專利名稱:供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片和數(shù)字麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型涉及電子電路領(lǐng)域,尤其涉及一種供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理 芯片和數(shù)字麥克風(fēng)。
背景技術(shù):
數(shù)字麥克風(fēng)是直接輸出數(shù)字脈沖信號的麥克風(fēng)電聲組件。數(shù)字麥克風(fēng)具有抗干擾 能力強、集成度高、易于使用等優(yōu)點,廣泛用于對功耗和體積敏感的便攜式設(shè)備。如圖1所示,為現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖,可以包括麥克風(fēng)11和處理 芯片12,處理芯片12可以包括供電模塊121和處理模塊122。其中,麥克風(fēng)11將聲音信號 轉(zhuǎn)化為模擬電信號并發(fā)送給處理芯片12,處理芯片12中的處理模塊122將該模擬電信號放 大并轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號輸出。在現(xiàn)有技術(shù)中,供電模塊121通常采用一個低壓差線性穩(wěn)壓器 (LowDropout regulator,以下簡稱LD0)。如圖2所示,為現(xiàn)有技術(shù)中LDO的電路示意圖,可 以包括調(diào)整管VT、取樣電阻Rl和R2、以及比較放大器A,對于LDO而言,電源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,以下簡稱PSRR)是一個重要的指標(biāo),PSRR可以描述輸出信號受 電源影響的量,PSRR的絕對值越大,輸出信號受到電源的影響越小。對于處理芯片12而言,供電模塊121的PSRR越高越好,但是當(dāng)供電模塊121采用 一個LDO時,其PSRR仍然較低,現(xiàn)有技術(shù)中還沒有具有更高PSRR的供電模塊的解決方案。
實用新型內(nèi)容本實用新型提供一種供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片和數(shù)字麥克風(fēng),用以 實現(xiàn)提供具有較高PSRR的供電設(shè)備。本實用新型提供一種供電設(shè)備,包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。本實用新型還提供一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片,包括處理模塊和供電模塊, 所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。本實用新型還提供一種數(shù)字麥克風(fēng),包括麥克風(fēng)和處理芯片,所述處理芯片包括 處理模塊和供電模塊,所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。在本實用新型中,供電設(shè)備的PSRR等于各個LDO的PSRR的和,從而實現(xiàn)了提供具 有較高PSRR的供電設(shè)備。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中數(shù)字麥克風(fēng)的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為現(xiàn)有技術(shù)中LDO的電路示意圖;圖3為本實用新型供電設(shè)備第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本實用新型供電設(shè)備第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步的描述。供電設(shè)備第一實施例如圖3所示,為本實用新型供電設(shè)備第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖,可以包括至少兩 個串聯(lián)連接的LDO 31、32、... 3η,其中,η為大于或等于2的自然數(shù)。各個LDO的結(jié)構(gòu)可以 參見圖2所示電路圖,在此不再贅述。該供電設(shè)備的PSRR通過如下公式計算
權(quán)利要求1.一種供電設(shè)備,其特征在于,包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供電設(shè)備,其特征在于,包括三個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn) 壓器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的供電設(shè)備,其特征在于,所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 PMOS場效應(yīng)管;或者所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管,所述低壓差線性穩(wěn)壓器還包括升 壓電荷泵,連接在所述低壓差線性穩(wěn)壓器的比較放大器和電源之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的供電設(shè)備,其特征在于,所述三個低壓差線性穩(wěn)壓器包括第 一低壓差線性穩(wěn)壓器、第二低壓差線性穩(wěn)壓器和第三低壓差線性穩(wěn)壓器,所述第二低壓差 線性穩(wěn)壓器連接在所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器和所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器之間,所述第 一低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為PMOS場效應(yīng)管,所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 NMOS場效應(yīng)管,所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管;所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器的PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的 NMOS場效應(yīng)管的漏極連接,所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的源極與所述第 三低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的漏極連接。
5.一種用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片,包括處理模塊和供電模塊,其特征在于,所述供電 模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理芯片,其特征在于,所述供電模塊包括三個串聯(lián)連接的 低壓差線性穩(wěn)壓器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理芯片,其特征在于,所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 PMOS場效應(yīng)管;或者所述低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管,所述低壓差線性穩(wěn)壓器還包括升 壓電荷泵,連接在所述低壓差線性穩(wěn)壓器的比較放大器和電源之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的處理芯片,其特征在于,所述三個低壓差線性穩(wěn)壓器包括第 一低壓差線性穩(wěn)壓器、第二低壓差線性穩(wěn)壓器和第三低壓差線性穩(wěn)壓器,所述第二低壓差 線性穩(wěn)壓器連接在所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器和所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器之間,所述第 一低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為PMOS場效應(yīng)管,所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為 NMOS場效應(yīng)管,所述第三低壓差線性穩(wěn)壓器的調(diào)整管為NMOS場效應(yīng)管;所述第一低壓差線性穩(wěn)壓器的PMOS場效應(yīng)管的漏極與所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的 NMOS場效應(yīng)管的漏極連接,所述第二低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的源極與所述第 三低壓差線性穩(wěn)壓器的NMOS場效應(yīng)管的漏極連接。
9.一種數(shù)字麥克風(fēng),包括麥克風(fēng)和處理芯片,所述處理芯片包括處理模塊和供電模塊, 其特征在于,所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)字麥克風(fēng),其特征在于,所述供電模塊包括三個串聯(lián)連接 的低壓差線性穩(wěn)壓器。
專利摘要本實用新型涉及一種供電設(shè)備、用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片和數(shù)字麥克風(fēng)。其中,所述供電設(shè)備包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。所述用于數(shù)字麥克風(fēng)的處理芯片包括處理模塊和供電模塊,所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。所述數(shù)字麥克風(fēng)包括麥克風(fēng)和處理芯片,所述處理芯片包括處理模塊和供電模塊,所述供電模塊包括至少兩個串聯(lián)連接的低壓差線性穩(wěn)壓器。本實用新型可以提供具有較高PSRR的供電設(shè)備。
文檔編號H04R3/00GK201854390SQ20102056284
公開日2011年6月1日 申請日期2010年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月9日
發(fā)明者曹靖, 王建庭, 王文靜, 白蓉蓉, 菅端端 申請人:北京昆騰微電子有限公司