專利名稱：一種衛(wèi)星接收四選一芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明特別涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域的一種應(yīng)用于衛(wèi)星接收系統(tǒng)的四選一專用芯 片。
背景技術(shù)：
目前存在的衛(wèi)星接收機(jī)中DiSEqC四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)信號(hào)處理是用一顆MCU或 專用信號(hào)處理集成電路，而其它的開(kāi)關(guān)管模塊、高頻頭輸出到四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的衛(wèi)星 信號(hào)選擇模塊、上述信號(hào)處理MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的供電模塊及接收機(jī)到四選一 切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的DiSEqC信號(hào)放大模塊(部分專用信號(hào)處理集成電路集成了接收機(jī)到四選 一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的DiSEqC信號(hào)放大模塊)都是由分立器件組成的(參閱圖1)，從衛(wèi)星接收 機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)通過(guò)電容Cl藕合后經(jīng)過(guò)三極管Ql及電阻Rl、R2、R3組成的放大電 路放大后就得到可以供MCU (或部分專用信號(hào)處理集成電路)直接處理的信號(hào)；穩(wěn)壓二極管 Zl和電阻R4組成上述信號(hào)處理MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的供電模塊，其中VDD做為供 電模塊的電源、VSS作為供電模塊的地；二極管Dl、D2、D3、D4、D5、D6和電阻R5及電容C2 組成高頻頭輸出到四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的衛(wèi)星信號(hào)選擇模塊；三極管Q2、Q3、Q4、Q5和電阻 R6、R7、R8、R9組成開(kāi)關(guān)管模塊。該衛(wèi)星接收四選一切換開(kāi)關(guān)器件總數(shù)繁多，不易于維修、難 以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種衛(wèi)星接收四選一芯片結(jié)構(gòu)，其通過(guò)集成化的設(shè)計(jì)方 案，使芯片的結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)潔，易于維修、且組件總數(shù)大大減少，成本大幅降低，適合大批量生 產(chǎn)的需求，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案一種衛(wèi)星接收四選一芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)包括集成設(shè)置的開(kāi)關(guān) 管模塊、選擇模塊、放大模塊和供電模塊，從衛(wèi)星接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)經(jīng)放大模塊放 大處理后，再由MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路解碼形成控制信號(hào)，而后被輸入開(kāi)關(guān)管模塊 選通相應(yīng)的開(kāi)關(guān)管，并將電流從VDD輸送至數(shù)個(gè)LNB端口中的一個(gè)選定端口，同時(shí)選擇模塊 將需要的衛(wèi)星信號(hào)從被選通高頻頭輸出供衛(wèi)星接收機(jī)處理，供電模塊提供一低于VDD的電 壓作為MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的地信號(hào)，所述VDD是MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路 的電源。具體而言，所述開(kāi)關(guān)管模塊具有四個(gè)及以上的輸入端，所述LNB端口為四個(gè)及以上。所述芯片結(jié)構(gòu)包括第一至第五三極管，第一至第二十二極管，穩(wěn)壓二極管，第一、 二電容以及第一至第十電阻；所述第一電容，第一、二、三電阻以及第一三極管組成放大模塊；第一電容一端接從衛(wèi)星接收機(jī)發(fā)出的信號(hào)，另一端接第一電阻，第一電阻另一端接第一三極管基極和第二電阻一端，第一三極管的集電極接第二電阻另一端、第三電阻一 端和輸端，第三電阻另一端接VDD ；所述穩(wěn)壓二極管，第四、五電阻和第一、第二二極管組成供電模塊提供一個(gè)低于 VDD的電壓作為上述MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的地；穩(wěn)壓二極管負(fù)極接VDD和第五電阻一端，負(fù)極接第四電阻一端、VSS和第二二極管 負(fù)極，第五電阻另一端接第一二極管正極，第一二極管負(fù)極接第二二極管正極，第四電阻另 一端接地；所述第三 二十二極管和第六電阻第二電容組成選擇模塊，第二電容一端接VDD， 另一端接第六電阻一端和第三、四二級(jí)管的負(fù)極，第六電阻另一端接地，第五 八二極管分 別正負(fù)極相連，第九 十二二極管分別正負(fù)極相連，第十三 十六二極管分別正負(fù)極相連， 第十七 二十二極管分別正負(fù)極相連，第五、第九、第十三、第十七二極管正極分別接第二 至第五三極管的集電極，第三二極管的正極接第八和第十二二極管的負(fù)極，第四二極管正 極接第十六和第二十二極管的負(fù)極；第二至第五三極管和第七至第十電阻組成開(kāi)關(guān)管模塊，第七至第十電阻一端分別 接輸入信號(hào)B1、B2、B3、B4，第七至第十電阻另一端分別接第二至第五三極管的基極，第二至 第五三極管的射極接VDD，第二至第五三極管的集電極分別接第五、九、十三、十七二極管正 極禾口 LNB1、LNB2、LNB3、LNB4 端。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中DiSEqC四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的電路圖；圖2為本發(fā)明衛(wèi)星接收四選一芯片的結(jié)構(gòu)框圖；圖3為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的電路圖。
具體實(shí)施例方式針對(duì)現(xiàn)有衛(wèi)星接收機(jī)中DiSEqC四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的缺陷，本發(fā)明采用了如下 技術(shù)方案，即開(kāi)關(guān)管模塊、高頻頭輸出到四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的衛(wèi)星信號(hào)選擇模塊、信號(hào) 處理MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的供電模塊及接收機(jī)到四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的DiSEqC 信號(hào)放大模塊(部分專用信號(hào)處理集成電路集成了接收機(jī)到四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的 DiSEqC信號(hào)放大模塊)、供電模塊，是基于用Bipolar工藝制造的專用集成電路方案，可大 大減小系統(tǒng)成本、系統(tǒng)電路更簡(jiǎn)潔易于維修、器件總數(shù)大大減少適合大批量生產(chǎn)。如圖2所示，從接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)被MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路解碼后 將控制信號(hào)送到開(kāi)關(guān)管模塊的B1、B2、B3、B4端選通相應(yīng)的開(kāi)關(guān)管，將電流從VDD送到LNB1、 LNB2、LNB3、LNB4這四個(gè)端口中的一個(gè)端口，同時(shí)選擇模塊將該端口對(duì)應(yīng)高頻頭輸出到四選 一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的衛(wèi)星信號(hào)送到Y(jié)2端口以供接收機(jī)處理。接收機(jī)到四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng) 的DiSEqC信號(hào)送到A端經(jīng)放大模塊放大后就得到可以供MCU (或部分專用信號(hào)處理集成電 路)直接處理的信號(hào)，同時(shí)提供一個(gè)比VDD低的電壓作為上述MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電 路的地信號(hào)，而把VDD作為上述MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的電源。當(dāng)不需要相應(yīng)的功 能時(shí)只要把相應(yīng)模塊去掉即可。以下結(jié)合一較佳實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說(shuō)明。
參閱圖3，本實(shí)施例由一集成電路及少量外圍器件組成(虛線框的器件就是做在 集成電路內(nèi)部的器件)，從接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)被MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路解碼 后將控制信號(hào)送到開(kāi)關(guān)管模塊的Bi、B2、B3、B4端選通相應(yīng)的開(kāi)關(guān)管，將電流從VDD送到 LNBU LNB2、LNB3、LNB4這四個(gè)端口中的一個(gè)端口，同時(shí)將該端口對(duì)應(yīng)高頻頭輸出到四選一 切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的衛(wèi)星信號(hào)從LNB1、LNB2、LNB3、LNB4這四個(gè)端口中選通的那一個(gè)端口，經(jīng)過(guò) 二級(jí)管網(wǎng)絡(luò)后送到Y(jié)2端口，R6和C2組成時(shí)間網(wǎng)絡(luò)并把該衛(wèi)星信號(hào)藕合到VDD端，然后通 過(guò)電纜線送到接收機(jī)處理。接收機(jī)到四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的DiSEqC信號(hào)送到Al端經(jīng)并被電容Cl藕合到A 端經(jīng)Rl、R2、R3、Ql組成的放大電路放大后送到Y(jié)l可以供MCU(或部分專用信號(hào)處理集成 電路)直接處理的信號(hào)。穩(wěn)壓二極管Z1、電阻R4、電阻R5、二極管D1、二極管D2組成一個(gè) 供電電路，該電路能提供一個(gè)比VDD低5V的電壓作為上述MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的 地，而把VDD作為上述MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的電源。顯然，本實(shí)施例通過(guò)圖3所示的集成電路及少量外圍器件完全替代了現(xiàn)有技術(shù)中 的分散的、大批量的分立器件，大大減小系統(tǒng)成本、系統(tǒng)電路更簡(jiǎn)潔易于維修、器件總數(shù)大 大減少適合大批量生產(chǎn)。以上僅是本發(fā)明的具體應(yīng)用范例，對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。凡采用 等同變換或者等效替換而形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之。
權(quán)利要求
1.一種衛(wèi)星接收四選一芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)包括集成設(shè)置的開(kāi)關(guān)管 模塊、選擇模塊、放大模塊和供電模塊，從衛(wèi)星接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)經(jīng)放大模塊放大 處理后，再由MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路解碼形成控制信號(hào)，而后被輸入開(kāi)關(guān)管模塊選 通相應(yīng)的開(kāi)關(guān)管，并將電流從VDD輸送至數(shù)個(gè)LNB端口中的一個(gè)選定端口，同時(shí)選擇模塊將 需要的衛(wèi)星信號(hào)從被選通高頻頭輸出供衛(wèi)星接收機(jī)處理，供電模塊提供一低于VDD的電壓 作為MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的地信號(hào)，所述VDD是MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的 電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星接收四選一芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管模塊具 有四個(gè)及以上的輸入端，所述LNB端口為四個(gè)及以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星接收四選一芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片結(jié)構(gòu)包括第一至第五三極管，第一至第二十二極管，穩(wěn)壓二極管，第一、二電容以及第一至第十電 阻；所述第一電容，第一、二、三電阻以及第一三極管組成放大模塊；第一電容一端接從衛(wèi)星接收機(jī)發(fā)出的信號(hào)，另一端接第一電阻，第一電阻另一端接第 一三極管基極和第二電阻一端，第一三極管的集電極接第二電阻另一端、第三電阻一端和 輸出端，第三電阻另一端接VDD;所述穩(wěn)壓二極管，第四、五電阻和第一、第二二極管組成供電模塊提供一個(gè)低于VDD的 電壓作為上述MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的地；穩(wěn)壓二極管負(fù)極接VDD和第五電阻一端，負(fù)極接第四電阻一端、VSS和第二二極管負(fù) 極，第五電阻另一端接第一二極管正極，第一二極管負(fù)極接第二二極管正極，第四電阻另一 端接地；所述第三 二十二極管和第六電阻及第二電容組成選擇模塊，第二電容一端接VDD，另 一端接第六電阻一端和第三、四二級(jí)管的負(fù)極，第六電阻另一端接地，第五 八二極管分別 正負(fù)極相連，第九 十二二極管分別正負(fù)極相連，第十三 十六二極管分別正負(fù)極相連，第 十七 二十二極管分別正負(fù)極相連，第五、第九、第十三、第十七二極管正極分別接第二至 第五三極管的集電極，第三二極管的正極接第八和第十二二極管的負(fù)極，第四二極管正極 接第十六和第二十二極管的負(fù)極；第二 五三極管和第七至第十電阻組成開(kāi)關(guān)管模塊，第七至第十電阻一端分別接輸入 信號(hào)B1、B2、B3、B4，第七至第十電阻另一端分別接第二至第五三極管的基極，第二 五三極 管的射極接VDD，第二 五三極管的集電極分別接第五、九、十三、十七二極管正極和LNB1、 LNB2、LNB3、LNB4 端。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種衛(wèi)星接收四選一芯片結(jié)構(gòu)，其包括集成設(shè)置的開(kāi)關(guān)管模塊、選擇模塊、放大模塊和供電模塊，從衛(wèi)星接收機(jī)發(fā)出的DiSEqC信號(hào)經(jīng)放大模塊放大處理后，再由MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路解碼形成控制信號(hào)，而后被輸入開(kāi)關(guān)管模塊選通相應(yīng)的開(kāi)關(guān)管，并將電流從VDD輸送至數(shù)個(gè)LNB端口中的一個(gè)選定端口，同時(shí)選擇模塊將需要的衛(wèi)星信號(hào)從被選通高頻頭輸出供衛(wèi)星接收機(jī)處理，供電模塊提供一低于VDD的電壓作為MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的地信號(hào)，所述VDD是MCU或?qū)Ｓ眯盘?hào)處理集成電路的電源。本發(fā)明衛(wèi)星接收機(jī)中DiSEqC四選一切換開(kāi)關(guān)系統(tǒng)通過(guò)集成化的設(shè)計(jì)方案，使芯片的結(jié)構(gòu)更為簡(jiǎn)潔，易于維修、且組件總數(shù)大大減少，成本大幅降低，適合大批量生產(chǎn)的需求。
文檔編號(hào)H04B7/185GK102136833SQ201010603949
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者江石根, 石萬(wàn)文, 賈力, 陳志明, 雷紅軍 申請(qǐng)人:蘇州華芯微電子股份有限公司