專利名稱：硅麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅麥克風(fēng)，尤其涉及一種能廣泛適用于多數(shù)便攜式電子產(chǎn)品的硅 麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
隨著無線通訊的快速發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來越多，人們對(duì)移動(dòng)電話的要求 不僅僅限于基本通話，還要求有高質(zhì)量的通話效果，尤其是移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，更要求 產(chǎn)品的靈敏度高、話音質(zhì)量高清晰，同時(shí)還要求產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)小巧方便，而麥克風(fēng)作為移動(dòng)電 話的語音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好壞直接影響移動(dòng)電話的性能。而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Micro-Electro-Mech anical-System Microphone)，又稱硅麥克風(fēng)。其封裝體積比傳統(tǒng)的駐極體麥克風(fēng)小，應(yīng)用 越來越廣。硅麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)十分簡單，其包括硅基底、位于硅基底上的振膜及與振膜相隔一 定距離的背板。其中，硅基底上刻蝕有背腔。伴隨著麥克風(fēng)微型化的趨勢，利用傳統(tǒng)的矽基異向性蝕刻，在硅基底上開背腔已 不能滿足設(shè)計(jì)者的需要，取而代之的是廣為應(yīng)用的DRIE (De印Reaction Ion Etch)，即深反 應(yīng)離子刻蝕技術(shù)。DRIE技術(shù)的應(yīng)用，使得硅基底和振膜之間必須設(shè)有一層較厚的刻蝕阻擋 層，即振膜要受刻蝕阻擋層的支撐。但由于刻蝕阻擋層結(jié)構(gòu)堅(jiān)硬且厚度較厚，在振膜上會(huì)因 刻蝕阻擋層的應(yīng)力傳遞而產(chǎn)生很大的應(yīng)力梯度，導(dǎo)致振膜的表面發(fā)生屈曲，從而降低麥克 風(fēng)的頻響特性，以致麥克風(fēng)的靈敏度受到影響。因此，有必要提供一種新的硅麥克風(fēng)來克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需解決的技術(shù)問題在于提供一種靈敏度高的硅麥克風(fēng)。本發(fā)明通過這樣的技術(shù)方案解決技術(shù)問題一種硅麥克風(fēng)，其包括基底、與基底相連的阻擋層及受阻擋層支撐并構(gòu)成電容效 應(yīng)的振膜或背板，在基底和阻擋層上設(shè)有貫穿二者的空腔，所述阻擋層上設(shè)有面向阻擋層 幾何中心的內(nèi)壁，其中，所述內(nèi)壁上均勻分布有遠(yuǎn)離阻擋層幾何中心而延伸的凹槽，相鄰的 兩個(gè)凹槽間設(shè)有支撐臂，所述支撐臂與振膜或背板相抵接，且所述振膜或背板將凹槽全部覆蓋。作為本發(fā)明的一種改進(jìn)所述凹槽是由反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)而形成的。作為本發(fā)明的一種改進(jìn)所述空腔是由深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)而形成的。作為本發(fā)明的一種改進(jìn)所述凹槽沿平行于阻擋層與基底相連的面方向，而截出 的截面呈方形或三角形或半圓形。作為本發(fā)明的一種改進(jìn)所述振膜的周邊處設(shè)有泄漏孔。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)由于阻擋層的內(nèi)壁上設(shè)置了均勻分布的凹槽及支撐臂，使 阻擋層的內(nèi)邊緣呈鋸齒狀，就可以降低阻擋層的剛度，減小對(duì)與其連接的振膜或背板的應(yīng)力，進(jìn)而保證了振膜或背板的平坦性和可靠性，以提高麥克風(fēng)頻響特性，從而提高麥克風(fēng)的 靈敏度。

圖1為本發(fā)明硅麥克風(fēng)的示意圖。圖2為本發(fā)明硅麥克風(fēng)的阻擋層的示意圖。圖3為本發(fā)明硅麥克風(fēng)的阻擋層和結(jié)構(gòu)層連接的示意圖。
具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1所示的硅麥克風(fēng)10，其包括基底11、與基底11相連的阻擋層12、受阻擋層 12支撐的并構(gòu)成電容效應(yīng)的振膜13或背板(未標(biāo)出)。其中，基底11和阻擋層12上設(shè)有 貫穿二者空腔(圖中未標(biāo)出)。振膜13的周邊處設(shè)有與空腔相通的泄漏孔130。一并參照?qǐng)D2，阻擋層12設(shè)有面向阻擋層幾何中心的內(nèi)壁120，內(nèi)壁120上設(shè)有沿 遠(yuǎn)離幾何中心方向延伸的凹槽121，該凹槽121均勻分布在內(nèi)壁120上，且相鄰的兩個(gè)凹槽 之間設(shè)有支撐臂123，凹槽121和支撐臂123的結(jié)合使阻擋層12的內(nèi)邊緣呈鋸齒狀。阻擋 層12還設(shè)有與基底11相連的底面(圖中未標(biāo)出)，凹槽121沿平行于底面方向而截出的截 面為方形或者為三角形或者為半圓形，當(dāng)然了，也可以為其他形狀的截面。優(yōu)選的，阻擋層 12是由二氧化硅制成的；凹槽121是采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)而形成的。一并參照?qǐng)D3，虛線表示的即是振膜13，圖中所示，振膜13位于與阻擋層12相連 且與支撐臂123相抵接，振膜13將支撐臂123及凹槽121全部覆蓋，背板則位于振膜13上 方并與振膜13相隔一定距離(圖中未示出)。這樣，位于阻擋層12上的凹槽121被振膜完 全覆蓋，就可以有效降低阻擋層12的剛性，減小阻擋層12對(duì)與其連接的振膜13的應(yīng)力，防 止振膜受應(yīng)力而在其表面產(chǎn)生應(yīng)力梯度，使振膜平坦可靠，保證其性能。當(dāng)然，阻擋層12也 可以與背板連接且與支撐臂123相抵接，即背板將凹槽121全部覆蓋，以減小阻擋層對(duì)背板 的應(yīng)力，防止背板受應(yīng)力而在其表面產(chǎn)生應(yīng)力梯度，保證背板表面的平坦性及可靠性。優(yōu)選的，空腔是由深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)而形成的，有利于產(chǎn)品的小尺寸及微型化。綜上，由于阻擋層的內(nèi)壁上設(shè)置了均勻分布的凹槽及支撐臂，使阻擋層的內(nèi)邊緣 呈鋸齒狀，就可以降低阻擋層的剛度，減小對(duì)與其連接的振膜或背板的應(yīng)力，進(jìn)而保證了振 膜或背板的平坦性和可靠性，以提高麥克風(fēng)頻響特性，從而提高麥克風(fēng)的靈敏度。以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范 圍。
權(quán)利要求
一種硅麥克風(fēng)，其包括基底、與基底相連的阻擋層及受阻擋層支撐并構(gòu)成電容效應(yīng)的振膜或背板，在基底和阻擋層上設(shè)有貫穿二者的空腔，所述阻擋層上設(shè)有面向阻擋層幾何中心的內(nèi)壁，其特征在于所述內(nèi)壁上均勻分布有遠(yuǎn)離阻擋層幾何中心而延伸的凹槽，相鄰的兩個(gè)凹槽間設(shè)有支撐臂，所述支撐臂與振膜或背板相抵接，且所述振膜或背板將凹槽全部覆蓋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)，其特征在于所述凹槽是由反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)而 形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)，其特征在于所述空腔是由深反應(yīng)離子刻蝕技術(shù) 而形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)，其特征在于所述凹槽沿平行于阻擋層與基底相 連的面的方向，而截出的截面呈方形或三角形或半圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅麥克風(fēng)，其特征在于所述振膜的周邊處設(shè)有泄漏孔。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種硅麥克風(fēng)，其包括基底、阻擋層及受阻擋層支撐并構(gòu)成電容效應(yīng)的結(jié)構(gòu)層，在基底和阻擋層上設(shè)有貫穿二者的空腔，所述阻擋層上設(shè)有面向阻擋層幾何中心的內(nèi)壁，其中，所述內(nèi)壁上均勻分布有遠(yuǎn)離阻擋層幾何中心延伸的凹槽，相鄰的兩個(gè)凹槽間設(shè)有支撐臂。本產(chǎn)品小巧輕便，音質(zhì)優(yōu)美，具備良好的靈敏度。
文檔編號(hào)H04R19/04GK101888584SQ201010167819
公開日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月4日
發(fā)明者葛舟 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司