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      一種具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端的制作方法

      文檔序號(hào):7903721閱讀:383來源:國知局
      專利名稱:一種具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端。
      背景技術(shù)
      手機(jī)充電功能與手機(jī)的使用安全息息相關(guān),電網(wǎng)電壓波動(dòng)以及用戶的異常操作可 能引起充電器輸出浪涌電壓,如果充電過程中浪涌電壓沖擊手機(jī),將造成安全隱患。普通手機(jī)充電器的自調(diào)整能力有限,一般只能調(diào)整30KHz (Kilo hertz,千赫茲) 到60KHz頻率的電壓波動(dòng),而在實(shí)際使用過程中,某些地區(qū)的電網(wǎng)會(huì)發(fā)生電壓波動(dòng),或者用 戶先將充電器接到手機(jī)上,再將充電器插入插座充電等情況。上述情況,都可能引起高于60KHz電壓波動(dòng),使手機(jī)充電器失去自調(diào)能力而輸出 浪涌電壓,比如充電器插入插座的瞬間,會(huì)輸出一個(gè)持續(xù)20nS(Nano seconds,納秒)左右, 峰峰值(Vpp)為30V的浪涌電壓。浪涌電壓進(jìn)入手機(jī),將對(duì)手機(jī)造成沖擊,很可能致使手機(jī) 損壞或者導(dǎo)致其它不良后果。請(qǐng)參閱圖1,其為常規(guī)手機(jī)的充電電路,其包括充電端口 101、電容C0、M0S管M0、二 極管DO、電阻RO和PMU(Power Management,電源管理單元)單元102。充電端口 101的輸 出端與PMU單元102的第一輸入端連接,所述電容CO的一端連接PMU單元102的第一輸入 端,另一端接地。MOS管MO的源極連接PMU單元102的第一輸入端,柵極連接PMU單元102 的輸出端,漏極通過二極管DO與電阻RO連接,電阻RO則與電池連接。并且二極管RO的陰 極與PMU單元的第二輸入端連接,電池BO的正極與PMU單元102的第二輸入端連接。上述手機(jī)的充電電路中,沒有針對(duì)浪涌電壓的保護(hù)電路,一旦發(fā)生浪涌,手機(jī) 電源輸入、各控制端口以及電池本身都將受到?jīng)_擊。市場(chǎng)上雖然有OVP(over voltage protection,過壓保護(hù))器件,但其反應(yīng)時(shí)間為5us左右,不能對(duì)浪涌起到有效保護(hù),而且成 本較高。因而現(xiàn)有移動(dòng)終端的浪涌保護(hù)技術(shù)還有待改進(jìn)和提高。
      實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有浪涌保護(hù)電 路的移動(dòng)終端,在終端終端充電時(shí)能消除充電時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓,起到浪涌保護(hù)作用。為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采取了以下技術(shù)方案一種具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,所述的移動(dòng)終端包括充電端口、PMU單元和電 池,其特中,還包括設(shè)置在所述充電端口和PMU單元之間的充電浪涌保護(hù)電路;[0011 ] 所述充電浪涌保護(hù)電路包括低通濾波電路、開關(guān)控制電路、二極管和第一電阻;所述低通濾波電路的輸入端與充電端口的輸出端連接,低通濾波電路的輸出端與 所述PMU單元的第一輸入端連接;所述開關(guān)控制電路的第一輸入端與低通濾波電路連接,第二輸入端與PMU單元的 輸出端連接,所述開關(guān)控制電路的輸出端通過所述二極管與第一電阻連接;[0014]所述第一電阻連接所述電池的正極,電池的負(fù)極接地;其中,所述二極管的陰極與 所述PMU單元的第二輸入端連接,電池的正極與所述PMU單元的第三輸入端連接。所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其中,所述低通濾波電路包括電感和第一 電容;所述電感設(shè)置在充電端口的輸出端和所述PMU單元的第一輸入端之間,所述第一電 容的一端與所述電感連接,另一端接地。所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其中,開關(guān)控制電路包括MOS管和第二電 容;所述MOS管的源極連接所述PMU單元的第一輸入端,MOS管的柵極連接PMU單元的輸出 端,MOS管的漏極連接二極管;所述第二電容的一端連接MOS管的源極,另一端連接MOS管 的柵極。所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其中,在MOS管的柵極和PMU單元的輸出端 之間設(shè)置有第二電阻。所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其中,所述MOS管為P溝道MOS管。所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其中,所述移動(dòng)終端為手機(jī)。本實(shí)用新型提供的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,由于采用了在移動(dòng)終端中設(shè)置 一充電浪涌保護(hù)電路,在移動(dòng)終端充電時(shí)起到了充電浪涌保護(hù)的作用。并且該充電浪涌保 護(hù)電路包括一低通濾波電路和開關(guān)控制電路,在移動(dòng)終端中實(shí)現(xiàn)了兩級(jí)浪涌電壓保護(hù),使 移動(dòng)終端的各個(gè)端口及電池都得到了有效保護(hù)。
      圖1為現(xiàn)有技術(shù)手機(jī)的充電電路圖;圖2為本實(shí)用新型移動(dòng)終端充電電路原理框圖;圖3為本實(shí)用新型移動(dòng)終端充電浪涌保護(hù)電路原理圖;圖4為本實(shí)用新型移動(dòng)終端充電浪涌保護(hù)電路示意圖。
      具體實(shí)施方式
      本實(shí)用新型提供一種具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,所述移動(dòng)終端為手機(jī)、 MP3 (Moving Picture Experts Group Audio Layer III,動(dòng)態(tài)影像專家壓縮標(biāo)準(zhǔn)音頻層面 3),小靈通等電子產(chǎn)品。本實(shí)用新型在移動(dòng)終端具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端的充電電路 中增加了一個(gè)低通濾波電路和一個(gè)開關(guān)控制電路,使該充電路具有兩級(jí)保護(hù)功能,在移動(dòng) 終端具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端充電時(shí),能起到消除浪涌電壓的作用。為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確,以下參照附圖并舉實(shí)例 對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新 型,并不用于限定本實(shí)用新型。請(qǐng)參閱圖2,本實(shí)用新型的移動(dòng)終端包括充電端口 110、PMU單元120、電池Bl和充 電浪涌保護(hù)電路130。所述充電端口 110設(shè)置在移動(dòng)終端的殼體上,用于插入充電器,PMU 單元為常規(guī)移動(dòng)終端使用的電源管理芯片。其中,所述充電浪涌保護(hù)電路130設(shè)置在充電 端口 110和PMU單元120之間,該充電浪涌保護(hù)電路130在充電時(shí)起消除浪涌電壓的作用。請(qǐng)參閱圖3,所述充電浪涌保護(hù)電路130包括低通濾波電路131、開關(guān)控制電路 132、二極管Dl和第一電阻R1。[0029]其中,所述PMU單元120包括用于檢測(cè)充電器是否插入的第一輸入端1,用于檢測(cè) 充電電流的第二輸入端3,用于檢測(cè)電池輸入電壓的第三輸入端4和用于對(duì)充電開關(guān)進(jìn)行 控制的輸出端2。所述充電端口 110的第一輸出端連接低通濾波電路131的輸入端,第二輸出端接 地,低通濾波電路131的輸出端與PMU單元120的第一輸入端1連接。該低通濾波電路131 為移動(dòng)終端的第一級(jí)保護(hù)電路,主要用于衰減移動(dòng)終端充電時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓,從而大幅 減少進(jìn)入移動(dòng)終端的浪涌能量。其中,所述開關(guān)控制電路132的第一輸入端5與低通濾波電路131的輸出端連接, 開關(guān)控制電路132的第二輸入端6與PMU單元120的輸出端2連接,開關(guān)控制電路132的 輸出端7與二極管Dl的陽極連接。當(dāng)加在所述開關(guān)控制電路132上的電壓仍然存在浪涌 能量時(shí),該開關(guān)控制電路132關(guān)斷移動(dòng)終端的充電通路,以達(dá)到保護(hù)后端電路的目的。本實(shí)施例中,所述二極管Dl的陰極通過第一電阻Rl連接電池B 1的正極,其中, 二極管Dl的陰極還連接PMU單元120的第二輸入端3,該第二輸入端3主要用于檢測(cè)流過 二極管Dl的充電電流。電池Bl的負(fù)極接地,其正極還連接PMU單元120的第三輸入端4, 該第三輸入端4主要用于檢測(cè)電池Bl電壓的輸入,當(dāng)電池電壓充滿時(shí),PMU單元120控制 其輸出端2關(guān)閉充電電路。請(qǐng)一并參閱圖4,所述低通濾波電路131包括電感Ll和第一電容Cl。其中,所述 電感Ll串聯(lián)在充電端口 110的第一輸出端和PMU單元120的第一輸入端1之間,第一電容 Cl的一端與所述電感Ll連接,另一端接地。本實(shí)施例中,電感Ll的取值為10uH,第一電容的取值為10uF,所以該低通濾波電 路131的截止頻率為斥=1/2冗>/^ = 1610^。前述20ns浪涌脈沖頻率為50KHz,因此該低 通濾波電路對(duì)此類浪涌具有較大衰減作用,可以大幅減少進(jìn)入移動(dòng)終端的浪涌能量。當(dāng)然, 本實(shí)用新型低通濾波電路中,電壓和第一電容的取值范圍還可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用中可能遇到 的浪涌電壓頻率進(jìn)行調(diào)整。請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3和圖4,所述開關(guān)控制電路132包括MOS管(metal oxidsemiconductor,場(chǎng)效應(yīng)晶體管)M1和第二電容C2。所述MOS管Ml的源極S與PMU單 元120的的第一輸入端1連接,MOS管Ml的柵極G與PMU單元120的輸出端2連接,MOS管 Ml的漏極D與二極管Dl的陽極連接。其中,所述MOS管為P溝道MOS管,在移動(dòng)終端充電 電路中主要起開關(guān)作用。所述第二電容C2設(shè)置在MOS管Ml的源極S和柵極G之間,即該第二電容C2的一 端連接MOS管的源極S,另一端連接MOS管的柵極G,該第二電容在開關(guān)控制電路中主要起 耦合作用。本實(shí)施例中,在MOS管Ml的柵極G和PMU單元120的輸出端之間還串聯(lián)有第二 電阻R2。在移動(dòng)終端充電時(shí),該第二電容C2主要用于將浪涌電壓從MOS管Ml的源極S耦 合到柵極G,強(qiáng)制MOS管Ml關(guān)斷,以達(dá)到保護(hù)后端電路的目的。本實(shí)施例中,所述第二電阻 R2主要用于提供MOS管柵極G的耦合電位,也起到保護(hù)PMU單元120端口的作用。在移動(dòng)終端充電時(shí),充電電流從充電端口 110依次流過電感L1、M0S管Ml、二極管 D1、第一電阻Rl再到電池Bi。這樣移動(dòng)終端充電時(shí)通過上述兩級(jí)保護(hù)電路的保護(hù),有效保 護(hù)了移動(dòng)終端的各個(gè)端口和電池。當(dāng)然,在其它實(shí)施例中,也可以先擇其中的一個(gè)保護(hù)電路作為移動(dòng)終端充電時(shí)的保護(hù)電路。綜上所述,本實(shí)用新型提供的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,由于采用了在移動(dòng) 終端中設(shè)置一充電浪涌保護(hù)電路,在移動(dòng)終端充電時(shí)起到了充電浪涌保護(hù)的作用。并且該 充電浪涌保護(hù)電路包括一低通濾波電路和開關(guān)控制電路,在移動(dòng)終端中實(shí)現(xiàn)了兩級(jí)浪涌電 壓保護(hù),使移動(dòng)終端的各個(gè)端口及電池都得到了有效保護(hù)。本實(shí)用新型只在現(xiàn)有移動(dòng)終端常規(guī)的充電電路上增加了一個(gè)電阻、一個(gè)電容和一 個(gè)電感,構(gòu)成了 一個(gè)兩級(jí)充電保護(hù)電路,在電路上比較容易實(shí)現(xiàn),而且其成本也比較低??梢岳斫獾氖?,對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及 其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變,而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的 權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
      權(quán)利要求1.一種具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,所述的移動(dòng)終端包括充電端口、PMU單元和電 池,其特征在于,還包括設(shè)置在所述充電端口和PMU單元之間的充電浪涌保護(hù)電路;所述充電浪涌保護(hù)電路包括低通濾波電路、開關(guān)控制電路、二極管和第一電阻;所述低通濾波電路的輸入端與充電端口的輸出端連接,低通濾波電路的輸出端與所述 PMU單元的第一輸入端連接;所述開關(guān)控制電路的第一輸入端與低通濾波電路連接,第二輸入端與PMU單元的輸出 端連接,所述開關(guān)控制電路的輸出端通過所述二極管與第一電阻連接;所述第一電阻連接所述電池的正極,電池的負(fù)極接地;其中,所述二極管的陰極與所述 PMU單元的第二輸入端連接,電池的正極與所述PMU單元的第三輸入端連接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其特征在于,所述低通濾波 電路包括電感和第一電容;所述電感設(shè)置在充電端口的輸出端和所述PMU單元的第一輸入 端之間,所述第一電容的一端與所述電感連接,另一端接地。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其特征在于,開關(guān)控制電 路包括MOS管和第二電容;所述MOS管的源極連接所述PMU單元的第一輸入端,MOS管的柵 極連接PMU單元的輸出端,MOS管的漏極連接二極管;所述第二電容的一端連接MOS管的源 極,另一端連接MOS管的柵極。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其特征在于,在MOS管的柵極 和PMU單元的輸出端之間設(shè)置有第二電阻。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其特征在于,所述MOS管為P 溝道MOS管。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其特征在于,所述移動(dòng)終端 為手機(jī)。
      專利摘要本實(shí)用新型公開了一種具有浪涌保護(hù)電路的移動(dòng)終端,其包括充電端口、PMU單元、電池和設(shè)置在所述充電端口和PMU單元之間的充電浪涌保護(hù)電路;所述充電浪涌保護(hù)電路包括低通濾波電路、開關(guān)控制電路、二極管和第一電阻;所述低通濾波電路的輸入端與充電端口的輸出端連接,低通濾波電路的輸出端與所述PMU單元的第一輸入端連接;所述開關(guān)控制電路的第一輸入端與低通濾波電路連接,第二輸入端與PMU單元的輸出端連接,所述開關(guān)控制電路的輸出端通過所述二極管與第一電阻連接;所述第一電阻連接所述電池的正極,電池的負(fù)極接地。本實(shí)用新型在移動(dòng)終端中設(shè)置一充電浪涌保護(hù)電路,使移動(dòng)終端的各個(gè)端口及電池都得到了有效保護(hù)。
      文檔編號(hào)H04M1/02GK201839323SQ201020279098
      公開日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
      發(fā)明者顧建良, 顧瞻 申請(qǐng)人:惠州Tcl移動(dòng)通信有限公司
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