整驅(qū)動電流，以便將共模輸出電壓調(diào)整為正確或所需的值。圖3進(jìn)一步指示驅(qū)動器300可耦合到一個或一個以上芯片外板組件360。具體來說，第一驅(qū)動器輸出332可耦合到或以其它方式連接到第一芯片外傳輸線362。此外，第二驅(qū)動器輸出334可耦合到或以其它方式連接到第二芯片外傳輸線364。芯片外端接電阻器 366可安裝于芯片外傳輸線362、364之間。在操作期間，電流源324、3沈可用于將電流注入到由驅(qū)動器300與芯片外板組件 360形成的電路中。差動緩沖器312可將控制信號提供給開關(guān)304、306、308、310，其可致使驅(qū)動器300控制穿過電路行進(jìn)的電流的方向。舉例來說，差動緩沖器312可閉合第一正開關(guān)304及第一負(fù)開關(guān)308，且斷開第二正開關(guān)306及第二負(fù)開關(guān)310，以便建立圖4所示的第一電路配置。如圖4中的路徑400所指示，在第一電路配置中，電流可從第一電流源3M流動穿過第一正開關(guān)304、穿過第二驅(qū)動器輸出334、穿過第二傳輸線364，且穿過芯片外端接電阻器366。電流可接著穿過第一芯片外傳輸線362、穿過第一驅(qū)動器輸出332、穿過第一負(fù)開關(guān)308返回，且終止于第二電流源 326 處。如圖5所示，當(dāng)可編程芯片上電阻器閉合時，電流可在可編程芯片上電阻器與芯片外端接電阻器之間分裂。由此，可編程芯片上電阻器可充當(dāng)芯片上端接電阻器。差動緩沖器312還可閉合第二正開關(guān)306及第二負(fù)開關(guān)310，且斷開第一正開關(guān) 304及第一負(fù)開關(guān)308，以便建立圖6所示的第二電路配置。如圖6中的路徑600所指示， 在第二電路配置中，電流可從第一電流源3M流動穿過第二正開關(guān)306、穿過第一驅(qū)動器輸出332、穿過第一傳輸線362，且穿過芯片外端接電阻器366。電流可接著穿過第二芯片外傳輸線364、穿過第二驅(qū)動器輸出334、穿過第二負(fù)開關(guān)310返回，且終止于第二電流源3 處。如圖7所示，當(dāng)可編程芯片上電阻器閉合時，電流可在可編程芯片上電阻器與芯片外端接電阻器之間分裂。由此，可編程芯片上電阻器可充當(dāng)芯片上端接電阻器。芯片外系統(tǒng)360可感測與電流相關(guān)聯(lián)的電壓的極性以確定邏輯電平，例如邏輯 “1”或邏輯“0”。在如圖4所示的第一電路配置中，芯片外系統(tǒng)360可基于與電流信號相關(guān)聯(lián)的電壓的極性而感測到邏輯“0”。在如圖6所示的第二電路配置中，芯片外系統(tǒng)360可基于與電流信號相關(guān)聯(lián)的電壓的極性而感測到邏輯“ 1 ”。圖8說明將CMOS輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動低電壓信號以供在芯片外發(fā)射的方法， 標(biāo)示為800。方法800開始于框802處，其中將低電壓差動信令(LVDS)驅(qū)動器(例如，本文中所述的LVDS驅(qū)動器300)接通或以其它方式通電。在框803處，可基于驅(qū)動器性能需要來選擇可編程芯片上電阻器。在框804處，可在LVDS處接收CMOS輸入電壓信號。在框 805處，可將CMOS輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動互補信號。移動到?jīng)Q策步驟806，可確定是將驅(qū)動器切換到第一電路配置還是第二電路配置。 此確定可基于CMOS信號，例如從其產(chǎn)生的差動輸出電壓信號。CMOS信號可指示邏輯“1”或邏輯“ 0 ”。邏輯“ 1 ”可對應(yīng)于第一電路配置，且邏輯“ 0 ”可對應(yīng)于第二電路配置。如果選擇了第一電路配置，則方法800可前進(jìn)到框808，且可閉合第一正開關(guān)及第一負(fù)開關(guān)。隨后，在框810處，可斷開第二正開關(guān)及第二負(fù)開關(guān)。方法800可接著前進(jìn)到下述框812。返回到?jīng)Q策步驟806，如果選擇了第二電路配置，則方法800可前進(jìn)到框814，其中斷開第一正開關(guān)且斷開第一負(fù)開關(guān)。接著，在框816處，可閉合第二正開關(guān)且可閉合第二負(fù)開關(guān)。此后，方法800可繼續(xù)到框812。在框812處，可將驅(qū)動電流施加到第一電路配置或第二電路配置，以便獲得跨端接電阻器的低電壓差動信號(LVDQ輸出擺動。移動到框818，可例如由共模反饋電路(即，共模反饋裝置)感測共模輸出電壓。 舉例來說，共模反饋電路可為上述共模反饋電路。在框820處，可將共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較。在特定方面中，參考電壓可由用戶選擇。此外，在特定方面中，參考電壓可等于電源電壓的一半(1/2)。繼續(xù)到?jīng)Q策步驟822，可確定共模輸出電壓是否等于參考電壓。 如果這些值不相等，則方法800可繼續(xù)到框824，且可使用CMFB放大器來調(diào)整驅(qū)動電流。此后，方法800可在狀態(tài)擬6處結(jié)束。返回到?jīng)Q策步驟822，如果共模輸出電壓等于參考電壓， 則方法800可直接前進(jìn)到狀態(tài)826，且方法800可結(jié)束。應(yīng)了解，本文中所述的方法步驟未必必須以所述的次序執(zhí)行。此外，例如“此后”、 “接著”、“接下來”等詞語并不意在限制步驟的次序。這些詞語只是用來引導(dǎo)讀者瀏覽對方法步驟的描述。使用本文中所述的結(jié)構(gòu)配置，驅(qū)動器300提供從每秒至少三百兆位(300Mbps)到大于每秒一千兆位(Kibps)的發(fā)射速度。此外，所配置的驅(qū)動器300可提供實質(zhì)性更少的抖動。驅(qū)動器300還提供精確的輸出上升控制及下降時間控制。此外，驅(qū)動器300提供跨 PVT的少于百分之二十(20%)的輸出擺動控制。此外，驅(qū)動器300跨較廣的溫度范圍(例如，從負(fù)四十?dāng)z氏度(_40°C )到一百二十五攝氏度(125°C ))提供相同的低抖動。驅(qū)動器300通過調(diào)整驅(qū)動器輸出電流產(chǎn)生可變擺動。提供這些擺動控制選項以確?？舍槍μ囟☉?yīng)用調(diào)整差動電壓幅值。在特定方面中，驅(qū)動器300可用于移動電話、移動因特網(wǎng)裝置、便攜式個人計算裝置或任何其它利用有線線路接口或高速串行線路的裝置?？擅靼祝胁煌琸rDeS(串行器-解串器)標(biāo)準(zhǔn)均對驅(qū)動器輸出強加一些擺動限制。規(guī)范可界定驅(qū)動器擺動輸出及所允許的最小及最大擺動。舉例來說，最小及最大擺動的范圍可為正或負(fù)(+/_20%)。本文中揭示的驅(qū)動器可使用來自芯片上參考產(chǎn)生器(例如，帶隙塊)的某一參考電流。此參考產(chǎn)生器(即，帶隙塊)可提供與溫度及電壓無關(guān)的偏置電流。然而，此電流可隨工藝變化而變。電流的變化可能是因芯片上電阻器的變化引起或受其影響，所述變化可大于正或負(fù)百分之二十五(+/-25% )。為了在輸出處(即，在客戶端芯片處的接收器輸入處)獲得電壓擺動，使電流經(jīng)過芯片外端接電阻器。芯片外電阻器相對準(zhǔn)確，例如正或負(fù)百分之一(+/_1%)。因此， 輸出擺動可根據(jù)驅(qū)動電流的變化而變。舉例來說，如果驅(qū)動電流變化正或負(fù)百分之二十五 (+/-25% )，則輸出擺動也可變化正或負(fù)百分之二十五(+/-25% )，這可能會違反任何輸出擺動最小/最大限制。為了避免此問題，可使用外部電阻器來產(chǎn)生參考電流。因為此外部電阻器是準(zhǔn)確的，所以也將控制參考電流。然而，這要求使用外部無源組件，且會增加材料開支并最終增加產(chǎn)品成本。如本文中揭示，可使用可編程芯片上電阻器作為跨驅(qū)動器輸出的端接電阻器。這可提供在跨芯片上端接電阻器(即可編程芯片上電阻器)與在客戶端側(cè)使用的芯片外端接電阻器的并聯(lián)組合取得輸出擺動時抵消輸出擺動的任何變化。芯片上端接電阻器還可在源端處提供端接，且可實質(zhì)性改進(jìn)驅(qū)動器帶寬。由此，無需使用任何額外的芯片外組件，即可改進(jìn)驅(qū)動器的DC及AC性能規(guī)范。此外，此芯片上端接電阻器可編程，以便提供在驅(qū)動器停用時停用芯片上端接電阻器的選項。這可使得在其它一些與此驅(qū)動器共享相同傳輸線的芯片外驅(qū)動器驅(qū)動所述線時，芯片上端接電阻器對于系統(tǒng)來說不透明。以下提供芯片上驅(qū)動器端接如何有助于使輸出擺動變化最小化的簡短解釋。情況1 未使用任何芯片上驅(qū)動器端接驅(qū)動器Vswing = Ibg*k*R。ff_chip其中，k =驅(qū)動器放大常數(shù)Ibg = Vbg/R。n_chip =參考電流R。ff_。hip =通常 100 歐姆，準(zhǔn)確度為 +/-I %R。n_。_ 變化>+/-25%因此，當(dāng)R。n_。hip增加> +25%時，、將減小> -25%，因為Ibg與R。n_。hip成反比。此外，當(dāng)Ibg減小25 %時，Vswing可能也會減少25 %。情況2 使用驅(qū)動器芯片上端接電阻器驅(qū)動器Vswing = Ibg*k*(R
on-chip, termination Il Roff-chip)舉例來說，當(dāng)R。n_。_增加25%時，、將減?。咳誢，但現(xiàn)在跨民^^—她與 Roff-chip的并聯(lián)組合取得擺動。R。n-。hip,tCTminati。n已增加邪％，因此減小的Ibg的影響將被增加
B^J Ron-Chip, termination 中和(例如抵消)。因此，可獲得相對精確的擺動。抵消可能不是百分之百(100%)，因為固定的 Roff -chip Ron-chip，termination 的并聯(lián)組合可能會使得凈電阻變化百分之二十(20% )而不是百分之二十五(25% )。然而，Vswing可具有小于正或負(fù)百分之五(< +/-5% )的變化，這將肯定在Vswing的變化規(guī)范以內(nèi)。通過添加R
on-chip, termination' 口丄 Ron-chip，termination ^off-chip 之間劃分驅(qū)動器電流。因
此，對于上述情況1及2中的相同驅(qū)動器電流，如果R。n-。hip,tCTminati。n具有與R。ff-。hip相同的值， 則現(xiàn)在情況2中的輸出擺動將減少百分之五十(50%)。為了將DC擺動恢復(fù)到與情況1中相同的水平，驅(qū)動器電流可增加，例如對于當(dāng)R。n-。hip,tCTminati。n與R。ff-。hip相同時的情況翻倍。如本文中所揭示，R。n_。hip端接電阻器可為可編程的。當(dāng)其與R。ff_。_電阻器(其與傳輸線特性阻抗匹配)相同時，可以增加的功率消耗為代價獲得峰值A(chǔ)C性能。對于用電池操作的消費型裝置，低功率實施方案電路設(shè)計較為重要。通過編程R。n_。hip,tCTminati。n，系統(tǒng)設(shè)計人員可使R。n_。hip, termmation固定以獲得峰值的性能功率比?？赏ㄟ^軟件寄存器編程來實現(xiàn)所述編程。在一個或一個以上示范性方面中，可以硬件、軟件、固件或其任何組合來實施所述的功能。如果以軟件實施，則可將功能作為一個或一個以上指令或代碼在計算機可讀媒體上存儲或傳輸。計算機可讀媒體包含計算機存儲媒體與包括促進(jìn)計算機程序從一處傳遞到另一處的任何媒體的通信媒體兩者。存儲媒體可為任何可由計算機存取的可用媒體。以實例方式(且并非限制)，所述計算機可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPR0M、CD-ROM或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置或其它磁性存儲裝置，或可用于載送或存儲呈指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的形式的所要程序代碼且可由計算機存取的任何其它媒體。同樣，可恰當(dāng)?shù)貙⑷魏芜B接稱作計算機可讀媒體。舉例來說，如果使用同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、數(shù)字訂戶線(DSL)或例如紅外線、無線電及微波等無線技術(shù)從網(wǎng)站、服務(wù)器或其它遠(yuǎn)程源傳輸軟件，則同軸電纜、光纖電纜、雙絞線、DSL或例如紅外線、無線電及微波等無線技術(shù)包含于媒體的定義中。如本文中所使用，磁盤及光盤包括壓縮光盤(CD)、激光光盤、光學(xué)光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、 軟磁盤及藍(lán)光光盤，其中磁盤通常以磁性方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而光盤使用激光以光學(xué)方式再現(xiàn)數(shù)據(jù)。上文的組合也應(yīng)包含在計算機可讀媒體的范圍內(nèi)。 雖然已詳細(xì)說明及描述了選定方面，但將了解，在不偏離所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的精神及范圍的情況下，可在其中進(jìn)行各種替換及變動。
權(quán)利要求
1.一種低電壓差動信令驅(qū)動器，其包括電流導(dǎo)引輸出電路，其具有第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出；以及可編程芯片上電阻器，其中所述可編程芯片上電阻器可選擇性操作以充當(dāng)端接電阻器且控制所述驅(qū)動器的輸出擺動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電壓差動信令驅(qū)動器，其進(jìn)一步包括第二芯片上電阻器，其可操作以影響所述低電壓差動信令驅(qū)動器的驅(qū)動電流，其中所述可編程芯片上電阻器適于中和所述對所述驅(qū)動電流的影響。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電壓差動信令驅(qū)動器，其中所述電流導(dǎo)引輸出電路包括第一正開關(guān)；第二正開關(guān)；第一負(fù)開關(guān)，其與所述第二正開關(guān)串聯(lián)連接；第二負(fù)開關(guān)，其與所述第一正開關(guān)串聯(lián)連接，其中所述第一正開關(guān)及第二負(fù)開關(guān)與所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二正開關(guān)并聯(lián)；第一電流源，其連接到所述第一正開關(guān)及所述第二正開關(guān)；以及第二電流源，其連接到所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二負(fù)開關(guān)，其中所述第一電流源及所述第二電流源向所述低電壓差動信令驅(qū)動器提供驅(qū)動電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低電壓差動信令驅(qū)動器，其中所述電流導(dǎo)引輸出電路可操作以在第一電路配置與第二電路配置之間切換，在所述第一電路配置中，所述驅(qū)動電流流動穿過至少所述第一正開關(guān)、所述第二驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、所述第一驅(qū)動器輸出及所述第一負(fù)開關(guān)，在所述第二電路配置中，所述驅(qū)動電流流動穿過至少所述第二正開關(guān)、 所述第一驅(qū)動器輸出、所述芯片外端接電阻器、所述第二驅(qū)動器輸出及所述第二負(fù)開關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低電壓差動信令驅(qū)動器，其中所述第一正開關(guān)及所述第二正開關(guān)包括P-MOSFET開關(guān)，且其中所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二負(fù)開關(guān)包括n-MOSFET開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低電壓差動信令驅(qū)動器，其進(jìn)一步包括差動緩沖器，所述差動緩沖器連接到所述第一正開關(guān)、所述第二正開關(guān)、所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二負(fù)開關(guān)，其中所述差動緩沖器可操作以使所述電流導(dǎo)引輸出電路在所述第一電路配置與所述第二電路配置之間切換。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電壓差動信令驅(qū)動器，其進(jìn)一步包括共模反饋電路，所述共模反饋電路連接到所述第一驅(qū)動器輸出及所述第二驅(qū)動器輸出，其中所述共模反饋電路可操作以選擇性控制所述驅(qū)動電流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低電壓差動信號驅(qū)動器，其中所述共模反饋電路經(jīng)配置以感測共模輸出電壓且將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較，且所述共模反饋電路經(jīng)配置以至少部分地基于所述比較來調(diào)整所述低電壓差動信號驅(qū)動器的所述驅(qū)動電流。
9.一種裝置，其包括低電壓差動信令驅(qū)動器，其中所述低電壓差動信令驅(qū)動器包括電流導(dǎo)引輸出電路，其具有第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出；以及可編程芯片上電阻器，其中所述可編程芯片上電阻器可選擇性操作以充當(dāng)端接電阻器且控制所述驅(qū)動器的輸出擺動。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中所述電流導(dǎo)引輸出電路包括第一正開關(guān)； 第二正開關(guān)；第一負(fù)開關(guān)，其與所述第二正開關(guān)串聯(lián)連接；第二負(fù)開關(guān)，其與所述第一正開關(guān)串聯(lián)連接，其中所述第一正開關(guān)及第二負(fù)開關(guān)與所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二正開關(guān)并聯(lián)；第一電流源，其連接到所述第一正開關(guān)及所述第二正開關(guān)；以及第二電流源，其連接到所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二負(fù)開關(guān)，其中所述第一電流源及所述第二電流源向所述低電壓差動信令驅(qū)動器提供驅(qū)動電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述電流導(dǎo)引輸出電路可操作以在第一電路配置與第二電路配置之間切換，在所述第一電路配置中，所述驅(qū)動電流流動穿過至少所述第一正開關(guān)、所述第二驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、所述第一驅(qū)動器輸出及所述第一負(fù)開關(guān)，在所述第二電路配置中，所述驅(qū)動電流流動穿過至少所述第二正開關(guān)、所述第一驅(qū)動器輸出、所述芯片外端接電阻器、所述第二驅(qū)動器輸出及所述第二負(fù)開關(guān)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述第一正開關(guān)及所述第二正開關(guān)包括 P-MOSFET開關(guān)，且其中所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二負(fù)開關(guān)包括n-MOSFET開關(guān)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括差動緩沖器，所述差動緩沖器連接到所述第一正開關(guān)、所述第二正開關(guān)、所述第一負(fù)開關(guān)及所述第二負(fù)開關(guān)，其中所述差動緩沖器可操作以使所述電流導(dǎo)引輸出電路在所述第一電路配置與所述第二電路配置之間切換。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其進(jìn)一步包括共模反饋電路，所述共模反饋電路連接到所述第一驅(qū)動器輸出及所述第二驅(qū)動器輸出，其中所述共模反饋電路可操作以選擇性控制驅(qū)動電流。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述共模反饋電路經(jīng)配置以感測共模輸出電壓且將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較，且所述共模反饋電路經(jīng)配置以至少部分地基于所述比較來調(diào)整所述低電壓差動信號驅(qū)動器的所述驅(qū)動電流。
16.一種裝置，其包括低電壓差動信令驅(qū)動器，其中所述低電壓差動信令驅(qū)動器包括 電流導(dǎo)引輸出裝置，其具有第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出；以及可編程芯片上電阻器裝置，其中所述可編程芯片上電阻器裝置可選擇性操作以充當(dāng)端接電阻器且控制所述驅(qū)動器的輸出擺動。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述電流導(dǎo)引輸出裝置包括 第一正開關(guān)裝置；第二正開關(guān)裝置；第一負(fù)開關(guān)裝置，其與所述第二正開關(guān)串聯(lián)連接；第二負(fù)開關(guān)裝置，其與所述第一正開關(guān)裝置串聯(lián)連接，其中所述第一正開關(guān)裝置及第二負(fù)開關(guān)裝置與所述第一負(fù)開關(guān)裝置及所述第二正開關(guān)裝置并聯(lián)；第一電流源裝置，其連接到所述第一正開關(guān)裝置及所述第二正開關(guān)裝置；以及第二電流源裝置，其連接到所述第一負(fù)開關(guān)裝置及所述第二負(fù)開關(guān)裝置，其中所述第一電流源裝置及所述第二電流源裝置向所述低電壓差動信令驅(qū)動器提供驅(qū)動電流。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述電流導(dǎo)引輸出裝置可操作以在第一配置與第二配置之間切換，在所述第一配置中，驅(qū)動電流流動穿過至少所述第一正開關(guān)裝置、所述第二驅(qū)動器輸出、芯片外端接電阻器、所述第一驅(qū)動器輸出及所述第一負(fù)開關(guān)裝置，在所述第二配置中，所述驅(qū)動電流流動穿過至少所述第二正開關(guān)裝置、所述第一驅(qū)動器輸出、所述芯片外端接電阻器、所述第二驅(qū)動器輸出及所述第二負(fù)開關(guān)裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中所述第一正開關(guān)裝置及所述第二正開關(guān)裝置包括P-MOSFET開關(guān)，且其中所述第一負(fù)開關(guān)裝置及所述第二負(fù)開關(guān)裝置包括n-MOSFET開關(guān)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其進(jìn)一步包括控制裝置，所述控制裝置連接到所述第一正開關(guān)裝置、所述第二正開關(guān)裝置、所述第一負(fù)開關(guān)裝置及所述第二負(fù)開關(guān)裝置，其中所述控制裝置可操作以使所述電流導(dǎo)引輸出裝置在所述第一配置與所述第二配置之間切換。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其進(jìn)一步包括共模反饋裝置，所述共模反饋裝置連接到所述第一驅(qū)動器輸出及所述第二驅(qū)動器輸出，其中所述共模反饋裝置可操作以選擇性控制驅(qū)動電流。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述共模反饋裝置經(jīng)配置以感測共模輸出電壓且將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較，且所述共模反饋裝置經(jīng)配置以至少部分地基于所述比較來調(diào)整所述低電壓差動信號驅(qū)動器的所述驅(qū)動電流。
23.—種將互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動低電壓信號以供芯片外發(fā)射的方法，其包括在低電壓差動信令驅(qū)動器處接收互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號； 將所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動輸出電壓， 將所述低電壓差動信令驅(qū)動器切換成第一電路配置或第二電路配置；以及選擇性控制所述低電壓差動信令驅(qū)動器上的可編程芯片上電阻器，以便控制驅(qū)動器輸出擺動并提供芯片上端接電阻器。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其進(jìn)一步包括使用第二芯片上電阻器來影響由低電壓差動電路提供的驅(qū)動電流；以及使用所述可編程芯片上電阻器來中和所述影響。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其進(jìn)一步包括 感測共模輸出電壓。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其進(jìn)一步包括 將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；以及當(dāng)所述共模輸出電壓與所述參考電壓不相等時調(diào)整所述驅(qū)動電流。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，其中使用共模反饋電路來調(diào)整所述驅(qū)動電流。
28.一種裝置，其包括用于在低電壓差動信令驅(qū)動器處接收互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號的裝置； 用于將所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動輸出電壓的裝置； 用于將所述低電壓差動信令驅(qū)動器切換成第一電路配置或第二電路配置的裝置；以及用于選擇性控制所述低電壓差動信令驅(qū)動器上的可編程芯片上電阻器以便控制驅(qū)動器輸出擺動并提供芯片上端接電阻器的裝置。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的裝置，其進(jìn)一步包括用于感測共模輸出電壓的裝置。
30.根據(jù)權(quán)利要求四所述的裝置，其進(jìn)一步包括用于將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較的裝置；以及用于當(dāng)所述共模輸出電壓與所述參考電壓不相等時調(diào)整所述驅(qū)動電流的裝置。
31.一種裝置，所述裝置包括用于在低電壓差動信令驅(qū)動器處接收互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號的邏輯； 用于將所述互補金屬氧化物半導(dǎo)體輸入電壓信號轉(zhuǎn)換成差動輸出電壓的邏輯， 用于將所述低電壓差動信令驅(qū)動器切換成第一電路配置或第二電路配置的邏輯；以及用于選擇性控制所述低電壓差動信令驅(qū)動器上的可編程芯片上電阻器以便控制驅(qū)動器輸出擺動并選擇性提供芯片上端接電阻器的邏輯。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的裝置，其進(jìn)一步包括 用于感測共模輸出電壓的邏輯。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的裝置，其進(jìn)一步包括用于將所述共模輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較的邏輯；以及用于當(dāng)所述共模輸出電壓與所述參考電壓不相等時調(diào)整所述驅(qū)動電流的邏輯。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種低電壓差動信令驅(qū)動器，且其可包含電流導(dǎo)引輸出電路，所述電流導(dǎo)引輸出電路具有第一驅(qū)動器輸出及第二驅(qū)動器輸出。所述低電壓差動信令驅(qū)動器還可包含可編程芯片上電阻器。
文檔編號H04L25/02GK102224676SQ200980146532
公開日2011年10月19日 申請日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月25日
發(fā)明者瓦伊什納芙·斯里尼瓦斯, 阿布海·S·迪克西特 申請人:高通股份有限公司