專利名稱：一種功率放大器、不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備和基站的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子信息領(lǐng)域，具體涉及一種功率放大器、不對稱達(dá)赫笛功率放大 (ADPA, Asymmetric Doherty Power Amplifier)設(shè)備禾口基站。
背景技術(shù)：
在日益發(fā)展的移動通信基站產(chǎn)品中，射頻功率放大器的性能朝著效率越來越高、 帶寬越來越寬、線性越來越好和面積越來越小的方向不斷發(fā)展。隨著全球移動通訊系 統(tǒng)(GSM，Global System for Mobile Communications)多載波、寬帶碼分多址(WCDMA， Wideband Code Division Multiple Access)多載波以及長期演進(jìn)(LTE, Long Term Evolution)系統(tǒng)等高峰均比信號的商用，為了保證高峰均比信號不被壓縮或被壓縮得小 一些，以避免信號失真，需要讓射頻功率放大器在具有更多的回退(back-off)的場景下工 作。所謂的回退，指的是射頻功率放大器的輸出功率小于該射頻功率放大器的飽和功率輸 出，其大小等于飽和功率和輸出功率的差。過多的回退，會給射頻功率放大器的效率帶來一 定的損失。為了即能保證足夠的回退，又能滿足高效率的要求，現(xiàn)有技術(shù)提出了采用不對稱 達(dá)赫笛功率放大器(ADPA，Asymmetric Doherty Power Amplifier)技術(shù)，即采用多個(gè)不同 的器件做成ADPA電路(以下稱為ADPA設(shè)備)。例如，參見圖1，該ADPA電路包括主射頻功 率放大器001、峰值射頻功率放大器002、功分器003、阻抗變換電路004和Doherty合成電 路005，其中，輸入信號經(jīng)過功分器003分路后，通過阻抗變換電路004中的輸入阻抗變換電 路進(jìn)入射頻功率放大器，主射頻功率放大器001和峰值射頻功率放大器002均屬于單通道 器件，主射頻功率放大器001和峰值射頻功率放大器002分別通過阻抗變換電路004中的 輸出阻抗變換電路，與Doherty合成電路005串聯(lián)，Doherty合成電路005可以是一個(gè)三端 口微帶網(wǎng)絡(luò)，其各端口阻抗值可以由主射頻功率放大器001和峰值射頻功率放大器002的 功率決定。在對現(xiàn)有技術(shù)的研究和實(shí)踐過程中，本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于ADPA設(shè)備對兩路 (即主射頻功率放大器001和峰值射頻功率放大器002)相位要求很高，而射頻功率放大 器本身存在離散性，不同批次的射頻功率放大器的離散性會大大加劇兩路的相位差，造成 ADPA設(shè)備的功率合成損耗，嚴(yán)重影響ADPA的性能，而這種離散性只有在應(yīng)用時(shí)才能被發(fā) 現(xiàn)，導(dǎo)致無法控制ADPA設(shè)備的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種功率放大器、ADPA設(shè)備和基站，可以在保證具有高效率的 同時(shí)，減少離散性，提高功率放大器的性能。一種功率放大器，包括至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道并具有 至少兩個(gè)輸入端和至少兩個(gè)輸出端；所述至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道中的每一路包括接收輸
4入信號的輸入端、用于對射頻信號進(jìn)行功率放大的射頻功率放大單元和用于輸出信號的輸 出端；所述至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道的輸入端作為該功率放 大器的輸入端，所述至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道輸出端作為該功率 放大器的輸出端。一種不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備，包括阻抗變換電路和本發(fā)明實(shí)施例提供的任意 一種功率放大器；所述阻抗變換電路包含輸入阻抗變換電路和/或輸出阻抗變換電路，所述輸入阻 抗變換電路和輸出阻抗變換電路分別與功率放大器的輸入端和輸出端串聯(lián)連接，用于使所 述功率放大器與其他射頻電路相匹配。本發(fā)明實(shí)施例采用將不同的射頻功率放大通道集中在一個(gè)器件內(nèi)部，構(gòu)成功率放 大器，從而可以通過在器件出廠前進(jìn)行測試并加以篩選的方式來減少不同射頻功率放大通 道之間的離散性，避免現(xiàn)有技術(shù)只有在應(yīng)用時(shí)才能發(fā)現(xiàn)器件之間的離散性所導(dǎo)致的無法控 制性能的情況的發(fā)生，有利于提高ADPA設(shè)備的性能。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的ADPA電路的示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的功率放大器的示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的功率放大器的另一示意圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的ADPA設(shè)備的示意圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的ADPA設(shè)備的另一示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的射頻功率放大單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實(shí)施例提供功率放大器、不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備以及包括該功率放大 器或該不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備的基站。以下分別進(jìn)行詳細(xì)說明。一種功率放大器，包括至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道，并具 有至少兩個(gè)輸入端和至少兩個(gè)輸出端；其中，各路射頻功率放大通道分別包括輸入端、射 頻功率放大單元和輸出端，每一路射頻功率放大通道的輸入端均作為該功率放大器的輸入 端，每一路射頻功率放大通道的輸出端均作為該功率放大器的輸出端，射頻功率放大單元 用于對射頻信號進(jìn)行功率放大。
在本發(fā)明實(shí)施例中，射頻功率放大單元(Transistor)可以包括法蘭盤(Flange)、 有源管芯(Die)和鍵合線(Bonding Wire)。其中，法蘭盤為射頻功率放大通道的基底；有 源管芯用于對射頻信號進(jìn)行放大，鍵合線用于將有源管芯與射頻功率放大通道的輸入端或 輸出端進(jìn)行連接。進(jìn)一步的，射頻功率放大單元還可以包括提供預(yù)匹配的電路，在本發(fā)明實(shí) 施例中可以包括金屬氧化物半導(dǎo)體電容(MOS capacitor或CMOS)，用于通過鍵合線與有源 管芯和射頻功率放大通道的輸入端或輸出端相連，進(jìn)行有源管芯與射頻功率放大通道的輸 入端或輸出端之間的預(yù)匹配。其中，每兩路射頻功率放大通道中的有源管芯之間的功率容量、尺寸、半導(dǎo)體材 料、級數(shù)、工藝和有源管芯個(gè)數(shù)等中的至少一個(gè)不同。工藝包括采用場效應(yīng)晶體管(FET， Field Effect Transistor)或雙極結(jié)型晶體管(BJT, BipolarJunction Transistor)等。例如，參見圖2，該功率放大器100可以包括第一射頻功率放大單元101和第二射 頻功率放大單元102，并具有兩個(gè)輸入端和兩個(gè)輸出端，即該功率放大器100內(nèi)部具有兩個(gè) 通道。其中，第一射頻功率放大單元101和第二射頻功率放大單元102相互獨(dú)立，第一射 頻功率放大單元101的輸入端和第二射頻功率放大單元102的輸入端作為該功率放大器 100的兩個(gè)輸入端，而第一射頻功率放大單元101的輸出端和第二射頻功率放大單元102的 輸出端則作為該功率放大器100的兩個(gè)輸出端。其中，第一射頻功率放大單元101和第二射頻功率放大單元102的級數(shù)相同，均為 一級，而功率容量、尺寸、半導(dǎo)體材料、工藝和有源管芯個(gè)數(shù)等均不相同。參見圖2，第一射 頻功率放大單元101功率容量為50w，尺寸較小，半導(dǎo)體材料為橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體 (LDMOS)，工藝采用的為FET，有源管芯個(gè)數(shù)為1個(gè)；第二射頻功率放大單元102功率容量為 150w，尺寸較大，半導(dǎo)體材料為氮化鎵(GaN，Gallium Nitride)，工藝采用的為BJT，有源管 芯個(gè)數(shù)為2個(gè)。又例如，參見圖3，該功率放大器200可以包括第一射頻功率放大單元201、第二射 頻功率放大單元202和第三射頻功率放大單元203，并具有三個(gè)輸入端和三個(gè)輸出端，即該 功率放大器200內(nèi)部具有三個(gè)通道。其中，第一射頻功率放大單元201、第二射頻功率放大單元202和第三射頻功率放 大單元203相互獨(dú)立，第一射頻功率放大單元201的輸入端、第二射頻功率放大單元202的 輸入端和第三射頻功率放大單元203的輸入端作為該功率放大器200的三個(gè)輸入端，而第 一射頻功率放大單元201的輸出端、第二射頻功率放大單元202的輸出端和第三射頻功率 放大單元203的輸出端則作為該功率放大器200的三個(gè)輸出端。其中，第一射頻功率放大單元201、第二射頻功率放大單元202和第三射頻功率 放大單元203的級數(shù)相同，均為一級，功率容量、尺寸、半導(dǎo)體材料、有源管芯個(gè)數(shù)等均不相 同，工藝相同，均采用FET。參見圖3，第一射頻功率放大單元201功率容量為50w，尺寸較 小，半導(dǎo)體材料為LDM0S，有源管芯個(gè)數(shù)為1個(gè)，而第二射頻功率放大單元202和第三射頻功 率放大單元203尺寸較大，其中，第二射頻功率放大單元202的半導(dǎo)體材料為GaN，有源管芯 個(gè)數(shù)為1個(gè)，功率容量為100w，第三射頻功率放大單元203的半導(dǎo)體材料為砷化鎵(GaAs， Gallium Arsenide)，有源管芯個(gè)數(shù)為2個(gè)，功率容量為150w。需說明的是，以上僅僅以該功率放大器的內(nèi)部包括兩個(gè)或三個(gè)通道為例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明實(shí)施例所提供的功率放大器的內(nèi)部還可以包括三個(gè)以上的通道， 即包括三路以上的射頻功率放大單元，而且，這些射頻功率放大單元可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的 需求采用不同的有源管芯，比如采用不同功率容量、不同尺寸、不同個(gè)數(shù)、不同級數(shù)、不同半 導(dǎo)體材料以及不同工藝，等等。由上可知，本發(fā)明實(shí)施例采用將不同的射頻功率放大單元集中在一個(gè)器件內(nèi)部， 構(gòu)成功率放大器，從而可以通過在生產(chǎn)時(shí)進(jìn)行測試并加以篩選的方式來減少不同射頻功率 放大單元之間的離散性，避免現(xiàn)有技術(shù)只有在應(yīng)用時(shí)才能發(fā)現(xiàn)器件之間的離散性所導(dǎo)致的 性能無法控制的情況的發(fā)生；由于該功率放大器為單一器件，所以在應(yīng)用時(shí)能保證具有較 低的離散性，有利于提升器件效率，以及提高ADPA性能。進(jìn)一步的，只需采用一個(gè)本發(fā)明實(shí)施例提供的功率放大器，就可以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù) 中需要多個(gè)獨(dú)立射頻功率放大器才能實(shí)現(xiàn)的效果，由于該功率放大器是單一器件，所以可 以制作成小型器件，相對于需要兩個(gè)獨(dú)立射頻功率放大器而言，可以有效地減小布板面積， 而且還可以降低成本。相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種ADPA設(shè)備，包括阻抗變換電路、Doherty合成電 路和本發(fā)明實(shí)施例提供的任一種功率放大器；其中，阻抗變換電路與功率放大器的輸入端和/或輸出端串聯(lián)連接，用于使得該 功率放大器與其他器件(如射頻器件)能夠匹配。阻抗變換電路的個(gè)數(shù)可以根據(jù)實(shí)際的應(yīng) 用需求而定。比如，阻抗變換電路可以包括輸入阻抗變換電路和輸出阻抗變換電路，其中， 輸入阻抗變換電路與功率放大器的輸入端相連，輸出阻抗變換電路與功率放大器的輸出端 相連。其中，功率放大器，用于接收輸入信號，對輸入信號進(jìn)行功率放大后，通過功率放 大器的輸出端將放大后的信號輸出給阻抗變換電路。功率放大器可以包括至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道，可以包 括主射頻功率放大通道和峰值射頻功率放大通道，比如，射頻功率放大通道中一路為主射 頻功率放大通道，其他通道均為峰值射頻功率放大通道。Doherty合成電路，用于將每一路射頻功率放大通道輸出相連。Doherty電路的具 體構(gòu)成在本發(fā)明實(shí)施例中可以不予限定。其中，Doherty合成電路可以為多端口微帶網(wǎng)絡(luò)， 其端口數(shù)目由功率放大器所包括的射頻功率放大通道的數(shù)目決定，其各端口的阻抗值和相 位長度由每一路射頻功率放大通道的功率決定。進(jìn)一步的，該ADPA設(shè)備還可以包括功分器；功分器，用于將輸入信號分為不等能量的信號，并分別傳輸給功率放大器中的各 路射頻功率放大通道。其中，該功分器具體可以為電橋或微帶功分器，在本發(fā)明實(shí)施例中可 以不予以限定。例如，參見圖4，ADPA設(shè)備包括功分器301、輸入阻抗變換電路303、功率放大器 100、輸出阻抗變換電路304和Doherty合成電路302 ；其中，輸入信號經(jīng)過功分器301，進(jìn)入輸入阻抗變換電路303。其中，功率放大器100可以包括第一射頻功率放大單元101和第二射頻功率放大 單元102，并具有兩個(gè)輸入端和兩個(gè)輸出端，即該功率放大器100內(nèi)部具有兩個(gè)通道。其中，第一射頻功率放大單元101和第二射頻功率放大單元102相互獨(dú)立，第一射頻功率放大單元101的輸入端和第二射頻功率放大單元102的輸入端作為該功率放大器 100的兩個(gè)輸入端，并分別與輸入阻抗變換電路303相連；而第一射頻功率放大單元101的 輸出端和第二射頻功率放大單元102的輸出端則作為該功率放大器100的兩個(gè)輸出端，并 分別與輸出阻抗變換電路304相連。其中，第一射頻功率放大單元101和第二射頻功率放大單元102的功率容量、尺 寸、有源管芯個(gè)數(shù)、級數(shù)、半導(dǎo)體材料和工藝中的至少一個(gè)不同。第一射頻功率放大單元101為ADPA設(shè)備中的主射頻功率放大單元，第二射頻功率 放大單元102為ADPA設(shè)備中的峰值功率放大單元。由于本發(fā)明實(shí)施例中的功率放大器100可以是一個(gè)不對稱的器件，所以可以滿足 不同的功率比需求，比如，如果要求主射頻功率放大單元和峰值射頻功率放大單元的功率 容量比為1 2，并且，總輸出功率為150w，則可以選擇功率為50w的射頻功率放大單元作 為主射頻功率放大單元101，而選擇功率為IOOw的射頻功率放大單元作為峰值射頻功率放 大單元102，等等。又例如，參見圖5，ADPA設(shè)備包括功分器401、功率放大器200、輸入阻抗變換電路 403、輸出阻抗變換電路404和Doherty合成電路402 ；；該功率放大器200可以包括三路射頻功率放大通道，分別為第一射頻功率放大單 元201、第二射頻功率放大單元202和第三射頻功率放大單元203，并具有三個(gè)輸入端和三 個(gè)輸出端，即該功率放大器200內(nèi)部具有三個(gè)通道。其中，輸入信號經(jīng)過功分器401，進(jìn)入輸入阻抗變換電路403，經(jīng)過功率放大器200 的三路射頻功率放大通道進(jìn)行功率放大后，進(jìn)入輸出阻抗變換電路404，進(jìn)而通過Doherty 合成電路402后輸出；其中，第一射頻功率放大單元201、第二射頻功率放大單元202和第三射頻功率放 大單元203相互獨(dú)立，第一射頻功率放大單元201的輸入端、第二射頻功率放大單元202的 輸入端和第三射頻功率放大單元203的輸入端作為該功率放大器200的三個(gè)輸入端，分別 與輸入阻抗變換電路403相連；而第一射頻功率放大單元201的輸出端、第二射頻功率放大 單元202的輸出端和第三射頻功率放大單元203的輸出端則作為該功率放大器200的三個(gè) 輸出端，其中，第一射頻功率放大單元201的輸出端、第二射頻功率放大單元202的輸出端 和第三射頻功率放大單元203的輸出端，分別與輸出阻抗變換電路404相連。其中，第一射頻功率放大單元201、第二射頻功率放大單元202和第三射頻功率放 大單元203的功率容量、尺寸、有源管芯個(gè)數(shù)、級數(shù)、半導(dǎo)體材料和工藝中的至少一個(gè)不同。第一射頻功率放大單元201可以為該ADPA設(shè)備的主射頻功率放大單元，第二射頻 功率放大單元202和第三射頻功率放大單元203可以為該ADPA設(shè)備的峰值射頻功率放大 單元。如圖6所示，本發(fā)明實(shí)施例中的射頻功率放大單元(Transistor)可以由法蘭盤 601 (Flange)、有源管芯602 (Die)和鍵合線603 (Bonding Wire)組成，還可以包括預(yù)匹配電 路，在本發(fā)明實(shí)施例中，該預(yù)匹配電路可以包括金屬氧化物半導(dǎo)體電容(MOS capacitor) 0圖6al為由法蘭盤6011、有源管芯6012和鍵合線6013組成的射頻功率放大單元 a的側(cè)面示意圖，圖6a2為該射頻功率放大單元a的俯視示意圖；有源管芯6012分別通過 鍵合線6013和該射頻功率放大單元的輸入端以及輸出端相連。
圖6bl為由法蘭盤6021、有源管芯6022、鍵合線6023以及金屬氧化物半導(dǎo)體電容 60 組成的射頻功率放大單元b的側(cè)面示意圖，圖1^2為該射頻功率放大單元b的俯視示意 圖，其中鍵合線6023以及金屬氧化物半導(dǎo)體電容60M組成該射頻功率放大單元與射頻功 率放大通道的輸入端之間的預(yù)匹配；圖6c為由法蘭盤6031、有源管芯6032、鍵合線6033以及金屬氧化物半導(dǎo)體電容 6034組成射頻功率放大單元c的側(cè)面示意圖，其中鍵合線6033以及金屬氧化物半導(dǎo)體電容 6034組成該射頻功率放大單元與該射頻功率放大通道的輸出端之間的預(yù)匹配；圖6d為由法蘭盤6041、有源管芯6042、鍵合線6043以及金屬氧化物半導(dǎo)體電容 6044組成的射頻功率放大單元d的側(cè)面示意圖，其中鍵合線6043以及金屬氧化物半導(dǎo)體電 容6044分別組成該射頻功率放大單元與射頻功率放大通道的輸入端或輸出端的預(yù)匹配；圖6e為有源管芯6052的個(gè)數(shù)為2時(shí)，由法蘭盤6051、有源管芯6052和鍵合線 6053組成的射頻功率放大單元e的俯視示意圖。需說明的是，以上僅僅以該功率放大器的內(nèi)部包括兩個(gè)或三個(gè)通道為例進(jìn)行說 明，應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明實(shí)施例所提供的功率放大器的內(nèi)部還可以包括三個(gè)以上的通道， 即包括三個(gè)以上的射頻功率放大單元；另外，功分器、功率放大器和阻抗變換電路之間的連 接關(guān)系除了圖4和圖5中所示的連接之外，還可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求另行設(shè)計(jì)，在此不再 贅述。由上可知，本發(fā)明實(shí)施例的ADPA設(shè)備中的功率放大器為一種不對稱的器件，其內(nèi) 部可以包括有多路不同的射頻功率放大通道，從而可以在實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中需要多個(gè)獨(dú)立的 射頻功率放大器才能實(shí)現(xiàn)的效果的同時(shí)，減少器件間的離散性，有利于提升器件效率，以及 提高整個(gè)ADPA設(shè)備的性能。進(jìn)一步的，由于該功率放大器是單一器件，所以可以制作成一個(gè)小型的器件，相對 于需要兩個(gè)獨(dú)立射頻功率放大器而言，可以有效地減小布板面積，而且相對于需要對射頻 功率放大單元分別進(jìn)行封裝而言，集中封裝成一個(gè)器件的材料消耗會更少一些，有利于降 低成本。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種基站，包括本發(fā)明實(shí)施例中所包括的任意一種功率放大 器，或者任意一種ADPA設(shè)備。以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種功率放大器、不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備和基 站進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上 實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對于本領(lǐng)域的一般技 術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本 說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
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權(quán)利要求
1.一種功率放大器，其特征在于，包括至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道并具有至少兩個(gè)輸入端和至 少兩個(gè)輸出端；所述至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道中的每一路包括接收輸入信 號的輸入端、用于對射頻信號進(jìn)行功率放大的射頻功率放大單元和用于輸出信號的輸出 端；所述至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道的輸入端作為該功率放大器 的輸入端，所述至少兩路相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道輸出端作為該功率放大 器的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述用于對射頻信號進(jìn)行功率放大的射頻功率放大單元(Transistor)包括有源管芯 (Die)、鍵合線(Bonding Wire)和法蘭盤(Flange)；所述相互獨(dú)立且互不相同的射頻功率放大通道包括互不相同的射頻功率放大單元，其中，所述互不相同的射頻功率放大單元為每兩路射頻功率放大單元所包括的有源管芯的 功率容量、尺寸、半導(dǎo)體材料、級數(shù)、工藝和有源管芯個(gè)數(shù)中的至少一個(gè)不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率放大器，其特征在于，所述用于對射頻信號進(jìn)行功率放大的射頻功率放大單元(Transistor)還包括提供預(yù) 匹配的電路，用于通過所述鍵合線與所述有源管芯相連，并通過所述鍵合線與所述射頻功 率放大通道的輸入端或輸出端相連，提供所述有源管芯與所述射頻功率放大通道的輸入端 或輸出端之間的預(yù)匹配。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述提供預(yù)匹配的電路包括金屬 氧化物半導(dǎo)體電容。
5.一種不對稱達(dá)赫笛功率放大(ADPA)設(shè)備，其特征在于，包括阻抗變換電路和權(quán)利要 求1至4任意一項(xiàng)所述的功率放大器；所述阻抗變換電路包含輸入阻抗變換電路和/或輸出阻抗變換電路，所述輸入阻抗變 換電路和輸出阻抗變換電路分別與功率放大器的輸入端和輸出端串聯(lián)連接，用于使所述功 率放大器與其他射頻電路相匹配。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備，其特征在于，還包括達(dá)赫笛 (Doherty)合成電路，用于將所述功率放大器所包括的每一路射頻功率放大通道的輸出相 連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的其特征不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備，其特征在于，所述 Doherty合成電路為多端口微帶網(wǎng)絡(luò)，其端口數(shù)目由所述功率放大器所包括的射頻功率放 大通道的數(shù)目決定，其各端口的阻抗值和相位長度由所述每一路射頻功率放大通道的功率 決定。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6或7所述的不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備，其特征在于，還包括功 分器，用于將輸入信號分為不等能量的信號，并分別傳輸給功率放大器中的每一路射頻功 率放大通道。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備，其特征在于，所述功分器為電橋或微帶功分器。
10. 一種基站，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的功率放大器，或者， 包括如權(quán)利要求5至9任意一項(xiàng)所述的不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種功率放大器、不對稱達(dá)赫笛功率放大設(shè)備和基站。本發(fā)明實(shí)施例采用將不同的射頻功率放大通道集中在一個(gè)器件內(nèi)部，構(gòu)成一種功率放大器，從而可以通過在生產(chǎn)時(shí)進(jìn)行測試并加以篩選的方式來減少不同射頻功率放大通道之間的離散性，避免現(xiàn)有技術(shù)只有在應(yīng)用時(shí)才能發(fā)現(xiàn)不同射頻放大通道之間的由于器件離散性所導(dǎo)致的無法控制性能的情況的發(fā)生；由于該功率放大器是單一器件，所以在應(yīng)用時(shí)能保證具有較低的離散性，有利于提高ADPA電路的性能。
文檔編號H04W88/08GK102130657SQ20101028131
公開日2011年7月20日 申請日期2010年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月14日
發(fā)明者孫捷, 張希坤, 施俊欽, 殷為民, 焦偉 申請人:華為技術(shù)有限公司