專利名稱：硅麥克風(fēng)的制造方法
硅麥克風(fēng)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅麥克風(fēng)的制造方法，特別涉及一種基于半導(dǎo)體材料的硅麥克風(fēng) 的制造方法。
背景技術(shù)：
目前基于半導(dǎo)體材料的硅麥克風(fēng)的制造方法中都是通過(guò)在硅基板上層積單晶硅 或多晶硅而形成薄膜和背極板，且這些工藝均先沉積薄膜再沉積背極板，由于多層結(jié)構(gòu)沉 積的工藝復(fù)雜，很難控制硅麥克風(fēng)的靈敏度和一致性很難得到改善。因此，有必要提供一種改進(jìn)的硅麥克風(fēng)的制造方法，滿足應(yīng)用的需求。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種靈敏度高、一致性好的硅麥克風(fēng)的制造方法。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種硅麥克風(fēng)的制造方法，該方法包括如下步驟步驟一提供一個(gè)半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一表面和與第一表面相對(duì) 的第二表面；步驟二 在半導(dǎo)體襯底的第一表面摻雜形成雜質(zhì)層；步驟三在雜質(zhì)層上淀積犧牲層；步驟四在犧牲層上淀積薄膜層；步驟五使用刻蝕技術(shù)對(duì)薄膜層圖案化；步驟六用氫氟酸稀釋溶液釋放整個(gè)結(jié)構(gòu)，得到硅麥克風(fēng)。優(yōu)選地，雜質(zhì)層通過(guò)熱擴(kuò)散的方式形成于半導(dǎo)體襯底的第一表面。優(yōu)選地，所述雜質(zhì)層通過(guò)離子注入的方式形成于半導(dǎo)體襯底的第一表面。優(yōu)選地，所述犧牲層通過(guò)在雜質(zhì)層上用化學(xué)氣相沉積的方法沉積二氧化硅而形 成。優(yōu)選地，所述薄膜層通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射的方法將金屬淀積于犧牲層上。優(yōu)選地，所述薄膜層通過(guò)化學(xué)氣相淀積多晶硅然后進(jìn)行摻雜的方法淀積于犧牲層 上。優(yōu)選地，本發(fā)明采用磷酸、硝酸和去離子水的混合溶液使薄膜層圖案化。優(yōu)選地，本發(fā)明采用反應(yīng)離子刻蝕方法對(duì)薄膜層圖案化。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明加工工藝簡(jiǎn)單，成本低；由于薄膜層最后沉積，不受 其他工藝的影響，因此應(yīng)力容易控制，從而提高硅麥克風(fēng)的靈敏度和一致性。

圖1為本發(fā)明麥克風(fēng)的制造方法中步驟一的示意圖；圖2為本發(fā)明麥克風(fēng)的制造方法中步驟二的示意圖；圖3為本發(fā)明麥克風(fēng)的制造方法中步驟三的示意3
圖4為本發(fā)明麥克風(fēng)的制造方法中步驟四的示意圖；圖5為本發(fā)明麥克風(fēng)的制造方法中步驟五的示意圖；圖6為本發(fā)明麥克風(fēng)的制造方法中步驟六的示意圖。
具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明硅麥克風(fēng)的制造方法作詳細(xì)說(shuō)明。如圖6所示，一種硅麥 克風(fēng)，其包括薄膜400、與薄膜400相隔一定距離的背板100和夾在薄膜400和背板100間 的隔離層300。如上所述的硅麥克風(fēng)的制造方法包括如下步驟步驟一如圖1所示，提供一個(gè)半導(dǎo)體襯底1，所述半導(dǎo)體襯底1包括第一表面11 和與第一表面11相對(duì)的第二表面12。所述半導(dǎo)體襯底1可以選為單晶硅襯底。結(jié)合圖6 所示，該半導(dǎo)體襯底1最終形成為硅麥克風(fēng)的背板100。步驟二 如圖2所示，在半導(dǎo)體襯底1的第一表面11摻雜形成雜質(zhì)層2，所述雜質(zhì) 層2通過(guò)熱擴(kuò)散或離子注入的方式形成于第一表面11。步驟三如圖3所示，在雜質(zhì)層2上淀積犧牲層3，所述犧牲層3通過(guò)在雜質(zhì)層2上 化學(xué)氣相沉積二氧化硅或氮化硅而形成。結(jié)合圖6所示，該犧牲層3最終形成為硅麥克風(fēng) 的隔離層300。步驟四如圖4所示，在犧牲層3上淀積薄膜層4，薄膜層4的形成方法有兩種一 是通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射的方法，所述薄膜層4的材料選擇為金屬材料，如鋁；二是化學(xué)氣相淀積 多晶硅然后進(jìn)行摻雜的方法。步驟五如圖5所示，使用刻蝕技術(shù)對(duì)薄膜層4圖案化；對(duì)于金屬材料制的薄膜層 4，采用磷酸、硝酸和去離子水按一定比例的混合溶液刻蝕；對(duì)于多晶硅制的薄膜層4，采用 反應(yīng)離子刻蝕方法圖案化薄膜層4。結(jié)合圖6所示，被圖案化的薄膜層4最終形成為硅麥克 風(fēng)的薄膜400。去離子水是去掉了鈉、鈣、鐵、銅等元素的陽(yáng)離子以及氯、溴等元素的陰離子 后的水。這意味著，除了 H3O+和OH—外，去離子水中不含有其他任何離子成分，但仍可能有 一些有機(jī)物以非離子形態(tài)存在于其中。去離子水可通過(guò)離子交換分離等過(guò)程生產(chǎn)。步驟六如圖6所示，用氫氟酸稀釋溶液釋放整個(gè)結(jié)構(gòu)，得到硅麥克風(fēng)。本發(fā)明加工工藝簡(jiǎn)單，成本低；由于薄膜層最后沉積，不受其他工藝的影響，因此 應(yīng)力容易控制，從而提高硅麥克風(fēng)的靈敏度和一致性。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以上述實(shí)施方式為 限，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán) 利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于該方法包括如下步驟步驟一提供一個(gè)半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面；步驟二在半導(dǎo)體襯底的第一表面摻雜形成雜質(zhì)層；步驟三在雜質(zhì)層上淀積犧牲層；步驟四在犧牲層上淀積薄膜層；步驟五使用刻蝕技術(shù)對(duì)薄膜層圖案化；步驟六用氫氟酸稀釋溶液釋放整個(gè)結(jié)構(gòu)，得到硅麥克風(fēng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述雜質(zhì)層通過(guò)熱擴(kuò)散 的方式形成于半導(dǎo)體襯底的第一表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述雜質(zhì)層通過(guò)離子注 入的方式形成于半導(dǎo)體襯底的第一表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述犧牲層通過(guò)在 雜質(zhì)層上用化學(xué)氣相沉積的方法沉積二氧化硅而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述薄膜層通過(guò)蒸發(fā)或 濺射的方法將金屬淀積于犧牲層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述薄膜層通過(guò)化學(xué)氣 相淀積多晶硅然后進(jìn)行摻雜的方法淀積于犧牲層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于本發(fā)明采用磷酸、硝酸和 去離子水的混合溶液使薄膜層圖案化。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于本發(fā)明采用反應(yīng)離子刻 蝕方法對(duì)薄膜層圖案化。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種硅麥克風(fēng)的制造方法，該方法包括如下步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面；在半導(dǎo)體襯底的第一表面摻雜形成雜質(zhì)層；在雜質(zhì)層上淀積犧牲層；在犧牲層上淀積薄膜層；使用刻蝕技術(shù)對(duì)薄膜層圖案化；用氫氟酸稀釋溶液釋放整個(gè)結(jié)構(gòu)，得到硅麥克風(fēng)。通過(guò)本發(fā)明的硅麥克風(fēng)的制造方法得到的硅麥克風(fēng)靈敏度高、一致性好。
文檔編號(hào)H04R31/00GK101959118SQ20101015352
公開日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者楊斌, 顏毅林 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司