專利名稱：解調(diào)器和通信裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及解調(diào)器和通信裝置，并且更具體地，涉及如下解調(diào)器和通信裝置，其中 檢測(cè)響應(yīng)于本地振蕩信號(hào)和與本地振蕩信號(hào)頻率同步的調(diào)制信號(hào)之間的相位差所生成的 解調(diào)信號(hào)的DC (直流)電壓，并執(zhí)行校正，使得所檢測(cè)的DC電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的參考 電壓。
背景技術(shù)：
直接轉(zhuǎn)換方法已知為將載波頻率的高頻信號(hào)直接轉(zhuǎn)換為基帶信號(hào)的方法。在此， 描述常用的直接轉(zhuǎn)換方法的通信裝置。該通信裝置包括調(diào)制器和解調(diào)器。在調(diào)制器中，調(diào) 制對(duì)象信號(hào)由放大器來(lái)放大并被輸入給混頻器(mixer)，并且由混頻器將調(diào)制對(duì)象信號(hào)和 本地振蕩信號(hào)相乘來(lái)生成調(diào)制信號(hào)。放大器放大由混頻器生成的調(diào)制信號(hào)，并將所生成的 調(diào)制信號(hào)從天線發(fā)送給解調(diào)器。另一方面，在解調(diào)器中，由天線接收并由放大器放大從調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)，然 后將其輸入給混頻器?；祛l器將由天線接收的調(diào)制信號(hào)和在解調(diào)器側(cè)的本地振蕩信號(hào)相乘 以獲得解調(diào)信號(hào)。這時(shí)，在解調(diào)器中提供的以PLL電路形式的頻率同步部分將解調(diào)器側(cè)的本地振蕩 信號(hào)的頻率與調(diào)制器側(cè)的本地振蕩信號(hào)的頻率同步，使得將調(diào)制器側(cè)和解調(diào)器側(cè)的本地振 蕩信號(hào)的頻率被設(shè)置為彼此相等。通過(guò)所描述的對(duì)策，可以實(shí)現(xiàn)具有高準(zhǔn)確度的解調(diào)過(guò)程。在此，描述在執(zhí)行本地振蕩信號(hào)的頻率同步的情況下的頻率分布(frequency allocation)和在不執(zhí)行本地振蕩信號(hào)的頻率同步的另一情況下的頻率分布。圖17A圖示 了在執(zhí)行本地振蕩信號(hào)的頻率同步的情況下、調(diào)制器側(cè)的調(diào)制信號(hào)和本地振蕩信號(hào)的頻率 分布，以及圖17B圖示了在不執(zhí)行本地振蕩信號(hào)的頻率同步的情況下、調(diào)制器側(cè)的調(diào)制信 號(hào)和本地振蕩信號(hào)的頻率分布。圖17C圖示了在執(zhí)行頻率同步的情況下解調(diào)信號(hào)的頻率分 布，以及圖17D圖示了在不執(zhí)行頻率同步的情況下解調(diào)信號(hào)的頻率分布。如果在不執(zhí)行頻率同步的情況下生成解調(diào)信號(hào)，則出現(xiàn)與調(diào)制器側(cè)的本地振蕩信 號(hào)和解調(diào)器側(cè)的本地振蕩信號(hào)之間的頻率誤差相應(yīng)的頻率的偏移，如從圖17B和17D中看 到的。結(jié)果，發(fā)生解調(diào)信號(hào)的質(zhì)量明顯惡化的問(wèn)題。另一方面，在執(zhí)行頻率同步的情況下， 調(diào)制器側(cè)和解調(diào)器側(cè)的本地振蕩信號(hào)的頻率保持彼此同步，如圖17A和17C所示。因此，解 調(diào)器側(cè)可以得到期望頻率的解調(diào)信號(hào)。順便提及，近年來(lái)，開發(fā)了使用超過(guò)30GHz的毫米波帶的頻率的通信裝置。然而， 如果在包括上述PLL電路的通信裝置中使用毫米波帶的頻率，則存在諸如用于頻率同步的 PLL電路之類的相位同步電路具有相對(duì)大的尺寸的問(wèn)題。此外，在使用毫米波帶的頻率的情 況下，不容易維持PLL電路的分頻性能、隔離(isolation)性能等。如果試圖增強(qiáng)頻率準(zhǔn)確 度以維持各性能，則這通過(guò)調(diào)整功能引起電路規(guī)模的增加和成本的增加。相反，如果減小電 路規(guī)模，則這引起頻率誤差增大的問(wèn)題，導(dǎo)致PLL電路性能的惡化等。因此，提出了執(zhí)行頻率同步而不使用頻率同步電路的注入鎖定(injectionlock)系統(tǒng)的通信裝置。注入鎖定系統(tǒng)是將調(diào)制器側(cè)的本地振蕩器的頻率分量也就是本地振蕩信 號(hào)注入到解調(diào)器側(cè)的本地中以使用本地振蕩本身來(lái)同步頻率的系統(tǒng)。圖18示出了注入鎖定系統(tǒng)的解調(diào)器200的配置的例子，以及圖19示出了由解調(diào) 器200得到的解調(diào)信號(hào)的波形。從未示出的調(diào)制器同時(shí)發(fā)送調(diào)制信號(hào)和本地振蕩信號(hào)。解 調(diào)器200將由放大器202放大的調(diào)制信號(hào)SRF分發(fā)(distribute)和注入到本地振蕩器206。 本地振蕩器206將解調(diào)器側(cè)的本地振蕩頻率與注入到其處的調(diào)制器側(cè)的調(diào)制信號(hào)SRF的載 波分量同步以生成本地振蕩信號(hào)SL0，并將本地振蕩信號(hào)SLO輸出給混頻器204。混頻器204 將輸入到其處的本地振蕩信號(hào)SLO與調(diào)制信號(hào)SRF相乘以生成解調(diào)信號(hào)。由放大器208放 大所生成的解調(diào)信號(hào)，然后輸出。作為采用注入鎖定系統(tǒng)的通信裝置，例如，在日本專利特開No. 2005-295594 (在 下文中，被稱為專利文件1)中提出并公開了一種通信裝置，其中與包括在從調(diào)制器發(fā)送的 信號(hào)波中的低頻本地頻率信號(hào)同步地再現(xiàn)接收側(cè)本地振蕩波。使用該通信裝置，可以通過(guò) 使用所再現(xiàn)的接收側(cè)本地振蕩波，以高準(zhǔn)確度轉(zhuǎn)換信號(hào)波的頻率。

發(fā)明內(nèi)容
然而，采用上述注入鎖定系統(tǒng)的通信裝置具有下面的問(wèn)題。(i)采用圖18所示的注入鎖定系統(tǒng)的現(xiàn)有解調(diào)器200的混頻器204根據(jù)下面的表 達(dá)式(1)，執(zhí)行將在解調(diào)器200側(cè)的頻率同步的本地震蕩信號(hào)SLO與來(lái)自調(diào)制器的調(diào)制信號(hào) SRF相乘cos (wl) X cos (wl+ θ ) = 1/2 X cos ( θ )(1)因?yàn)樵谏厦娴谋磉_(dá)式⑴中執(zhí)行了相同頻率分量的乘法，所以生成了相位差θ余 弦的DC分量。例如，在使用例如適于簡(jiǎn)化調(diào)制和解調(diào)的電路配置來(lái)實(shí)現(xiàn)成本減小的ASK(幅 度調(diào)制)方法的情況下，為了增加通信距離，需要將相位差θ設(shè)置為零并增強(qiáng)接收效率。然 而，這引起DC分量的增加。結(jié)果，如果由高增益的放大器208來(lái)放大具有DC偏移量的解調(diào)信號(hào)A和C，如圖 19所示，則解調(diào)信號(hào)A和C在其虛線部分處被削減掉了(clip)DC偏移。這導(dǎo)致不能得到更 充足的幅度并且數(shù)字解調(diào)信號(hào)的隔離性能惡化的問(wèn)題。(ii)同時(shí)，在專利文件1中公開的通信裝置具有如下缺點(diǎn)因?yàn)榻庹{(diào)信號(hào)的頻率 被移動(dòng)(displace) 了偏移的量，所以需要用于再次將頻率轉(zhuǎn)換該偏移的量的電路配置。因此，期望提供可以以高準(zhǔn)確度執(zhí)行解調(diào)的解調(diào)器和通信裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種解調(diào)器，包括頻率同步部分、解調(diào)信號(hào)生成部 分和直流校正部分。頻率同步部分被適配用于將要在所述解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的 頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步。解調(diào)信號(hào)生成部分被適配用于基 于由所述頻率同步部分同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成解調(diào)信號(hào)。 直流校正部分，被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的 直流電壓，并校正所述解調(diào)信號(hào)的直流電壓，使得該直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的參考電 壓。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種解調(diào)器，包括頻率同步部分、解調(diào)信號(hào)生 成部分、第一直流校正部分和第二直流校正部分。頻率同步部分被適配用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步。解調(diào)信 號(hào)生成部分被適配用于基于由所述頻率同步部分同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā)送的 調(diào)制信號(hào)來(lái)生成第一和第二差分解調(diào)信號(hào)。第一直流校正部分被適配用于從由所述解調(diào)信 號(hào)生成部分生成的第一解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)第一直流電壓，并校正所述第一直流電壓，使得所 述第一直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的第一參考電壓。第二直流校正部分被適配用于從由 所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的第二解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)第二直流電壓，并校正所述第二直流電 壓，使得所述第二直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的第二參考電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種解調(diào)器，包括頻率同步部分、解調(diào)信號(hào)生 成部分和直流校正部分的解調(diào)器。頻率同步部分被適配用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的本地振 蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步。解調(diào)信號(hào)生成部分被適 配用于基于由所述頻率同步部分同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成 第一和第二差分解調(diào)信號(hào)。直流校正部分被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的第 一解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的第一直流電壓，以及從第二解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的第二 直流電壓，然后校正第一直流電壓和第二直流電壓的至少一個(gè)，使得第一直流電壓和第二 直流電壓之間的電勢(shì)差變?yōu)樽钚?。根?jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種解調(diào)器，包括調(diào)制器、頻率同步部分、解調(diào) 信號(hào)生成部分和解調(diào)器的通信裝置。調(diào)制器被適配用于利用第一本地振蕩信號(hào)來(lái)調(diào)制調(diào)制 對(duì)象信號(hào)以生成調(diào)制信號(hào)，并發(fā)送所生成的調(diào)制信號(hào)。頻率同步部分被適配用于將要在解 調(diào)器側(cè)生成的第二本地振蕩信號(hào)的頻率與從所述調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率 同步。解調(diào)信號(hào)生成部分被適配用于基于由所述頻率同步部分同步的第二本地振蕩信號(hào)和 從所述調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)，來(lái)生成解調(diào)信號(hào)。解調(diào)器具有直流校正部分，該直流校正部 分被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的直流電壓，并 校正所述解調(diào)信號(hào)的直流電壓，使得該直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的參考電壓。在每一個(gè)解調(diào)器和通信裝置中，調(diào)制器的頻率同步部分根據(jù)注入鎖定系統(tǒng)，將要 在解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送到解調(diào)器的調(diào)制信號(hào)的本地振 蕩頻率同步。由解調(diào)信號(hào)生成部分將所同步的本地振蕩信號(hào)與從調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)相 乘，以生成解調(diào)信號(hào)。這時(shí)，響應(yīng)于本地振蕩信號(hào)和與本地振蕩信號(hào)相位同步的調(diào)制信號(hào)之 間的相位差，在解調(diào)信號(hào)中生成直流分量或直流電壓。直流校正部分檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的直流 電壓，并校正該直流電壓以等于預(yù)先設(shè)置的參考電壓。因此，即便當(dāng)由放大器放大解調(diào)信號(hào)時(shí)，因?yàn)榻庹{(diào)信號(hào)的直流電壓被抑制到參考 信號(hào)，所以可以阻止否則可能的削減。從而，可以獲得足夠的幅度。所以，可以實(shí)現(xiàn)調(diào)制性 能的改善。通過(guò)該解調(diào)器和通信裝置，因?yàn)閷⒔庹{(diào)信號(hào)的直流電壓校正為變?yōu)榈扔趨⒖茧?壓，所以可以穩(wěn)定解調(diào)操作，并且可以增加解調(diào)輸出的輸出幅度和線性。從而，可以實(shí)現(xiàn)調(diào) 制器的性能改善。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的通信裝置的配置例子的框圖；圖2是圖示具有校正的DC電壓的解調(diào)信號(hào)的放大的例子的示意圖3是示出圖1所示的解調(diào)器的混頻器和DC校正部分的電路配置的例子的電路 框圖；圖4A是圖示漏極電流和DC校正量之間關(guān)系的例子的圖形，圖4B是圖示漏極電流 和DC偏移之間關(guān)系的例子的圖形，以及圖4C是圖示DC校正量和DC偏移之間關(guān)系的例子 的圖形；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的解調(diào)器的配置例子的框圖；圖6是示出圖5的解調(diào)器的混頻器以及第一和第二 DC校正部分的電路配置的例 子的框圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的解調(diào)器的配置例子的框圖；圖8是示出圖7的解調(diào)器的混頻器和DC校正部分的電路配置的例子的框圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的解調(diào)器的配置例子的框圖；圖10是示出圖9的解調(diào)器的混頻器、DC校正部分、相位校正部分和本地振蕩器的 電路配置的例子的框圖；圖IlA至IlE是圖示圖10所示的DC校正部分和相位校正部分的操作例子的時(shí)序 圖；圖12A是圖示DC偏移和相位差之間關(guān)系的例子的圖形，圖12B是圖示DC校正電 壓和相位差之間關(guān)系的例子的圖形，以及圖12C是圖示相位校正信號(hào)和相位差之間關(guān)系的 例子的圖形；圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的解調(diào)器的配置例子的框圖；圖14是示出圖13的解調(diào)器的混頻器、DC校正部分、相位校正部分和本地振蕩器 的電路配置的例子的框圖；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的解調(diào)器的配置例子的框圖；圖16是示出圖15的解調(diào)器的混頻器、DC校正部分、相位校正部分和本地振蕩器 的電路配置的例子的框圖；圖17A是圖示在執(zhí)行本地振蕩信號(hào)的頻率同步的情況下、本地震蕩信號(hào)和調(diào)制信 號(hào)的頻率分布的示意圖，圖17B是圖示在不執(zhí)行本地振蕩信號(hào)的頻率同步的情況下、本地 振蕩信號(hào)和調(diào)制信號(hào)的頻率分布的示意圖，圖17C是圖示在執(zhí)行頻率同步的情況下解調(diào)信 號(hào)的頻率分布的示意圖，以及圖17D是圖示在不執(zhí)行頻率同步的情況下解調(diào)信號(hào)的頻率分 布的示意圖；圖18是示出現(xiàn)有解調(diào)器的配置的框圖；以及圖19是圖示現(xiàn)有的具有DC電壓的調(diào)制信號(hào)的放大的例子的示意圖。
具體實(shí)施例方式在下面，以如下順序依次描述本發(fā)明的實(shí)施例。1.第一實(shí)施例(解調(diào)信號(hào)的DC電壓的校正控制的例子)2.第二實(shí)施例(DC電壓的校正的控制的例子使用差分輸出的例子)3.第三實(shí)施例(DC電壓的校正的控制的例子；使用差分輸出的例子)4.第四實(shí)施例(本地振蕩信號(hào)的相位的校正控制的例子)5.第五實(shí)施例(本地振蕩信號(hào)的相位的校正控制的例子；使用差分輸出的例子)
6.第六實(shí)施例(本地振蕩信號(hào)的相位的校正控制的例子；使用差分輸出的例子)<1.第一實(shí)施例〉[通信裝置的配置例子]圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的直接轉(zhuǎn)換型的通信裝置100的配置例子。參考圖 1，通信裝置100包括調(diào)制器10和解調(diào)器30A，并發(fā)送具有從30GHz到300Ghz的毫米波帶的
頻率的信號(hào)。[調(diào)制器的配置例子]調(diào)制器10包括放大器12和18、混頻器14、本地振蕩器16和天線20。放大器12 放大輸入到其處的諸如基帶信號(hào)之類的調(diào)制對(duì)象信號(hào)SBB，并將放大的調(diào)制對(duì)象信號(hào)SBB 提供給混頻器14。本地振蕩器16生成以毫米波帶的本地振蕩信號(hào)SL0，并將其提供給混頻 器14?；祛l器14將從放大器12輸入到其處的調(diào)制對(duì)象信號(hào)SBB和從本地振蕩器16輸入 到其處的本地振蕩信號(hào)SLO相乘以生成調(diào)制信號(hào)SRF。放大器18放大從混頻器14提供到 其處的調(diào)制信號(hào)SRF，并將其提供給天線20。將由放大器18放大的調(diào)制信號(hào)SRF從天線20 發(fā)送到解調(diào)器30A。[解調(diào)器的配置例子]解調(diào)器30A包括天線32、放大器34和90、混頻器40、本地振蕩器70和DC校正部 分50。從調(diào)制器10發(fā)送的調(diào)制信號(hào)SRF由解調(diào)器30A的天線32接收，并被提供給放大器 34。放大器34放大輸入到其處的調(diào)制信號(hào)SRF。放大的調(diào)制信號(hào)SRF被分發(fā)到混頻器40 和本地振蕩器70。在下文中，分發(fā)給本地振蕩器70的調(diào)制信號(hào)SRF被稱為注入信號(hào)SRF。本地振蕩器70是頻率同步部分的例子，并生成具有與從放大器34注入的調(diào)制信 號(hào)SRF的載波分量的頻率相同步的本地振蕩頻率的毫米波帶的本地振蕩信號(hào)SL0，并且將 該本地振蕩信號(hào)SLO提供給混頻器40?；祛l器40是調(diào)制信號(hào)生成部分的例子，病將從放大 器34輸入到其處的調(diào)制信號(hào)SRF和從本地振蕩器70輸入的本地振蕩信號(hào)SLO相乘以生成 解調(diào)信號(hào)SDM，并且將該解調(diào)信號(hào)SDM輸出給放大器90和DC校正部分50。在此，描述注入信號(hào)SRF和本地振蕩信號(hào)SLO之間的相位差與DC電壓之間的關(guān) 系。在本地振蕩信號(hào)SLO的頻率與注入信號(hào)SRF的頻率相同步的情況下，解調(diào)信號(hào)SDM的 DC分量也就是DC電壓Vdc響應(yīng)于本地振蕩信號(hào)SLO和注入信號(hào)SRF之間的相位差而改變。 這時(shí)，當(dāng)解調(diào)信號(hào)SDM的DC電壓Vdc最大時(shí)，本地振蕩信號(hào)SLO和注入信號(hào)SRF彼此同相， 并且本地振蕩信號(hào)SLO與注入信號(hào)SRF同步(參考圖12)。DC校正部分50提取從混頻器40提供到其處的解調(diào)信號(hào)SDM的DC分量，并根據(jù)所 提取的DC分量、基于與參考電壓Vref的DC偏移來(lái)生成DC校正量。然后，DC校正部分50 將所生成的DC校正量反饋給混頻器40。因此，校正了解調(diào)信號(hào)SDM的DC分量，并將校正后 的解調(diào)信號(hào)SDM輸出到放大器90。在下文中，詳細(xì)描述該校正控制操作。放大器90放大從混頻器40提供到其處的解調(diào)信號(hào)SDM，并將其提供給放大器90。 例如，由上述的DC校正部分50等將每個(gè)具有DC分量的解調(diào)信號(hào)SDMA和SDMC校正到針對(duì) 解調(diào)信號(hào)SDM的參考電壓。因此，根據(jù)本實(shí)施例，即便在由放大器90放大了解調(diào)信號(hào)SDMA 和SDMC的情況下，也可以阻止如上文中參考圖19描述的那樣的削減的發(fā)生。[混頻器和DC校正部分的配置例子]圖3示出了解調(diào)器30A的混頻器40和DC校正部分50的電路配置的例子。參考圖3，混頻器40包括差分對(duì)的晶體管400和402、另一晶體管404以及負(fù)載電阻對(duì)406和 408。在圖3所示的電路配置中，將η型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于晶 體管400、402和404。同樣在下文中描述的本發(fā)明的第二至第六實(shí)施例中，類似地將η型 MOSFET用于各種晶體管。晶體管400在其漏極處與負(fù)載電阻406相連，并在其柵極處與連接到本地振蕩器 70的混頻器40的輸入端410相連。晶體管402在其漏極處與負(fù)載電阻408和混頻器40的 輸出端416相連，并在其柵極處與連接到本地振蕩器70的混頻器40的另一輸入端412相 連。晶體管400和402的源極共同連接到節(jié)點(diǎn)Al處以形成差分對(duì)電路。DC校正部分50的低通濾波器500和放大器90連接到混頻器40的輸出端416。晶 體管404在其漏極處通過(guò)節(jié)點(diǎn)Al與晶體管400和402的源極相連，并在其柵極處與連接到 放大器34的混頻器40的另一輸入端414相連。混頻器40在其源極處接地。地是低電勢(shì) 的電源的例子。DC校正部分50包括低通濾波器500、比較器502、高電勢(shì)的電源504和晶體管 506。低通濾波器500在其輸入端與在混頻器40和放大器90之間提供的節(jié)點(diǎn)Α2相連，并 在其輸出端與比較器502的輸入端之一相連。比較器502在其另一輸入端通過(guò)電源504接 地。晶體管506在其漏極處通過(guò)混頻器40的輸出端416與負(fù)載電阻408相連，并在其柵極 處與比較器502的輸出端相連。晶體管506在其源極處接地。[混頻器和DC校正部分的操作例子]描述混頻器40和DC校正部分50的操作例子。圖4Α是圖示漏極電流Iadj和DC 校正電壓Vadj之間關(guān)系的例子的圖形，并且縱坐標(biāo)軸表示DC校正電壓而橫坐標(biāo)軸表示漏 極電流。圖4Β是圖示漏極電流Iadj和DC偏移之間關(guān)系的例子的圖形，并且縱坐標(biāo)軸表示 漏極電流而橫坐標(biāo)軸表示DC偏移。圖4C是圖示DC校正電壓Vadj和DC偏移之間關(guān)系的 例子的圖形，并且縱坐標(biāo)軸表示DC偏移而橫坐標(biāo)軸表示DC校正電壓。以差分信號(hào)的形式的本地振蕩信號(hào)SLO被輸入到晶體管400和402的輸入端410 和412，并且由放大器34放大的調(diào)制信號(hào)SRF被輸入到晶體管404的輸入端414。混頻器 40將輸入到其處的本地振蕩信號(hào)SLO和調(diào)制信號(hào)SRF相乘以生成解調(diào)信號(hào)SDM，并從負(fù)載 電阻408側(cè)輸出該解調(diào)信號(hào)SDM。解調(diào)信號(hào)SDM包括DC分量也就是DC電壓Vdc，該DC分 量是響應(yīng)于本地振蕩信號(hào)SLO和與本地振蕩信號(hào)SLO頻率同步的調(diào)制信號(hào)SRF之間的相位 差而生成的。DC校正部分50的低通濾波器500僅讓輸入到其處的解調(diào)信號(hào)SDM的DC分量通 過(guò)，同時(shí)截止(intercepting)解調(diào)信號(hào)SDM的調(diào)制信號(hào)分量。通過(guò)低通濾波器500的解調(diào) 信號(hào)SDM的DC電壓Vdc被輸入到比較器502。比較器502將從低通濾波器500輸入到其處的DC電壓Vdc與從電源504輸入到 其處的參考電壓Vref相互比較，并將通過(guò)比較得到的電壓差作為DC偏移輸入到晶體管506 的柵極。根據(jù)DC偏移的變化，漏極電流Iadj被反饋回到混頻器40。在混頻器40中，負(fù)載電阻408的電壓降的量響應(yīng)于從DC校正部分50反饋回的漏 極電流Iadj的改變而改變。在此，漏極電流Iadj、DC校正電壓Vadj和負(fù)載電阻408滿足 下面的表達(dá)式⑵Vadj = -RLXIadj(2)
這里，DC校正電壓Vadj是用于將DC電壓Vdc校正到參考電壓Vref的電壓，并表 示響應(yīng)于參考電壓Vref和DC電壓Vdc之間的DC偏移或差而生成的電壓。如果漏極電流Iadj增大或減小，則如圖4A所示，DC校正電壓Vadj取決于負(fù)載電 阻408的電壓降的量的改變而改變，因此，可以校正解調(diào)信號(hào)SDM的DC電壓Vdc。例如，如果解調(diào)信號(hào)SDM的DC電壓Vdc變得低于參考電壓Vref，則因?yàn)槭┘拥骄?體管506的柵極的DC偏移減小，所以漏極電流Iadj也減小。隨著漏極電流Iadj減小，DC 校正電壓Vadj在正方向上增大，如圖4A所示，因此，朝向參考電壓Vref自動(dòng)控制DC電壓 Vdc。然后，如果通過(guò)其自動(dòng)控制增大漏極電流Iadj使得DC偏移變?yōu)榈扔诹?，如圖4B 所示，則DC校正電壓Vadj相應(yīng)地下降，如圖4C所示。通過(guò)以此方式將漏極電流Iadj反饋 回到混頻器40來(lái)執(zhí)行漏極電流Iadj的自動(dòng)控制，可以將DC偏移降低到零。另一方面，如果解調(diào)信號(hào)SDM的DC校正電壓Vadj變得高于參考電壓Vref，則可以 通過(guò)執(zhí)行與上文中描述的過(guò)程相反的過(guò)程來(lái)將DC偏移降低到零。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)镈C校正部分50校正解調(diào)信號(hào)SDM的DC電壓Vdc以 等于參考電壓Vref，所以可以穩(wěn)定解調(diào)操作，并且可以消除削減以增加解調(diào)輸出的線性和 輸出幅度。因此，可以實(shí)現(xiàn)解調(diào)器30A的性能增強(qiáng)。此外，在本實(shí)施例中，檢測(cè)解調(diào)信號(hào)SDM 的DC電壓Vdc并控制DC電壓Vdc以等于參考電壓Vref而不使用外部電路的控制設(shè)備的 DC校正部分50被提供在與解調(diào)器30A相同的芯片中。因此，例如，通過(guò)將所有組件安裝在 CMOS電路的內(nèi)部，可以實(shí)現(xiàn)外圍電路規(guī)模和引腳數(shù)量的減小，從而，可以實(shí)現(xiàn)成本的降低。<2.第二實(shí)施例> 除了從混頻器40提取解調(diào)信號(hào)SDMl和SM2以及校正解調(diào)信號(hào)SDMl和SDM2的DC 電壓之外，本發(fā)明的第二實(shí)施例類似于第一實(shí)施例。要注意，對(duì)在第二實(shí)施例中與第一實(shí)施 例中描述的解調(diào)器30A中的部件相同的部件給出相同的標(biāo)記，并將省略其詳細(xì)描述。[解調(diào)器的配置例子]圖5示出了根據(jù)第二實(shí)施例的解調(diào)器30B的塊配置的例子。參考圖5，解調(diào)器30B 包括天線32、前級(jí)放大器34、后級(jí)放大器對(duì)90和92、混頻器40、本地振蕩器70、第一 DC校 正部分50和第二 DC校正部分60。第二 DC校正部分60將從混頻器40的負(fù)載電阻406側(cè) 提取的解調(diào)信號(hào)SDM2的DC電壓Vdc2(參考圖6)校正到參考電壓Vref2。要注意，第一 DC 校正部分50具有與第一實(shí)施例中的第一 DC校正部分50相似的功能，因此在這里省略對(duì)其 的重復(fù)描述以避免冗余。圖6示出了解調(diào)器30B的混頻器40、第一 DC校正部分50和第二 DC校正部分60 的電路配置的例子。第二 DC校正部分60包括低通濾波器600、比較器602、電源604和晶 體管606。低通濾波器600在其輸入端處與在混頻器40和放大器92之間提供的節(jié)點(diǎn)Bl相 連，并在其輸出端處與比較器602的輸入端之一相連。比較器602在其另一輸入端處通過(guò) 電源604接地。晶體管606在其漏極處與混頻器40的負(fù)載電阻406相連，并在其柵極處與 比較器602的輸出端相連。晶體管606在其源極處接地。[解調(diào)器的操作例子]第一 DC校正部分50執(zhí)行與第一實(shí)施例中的DC校正部分50相似的操作。具體 地，低通濾波器500截止從混頻器40的負(fù)載電阻408側(cè)輸出的解調(diào)信號(hào)SDMl的調(diào)制信號(hào)Vdcl通過(guò)并將其輸出到比較器502。比較器502將從低通濾波器500輸入到其處的DC電壓Vdcl與從電源504輸入到 其處的參考電壓Vrefl相互比較，并將基于比較結(jié)果的DC偏移輸入到晶體管506的柵極。 因此，與DC偏移的改變相應(yīng)的漏極電流Iadjl被反饋到混頻器40。在混頻器40中，響應(yīng)于 從第一 DC校正部分50反饋的漏極電流Iadjl的增大或減小，負(fù)載電阻408的電壓降的量 改變。從而，因?yàn)镈C校正電壓Vadjl改變，所以朝向參考電壓Vrefl校正解調(diào)信號(hào)SDMl的 DC 電壓 Vdcl0放大器90放大并輸出從混頻器40輸出的、并具有已校正的DC電壓Vdcl的解調(diào) 信號(hào)SDMl。第二 DC校正部分60的低通濾波器600截止從混頻器40的負(fù)載電阻406側(cè)輸出 的解調(diào)信號(hào)SDM2的調(diào)制信號(hào)分量，而僅讓解調(diào)信號(hào)SDM2的DC電壓Vdc2通過(guò)并輸出到比 較器602。從混頻器40的負(fù)載電阻406側(cè)輸出的解調(diào)信號(hào)SDM2具有與從負(fù)載電阻408側(cè) 輸出的解調(diào)信號(hào)SDMl相反的相位。比較器602將從低通濾波器600輸入到其處的DC電壓Vdc2與從電源604輸入到 其處的參考電壓Vref2相互比較，并將基于比較結(jié)果的DC偏移輸入到晶體管606的柵極。 這里，DC偏移是參考電壓Vref 2和DC電壓Vdc2之間的電壓差。從而，與DC偏移的改變相 應(yīng)的漏極電流Iadj2被反饋到混頻器40。在混頻器40中，負(fù)載電阻406的電壓降的量取決于從第二 DC校正部分60反饋的 漏極電流Iadj2的增大或減小而改變。從而，因?yàn)镈C校正電壓Vadj2改變，所以可以校正 解調(diào)信號(hào)SDM2的DC電壓Vdc2。這里，DC校正電壓Vadj2是用于將DC電壓Vdc2校正到參 考電壓Vref2的電壓，并表示根據(jù)參考電壓Vref2和DC電壓Vdc2之間的DC偏移或差而生 成的電壓。放大器92放大并輸出從混頻器40輸出的、并具有已校正的DC電壓Vdc2的解調(diào) 信號(hào)SDM2。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，可以從由放大器90輸出的解調(diào)信號(hào)SDMl和由放大器92 輸出的解調(diào)信號(hào)SDM2中提取差分解調(diào)輸出。從而，因?yàn)橄啾扔谏衔闹忻枋龅牡谝粚?shí)施例， 可以增大解調(diào)信號(hào)的SN比，所以可以預(yù)期在更遠(yuǎn)的距離上進(jìn)行傳輸。要注意，第二 DC校正部分60的參考電壓Vref2的值不限于等于第一 DC校正部分 50的參考電壓Vrefl的值，而是可以在放大器92的操作范圍內(nèi)任意設(shè)置。此外，雖然在上 述例子中將放大器90和92形成為獨(dú)立的組件，但是即使將它們另外形成為單個(gè)聯(lián)合差分 放大器，仍可以實(shí)現(xiàn)類似的效果。<3.第三實(shí)施例>除了從混頻器40提取相反輸出的差分解調(diào)信號(hào)SDMl和SDM2、并校正解調(diào)信號(hào) SDMl和SDM2的DC電壓之外，第三實(shí)施例與上文中描述的第一實(shí)施例相似。要注意，在第三 實(shí)施例中，對(duì)與第一實(shí)施例中描述的解調(diào)器30A中的部件相同的部件給出相同的標(biāo)記，并 將省略其詳細(xì)描述。[解調(diào)器的配置例子]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的解調(diào)器30C的塊配置的例子。參考圖7，解 調(diào)器30C包括天線32、前級(jí)放大器34、后級(jí)放大器90和92、混頻器40、本地振蕩器70和DC校正部分50。圖8示出了解調(diào)器30C的電路配置的例子。參考圖8，DC校正部分50包括第一 低通濾波器500、第二低通濾波器501、比較器502以及晶體管506和507。第一低通濾波 器500在其輸入端處與在混頻器40的負(fù)載電阻408和放大器90之間提供的節(jié)點(diǎn)Cl相連， 并在其輸出端處與比較器502的輸入端之一相連。第二低通濾波器501在其輸入端處與在 混頻器40的負(fù)載電阻406和放大器92之間提供的節(jié)點(diǎn)C2相連，并在其輸出端處與比較器 502的另一輸入端相連。比較器502在其輸出端之一處與晶體管506的柵極相連，并在其另一輸出端處與 晶體管507的柵極相連。晶體管506在其漏極處與負(fù)載電阻408相連，并在其源極處接地。 晶體管507在其漏極處與負(fù)載電阻406相連，并在其源極處接地。[解調(diào)器的操作例子]DC校正部分50的第一低通濾波器500截止從混頻器40的負(fù)載電阻408側(cè)輸出的 解調(diào)信號(hào)SDMl的調(diào)制信號(hào)分量，而僅讓解調(diào)信號(hào)SDMl的DC電壓Vdcl通過(guò)并輸出到比較 器502。第二低通濾波器501截止從混頻器40的負(fù)載電阻406側(cè)輸出的解調(diào)信號(hào)SDM2的 調(diào)制信號(hào)分量，而僅讓解調(diào)信號(hào)SDM2的DC電壓Vdc2通過(guò)并輸出。這里，從混頻器40的負(fù) 載電阻406側(cè)輸出的解調(diào)信號(hào)SDM2具有與從負(fù)載電阻408側(cè)輸出的解調(diào)信號(hào)SDMl相反的 相位。比較器502將輸入到其處的解調(diào)信號(hào)SDMl的DC電壓Vdcl和解調(diào)信號(hào)SDM2的DC 電壓Vdc2相互比較，并將從比較結(jié)果得到的電壓差作為DC偏移輸入到晶體管506和507 的柵極。因此，與DC偏移相應(yīng)的漏極電流Iadjl和Iadj2被反饋到混頻器40。在混頻器 40中，響應(yīng)于從DC校正部分50反饋的漏極電流Iadjl的增大或減小，負(fù)載電阻408的電壓 降的量改變，以及響應(yīng)于漏極電流Iadj2的增大或減小，負(fù)載電阻406的電壓降的量改變。 因此，DC校正電壓Vadjl和Vadj2如圖4A所示改變，并且校正了解調(diào)信號(hào)SDMl的DC電壓 Vdcl和解調(diào)信號(hào)SDM2的DC電壓Vdc2，使得可以將DC電壓Vdcl和DC電壓Vdc2之間的電 壓差最小化到零。由放大器90放大具有已校正的DC電壓Vdcl的解調(diào)信號(hào)SDM1，并將其從放大器 90輸出。同時(shí)，由放大器92放大具有DC電壓Vdc2的解調(diào)信號(hào)SDM2，并將其從放大器92輸出。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，可以從由放大器90輸出的解調(diào)信號(hào)SDMl和由放大器92 輸出的解調(diào)信號(hào)SDM2中提取DC分量被校正的差分解調(diào)輸出。從而，因?yàn)橄啾扔谏衔闹忻?述的第一實(shí)施例，可以增大解調(diào)信號(hào)的SN比，所以可以預(yù)期在更遠(yuǎn)的距離上進(jìn)行傳輸。此 外，因?yàn)楸容^器502使用差分對(duì)的解調(diào)信號(hào)SDMl和SDM2，所以消除了從一些其他元件提供 參考電壓Vref的需要，因此，可以實(shí)現(xiàn)電路規(guī)模的減小。雖然在上述例子中將放大器90和92形成為獨(dú)立的組件，但是即使將它們另外形 成為單個(gè)聯(lián)合差分放大器，仍可以實(shí)現(xiàn)類似的效果。此外，即使由放大器90和92提供用于 向第一和第二低通濾波器500和501輸入的DC觀察點(diǎn)，仍可以實(shí)現(xiàn)類似的操作。<4.第四實(shí)施例〉在下面，參考附圖描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。如上文中結(jié)合第一實(shí)施例所描述的， 當(dāng)本地振蕩信號(hào)SLO和注入信號(hào)SRF相位彼此同步時(shí)，DC電壓Vdc表示最大值，并且DC校正電壓Vadj也表示最大值，如圖12B所示。另一方面，在第四實(shí)施例中，通過(guò)調(diào)整DC校正 電壓Vadj來(lái)控制調(diào)制信號(hào)SFR和本地振蕩信號(hào)SLO之間的相位同步。要注意，在第四實(shí)施 例中，對(duì)與第一實(shí)施例中描述的解調(diào)器30A中的部件相同的部件給出相同的標(biāo)記，并且將 省略其詳細(xì)描述。[解調(diào)器的配置例子]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的解調(diào)器30D的配置例子。參考圖9，解調(diào)器 30D包括天線32、放大器34和90、混頻器40、本地振蕩器70、DC校正部分50和相位校正 部分80。解調(diào)器30D具有執(zhí)行調(diào)制信號(hào)SRF和本地振蕩信號(hào)SLO之間的相位同步的相位校 正模式。在時(shí)間上，與執(zhí)行上文中描述的解調(diào)信號(hào)SDM的DC電壓Vdc的校正的DC電壓校 正模式相分離地提供該相位校正模式。可以在各種時(shí)刻執(zhí)行相位校正，比如當(dāng)使得電源可獲得時(shí)、在從等待模式恢復(fù)時(shí)、 在諸如信道之類的通信設(shè)置改變時(shí)、在分組的頂部以及在分組長(zhǎng)的情況下在分組的任何中 間點(diǎn)處。在任意所述時(shí)刻，將使能信號(hào)Sen設(shè)置為高電平來(lái)啟動(dòng)相位校正部分80。如果解 調(diào)器30D的模式被改變到相位同步模式，則相位校正部分80基于由DC校正部分50生成的 DC校正電壓Vadj將本地振蕩信號(hào)SLO的相位設(shè)置為最佳相位。圖10示出了混頻器40、DC校正部分50、相位校正部分80和本地振蕩器70的電路 配置的例子。參考圖10，相位校正部分80包括A/D轉(zhuǎn)換部分800、控制部分802以及D/A 轉(zhuǎn)換部分804。A/D轉(zhuǎn)換部分800在其輸入端處與DC校正部分50的比較器502的輸出端 相連，并在其輸出端處與控制部分802相連。A/D轉(zhuǎn)換部分800將從DC校正部分50提供到 其處的DC校正電壓Vadj轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，并將該數(shù)字信號(hào)提供給控制部分802?？刂撇糠?02包括例如CPU(中央處理單元)、ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器)?？刂撇糠?02基于從A/D轉(zhuǎn)換部分800提供到其處的數(shù)字信號(hào)形式的DC校正 電壓Vadj，來(lái)生成用于調(diào)整本地振蕩信號(hào)SLO的頻率或相位的相位校正信號(hào)Vtime，并將該 相位校正信號(hào)Vtime提供給D/A轉(zhuǎn)換部分804。D/A轉(zhuǎn)換部分804在其輸出端處與本地振蕩器70的輸入端718相連，并將從控制 部分802提供到其處的相位校正信號(hào)Vtime轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，并將該模擬信號(hào)提供給本地 振蕩器70。本地振蕩器70包括交叉耦合類型的振蕩電路720以及向其輸入注入信號(hào)SRF的 晶體管704。振蕩電路720包括晶體管700和702、電流源708、電感710和712以及可變 電容二極管714和716。晶體管700和702的源極通過(guò)節(jié)點(diǎn)Dl共同連接，并且電流源708被插在節(jié)點(diǎn)Dl 和地之間。晶體管700在其漏極處與晶體管704的漏極、本地振蕩器70的輸出端715和晶 體管702的柵極相連。此外，晶體管700在其漏極處與電感710的一端和可變電容二極管 714的一端相連。晶體管702在其漏極處與本地振蕩器70的另一輸出端717和晶體管700的柵極 相連。晶體管702在其漏極處與電感712的一端和可變電容二極管716的一端相連。可變電容二極管714和716的另一端通過(guò)節(jié)點(diǎn)D2共同連接，并且相位校正部分80 的D/A轉(zhuǎn)換部分804通過(guò)本地振蕩器70的輸入端718與節(jié)點(diǎn)D2相連。電感710和712的 另一端與電源Vcc相連。在本例子中，由電感710和712以及可變電容二極管714和716形成LC諧振器(resonator)。晶體管704在其漏極處與晶體管700的漏極、晶體管702的柵極、電感710的一端 和可變電容二極管714的一端相連。此外，晶體管704在其柵極處通過(guò)輸出端717與放大 器34相連，并在其源極處通過(guò)電流源706接地。由從相位校正部分80的D/A轉(zhuǎn)換部分804輸入的相位校正信號(hào)Vtune以及電感 710和712來(lái)確定以上述這樣的方式配置的本地振蕩器70的可變電容二極管714和716 的電容。因此，由于電感710和712固定，所以根據(jù)相位校正信號(hào)Vtime確定本地振蕩信號(hào) SLO的諧振頻率也就是自激振蕩(self-running oscillation)頻率。將從調(diào)制器10側(cè)經(jīng)過(guò)本地振蕩器70的輸入端707發(fā)送的注入信號(hào)SRF輸入到 晶體管704的柵極，并且調(diào)制信號(hào)SRF的電壓改變被轉(zhuǎn)換為電流改變并被注入到振蕩電路 720。因此，由振蕩電路720生成的本地振蕩信號(hào)SLO的頻率與注入信號(hào)SRF的頻率同步， 并從輸出端715和717輸出。分別將從輸出端715和717輸出的相反相位的本地振蕩信號(hào) SLO輸入到混頻器40的輸入端410和412。[解調(diào)器的操作例子]現(xiàn)在，描述在執(zhí)行本地振蕩信號(hào)SLO和調(diào)制信號(hào)SRF的相位同步的情況下的控制 例子。圖IlA至IlF圖示了 DC校正部分50和相位校正部分80的操作例子。圖12A圖示 了 DC偏移和相位差之間關(guān)系的例子，以及縱坐標(biāo)軸表示DC偏移而橫坐標(biāo)軸表示相位差。圖 12B圖示了 DC校正電壓Vadj和相位差之間關(guān)系的例子，以及縱坐標(biāo)軸表示DC校正電壓而 橫坐標(biāo)軸表示相位差。圖12C圖示了相位校正信號(hào)Vtune和相位差之間關(guān)系的例子，以及 縱坐標(biāo)軸表示相位差而橫坐標(biāo)軸表示相位校正信號(hào)的輸出電平。如圖IlA和IlB所示，將使能信號(hào)Sen和時(shí)鐘信號(hào)Sclk從未示出的時(shí)鐘控制部分 輸入到相位校正部分80的控制部分802。如圖IlC可見，當(dāng)使能信號(hào)Sen具有高電平時(shí)，控 制部分802在時(shí)鐘信號(hào)Sclk的上升沿生成并向D/A轉(zhuǎn)換部分804輸出幅度逐步(stepwise) 改變的相位校正信號(hào)Vtime。在本例子中，相位校正信號(hào)Vtime的幅度電平逐步增加。本地振蕩器70基于從相位校正部分80輸入到其處的相位校正信號(hào)Vtime和從調(diào) 制器10發(fā)送到其處的注入信號(hào)SRF來(lái)生成與調(diào)制信號(hào)SRF相位同步的本地振蕩信號(hào)SL0， 并向混頻器40輸出所生成的本地振蕩信號(hào)SL0。響應(yīng)于相位校正信號(hào)Vtime的改變，本地 振蕩信號(hào)SLO在相位等方面逐步改變?；祛l器40將從本地振蕩器70提供到其處的本地振蕩信號(hào)SLO與從調(diào)制器10側(cè) 發(fā)送到其處的調(diào)制信號(hào)SRF相乘以生成解調(diào)信號(hào)SDM。這時(shí)，生成逐步改變的本地振蕩信 號(hào)SLO和調(diào)制信號(hào)SRF之間的相位差，并且解調(diào)信號(hào)SDM的DC電壓Vdc與該相位差一起改 變，如圖IlD所見。在本例子中，當(dāng)相位校正信號(hào)Vtime的幅度電平是比如圖IlC中由實(shí)線 圓圈包圍的圖形的一部分時(shí)，本地振蕩信號(hào)SLO和調(diào)制信號(hào)SRF彼此相位同步，并且解調(diào)信 號(hào)SDM的DC電壓Vdc表示最大值。DC校正部分50如上所述根據(jù)DC電壓Vdc的改變來(lái)生成DC校正電壓Vadj，其中， 通過(guò)該DC電壓Vdc的改變，解調(diào)信號(hào)SDM的DC電壓Vdc變?yōu)榈扔趨⒖茧妷篤ref，如圖IlE 所見。將由DC校正部分50生成的DC校正電壓Vadj提供給相位校正部分80。相位校正部分80的控制部分802在時(shí)鐘信號(hào)Sclk的下降沿取得(fetch) DC校正 電壓Vadj，并將所取得的DC校正電壓Vadj以與相應(yīng)的相位校正信號(hào)Vtime相關(guān)的關(guān)系存儲(chǔ)到諸如RAM的存儲(chǔ)部分中。重復(fù)執(zhí)行上述的這樣的操作序列，直到使能信號(hào)Sen下降的 時(shí)刻?？刂撇糠?02在使能信號(hào)Sen的下降沿從存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分中的多個(gè)DC校正電壓 Vadj中選擇如下DC校正電壓利用該DC校正電壓，DC校正電壓Vadj的值變?yōu)樽畲蟆Ｈ缓螅?控制部分802從存儲(chǔ)部分讀出與所選擇的DC校正電壓Vadj相應(yīng)的相位校正信號(hào)Vtime，并 向D/A轉(zhuǎn)換部分804輸出該相位校正信號(hào)Vtune。在本例子中，因?yàn)镈C校正電壓Vadj表示 在圖IlE中由實(shí)線包圍的區(qū)域內(nèi)的最大值，所以控制部分802接著讀出與DC校正電壓Vadj 相應(yīng)的、也就是在圖IlE中由實(shí)線包圍的區(qū)域內(nèi)的相位校正信號(hào)Vtime，并向D/A轉(zhuǎn)換部分 804輸出相位校正信號(hào)Vtune。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，通過(guò)選擇最大的DC校正電壓Vadj，可以選擇當(dāng)解調(diào)信 號(hào)SDM的DC電壓Vdc呈現(xiàn)最大值時(shí)的電壓。因此，如圖12A至12C所見，當(dāng)DC電壓Vdc也 就是DC校正電壓Vadj表示最大值時(shí)，本地振蕩信號(hào)SLO和調(diào)制信號(hào)SRF之間的相位差變 為最小。因此，可以以高準(zhǔn)確度執(zhí)行本地振蕩信號(hào)SLO和注入信號(hào)SRF的相位同步。要注 意，相位校正操作不限于上述的控制方法。<5.第五實(shí)施例〉除了從混頻器40提取差分輸出的解調(diào)信號(hào)SDMl和SDM2以調(diào)整本地振蕩信號(hào)SLO 的相位之外，第五實(shí)施例與上文中描述的第四實(shí)施例相似。要注意，在第五實(shí)施例中，對(duì)與 第四實(shí)施例中描述的解調(diào)器30D中的部件相同的部件給出相同的標(biāo)記，并將省略其詳細(xì)描 述。此外，第一和第二 DC校正部分50和60分別具有與上文中在第二實(shí)施例中描述的第一 和第二 DC校正部分50和60相似的配置和功能。因此，將跳過(guò)其詳細(xì)描述。[解調(diào)器的配置例子]圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的解調(diào)器30E的塊配置的例子。參考圖13， 解調(diào)器30E包括天線32、前級(jí)放大器34、后級(jí)放大器90和92、混頻器40、本地振蕩器70、 第一 DC校正部分50、第二 DC校正部分60和相位校正部分80。圖14示出了解調(diào)器30E的電路配置的例子。參考圖14，相位校正部分80包括第 一 A/D轉(zhuǎn)換部分800、第二 A/D轉(zhuǎn)換部分801、控制部分802和D/A轉(zhuǎn)換部分804。第一 A/D 轉(zhuǎn)換部分800在其輸入端處與第一 DC校正部分50的比較器502的輸出端相連，并在其輸 出端處與控制部分802相連。第二 A/D轉(zhuǎn)換部分801在其輸入端處與第二 DC校正部分60 的比較器602的輸出端相連，并在其輸出端處與控制部分802相連。[解調(diào)器的操作例子]將使能信號(hào)Sen和時(shí)鐘信號(hào)Sclk從未示出的時(shí)鐘控制部分輸入到相位校正部分 80的控制部分802。相位校正部分80的控制部分802基于輸入到其處的使能信號(hào)Sen和 時(shí)鐘信號(hào)Sclk生成幅度電平逐步改變的相位校正信號(hào)Vtime，并將該相位校正信號(hào)Vtime 輸出到D/A轉(zhuǎn)換部分804，如圖IlC所見。本地振蕩器70基于從相位校正部分80輸入到其處的相位校正信號(hào)Vtime和從調(diào) 制器10側(cè)發(fā)送到其處的注入信號(hào)SRF來(lái)生成本地振蕩信號(hào)SL0，并將該本地振蕩信號(hào)SLO 輸出到混頻器40。混頻器40將從本地振蕩器70接收的本地振蕩信號(hào)SLO和從調(diào)制器10 側(cè)接收的注入信號(hào)SRF相乘以生成解調(diào)信號(hào)SDMl和SDM2，并差分輸出解調(diào)信號(hào)SDMl和 SDM2。從負(fù)載電阻408側(cè)提取解調(diào)信號(hào)SDM1，并將其輸入到第一 DC校正部分50。從負(fù)載電阻406側(cè)提取解調(diào)信號(hào)SDM2，并將其輸入到第二 DC校正部分60。第一 DC校正部分50如上所述生成DC校正電壓Vadj 1，其中使用該DC校正電壓 Vadj 1，解調(diào)信號(hào)SDMl的DC電壓Vdcl變?yōu)閰⒖茧妷篤ref 1，如圖IlE所見，并且第一 DC校 正部分50將該DC校正電壓Vadjl輸入到相位校正部分80的第一 A/D轉(zhuǎn)換部分800。第一 A/D轉(zhuǎn)換部分800將DC校正電壓Vadjl轉(zhuǎn)換為數(shù)字值，并將該數(shù)字值提供給控制部分802。第二 DC校正部分60生成DC校正電壓Vadj2，其中使用該DC校正電壓Vadj2，解 調(diào)信號(hào)SDM2的DC電壓Vad2變?yōu)閰⒖茧妷篤ref 2，并且第二 DC校正部分60將該DC校正電 壓Vadj2輸入到相位校正部分80的第二 A/D轉(zhuǎn)換部分801。第二 A/D轉(zhuǎn)換部分801將DC 校正電壓Vadj2轉(zhuǎn)換為數(shù)字值，并將該數(shù)字值提供給控制部分802?？刂撇糠?02選擇當(dāng)差分輸入到其處的DC校正電壓Vadjl和Vadj2之間的電壓 差變?yōu)樽畲髸r(shí)的相位校正信號(hào)Vtime，并將所選擇的相位校正信號(hào)Vtime輸出到D/A轉(zhuǎn)換部 分804，如圖IlC所見。D/A轉(zhuǎn)換部分804將相位校正信號(hào)Vtime轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，并將該 模擬信號(hào)輸入到本地振蕩器70。因此，本地振蕩器70可以生成具有與注入信號(hào)SRF的相位 相同步的相位的本地振蕩信號(hào)SL0，并將該本地振蕩信號(hào)SLO輸出到混頻器40。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)榭梢杂傻谝缓偷诙?DC校正部分50和60差分檢測(cè) DC校正電壓Vadjl和Vadj2，所以可以增大SN比，從而，可以執(zhí)行更穩(wěn)定的相位校正。<6.第六實(shí)施例>除了從混頻器40提取差分輸出以調(diào)整本地振蕩信號(hào)SLO的相位之外，第六實(shí)施例 與上文中描述的第四實(shí)施例相似。要注意，用相同的參考標(biāo)記指代與上面結(jié)合第一和第三 實(shí)施例描述的、諸如DC校正部分50之類的解調(diào)器30A和30C的組件相同的組件，并且在此 省略它們的重復(fù)描述以避免冗余。[解調(diào)器的配置例子]圖15示出了第六實(shí)施例中的解調(diào)器30F的塊配置的例子。解調(diào)器30F包括天線 32、前級(jí)放大器34、后級(jí)放大器90和92、混頻器40、本地振蕩器70、DC校正部分50和相位 校正部分80。圖16示出了解調(diào)器30F的電路配置的例子。參考圖16，DC校正部分50包括第 一低通濾波器500、第二低通濾波器501、比較器502以及晶體管506和507。相位校正部 分80包括第一 A/D轉(zhuǎn)換部分800、第二 A/D轉(zhuǎn)換部分801、控制部分802和D/A轉(zhuǎn)換部分 804。[解調(diào)器的操作例子]在第六實(shí)施例中，執(zhí)行與上面結(jié)合第四實(shí)施例描述的解調(diào)器30D的相位同步操作 相似的操作。具體地，相位校正部分80基于時(shí)鐘信號(hào)Sclk生成幅度電平逐步改變的相位 校正信號(hào)Vtime，并向本地振蕩器70輸出該相位校正信號(hào)Vtime，如圖IlC所見。DC校正部 分50生成DC校正電壓Vadjl和Vadj2，用于校正由本地振蕩信號(hào)SLO和與本地振蕩信號(hào) SLO相位同步的調(diào)制信號(hào)SRF之間的相位差引起的解調(diào)信號(hào)SDMl和SDM2的DC電壓Vdcl 和Vdc2，如圖IlE所見。相位校正部分80的A/D轉(zhuǎn)換部分800將從DC校正部分50提供到其處的DC校正 電壓Vadjl轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，并將該模擬信號(hào)提供給控制部分802。第二 A/D轉(zhuǎn)換部分801 將從DC校正部分50提供到其處的DC校正電壓Vadj2轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，并將該模擬信號(hào)提供給控制部分802?？刂撇糠?02選擇DC校正電壓Vadjl和另一 DC校正電壓Vadj2，其中通過(guò)該DC 校正電壓Vadjl和另一 DC校正電壓Vadj2，DC校正電壓Vadjl和DC校正電壓Vadj2之間 的電壓差變?yōu)樽畲?，如圖IlE所見。然后，控制部分802從存儲(chǔ)部分讀出與所選擇的DC校 正電壓Vadjl和Vadj2相應(yīng)的相位校正信號(hào)Vtune，并向D/A轉(zhuǎn)換部分804輸出該相位校正 信號(hào)Vtune，如圖IlC所見。由放大器90放大并從放大器90輸出從混頻器40輸出的、并具有已校正的DC電 壓Vdcl的解調(diào)信號(hào)SDMl等。類似地，由放大器92放大并從放大器92輸出具有已校正的 DC電壓Vdc2的解調(diào)信號(hào)SDM2。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)橄辔恍Ｕ糠?0差分檢測(cè)DC校正電壓Vadjl和 Vadj2，所以可以增大DC校正電壓的SN比。從而，可以執(zhí)行穩(wěn)定的相位校正。要注意，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于上文中描述的實(shí)施例，而是包括上文中描述的 實(shí)施例的各種修改形式而不脫離本發(fā)明的主題。例如，雖然在上文中描述的第一至第六 實(shí)施例中將MOSFET用于晶體管，但是晶體管不限于此，而是可以替代地使用雙極型的晶體 管。本申請(qǐng)包括與2009年5月29日提交于日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP 2009-131094中公開的主題相關(guān)的主題，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。
權(quán)利要求
一種解調(diào)器，包括頻率同步部分，被適配用于將要在所述解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成部分，被適配用于基于由所述頻率同步部分同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成解調(diào)信號(hào)；以及直流校正部分，被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的直流電壓，并校正所述解調(diào)信號(hào)的直流電壓，使得該直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的參考電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解調(diào)器，還包括相位校正部分，被適配用于基于由所述直流校正部分檢測(cè)的解調(diào)信號(hào)的直流電壓來(lái)將 本地振蕩信號(hào)的相位和調(diào)制信號(hào)的相位彼此同步。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的解調(diào)器，其中所述相位校正部分生成具有以多級(jí)改變的電平的相位校正信號(hào)用于控制本地振蕩信 號(hào)的相位，并將所生成的信號(hào)提供給所述頻率同步部分；所述相位校正部分基于所述相位校正信號(hào)，從所述直流校正部分獲取根據(jù)通過(guò)將調(diào)制 信號(hào)和從所述頻率同步部分輸出的本地振蕩信號(hào)相乘而得到的解調(diào)信號(hào)的直流電壓的直 流校正電壓；以及所述相位校正部分選擇當(dāng)在從所述直流校正部分獲取的直流校正電壓的值中的一個(gè) 直流校正電壓的值變?yōu)樽畲髸r(shí)的相位校正信號(hào)，作為用于將本地振蕩信號(hào)和調(diào)制信號(hào)的相 位彼此同步的相位校正信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解調(diào)器，其中 所述解調(diào)信號(hào)生成部分包括第一和第二晶體管的差分對(duì)，其中差分本地振蕩信號(hào)被輸入到該差分對(duì)； 第三晶體管，在其漏極處與第一和第二晶體管的源極相連，并在其源極處與低電勢(shì)電 源相連，并被適配用于接收輸入到其處的調(diào)制信號(hào)；第一電阻，連接在第一晶體管的漏極和高電勢(shì)電源之間；以及 第二電阻，連接在第二晶體管的漏極和高電勢(shì)電源之間；以及 所述直流校正部分包括低通濾波器，被適配用于讓從所述解調(diào)信號(hào)生成部分的第一電阻或第二電阻輸出的解 調(diào)信號(hào)的直流電壓通過(guò)；比較部分，被適配用于將通過(guò)相互比較通過(guò)了所述低通濾波器的解調(diào)信號(hào)的直流電壓 與參考電壓而得到的差電壓作為直流偏移輸出；以及晶體管，在其漏極處與第一電阻或第二電相連，在其柵極處與所述比較部分相連，以及 在其源極處與低電勢(shì)電源相連。
5.一種解調(diào)器，包括頻率同步部分，被適配用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè) 發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成部分，被適配用于基于由所述頻率同步部分同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào) 制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成第一和第二差分解調(diào)信號(hào)；=第一直流校正部分，被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的第一解調(diào)信號(hào)中檢 測(cè)第一直流電壓，并校正所述第一直流電壓，使得所述第一直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的 第一參考電壓；以及第二直流校正部分，被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的第二解調(diào)信號(hào)中檢 測(cè)第二直流電壓，并校正所述第二直流電壓，使得所述第二直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的 第二參考電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的解調(diào)器，還包括相位校正部分，被適配用于基于由所述第一直流校正部分檢測(cè)的第一直流電壓和由所 述第二直流校正部分檢測(cè)的第二直流電壓之間的差電壓，來(lái)將本地振蕩信號(hào)的相位和調(diào)制 信號(hào)的相位彼此同步。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的解調(diào)器，其中 所述解調(diào)信號(hào)生成部分包括第一和第二晶體管的差分對(duì)，其中差分本地振蕩信號(hào)被輸入到該差分對(duì)； 第三晶體管，在其漏極處與第一和第二晶體管的源極相連，并在其源極處與低電勢(shì)電 源相連，并被適配用于接收輸入到其處的調(diào)制信號(hào)；第一電阻，連接在第一晶體管的漏極和高電勢(shì)電源之間；以及 第二電阻，連接在第二晶體管的漏極和高電勢(shì)電源之間；以及 所述第一直流校正部分包括低通濾波器，被適配用于讓從所述解調(diào)信號(hào)生成部分的第一電阻輸出的第一解調(diào)信號(hào) 的第一直流電壓通過(guò)；比較部分，被適配用于將通過(guò)比較通過(guò)了低通濾波器的第一解調(diào)信號(hào)的第一直流電壓 和第一參考電壓而得到的差電壓作為直流偏移輸出；以及晶體管，在其漏極處與第一電阻相連，在其柵極處與比較部分相連，以及在其源極處與 低電勢(shì)電源相連；以及所述第二直流校正部分包括低通濾波器，被適配用于讓從所述解調(diào)信號(hào)生成部分的第二電阻輸出的第二解調(diào)信號(hào) 的第二直流電壓通過(guò)；比較部分，被適配用于將通過(guò)比較通過(guò)了低通濾波器的第二解調(diào)信號(hào)的第二直流電壓 和第二參考電壓而得到的差電壓作為直流偏移輸出；以及晶體管，在其漏極處與第二電阻相連，在其柵極處與所述比較部分相連，以及在其源極 處與低電勢(shì)電源相連。
8.一種解調(diào)器，包括頻率同步部分，被適配用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè) 發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成部分，被適配用于基于由所述頻率同步部分同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào) 制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成第一和第二差分解調(diào)信號(hào)；以及直流校正部分，被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的第一解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解 調(diào)信號(hào)的第一直流電壓，以及從第二解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的第二直流電壓，然后校正 第一直流電壓和第二直流電壓的至少一個(gè)，使得第一直流電壓和第二直流電壓之間的電勢(shì)
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的解調(diào)器，還包括相位校正部分，被適配用于基于由所述直流校正部分檢測(cè)的第一直流電壓和第二直流 電壓之間的差電壓來(lái)將本地振蕩信號(hào)的相位和調(diào)制信號(hào)的相位同步。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的解調(diào)器，其中 所述解調(diào)信號(hào)生成部分包括第一和第二晶體管的差分對(duì)，其中差分本地振蕩信號(hào)被輸入到該差分對(duì)； 第三晶體管，在其漏極處與第一和第二晶體管的源極相連，并在其源極處與低電勢(shì)電 源相連，并被適配用于接收輸入到其處的調(diào)制信號(hào)；第一電阻，連接在第一晶體管的漏極和高電勢(shì)電源之間；以及 第二電阻，連接在第二晶體管的漏極和高電勢(shì)電源之間；以及 所述直流校正部分包括第一低通濾波器，與所述解調(diào)信號(hào)生成部分的第一電阻相連，被適配用于讓從所述解 調(diào)信號(hào)生成部分輸出的第一解調(diào)信號(hào)的第一直流電壓通過(guò)；第二低通濾波器，與所述解調(diào)信號(hào)生成部分的第二電阻相連，被適配用于讓從所述解 調(diào)信號(hào)生成部分輸出的第二解調(diào)信號(hào)的第二直流電壓通過(guò)；比較部分，被適配用于將通過(guò)相互比較通過(guò)了第一低通濾波器的第一解調(diào)信號(hào)的第一 直流電壓和通過(guò)了第二低通濾波器的第二解調(diào)信號(hào)的第二直流電壓而得到的差電壓作為 直流偏移輸出；第一晶體管，在其漏極處與所述解調(diào)信號(hào)生成部分的第一電阻相連，在其柵極處與比 較部分相連，以及在其源極處與低電勢(shì)電源相連；以及第二晶體管，在其漏極處與所述解調(diào)信號(hào)生成部分的第二電阻相連，在其柵極處與比 較部分相連，以及在其源極處與低電勢(shì)電源相連。
11.一種通信裝置，包括調(diào)制器，被適配用于利用第一本地振蕩信號(hào)來(lái)調(diào)制調(diào)制對(duì)象信號(hào)以生成調(diào)制信號(hào)，并 發(fā)送所生成的調(diào)制信號(hào)；頻率同步部分，被適配用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的第二本地振蕩信號(hào)的頻率與從所述 調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成部分，被適配用于基于由所述頻率同步部分同步的第二本地振蕩信號(hào)和 從所述調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)，來(lái)生成解調(diào)信號(hào)；以及解調(diào)器，具有直流校正部分，被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的解調(diào)信號(hào) 中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的直流電壓，并校正所述解調(diào)信號(hào)的直流電壓，使得該直流電壓變?yōu)榈扔?預(yù)先設(shè)置的參考電壓。
12.—種解調(diào)器，包括頻率同步裝置，用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的 調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成裝置，用于基于由所述頻率同步裝置同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā) 送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成解調(diào)信號(hào)；以及直流控制裝置，用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成裝置生成的解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的直流電壓，并校正所述解調(diào)信號(hào)的直流電壓，使得該直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的參考電壓。
13.—種解調(diào)器，包括頻率同步裝置，用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的 調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成裝置，用于基于由所述頻率同步裝置同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā) 送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成第一和第二差分解調(diào)信號(hào)；第一直流校正裝置，用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成裝置生成的第一解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)第一 直流電壓，并校正所述第一直流電壓，使得所述第一直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的第一參 考電壓；以及第二直流校正裝置，用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成裝置生成的第二解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)第二 直流電壓，并校正所述第二直流電壓，使得所述第二直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的第二參 考電壓。
14.一種解調(diào)器，包括頻率同步裝置，用于將要在解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的 調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成裝置，用于基于由所述頻率同步裝置同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā) 送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成第一和第二差分解調(diào)信號(hào)；直流校正裝置，用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成裝置生成的第一解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào) 的第一直流電壓，以及從第二解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的第二直流電壓，然后校正第一直 流電壓和第二直流電壓的至少一個(gè)，使得第一直流電壓和第二直流電壓之間的電勢(shì)差變?yōu)?最小。
全文摘要
在此公開了一種解調(diào)器，包括頻率同步部分，被適配用于將要在所述解調(diào)器側(cè)生成的本地振蕩信號(hào)的頻率與從調(diào)制器側(cè)發(fā)送的調(diào)制信號(hào)的本地振蕩頻率同步；解調(diào)信號(hào)生成部分，被適配用于基于由所述頻率同步部分同步的本地振蕩信號(hào)和從調(diào)制器發(fā)送的調(diào)制信號(hào)來(lái)生成解調(diào)信號(hào)；以及直流校正部分，被適配用于從由所述解調(diào)信號(hào)生成部分生成的解調(diào)信號(hào)中檢測(cè)解調(diào)信號(hào)的直流電壓，并校正所述解調(diào)信號(hào)的直流電壓，使得該直流電壓變?yōu)榈扔陬A(yù)先設(shè)置的參考電壓。
文檔編號(hào)H04L27/06GK101902235SQ20101018979
公開日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2010年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月29日
發(fā)明者小森健司 申請(qǐng)人:索尼公司