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      同時測試多部td-lte終端射頻性能的方法和裝置的制作方法

      文檔序號:7758967閱讀:225來源:國知局
      專利名稱:同時測試多部td-lte終端射頻性能的方法和裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及移動通信技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于同時測試多部TD-LTE終端射 頻性能的方法和實現(xiàn)該方法的裝置。
      背景技術(shù)
      隨著現(xiàn)代通信行業(yè)的發(fā)展,以及TD-SCDMA制式終端的日益成熟,TD-LTE (TD-SCDMA Long term evolution)技術(shù)不斷完善,TD-LTE終端生產(chǎn)量將會逐漸加大。為了檢查TD-LTE 終端的生產(chǎn)質(zhì)量和性能指標(biāo),必須通過終端綜合測試儀進行測試。目前還沒有成熟的 TD-LTE終端綜合測試儀,這樣嚴重限制了 TD-LTE終端生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)效率,增加了 TD-LTE 終端的生產(chǎn)成本。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目是針對上述技術(shù)問題,提供一種可以同時測試多部TD-LTE終端射頻 性能的方法和實現(xiàn)該方法的裝置,該裝置可以在信令連接的情況下對多部TD-LTE終端進 行射頻性能測試,各TD-LTE終端的信號間干擾較小,并且多個TD-LTE終端并行測試時可以 被配置為1. 4MHZ到20MHZ帶寬的頻域資源。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所設(shè)計的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的方 法,它包括如下步驟1)打開TD-LTE終端綜合測試儀的電源并按照3GPP (3rd Generation Paratership Project,第三代合作伙伴項目)協(xié)議關(guān)于TD-LTE終端射頻測試規(guī)范的參數(shù)要求,設(shè)置好 TD-LTE終端入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù),使TD-LTE終端綜合測試儀處于等待TD-LTE終端開機入 網(wǎng)的狀態(tài),系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置1,即1個無線幀有4個下行子幀,4個上行子 幀,2個同步子幀,或系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置0,即1個無線幀有2個下行子幀,6 個上行子幀,2個同步子幀;將SIM (Subscriber Identity Module,用戶身份識別模塊)卡 編號后插入待測的2 4部TD-LTE終端中,按照所述SIM卡依次標(biāo)記相應(yīng)的TD-LTE終端; 將TD-LTE終端與TD-LTE終端綜合測試儀進行射頻連接,給TD-LTE終端上電,進行TD-LTE 終端的開機入網(wǎng)信令流程;2)在TD-LTE終端開機入網(wǎng)信令流程中,TD-LTE終端綜合測試儀通過NAS(Non access stratum,非接入層)信令查詢到所述TD-LTE終端中SIM卡的IMSI (International mobile subscriber identity,國際移動用戶識別碼)號,并與入網(wǎng)流程中分配給各TD-LTE 終端的 S-TMSI (S-Temporary Mobile Station Identifier,臨時移動用戶標(biāo)識)號和 C-RNTI (Cell Radio Network Temporary Identifier,小區(qū)無線網(wǎng)絡(luò)臨時標(biāo)識)標(biāo)識號相 關(guān)聯(lián),以此識別TD-LTE終端是哪一部TD-LTE終端;通過這個過程,TD-LTE終端、TD-LTE終 端各自的SIM卡IMSI號、S-TMSI號和C-RNTI建立了一一對應(yīng)關(guān)系,用于在時域上區(qū)分測 試的是哪部TD-LTE終端的信號;3)TD-LTE終端綜合測試儀尋呼各TD-LTE終端并建立專用的無線承載;當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置1時,在無線幀中的子幀#1、子幀#4、子幀#6、子幀#9上以 DCI (Downlink Control Information,下行控制信息)格式0分別傳輸各TD-LTE終端的下 行PDCCH(Physical downlink control channel,物理下行控制信道)信號;當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中 上下行子幀配置為配置0時,在無線幀中的子幀#0、子幀#1、子幀#5、子幀#6上以DCI格 式0分別傳輸各TD-LTE終端的下行PDCCH信號;然后通過下行PDCCH信號攜帶的DCI信 息指定各TD-LTE終端分別在對應(yīng)的上行子幀上傳輸上行PUSCH(Physical uplink shared channel,物理上行共享信道)信號;4) TD-LTE終端綜合測試儀利用系統(tǒng)模擬器的數(shù)據(jù)采集觸發(fā)信號采集TD-LTE終端 的上行PUSCH信號,再將此采集的上行PUSCH信號傳輸給TD-LTE終端綜合測試儀的信號處 理模塊計算得到TD-LTE終端的射頻性能指標(biāo)的參數(shù)值。所述TD-LTE終端為4部。在步驟3)中,當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置1時,在子幀#1上傳輸?shù)南滦?PDCCH信號以第三部TD-LTE終端UE3 (UE,User Equipment,用戶設(shè)備即終端)的C-RNTI加 擾,指示第三部TD-LTE終端UE3在子幀#7上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#4上傳輸?shù)南?行PDCCH信號以第四部TD-LTE終端UE4的C-RNTI加擾,指示第四部TD-LTE終端UE4在子 幀#8上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#6上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第一部TD-LTE終端 UEl的C-RNTI加擾,指示第一部TD-LTE終端UEl在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號;在子幀 #9上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第二部TD-LTE終端UE2的C-RNTI加擾,指示第二部TD-LTE 終端UE2在子幀#3上傳輸上行PUSCH信號;第一部TD-LTE終端UEl、第二部TD-LTE終端 UE2、第三部TD-LTE終端UE3、第四部TD-LTE終端UE4會根據(jù)各自的C-RNTI檢測到屬于自 己的下行PDCCH信號,解析DCI信息,并依次在子幀#2、子幀#3、子幀#7、子幀#8傳輸各自 的上行PUSCH信號;當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置0時,根據(jù)3GPP協(xié)議,在各子幀上的下行 PDCCH信號攜帶的DCI控制信息中UL Index (Up link Index,上行索引值)設(shè)置為二進制 數(shù)10 ;在子幀#0上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第二部TD-LTE終端UE2的C-RNTI加擾,指示 第二部TD-LTE終端UE2在子幀M上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#1上傳輸?shù)南滦蠵DCCH 信號以第三部TD-LTE終端UE3的C-RNTI加擾,指示第三部TD-LTE終端UE3在子幀#7上 傳輸上行PUSCH信號;在子幀#5上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第四部TD-LTE終端UE4的 C-RNTI加擾,指示第四部TD-LTE終端UE4在子幀#9上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#6上 傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第一部TD-LTE終端UEl的C-RNTI加擾,指示第一部TD-LTE終端 UEl在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號;第一部TD-LTE終端UE1、第二部TD-LTE終端UE2、 第三部TD-LTE終端UE3、第四部TD-LTE終端UE4會根據(jù)各自的C-RNTI檢測到屬于自己的 下行PDCCH信號,解析DCI信息,并依次在子幀#2、子幀#4、子幀#7、子幀#9傳輸各自的上 行PUSCH信號;由此完成了各個TD-LTE終端在指定子幀上傳輸上行PUSCH信號的過程。在步驟4)中,數(shù)據(jù)采集觸發(fā)信號為在無線幀的子幀#0結(jié)束處設(shè)置為低電平,此無 線幀的子幀#6結(jié)束處對應(yīng)的設(shè)置為高電平。一種根據(jù)上述方法設(shè)計的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的裝置,它包 括主控單元、系統(tǒng)模擬器、功率分配單元和射頻處理單元,其中,所述系統(tǒng)模擬器和射頻處 理單元均通過PXI (PCI extensions for Instrumentation,面向儀器系統(tǒng)的PCI擴展)總線連接主控單元,所述系統(tǒng)模擬器與射頻處理單元通過LDVS (Low Voltage Differential Signaling低壓差分信號)數(shù)據(jù)接口連接,所述射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收 單元和本振單元,所述本振單元用于給射頻發(fā)射單元和射頻接收單元提供載波信號以及參 考時鐘信號,所述功率分配單元通過射頻接口連接所述射頻處理單元,所述功率分配單元 通過PXI總線連接到主控單元;所述功率分配單元用于實現(xiàn)上、下行信號的功率分配,并且 將多部TD-LTE終端并聯(lián)到TD-LTE終端綜合測試儀。所述系統(tǒng)模擬器根據(jù)3GPP協(xié)議對應(yīng)的協(xié)議規(guī)范,模擬出物理層協(xié)議、數(shù)據(jù)鏈路層 協(xié)議、網(wǎng)絡(luò)層協(xié)議和NAS層協(xié)議;所述系統(tǒng)模擬器用于建立和維持TD-LTE終端綜合測試儀 和被測TD-LTE終端之間的無線承載,便于進行信令連接情況下的射頻性能的測試,所述系 統(tǒng)模擬器產(chǎn)生下行數(shù)字基帶I/Qdn-phase/Quadrature,同向正交)信號,經(jīng)過LVDS數(shù)據(jù)接 口送到射頻發(fā)射單元,所述系統(tǒng)模擬器將來自射頻接收單元的上行數(shù)字基帶I/Q信號還原 成信令和業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)。所述射頻發(fā)射單元用來將系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生的下行數(shù)字基帶I/Q信號進行調(diào)制和 上變頻處理后發(fā)射給被測TD-LTE終端。所述射頻接收模塊接收被測TD-LTE終端的射頻信號,并將該被測TD-LTE終端的 射頻信號下變頻為中頻信號,再轉(zhuǎn)化為數(shù)字中頻信號,然后經(jīng)正交解調(diào)后轉(zhuǎn)換為上行數(shù)字 基帶信號,所述上行數(shù)字基帶I/Q信號一路經(jīng)過LVDS接口實時傳送到系統(tǒng)模擬器中恢復(fù)為 信令和數(shù)據(jù),以保持信令的連接,另一路緩存在接收模塊的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中并經(jīng)過PXI總線 送到主控單元進行射頻指標(biāo)分析。所述主控單元包括人機接口單元、集成控制單元、信號處理單元和遠程控制單元, 所述集成控制單元用于控制系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和射頻切換開關(guān)單元;所述信號處 理單元用于分析被測TD-LTE終端的射頻性能;所述遠程控制單元用于TD-LTE終端綜合測 試儀與計算機進行遠程交互,實現(xiàn)TD-LTE終端綜合測試儀的遠程控制。本發(fā)明的方法通過首先插入SIM卡標(biāo)記各個TD-LTE終端,在開機入網(wǎng)信令流程中 關(guān)聯(lián)各TD-LTE終端的SIM卡IMSI號、S-TMSI號和C-RNTI,再在所述無線幀中的對應(yīng)子幀上 以DCI格式0分別傳輸以各TD-LTE終端的C-RNTI加擾的下行PDCCH信號,通過下行PDCCH 信號攜帶的DCI信息指定各TD-LTE終端分別在對應(yīng)的上行子幀上傳輸上行PUSCH信號,從 而在時域上區(qū)分測試的是哪部TD-LTE終端的信號,最后采集上行PUSCH信號并對該信號進 行射頻分析。使得一部TD-LTE終端綜合測試儀可以在信令連接的情況下對多部TD-LTE終 端進行射頻性能測試,各TD-LTE終端的信號間干擾較小,并且多個TD-LTE終端并行測試時 可以被配置為1. 4MHZ到20MHZ帶寬的頻域資源。本發(fā)明的裝置根據(jù)上述方法設(shè)計出一種 用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的TD-LTE終端綜合測試儀,該TD-LTE終端綜合測 試儀在同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的時候,具有準(zhǔn)確性好,測試速度快的優(yōu)點。


      圖1為上、下行子幀配置1的無線幀結(jié)構(gòu)圖;圖2為上、下行子幀配置0的無線幀結(jié)構(gòu)3為四部TD-LTE終端的時域資源分配圖;圖4為數(shù)據(jù)采集用系統(tǒng)模擬器同步信號的結(jié)構(gòu)圖5為本發(fā)明的TD-LTE綜測儀的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖;圖6為TD-LTE綜測儀與多部TD-LTE終端的射頻連接示意圖。其中,圖1中S子幀表示同步子幀,圖3中的長箭頭線表示各TD-LTE終端對應(yīng)的 PDCCH信號調(diào)度的PUSCH信號在無線幀中所對應(yīng)的子幀的位置。圖1 3中向上的箭頭表 示上行子幀,向下的箭頭表示下行子幀。
      具體實施例方式以下結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明如圖5和6所示的一種用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的裝置即TD-LTE 終端綜合測試儀,它包括主控單元、系統(tǒng)模擬器、功率分配單元和射頻處理單元,其中,系 統(tǒng)模擬器和射頻處理單元均通過PXI總線連接主控單元,系統(tǒng)模擬器與射頻處理單元通過 LDVS(低壓差分信號)數(shù)據(jù)接口連接,射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收單元和本 振單元,本振單元用于給射頻發(fā)射單元和射頻接收單元提供載波信號以及10MHZ的參考時 鐘信號。該裝置具備簡化的TD-LTE基站的功能,可以與TD-LTE終端進行信令連接和數(shù)據(jù)傳 輸?shù)葮I(yè)務(wù),并且可以對TD-LTE終端進行信令連接條件下的射頻測試。所述功率分配單元通 過射頻接口連接所述射頻處理單元,所述功率分配單元通過PXI總線連接到主控單元;所 述功率分配單元用于實現(xiàn)上、下行信號的功率分配,并且將多部TD-LTE終端并聯(lián)到TD-LTE 終端綜合測試儀。上述技術(shù)方案中,系統(tǒng)模擬器主要運行協(xié)議棧軟件,根據(jù)3GPP協(xié)議對應(yīng)的協(xié)議規(guī) 范,模擬出物理層協(xié)議、數(shù)據(jù)鏈路層協(xié)議、網(wǎng)絡(luò)層協(xié)議和NAS層協(xié)議;系統(tǒng)模擬器用于建立 和維持TD-LTE終端綜合測試儀和被測TD-LTE終端之間的無線承載,便于進行信令連接情 況下的射頻性能的測試,系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生下行數(shù)字基帶I/Q信號,經(jīng)過LVDS數(shù)據(jù)接口送到 射頻發(fā)射單元,系統(tǒng)模擬器將來自射頻接收單元的上行數(shù)字基帶I/Q信號還原成信令和業(yè) 務(wù)數(shù)據(jù)。系統(tǒng)模擬器可模擬出基站的系統(tǒng)環(huán)境。上述技術(shù)方案中,射頻發(fā)射模塊用來將系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生的下行數(shù)字基帶I/Q信號 進行調(diào)制和上變頻處理后發(fā)射給被測TD-LTE終端。上述技術(shù)方案中,射頻接收模塊接收被測TD-LTE終端的射頻信號,并將該被測 TD-LTE終端的射頻信號下變頻為中頻信號,再轉(zhuǎn)化為數(shù)字中頻信號,然后經(jīng)正交解調(diào)后轉(zhuǎn) 換為上行數(shù)字基帶信號,上行數(shù)字基帶I/Q信號一路經(jīng)過LVDS接口實時傳送到系統(tǒng)模擬器 中恢復(fù)為信令和數(shù)據(jù),以保持信令的連接,另一路緩存在接收模塊的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中并經(jīng)過 PXI總線送到主控單元進行射頻指標(biāo)分析。上述技術(shù)方案中,主控單元包括人機接口單元、集成控制單元、信號處理單元和遠 程控制單元,集成控制單元用于控制系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和射頻切換開關(guān)單元;信號 處理單元用于分析被測TD-LTE終端的射頻性能;遠程控制單元用于TD-LTE終端綜合測試 儀與計算機進行遠程交互,實現(xiàn)TD-LTE終端綜合測試儀的遠程控制。上述TD-LTE終端的開機入網(wǎng)信令流程為1. TD-LTE終端發(fā)送前導(dǎo)碼,2.系統(tǒng)模 擬器隨機接入響應(yīng),3. TD-LTE終端請求連接,4.系統(tǒng)模擬器連接建立,5. TD-LTE終端連接 建立完成,6.系統(tǒng)模擬器查詢TD-LTE終端的身份,7. TD-LTE終端的身份響應(yīng),8.系統(tǒng)模擬 器鑒權(quán)請求,9. TD-LTE終端鑒權(quán)響應(yīng),10.系統(tǒng)模擬器激活NAS安全模式,11. TD-LTE終端NAS安全模式完成,12.系統(tǒng)模擬器ESM信息請求,13. TD-LTE終端ESM信息響應(yīng),14.系統(tǒng) 模擬器激活測試模式,15. TD-LTE終端測試模式機會完成,16.系統(tǒng)模擬器激活A(yù)S安全模 式,17. TD-LTE終端安全模式完成,18系統(tǒng)模擬器激對TD-LTE終端能力查詢,19. TD-LTE終 端提供其能力信息,20.系統(tǒng)模擬器連接重配,21. TD-LTE終端連接重配完成,22. TD-LTE終 端附著流程完成,23.系統(tǒng)模擬器連接釋放。上述TD-LTE終端建立無線承載的信令流程為1.系統(tǒng)模擬器尋呼TD-LTE終端, 2. TD-LTE終端連接請求,3.系統(tǒng)模擬器連接建立,4. TD-LTE終端連接建立完成,5.系統(tǒng)模 擬器激活A(yù)S安全模式,6. TD-LTE終端AS安全模式完成,7.系統(tǒng)模擬器連接重配,8. TD-LTE 終端連接重配完成,9. TD-LTE終端建立專用EPS承載,10.系統(tǒng)模擬器連接釋放。一種用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的方法,它包括如下步驟1)打開TD-LTE終端綜合測試儀的電源并按照3GPP協(xié)議關(guān)于TD-LTE終端射頻測 試規(guī)范的參數(shù)要求,設(shè)置好TD-LTE終端入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù),使TD-LTE終端綜合測試儀處 于等待TD-LTE終端開機入網(wǎng)的狀態(tài),系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置1,即1個無線幀有 4個下行子幀,4個上行子幀,2個同步子幀,或系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置0,即1個 無線幀有2個下行子幀,6個上行子幀,2個同步子幀;將SIM卡編號后插入待測的2 4部 TD-LTE終端中,按照所述SIM卡依次標(biāo)記相應(yīng)的TD-LTE終端;將TD-LTE終端與TD-LTE終 端綜合測試儀進行射頻連接,給TD-LTE終端上電,進行TD-LTE終端的開機入網(wǎng)信令流程;2)在TD-LTE終端開機入網(wǎng)信令流程中,TD-LTE終端綜合測試儀通過NAS信令查 詢到所述TD-LTE終端中SIM卡的IMSI號,并與入網(wǎng)流程中分配給各終端的S-TMSI號和 C-RNTI標(biāo)識號相關(guān)聯(lián),以此識別TD-LTE終端是哪一部TD-LTE終端;通過這個過程,TD-LTE 終端、TD-LTE終端各自的SIM卡IMSI號、S-TMSI號和C-RNTI建立了——對應(yīng)關(guān)系,用于在 時域上區(qū)分測試的是哪部TD-LTE終端的信號;3)TD-LTE終端綜合測試儀尋呼各TD-LTE終端并建立專用的無線承載;當(dāng)系統(tǒng)參 數(shù)中上下行子幀配置為配置1時,在無線幀中的子幀#1、子幀#4、子幀#6、子幀#9上以DCI 格式0分別傳輸各TD-LTE終端的下行PDCCH信號;當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置0 時,在無線幀中的子幀#0、子幀#1、子幀#5、子幀#6上以DCI格式0分別傳輸各TD-LTE終 端的下行PDCCH信號;然后通過下行PDCCH信號攜帶的DCI信息指定各TD-LTE終端分別 在對應(yīng)的上行子幀上傳輸上行PUSCH信號;4) TD-LTE終端綜合測試儀利用系統(tǒng)模擬器的數(shù) 據(jù)采集觸發(fā)信號采集TD-LTE終端的上行PUSCH信號,再將此采集的上行PUSCH信號傳輸給 TD-LTE終端綜合測試儀的信號處理模塊計算得到TD-LTE終端的射頻性能指標(biāo)的參數(shù)值。 TD-LTE終端信號射頻性能分析包括TD-LTE終端發(fā)射機和接收機的性能指標(biāo),主要的指標(biāo) 如下發(fā)射機性能測試主要包括TD-LTE終端最大輸出功率,功率控制,最低輸出功率,發(fā)射 開/關(guān)功率,頻率誤差,誤差矢量幅度,占用帶寬,頻譜輻射模板,鄰道泄漏比;接收機性能 測試主要包括參考靈敏度,最大輸入功率,接收機誤碼率/吞吐量。上述技術(shù)方案中,TD-LTE終端優(yōu)選為4部。上述技術(shù)方案中,如圖1 2所示,在步驟3)中,上、下行子幀配置為配置1時,在 子幀#1上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第三部TD-LTE終端UE3的C-RNTI加擾,指示第三部 TD-LTE終端UE3在子幀#7上傳輸上行PUSCH信號;在子幀M上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以 第四部TD-LTE終端UE4的C-RNTI加擾,指示第四部TD-LTE終端UE4在子幀#8上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#6上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第一部TD-LTE終端UEl的C-RNTI加 擾,指示第一部TD-LTE終端UEl在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#9上傳輸?shù)南滦?PDCCH信號以第二部TD-LTE終端UE2的C-RNTI加擾,指示第二部TD-LTE終端UE2在子幀 #3上傳輸上行PUSCH信號;第一部TD-LTE終端UEl、第二部TD-LTE終端UE2、第三部TD-LTE 終端UE3、第四部TD-LTE終端UE4會根據(jù)各自的C-RNTI檢測到屬于自己的下行PDCCH信 號,解析DCI信息,并依次在子幀#2、子幀#3、子幀#7、子幀#8傳輸各自的上行PUSCH信號, 由此完成了各個TD-LTE終端在指定子幀上傳輸上行PUSCH信號的過程。上、下行子幀配置0與上述配置1的情況基本類似,不同之處在于1)上下行子 幀配置為配置O時,根據(jù)3GPP協(xié)議,需要將下行PDCCH信號攜帶的DCI控制信息中UL Index (Up link Index,上行索引值)設(shè)置為二進制數(shù)10 ;2)配置0時1個無線幀有2個下 行子幀,6個上行子幀,2個同步子幀;在子幀#0上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第二部TD-LTE 終端UE2的C-RNTI加擾,指示第二部TD-LTE終端UE2在子幀#4上傳輸上行PUSCH信號; 在子幀#1上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第三部TD-LTE終端UE3的C-RNTI加擾,指示第三 部TD-LTE終端UE3在子幀#7上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#5上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號 以第四部TD-LTE終端UE4的C-RNTI加擾,指示第四部TD-LTE終端UE4在子幀#9上傳輸 上行PUSCH信號;在子幀#6上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第一部TD-LTE終端UEl的C-RNTI 加擾,指示第一部TD-LTE終端UEl在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號;第一部TD-LTE終端 UEl、第二部TD-LTE終端UE2、第三部TD-LTE終端UE3、第四部TD-LTE終端UE4會根據(jù)各自 的C-RNTI檢測到屬于自己的下行PDCCH信號,解析DCI信息,并依次在子幀#2、子幀#4、子 幀#7、子幀#9傳輸各自的上行PUSCH信號,上、下行子幀配置1或0的情況下2部TD-LTE終端和3部TD-LTE終端與上述4部 TD-LTE終端同時進行信令連接條件下射頻測試的方法基本類似。當(dāng)同時測試3部TD-LTE終 端時,不考慮TD-LTE終端UE4的開機入網(wǎng)流程、TD-LTE終端識別、PDCCH攜帶的DCI指示的 時域資源安排、數(shù)據(jù)采集和分析等相應(yīng)操作;同時測試2部TD-LTE終端時,不考慮TD-LTE 終端UE3和UE4的相應(yīng)操作;測試1部TD-LTE終端時,不考慮TD-LTE終端UE2、UE3和UE4 的相應(yīng)操作。上述技術(shù)方案中,如圖4所示,在步驟4)中,數(shù)據(jù)采集觸發(fā)信號為在子幀#0的結(jié) 束處設(shè)置為低電平,此無線幀的子幀#6結(jié)束處對應(yīng)的設(shè)置為高電平。本說明書未作詳細描述的內(nèi)容屬于本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
      權(quán)利要求
      一種用于同時測試多部TD LTE終端射頻性能的方法,其特征在于它包括如下步驟1)打開TD LTE終端綜合測試儀的電源并按照3GPP協(xié)議關(guān)于TD LTE終端射頻測試規(guī)范的參數(shù)要求,設(shè)置好TD LTE終端入網(wǎng)所需的系統(tǒng)參數(shù),使TD LTE終端綜合測試儀處于等待TD LTE終端開機入網(wǎng)的狀態(tài),系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置1,即1個無線幀有4個下行子幀,4個上行子幀,2個同步子幀,或系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置0,即1個無線幀有2個下行子幀,6個上行子幀,2個同步子幀;將SIM卡編號后插入待測的2~4部TD LTE終端中,按照所述SIM卡依次標(biāo)記相應(yīng)的TD LTE終端;將TD LTE終端與TD LTE終端綜合測試儀進行射頻連接,給TD LTE終端上電,進行TD LTE終端的開機入網(wǎng)信令流程;2)在TD LTE終端開機入網(wǎng)信令流程中,TD LTE終端綜合測試儀通過NAS信令查詢到所述TD LTE終端中SIM卡的IMSI號,并與入網(wǎng)流程中分配給各TD LTE終端的S TMSI號和C RNTI標(biāo)識號相關(guān)聯(lián),以此識別TD LTE終端是哪一部TD LTE終端;通過這個過程,TD LTE終端、TD LTE終端各自的SIM卡IMSI號、S TMSI號和C RNTI建立了一一對應(yīng)關(guān)系,用于在時域上區(qū)分測試的是哪部TD LTE終端的信號;3)TD LTE終端綜合測試儀尋呼各TD LTE終端并建立專用的無線承載;當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置1時,無線幀中的子幀#1、子幀#4、子幀#6、子幀#9上以DCI格式0分別傳輸各TD LTE終端的下行PDCCH信號;當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置0時,無線幀中的子幀#0、子幀#1、子幀#5、子幀#6上以DCI格式0分別傳輸各TD LTE終端的下行PDCCH信號;然后通過下行PDCCH信號攜帶的DCI信息指定各TD LTE終端分別在對應(yīng)的上行子幀上傳輸上行PUSCH信號;4)TD LTE終端綜合測試儀利用系統(tǒng)模擬器的數(shù)據(jù)采集觸發(fā)信號采集TD LTE終端的上行PUSCH信號,再將此采集的上行PUSCH信號傳輸給TD LTE終端綜合測試儀的信號處理模塊計算得到TD LTE終端的射頻性能指標(biāo)的參數(shù)值。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的方法,其特征在 于所述TD-LTE終端為4部。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的方法,其特征在 于在步驟3)中,當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置1時,在子幀#1上傳輸?shù)南滦蠵DCCH 信號以第三部TD-LTE終端UE3的C-RNTI加擾,指示第三部TD-LTE終端UE3在子幀#7上傳 輸上行PUSCH信號;在子幀#4上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第四部TD-LTE終端UE4的C-RNTI 加擾,指示第四部TD-LTE終端UE4在子幀#8上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#6上傳輸?shù)?下行PDCCH信號以第一部TD-LTE終端UEl的C-RNTI加擾,指示第一部TD-LTE終端UEl在 子幀#2上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#9上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第二部TD-LTE終端 UE2的C-RNTI加擾,指示第二部TD-LTE終端UE2在子幀#3上傳輸上行PUSCH信號;第一 部TD-LTE終端UEl、第二部TD-LTE終端UE2、第三部TD-LTE終端UE3、第四部TD-LTE終端 UE4會根據(jù)各自的C-RNTI檢測到屬于自己的下行PDCCH信號,解析DCI信息,并依次在子幀 #2、子幀#3、子幀#7、子幀#8傳輸各自的上行PUSCH信號;當(dāng)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置為配置0時,根據(jù)3GPP協(xié)議,在各子幀上的下行PDCCH 信號攜帶的DCI控制信息中UL Index設(shè)置為二進制數(shù)10 ;在子幀#0上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信 號以第二部TD-LTE終端UE2的C-RNTI加擾,指示第二部TD-LTE終端UE2在子幀#4上傳輸 上行PUSCH信號;在子幀#1上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第三部TD-LTE終端UE3的C-RNTI加擾,指示第三部TD-LTE終端UE3在子幀#7上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#5上傳輸?shù)?下行PDCCH信號以第四部TD-LTE終端UE4的C-RNTI加擾,指示第四部TD-LTE終端UE4在 子幀#9上傳輸上行PUSCH信號;在子幀#6上傳輸?shù)南滦蠵DCCH信號以第一部TD-LTE終端 UEl的C-RNTI加擾,指示第一部TD-LTE終端UEl在子幀#2上傳輸上行PUSCH信號;第一 部TD-LTE終端UEl、第二部TD-LTE終端UE2、第三部TD-LTE終端UE3、第四部TD-LTE終端 UE4會根據(jù)各自的C-RNTI檢測到屬于自己的下行PDCCH信號,解析DCI信息,并依次在子幀 #2、子幀#4、子幀#7、子幀#9傳輸各自的上行PUSCH信號;由此完成了各個TD-LTE終端在 指定子幀上傳輸上行PUSCH信號的過程。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的方法,其特征在 于在步驟4)中,數(shù)據(jù)采集觸發(fā)信號為在無線幀的子幀#0結(jié)束處設(shè)置為低電平,此無線幀 的子幀#6結(jié)束處對應(yīng)的設(shè)置為高電平。
      5.一種實現(xiàn)權(quán)利要求1所述方法的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的裝置,其 特征在于它包括主控單元、系統(tǒng)模擬器、功率分配單元和射頻處理單元,其中,所述系統(tǒng)模 擬器和射頻處理單元均通過PXI總線連接主控單元,所述系統(tǒng)模擬器與射頻處理單元通過 LDVS數(shù)據(jù)接口連接,所述射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收單元和本振單元,所述 本振單元用于給射頻發(fā)射單元和射頻接收單元提供載波信號以及參考時鐘信號,所述功率 分配單元通過射頻接口連接所述射頻處理單元,所述功率分配單元通過PXI總線連接到主 控單元;所述功率分配單元用于實現(xiàn)上、下行信號的功率分配,并且將多部TD-LTE終端并 聯(lián)到TD-LTE終端綜合測試儀。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的裝置,其特征在 于所述系統(tǒng)模擬器根據(jù)3GPP協(xié)議對應(yīng)的協(xié)議規(guī)范,模擬出物理層協(xié)議、數(shù)據(jù)鏈路層協(xié)議、 網(wǎng)絡(luò)層協(xié)議和NAS層協(xié)議;所述系統(tǒng)模擬器用于建立和維持TD-LTE終端綜合測試儀和被測 TD-LTE終端之間的無線承載,便于進行信令連接情況下的射頻性能的測試,所述系統(tǒng)模擬 器產(chǎn)生下行數(shù)字基帶I/Q信號,經(jīng)過LVDS數(shù)據(jù)接口送到射頻發(fā)射單元,所述系統(tǒng)模擬器將 來自射頻接收單元的上行數(shù)字基帶I/Q信號還原成信令和業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的裝置,其特征在 于所述射頻發(fā)射單元用來將系統(tǒng)模擬器產(chǎn)生的下行數(shù)字基帶I/Q信號進行調(diào)制和上變頻 處理后發(fā)射給被測TD-LTE終端。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的裝置,其特征在 于所述射頻接收模塊接收被測TD-LTE終端的射頻信號,并將該被測TD-LTE終端的射頻信 號下變頻為中頻信號,再轉(zhuǎn)化為數(shù)字中頻信號,然后經(jīng)正交解調(diào)后轉(zhuǎn)換為上行數(shù)字基帶信 號,所述上行數(shù)字基帶I/Q信號一路經(jīng)過LVDS接口實時傳送到系統(tǒng)模擬器中恢復(fù)為信令和 數(shù)據(jù),以保持信令的連接,另一路緩存在接收模塊的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中并經(jīng)過PXI總線送到主 控單元進行射頻指標(biāo)分析。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的裝置,其特征在 于所述主控單元包括人機接口單元、集成控制單元、信號處理單元和遠程控制單元,所述 集成控制單元用于控制系統(tǒng)模擬器、射頻處理單元和射頻切換開關(guān)單元;所述信號處理單 元用于分析被測TD-LTE終端的射頻性能;所述遠程控制單元用于TD-LTE終端綜合測試儀 與計算機進行遠程交互,實現(xiàn)TD-LTE終端綜合測試儀的遠程控制。
      全文摘要
      一種用于同時測試多部TD-LTE終端射頻性能的方法和裝置,方法步驟為,將SIM卡編號插入2~4部終端;使綜合測試儀處于等待終端開機入網(wǎng)狀態(tài),將SIM卡標(biāo)記的終端與綜合測試儀進行射頻連接,給終端上電;將終端各自的SIM卡IMSI號、S-TMSI號和C-RNTI建立對應(yīng)關(guān)系;將綜合測試儀的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)參數(shù)中上下行子幀配置選擇為配置1或配置0;在無線幀中的對應(yīng)子幀上以DCI格式0分別傳輸各終端的下行PDCCH信號,通過下行PDCCH信號攜帶的DCI信息指定各終端分別在對應(yīng)的上行子幀上傳輸上行PUSCH信號;綜合測試儀分析該PUSCH的射頻性能。該裝置包括主控單元、系統(tǒng)模擬器和射頻處理單元,射頻處理單元具有射頻發(fā)射單元、射頻接收單元和本振單元。本發(fā)明使得一綜合測試儀可同時對多部終端進行射頻性能測試,且信號間干擾較小。
      文檔編號H04B17/00GK101944962SQ201010272398
      公開日2011年1月12日 申請日期2010年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月2日
      發(fā)明者張家平, 朱富利, 王波, 王海, 羅先禮 申請人:湖北眾友科技實業(yè)股份有限公司
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