專利名稱：平板型x射線圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板型X射線圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
平板型X射線圖像傳感器是一種將X光按光強(qiáng)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的裝置。X光照射物體并且穿透物體后，通過吸收、散射、發(fā)射而使光強(qiáng)發(fā)生變化，不同區(qū)域的不同光強(qiáng)，表示了被照射物體不同區(qū)域的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的差異。穿透被照射物體的X光通過平板型X射線圖像傳感器轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的電信號(hào)，最終實(shí)現(xiàn)一個(gè)與被照射物體內(nèi)部結(jié)構(gòu)直接相關(guān)的灰階圖像。所以平板型X射線圖像傳感器實(shí)現(xiàn)了物體的無損內(nèi)部成像，是實(shí)現(xiàn)無損檢測(cè)的最佳方法之一，在醫(yī)療成像，工業(yè)無損探測(cè)等領(lǐng)域都得到了廣泛的應(yīng)用和長(zhǎng)足的發(fā)展。請(qǐng)參考圖1，其為現(xiàn)有的一種平板型X射線圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，平板型X射線圖像傳感器I包括多根掃描線10，與所述掃描線10相交的多根數(shù)據(jù)線11，設(shè)置于所述掃描線10與數(shù)據(jù)線11交叉處的薄膜晶體管13，以及通過薄膜晶體管13與所述掃描線10及數(shù)據(jù)線11耦接的光敏器件12。這里以及之后所說的“耦接”具體指的是，所述薄膜晶體管13的柵極與所述掃描線10電連接，其源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線11電連接，其漏極/源極與光敏器件12的一端(可以是光敏器件12的N端或P端)電連接。這里以及之后所說的“電連接”具體指的是，在電學(xué)上連接在一起，實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通，包括但不限于物理上的直接連接。這里以及之后所說的“光敏器件”一般為光電二極管，如PIN型光電二極管或MIS型光電二極管。具體的，當(dāng)使用所述平板型X射線圖像傳感器I時(shí)，可通過對(duì)所述掃描線10施加掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)以控制薄膜晶體管13的開啟與關(guān)閉，當(dāng)所述薄膜晶體管13被打開時(shí)，與其電連接的光敏器件12產(chǎn)生的光電流信號(hào)可通過與所述光敏器件12耦接的數(shù)據(jù)線11讀出，通過對(duì)每一根掃描線10上的薄 膜晶體管13的開啟，以及讀取每一行光敏器件12的光電流信號(hào)，可完成對(duì)平板型X射線圖像傳感器I的信號(hào)讀取。但是，在上述平板型X射線圖像傳感器I中，由于每一輸出通道都需要單獨(dú)的采集通道，即當(dāng)每一行中的2η個(gè)薄膜晶體管被打開，讀取與其電連接的2η個(gè)光敏器件的光電流信號(hào)時(shí)，需要2η根數(shù)據(jù)線才能完成，隨著平板型X射線圖像傳感器的分辨率越來越高，所需的掃描線及數(shù)據(jù)線將越來越多，由此將極大地提高了制造成本。為此，現(xiàn)有技術(shù)又提供了一種利用雙開關(guān)控制掃描線組的平板型X射線圖像傳感器，請(qǐng)參考圖2，其為現(xiàn)有的另一種平板型X射線圖像傳感器的電路結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，平板型X射線圖像傳感器2包括多個(gè)掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線；與所述掃描線組相交的多根數(shù)據(jù)線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)分別設(shè)置有I個(gè)光敏器件，所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的光敏器件分別通過開關(guān)單元與所述數(shù)據(jù)線和掃描線組的兩根掃描線耦接。從而，在同樣實(shí)現(xiàn)每一行讀取2η個(gè)光敏器件的光電流信號(hào)的要求下，利用平板型X射線圖像傳感器2只需η根數(shù)據(jù)線，從而減少了數(shù)據(jù)線，降低了成本。
具體的，掃描線G(2N_1)與掃描線G(2N)作為一掃描線組；提供η根數(shù)據(jù)線，每一根數(shù)據(jù)線兩側(cè)均設(shè)置有光敏器件，即有2η個(gè)光敏器件，而與同一根數(shù)據(jù)線兩側(cè)的光敏器件電連接的薄膜晶體管分別耦接一掃描線組中不同的掃描線。當(dāng)掃描線組中的一掃描線開啟時(shí)，另一掃描線關(guān)閉，即同一時(shí)刻只有η個(gè)光敏器件的光電流信號(hào)可被讀取，從而只需η根數(shù)據(jù)線即可實(shí)現(xiàn)；接著，當(dāng)關(guān)閉前例中被開啟的掃描線，并開啟前例中被關(guān)閉的掃描線，讀取另η個(gè)光敏器件的光電流信號(hào)，實(shí)現(xiàn)每一行讀取2n個(gè)光敏器件的光電流信號(hào)的要求。例如，打開掃描線G(I)，關(guān)閉同一掃描線組的掃描線G (2)，當(dāng)然，此時(shí)由于掃描驅(qū)
動(dòng)信號(hào)的不同，其余掃描線(即掃描線G(3)、G(4)......G(2N))也均被關(guān)閉，此時(shí)，可通過
數(shù)據(jù)線SI讀取光敏器件Dll的光電流信號(hào)，通過數(shù)據(jù)線S2讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)，通過數(shù)據(jù)線Sn讀取光敏器件Dnl的光電流信號(hào)；接著，打開掃描線G(2)，關(guān)閉掃描線G(1)時(shí)(同樣的其余掃描線均為關(guān)閉)，同樣可通過數(shù)據(jù)線SI讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)，通過數(shù)據(jù)線S2讀取光敏器件D22的光電流信號(hào)，通過數(shù)據(jù)線Sn讀取光敏器件Dn2的光電流信號(hào)，即利用η根數(shù)據(jù)線讀取了 2n個(gè)光敏器件的光電流數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)線不增加的基礎(chǔ)上，提高了平板型X射線圖像傳感器的分辨率。然而，上述的平板型X射線圖像傳感器2中，每一根數(shù)據(jù)線兩側(cè)均設(shè)置有光敏器件，由此在一掃描線組的兩根掃描線與相鄰數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)，具有兩個(gè)相鄰的光敏器件，例如圖2中的光敏器件D12與光敏器件D21，由于兩個(gè)光敏器件之間的距離非常近，所述兩個(gè)光敏器件之間將產(chǎn)生寄生電容。而當(dāng)讀取該兩個(gè)光敏器件的光電流信號(hào)時(shí)，也將讀取寄生電容所存儲(chǔ)的電荷數(shù)，即寄生電容所存儲(chǔ)的電荷數(shù)將影響光敏器件的光電流信號(hào)。此外，由于讀取其中一光敏器件的寄生電容的電荷數(shù)時(shí)，是以另一光敏器件的電位作為參考電位的，因此，當(dāng)兩個(gè)光敏器件處于不同電位時(shí)，寄生電容對(duì)兩個(gè)光敏器件將產(chǎn)生不同的影響。例如，當(dāng)讀取光敏器件D21時(shí)，寄生電容的參考電位為光敏器件D12的電位；而當(dāng)讀取光敏器件D12時(shí)，寄生電容的參考電位為光敏器件D21的電位，而作為參考電位的光敏器件D12和光敏器件D21的電位的變化將導(dǎo)致寄生電容的電荷數(shù)的變化與不可知。而寄生電容的電荷數(shù)被作為數(shù)據(jù)加載到兩個(gè)光敏器件的光電流信號(hào)中，其對(duì)光電流信號(hào)的影響很大，甚至可以達(dá)到系統(tǒng)噪聲的100倍，由此,將導(dǎo)致讀取的光敏器件的光電流信號(hào)發(fā)生較大的偏差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的利用雙開關(guān)控制掃描線組的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組的兩根掃描線與相鄰數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)相鄰的光敏器件具有電荷數(shù)變化與不可知的寄生電容，從而使得讀取的光敏器件的光電流信號(hào)發(fā)生較大的偏差的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種平板型X射線圖像傳感器，包括至少I個(gè)掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線；與所述掃描線組相交的至少2根數(shù)據(jù)線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)分別設(shè)置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通過開關(guān)單元與所述數(shù)據(jù)線和所述兩根掃描線中的一根掃描線耦接，所述第二光敏器件通過開關(guān)單元與所述數(shù)據(jù)線和所述兩根掃描線中的另一根掃描線耦接；其中，任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)具有相鄰的兩個(gè)光敏器件，所述相鄰的兩個(gè)光敏器件之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)連接至參考電位。可選的，所述開關(guān)單元為薄膜晶體管TFT，所述薄膜晶體管TFT的柵極和與其耦接的掃描線電連接，所述薄膜晶體管TFT的源極/漏極和與其耦接的數(shù)據(jù)線電連接，所述薄膜晶體管TFT的漏極/源極和與其耦接的光敏器件的一端電極連接?？蛇x的，所有所述光敏器件的另外一端電極均連接至公共電位?？蛇x的，所述光敏器件為PIN型光電二極管或MIS型光電二極管?？蛇x的，所述光敏器件包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層。作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述N端電極層、所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層。所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。 作為另一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述P端電極層、所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層。所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。以上兩種實(shí)施方式中，所述相鄰的兩個(gè)光敏器件之間、所述隔離結(jié)構(gòu)上設(shè)置有絕緣層，各所述隔離結(jié)構(gòu)分別通過設(shè)置于所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。以上兩種實(shí)施方式中，相鄰數(shù)據(jù)線之間的隔離結(jié)構(gòu)連接在一起并與地線連接?？蛇x的，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述N端電極層位于同一層；所有所述光敏器件的P端電極層與所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位；各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接?？蛇x的，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述P端電極層位于同一層；所有所述光敏器件的N端電極層與所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位；各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。以上兩種實(shí)施方式中，所述相鄰的兩個(gè)光敏器件之間、所述隔離結(jié)構(gòu)下設(shè)置有絕緣層，各所述隔離結(jié)構(gòu)分別通過設(shè)置于所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。以上兩種實(shí)施方式中，各所述隔離結(jié)構(gòu)連接在一起并與地線連接?？蛇x的，所述隔離結(jié)構(gòu)分別與所述兩個(gè)光敏器件之間的寄生電容大小相等。此時(shí)，所述隔離結(jié)構(gòu)至所述兩個(gè)光敏器件的距離可以相等。以上各個(gè)實(shí)施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)可以為導(dǎo)電材料。所述隔離結(jié)可以為金屬或者透明導(dǎo)電金屬氧化物比如ITO或者SnO2。其中，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物為ITO或者SnO2。以上各個(gè)實(shí)施例中，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)相鄰的兩個(gè)光敏器件分別通過開關(guān)單元與所述掃描線組中兩根掃描線中不同的掃描線耦接。以上各個(gè)實(shí)施例中，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)相鄰的兩個(gè)光敏器件分別通過開關(guān)單元與所述掃描線組中兩根掃描線中相同的掃描線耦接。本發(fā)明還提供了一種平板型X射線圖像傳感器的制造方法，包括步驟1、提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導(dǎo)體層的基板；步驟2、形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成光敏器件的第一端電極層、隔離結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)線、TFT源極電極、TFT漏極電極；步驟3、形成一鈍化層，刻蝕所述鈍化層暴露出光敏器件的第一端電極層；步驟4、形成光敏器件的功能結(jié)構(gòu)層；步驟5、形成一透明導(dǎo)電層，刻蝕所述透明導(dǎo)電層形成第二端電極層，刻蝕所述功能結(jié)構(gòu)層形成各個(gè)獨(dú)立的光敏器件；步驟6、形成一絕緣層，所述絕緣層覆蓋光敏器件的第二電極層并填充光敏器件之間的間隙，刻蝕所述絕緣層暴露出光敏器件的第二端電極層；步驟7、形成一第二透明導(dǎo)電層，刻蝕所述第二透明導(dǎo)電層形成公共電極層，所述公共電極層與所述露出的部分光敏器件的第二端電極層接觸?？蛇x的，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導(dǎo)體層的基板的步驟包括提供一基板； 在所述基板上形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成TFT柵極電極及掃描線；形成一柵絕緣層；形成一半導(dǎo)體層，刻蝕所述半導(dǎo)體層形成TFT有源結(jié)構(gòu)。 可選的，所述光敏器件為PIN型光電二極管或MIS型光電二極管?？蛇x的，步驟4中所述光敏器件功能結(jié)構(gòu)層為N-1-P或M-1-S。可選的，步驟6中還刻蝕所述絕緣層和所述鈍化層暴露出所述隔離結(jié)構(gòu)；步驟7中所述公共電極層還與所述露出的隔離結(jié)構(gòu)接觸。可選的，步驟2中所述隔離結(jié)構(gòu)延伸至外部接地端。在本發(fā)明提供的平板型X射線圖像傳感器及其制造方法中，在具有寄生電容的兩個(gè)光敏器件之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，在讀取光敏器件的光電流信號(hào)時(shí)，所述隔離結(jié)構(gòu)可作為參考電位，此外，所述隔離結(jié)構(gòu)與固定電位連接，從而使得其電位值固定，即使得寄生電容的電荷數(shù)固定與可知，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于寄生電容的電荷數(shù)變化與不可知，從而使得讀取的光敏器件的光電流信號(hào)發(fā)生較大的誤差的問題，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。


圖1是現(xiàn)有的一種平板型X射線圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有的另一種平板型X射線圖像傳感器的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例一的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖4是圖3所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿A-A'的剖面示意圖5a 5g是圖3所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)的制造方法沿A-A'的剖面示意圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例二的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖7是圖6所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿B-B'的剖面示意圖；圖8a Sg是圖3所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)的制造方法沿B-B'的剖面示意圖；圖9是本發(fā)明實(shí)施例三的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖10是圖9所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿C-C'的剖面示意圖；圖11是本發(fā)明實(shí)施例四的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖12是圖11所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿D-D'的首I]面不意圖；圖13是本發(fā)明實(shí)施例五的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖14是本發(fā)明實(shí)施例六的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖15是本發(fā)明實(shí)施例七的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖；圖16是本發(fā)明實(shí)施例八的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的平板型X射線圖像傳感器及其制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種平板型X射線圖像傳感器及其制造方法，在具有寄生電容的兩個(gè)光敏器件之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，在讀取光敏器件的光電流信號(hào)時(shí)，所述隔離結(jié)構(gòu)可作為參考電位，一般情況下，所述隔離結(jié)構(gòu)與固定電位連接，從而使得其電位值固定，即使得寄生電容的電荷數(shù)固定與可知，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于寄生電容的電荷數(shù)變化與不可知，使得讀取的光敏器件的光電流信號(hào)發(fā)生較大的偏差的問題，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。該固定電位在平板型X射線圖像傳感器工作時(shí)是固定的，但具體該固定的電位值為多少，可以根據(jù)不同的情況進(jìn)行調(diào)整，例如可以固定在接地電位，也可以固定在某一正電位或負(fù)電位。一般情況下，該固定電位由外部電路提供。本發(fā)明提供的一種平板型X射線圖像傳感器，包括至少I個(gè)掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線；與所述掃描線組相交的至少2根數(shù)據(jù)線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)分別設(shè)置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通過開關(guān)單元與所述數(shù)據(jù)線和所述兩根掃描線中的一根掃描線耦接，所述第二光敏器件通過開關(guān)單元與所述數(shù)據(jù)線和所述兩根掃描線中的另一根掃描線耦接；其中，任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)具有相鄰的兩個(gè)光敏器件，所述相鄰的兩個(gè)光敏器件之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)與參考電位連接。如同前文所述，該參考電位一般為固定電位，由外部電路提供；其具體數(shù)值可以根據(jù)不同的情況進(jìn)行調(diào)整。作為不同的實(shí)施方式，本發(fā)明提供的平板型X射線圖像傳感器中任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)所具有相鄰的兩個(gè)光敏器件，可以分別通過各自的開關(guān)單元與該掃描線組中的兩根掃描線分別耦接；也可以分別通過各自的開關(guān)單元與該掃描線組中的同一根掃描線耦接。實(shí)施例一請(qǐng)參考圖3，其為本發(fā)明實(shí)施例一的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。為了圖示與描述的清晰，圖3中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ;以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性或?qū)ΨQ性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)131作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器3中具有重復(fù)性或?qū)ΨQ性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器3均適用。此外，在本實(shí)施例的平板型X射線圖像傳感器3的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)131，并且一般采用ΙΤ0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)131與掃描線組G12，數(shù)據(jù)線S1、S2以及開關(guān)單元T12、T21之間的關(guān)系，在圖 3中，所述Com電極未示出。具體的，如圖3所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)131，所述隔離結(jié)構(gòu)131與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。
已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)131將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)131的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)131與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器3的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過所述薄膜晶體管T12、T21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管T21 (當(dāng)然，在圖3中還包括薄膜晶體管T11)，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D21的光電流信號(hào)的讀取(當(dāng)然，在圖3中還可通過讀取數(shù)據(jù)線SI，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件Dll的光電流信號(hào)的讀取)。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管T21 (此處的“打開”指薄膜晶體管T21接入電路，使得通過薄膜晶體管T21的光敏器件D21與數(shù)據(jù)線S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。當(dāng)掃描線G2為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管T12及T22，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線SI實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12的光電流信號(hào)的讀取，通過讀取數(shù)據(jù)線S2實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D22的光電流信號(hào)的讀取。通過圖3以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖3中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。圖4為圖3所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿A-A'的剖面示意圖。 如圖4所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板50 ;基板50上形成有柵絕緣層500 ;光敏器件D12形成于柵絕緣層500上，其包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層500上的N端電極層511、設(shè)置于N端電極層511上的功能結(jié)構(gòu)層531、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層531上的P端電極層541，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層531必然是N端在下、P端在上的。N端電極層511與功能結(jié)構(gòu)層531之間還設(shè)置有第一絕緣層52( —般為鈍化層)，N端電極層511通過設(shè)置于第一絕緣層52中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層531的N端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層531包括N型半導(dǎo)體5311層和P型半導(dǎo)體層5312，該功能結(jié)構(gòu)層531的N極一端處設(shè)置的N端電極層511與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖4中功能結(jié)構(gòu)層531包括N型半導(dǎo)體層5311和P型半導(dǎo)體層5312僅僅是一個(gè)示例，其具體結(jié)構(gòu)可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件，對(duì)應(yīng)的功能結(jié)構(gòu)層531自下而上依次為 N-1-P (N+/i_layer/P+);或者所述光敏器件為 MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件，對(duì)應(yīng)的功能結(jié)構(gòu)層531自下而上依次為M-1-S。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結(jié)構(gòu)，即光敏器件D21形成于柵絕緣層500上，其包括依次形成在柵絕緣層500上的N端電極層512、設(shè)置于N端電極層512上的功能結(jié)構(gòu)層532、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層532上的P端電極層542，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層532必然是N端在下、P端在上的。N端電極層512與功能結(jié)構(gòu)層532之間還設(shè)置有第一絕緣層52 ( —般為鈍化層)，N端電極層512通過設(shè)置于第一絕緣層52中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層532的N端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層532包括N型半導(dǎo)體5321層和P型半導(dǎo)體層5322，該功能結(jié)構(gòu)層532的N極一端處設(shè)置的N端電極層512與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接。從圖4中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設(shè)置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層52和第二絕緣層55構(gòu)成。第二絕緣層55不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能結(jié)構(gòu)層531的P極一端處設(shè)置的P端電極層541與光敏器件D21的功能結(jié)構(gòu)層532的P極一端處設(shè)置的P端電極層542通過公共電極層56連接在一起并電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層541通過第二絕緣層55中的過孔與公共電極層56連接，P端電極層542通過第二絕緣層55中的過孔與公共電極層56連接。作為優(yōu)選實(shí)施方式，公共電極層56采用透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。在實(shí)際工藝生產(chǎn)過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應(yīng)各層在同一工藝步驟中制備，因此處于同一層，具體的說就是，N端電極層511與N端電極層512位于同一層，N型半導(dǎo)體層5311與N型半導(dǎo)體層5321位于同一層，P型半導(dǎo)體層5312與P型半導(dǎo)體層5322位于同一層，P端電極層541與P端電極層542位于同一層。兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)131，并使該隔離結(jié)構(gòu)131與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖4中該隔離結(jié)構(gòu)131位于N端電極層511、N端電極層512之間，并且通過設(shè)置于光敏器件D12與光敏器件D21之間、由第一絕緣層52和第二絕緣層55構(gòu)成的絕緣層中 的過孔與公共電極層56電連接。通常，該隔離結(jié)構(gòu)131與N端電極層511、N端電極層512位于同一層，并且也通常與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極、薄膜晶體管TFT的漏極電極位于同一層，在同一工藝步驟中制備。該隔離結(jié)構(gòu)131可以采用導(dǎo)電材料，例如金屬或者透明導(dǎo)電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),優(yōu)選采用金屬材料，如鋁。這一實(shí)施方式中，所有隔離結(jié)構(gòu)在物理上是不相連的，只是分別通過設(shè)置于該相鄰光敏器件之間的絕緣層中的過孔與所述公共電極層電連接，從而實(shí)現(xiàn)彼此電連接。如圖3中所示，隔離結(jié)構(gòu)131與隔離結(jié)構(gòu)132在物理上不直接連接。優(yōu)選的，隔離結(jié)構(gòu)131設(shè)置于為N端電極層511與N端電極層512正中，即隔離結(jié)構(gòu)131分別與N端電極層511、N端電極層512之間的距離相等，從而可使得隔離結(jié)構(gòu)131分別與兩個(gè)光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。優(yōu)選的，隔離結(jié)構(gòu)131與掃描線Gl和G2保持6um以上的距尚。在兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)131，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個(gè)大小相等的電容，且兩個(gè)電容有相同的參考電位。當(dāng)光敏器件D12與D21數(shù)據(jù)被讀出時(shí)，對(duì)應(yīng)的寄生電容對(duì)各自的影響效應(yīng)是等量的，對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)的線性區(qū)間這一影響是可以被忽略的。
需要說明的是，圖4僅僅為圖3所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)131沿A-A'的剖面示意圖。鑒于平板型X射線圖像傳感器的重復(fù)結(jié)構(gòu)，其他掃描線組與相鄰數(shù)據(jù)線所圍區(qū)域的相鄰光敏器件及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)也采用圖4所示的光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)131相同的結(jié)構(gòu)，在此不再重復(fù)闡述。另外，圖4也僅僅示出了圖3的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)131沿A-A'的一種剖面結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)中，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括N端電極層511、設(shè)置于N端電極層511上的功能結(jié)構(gòu)層531、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層531上的P端電極層541，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層531是N端在下、P端在上的；隔離結(jié)構(gòu)與N端電極層、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實(shí)施方式，圖3的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)131沿A-A'的具有另一種剖面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)與圖 4所示的剖面結(jié)構(gòu)很相似，其區(qū)別僅在于，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括P端電極層、設(shè)置于P端電極層上的功能結(jié)構(gòu)層、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層上的N端電極層，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層是P端在下、N端在上的；此時(shí)，隔離結(jié)構(gòu)與P端電極層、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接；其余結(jié)構(gòu)均可以和圖4所示相應(yīng)結(jié)構(gòu)相同。由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設(shè)置在基板上構(gòu)成如圖3所示的陣列，并且每一個(gè)光敏器件(優(yōu)選為光電二級(jí)管)均包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層。其中，功能結(jié)構(gòu)層包括N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，靠近N型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為N端電極層，靠近P型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為P端電極層；各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的一端(N端電極層或P端電極層)與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極/源極電連接，各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的另一端(對(duì)應(yīng)的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起并連接至外部公共電位。其中，與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極/源極電連接的N端電極層或P端電極層與功能結(jié)構(gòu)層之間還設(shè)置有鈍化層，N端電極層通過設(shè)置于鈍化層中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層的N端連接。接下去將介紹本實(shí)施例的平板型X射線圖像傳感器的制造方法，具體請(qǐng)參考圖5a 5g，其為圖3所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)的制造方法沿A-A'的剖面示意圖。步驟1、如圖5a所示，提供一基板50 ;在所述基板50之上依次形成有TFT柵極電極及掃描線(圖5a 5g為沿A-A'的剖面示意圖，因此，在本實(shí)施例的附圖中未示出)、柵絕緣層500、TFT半導(dǎo)體層(未示出)。具體的，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層500、TFT半導(dǎo)體層的基板50的步驟包括1、提供基板50;2、形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成TFT柵極電極及掃描線；
其中，該金屬層直接形成在基板50的表面上，并覆蓋整個(gè)基板50 ;其形成方法可以采用物理氣相沉積法；其刻蝕工藝可以采用傳統(tǒng)的光刻工藝。需要說明的是，此處以及本申請(qǐng)文件的其他地方所講的形成某一層，均指的是在前一步驟完成后，直接在整個(gè)基板范圍內(nèi)形成該層。例如這里所說的“形成一金屬層”指的就是在前一步驟提供的基板50的表面上直接形成覆蓋整個(gè)基板范圍的金屬層。3、形成柵絕緣層500 ;根據(jù)前文的定義，這里所說的“形成柵絕緣層500”指的就是在前一步驟形成有TFT柵極電極及掃描線的基板50表面上形成覆蓋整個(gè)基板范圍的柵絕緣層500。因此，所述柵絕緣層500覆蓋所述TFT柵極電極及掃描線，并覆蓋TFT柵極電極及掃描線未遮蓋部分的基板50。4、形成一半導(dǎo)體層，刻蝕所述半導(dǎo)體層形成TFT有源結(jié)構(gòu)。根據(jù)前文的定義，這里所說的“形成一半導(dǎo)體層”指的就是在前一步驟形成的柵絕緣層500的表面上形成覆蓋整個(gè)基板范圍的半導(dǎo)體層；然后用傳統(tǒng)的光刻工藝刻蝕(一般采用干法刻蝕)該半導(dǎo)體層以形成TFT有源結(jié)構(gòu)(即硅島)。

接著步驟2，如圖5b所示，形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成光敏器件的第一端電極層511及512、隔離結(jié)構(gòu)131 (各個(gè)隔離結(jié)構(gòu)131物理上是分開的)以及數(shù)據(jù)線、TFT源極電極和TFT漏極電極(未畫出)。具體的，該金屬層在整個(gè)基板范圍內(nèi)形成，覆蓋整個(gè)基板范圍內(nèi)的柵絕緣層500及其表面上的TFT有源結(jié)構(gòu)，所述金屬層可以為鋁金屬層，采用物理氣相沉積的方法形成，采用傳統(tǒng)光刻工藝刻蝕所述金屬層形成圖案化的第一端電極層511及512、隔離結(jié)構(gòu)131以及數(shù)據(jù)線、TFT源極電極和TFT漏極電極。優(yōu)選的，所述隔離結(jié)構(gòu)131與所述第一端電極層511及512的距離相等，從而可使得隔離結(jié)構(gòu)131分別與兩個(gè)光敏器件形成的寄生電容相等。此外，在本實(shí)施例中，利用所述形成第一端電極層511、512及隔離結(jié)構(gòu)131的同一金屬層形成薄膜晶體管的源漏電極，并且所述薄膜晶體管的源/漏電極與所述第一端電極層511、512相連，即通過光刻及刻蝕工藝使得所述薄膜晶體管的源/漏電極與所述第一端電極層511、512之間具有金屬連接。然后步驟3，如圖5c所示，形成第一絕緣層52 ( —般為鈍化層)，所述第一絕緣層52覆蓋步驟2之后整個(gè)基板范圍內(nèi)暴露在外的表面，即覆蓋第一端電極層511、512、隔離結(jié)構(gòu)131、數(shù)據(jù)線、TFT源極電極和TFT漏極電極、TFT源漏電極間的溝道等。刻蝕該第一絕緣層52形成通孔520、522以暴露出光敏器件的第一端電極層511、512。圖5c中,第一絕緣層52中還被刻蝕形成通孔521以暴露出隔離結(jié)構(gòu)131是一個(gè)可選的實(shí)施方式；隔離結(jié)構(gòu)131上覆蓋的第一絕緣層52可以不開孔。接著步驟4，如圖5d所示，形成光敏器件的功能結(jié)構(gòu)層530。該功能結(jié)構(gòu)層530覆蓋步驟3之后整個(gè)基板范圍內(nèi)暴露出的表面，可以采用現(xiàn)有光敏器件的傳統(tǒng)層疊結(jié)構(gòu)。以圖5d所示為例，功能結(jié)構(gòu)層530的N端在下、P端在上，N端通過過孔520、522分別與第一端電極層(此時(shí)第一端電極層為N端電極層)511、512連接。該功能結(jié)構(gòu)層530的N端設(shè)置有N型半導(dǎo)體層5301、P端設(shè)置有P型半導(dǎo)體層5302。光敏器件的功能結(jié)構(gòu)層可以為PIN結(jié)構(gòu)(自下而上依次為N-1-P)或MIS結(jié)構(gòu)(自下而上依次為M-1-S)，對(duì)應(yīng)的光敏器件為PIN型光電二極管或MIS型光電二極管。當(dāng)然，作為另一種實(shí)施方式，功能結(jié)構(gòu)層530也可以為P端在下、N端在上，P端通過過孔分別與第一端電極層(此時(shí)第一端電極層為P端電極層)連接。
步驟5，如圖5e所示，形成一透明導(dǎo)電層，刻蝕該透明導(dǎo)電層形成第二端電極層(此時(shí)第二端電極層為P端電極層)541、542，刻蝕該功能結(jié)構(gòu)層530形成各個(gè)獨(dú)立的光敏器件。在步驟4之后，整個(gè)基板范圍內(nèi)顯露的表面為功能結(jié)構(gòu)層530的P端表面，該透明導(dǎo)電層(一般為ΙΤ0)在整個(gè)基板范圍內(nèi)覆蓋該P(yáng)端表面，可以采用物理氣相沉積法形成；然后用光刻工藝刻蝕(可采用濕法刻蝕)該透明導(dǎo)電層以形成圖案化的P端電極層541、542 ；接下來采用光刻工藝刻蝕(可采用干法刻蝕)該功能機(jī)構(gòu)層530以形成圖案化的功能結(jié)構(gòu)層531和532。至此，就形成了各個(gè)獨(dú)立的光敏器件；所述N端電極層511、通過過孔與其上形成的功能結(jié)構(gòu)層531的N型半導(dǎo)體層5311接觸，功能結(jié)構(gòu)層531的P型半導(dǎo)體層5312上形成有P端電極層541，構(gòu)成了光敏器件D12;所述N端電極層512、通過過孔與其上形成的功能結(jié)構(gòu)層532的N型半導(dǎo)體層5321接觸，功能結(jié)構(gòu)層532的P型半導(dǎo)體層5322上形成有P端電極層542，構(gòu)成了光敏器件D21。當(dāng)然，作為另一種實(shí)施方式，當(dāng)步驟4中，功能結(jié)構(gòu)層530為P端在下、N端在上時(shí)，第二端電極層為N端電極層。步驟5中用光刻工藝刻蝕該透明導(dǎo)電層以形成圖案化的第二端電極層541、542和用光刻工藝刻蝕功能結(jié)構(gòu)層530以形成圖案化的功能結(jié)構(gòu)層531和532可以共用一個(gè)光刻工藝，即刻蝕功能結(jié)構(gòu)層530可以以刻蝕該透明導(dǎo)電層中所形成的圖案化的光刻膠為掩膜。接著步驟6，如圖5f所示，形成第二絕緣層55 (可采用氮化硅)，所述第二絕緣層55覆蓋步驟5之后整個(gè)基板范圍內(nèi)所有顯露出來的表面，包括第二端電極層541及第二端電極層542，并填充光敏器件之間的間隙(同時(shí)覆蓋露出的第一絕緣層52)。用光刻工藝刻蝕該第二絕緣層以暴露出光敏器件的第二端電極層541及第二端電極層542，即在所述第二端電極層541上形成接觸孔550，在所述第二端電極層542上形成接觸孔552。所述第二絕緣層55與前述步驟中形成的第一絕緣層52共同隔絕光敏器件D12及光敏器件D21，同時(shí)，還可以光刻工藝刻蝕該第二絕緣層55與第一絕緣層52形成接觸孔551以暴露出隔離結(jié)構(gòu)131。

最后步驟7，如圖5g所示，形成一第二透明導(dǎo)電層，刻蝕該第二透明導(dǎo)電層以形成圖案化的公共電極層56。該第二透明導(dǎo)電層(一般為ΙΤ0)在整個(gè)基板范圍內(nèi)覆蓋步驟6形成的第二絕緣層55和暴露出的第二端電極層、隔離結(jié)構(gòu)131 ;這樣第二端電極層541、542和隔離結(jié)構(gòu)131均通過該第二透明導(dǎo)電層連接在一起，進(jìn)而可以連接至外部公共電位。在基板邊緣出設(shè)置有多個(gè)引出電極，為了防止這些引出電極之間通過該第二透明導(dǎo)電層短接或者為了減小寄生電容，還需要對(duì)該第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行光刻刻蝕形成公共電極56 ;所述公共電極層56覆蓋所述第二絕緣層55、第二端電極層541、隔離結(jié)構(gòu)131及第二端電極層542，所述公共電極層56在外部與公共電位連接。所述隔離結(jié)構(gòu)131通過與所述公共電極層56連接，實(shí)現(xiàn)了與固定電位連接，從而使得其電位值固定，S卩使得光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數(shù)固定與可知，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數(shù)變化與不可知，讀取的光敏器件Dl2或者光敏器件D21的光電流信號(hào)發(fā)生較大的偏差的問題，提高了讀取的光敏器件D12或者光敏器件D21的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。實(shí)施例二請(qǐng)參考圖6，其為本發(fā)明實(shí)施例二的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖6所示，平板型X射線圖像傳感器6包括為了圖示與描述的清晰，圖6中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)161作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器6中具有重復(fù)性或?qū)ΨQ性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器6均適用。此外，在本實(shí)施例的平板型X射線圖像傳感器6的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)161，并且一般采用ΙΤ0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)161與掃描線組G12，數(shù)據(jù)線S1、S2以及開關(guān)單元T12、T21之間的關(guān)系，在圖6中，所述Com電極未示出。具體的，如圖6所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描 線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)161，所述隔離結(jié)構(gòu)161與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)161將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)161的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)161與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器6的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過 所述薄膜晶體管T12、T21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管T21 (當(dāng)然，在圖6中還包括薄膜晶體管T11)，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D21的光電流信號(hào)的讀取(當(dāng)然，在圖6中還可通過讀取數(shù)據(jù)線SI，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件Dll的光電流信號(hào)的讀取)。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管T21 (此處的“打開”指薄膜晶體管T21接入電路，使得通過薄膜晶體管T21的光敏器件D21與數(shù)據(jù)線S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。當(dāng)掃描線G2為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管T12及T22，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線SI實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12的光電流信號(hào)的讀取，通過讀取數(shù)據(jù)線S2實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D22的光電流信號(hào)的讀取。通過圖6以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖6中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。圖7為圖6所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿B-B'的剖面示意圖。如圖7所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板60 ;基板60上形成有柵絕緣層600 ;光敏器件D12形成于柵絕緣層600上，其包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層600上的N端電極層611、設(shè)置于N端電極層611上的功能結(jié)構(gòu)層631、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層631上的P端電極層641，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層631必然是N端在下、P端在上的。N端電極層611與功能結(jié)構(gòu)層631之間還設(shè)置有第一絕緣層62( —般為鈍化層)，N端電極層611通過設(shè)置于第一絕緣層62中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層631的N端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層631包括N型半導(dǎo)體6311層和P型半導(dǎo)體層6312，該功能結(jié)構(gòu)層631的N極一端處設(shè)置的N端電極層611與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖7中功能結(jié)構(gòu)層631包括N型半導(dǎo)體層6311和P型半導(dǎo)體層6312僅僅是一個(gè)示例，其具體結(jié)構(gòu)可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件，對(duì)應(yīng)的功能結(jié)構(gòu)層631自下而上依次為 N-1-P (N+/i_layer/P+);或者所述光敏器件為 MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件，對(duì)應(yīng)的功能結(jié)構(gòu)層631自下而上依次為M-1-S。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結(jié)構(gòu)，即光敏器件D21形成于柵絕緣層600上，其包括依次形成在柵絕緣層600上的N端電極層612、設(shè)置于N端電極層612上的功能結(jié)構(gòu)層532、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層532上的P端電極層542，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層532必然是N端在下、P端在上的。N端電極層512與功能結(jié)構(gòu)層532之間還設(shè)置有第一絕緣層52 ( —般為鈍化層)，N端電極層512通過設(shè)置于第一絕緣層52中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層532的N端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層532包括N型半導(dǎo)體5321層和P型半導(dǎo)體層5322，該功能結(jié)構(gòu)層532的N極一端處設(shè)置的N端電極層512與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接。從圖7中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設(shè)置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層62和第二絕緣層65構(gòu)成。第二絕緣層65不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能結(jié)構(gòu)層631的P極一端處設(shè)置的P端電極層641與光敏器件D21的功能結(jié)構(gòu)層632的P極一端處設(shè)置的P端電極層642通過公共電極層66連接在一起并電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層641通過第二絕緣層65中的過孔與公共電極層66連接，P端電極層642通過第二絕緣層65中的過孔與公共電極層66連接。作為優(yōu)選實(shí)施方式，公共電極層66米用透明導(dǎo)電材料，如氧化·銦錫(ITO)。在實(shí)際工藝生產(chǎn)過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應(yīng)各層在同一工藝步驟中制備，因此處于同一層，具體的說就是，N端電極層611與N端電極層612位于同一層，N型半導(dǎo)體層6311與N型半導(dǎo)體層6321位于同一層，P型半導(dǎo)體層6312與P型半導(dǎo)體層6322位于同一層，P端電極層641與P端電極層642位于同一層。兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)161，并使該隔離結(jié)構(gòu)161與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖7中該隔離結(jié)構(gòu)161位于N端電極層611、N端電極層612之間，所述隔離結(jié)構(gòu)161延伸至與外部公共電位連接，通常與地線連接。通常，該隔離結(jié)構(gòu)161與N端電極層611、N端電極層612位于同一層，并且也通常與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極、薄膜晶體管TFT的漏極電極位于同一層，在同一工藝步驟中制備。該隔離結(jié)構(gòu)131可以采用導(dǎo)電材料，例如金屬或者透明導(dǎo)電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),優(yōu)選采用金屬材料，如鋁。這一實(shí)施方式中，相鄰數(shù)據(jù)線之間的隔離結(jié)構(gòu)在物理上是相連的，一起與地線連接，在圖6中即顯示出數(shù)據(jù)線SI及S2之間、所有掃描線組G12及G34之間的隔離結(jié)構(gòu)連在一起形成一個(gè)隔離結(jié)構(gòu)161，當(dāng)然，本實(shí)施例只示出了平板型X射線圖像傳感器的部分結(jié)構(gòu)，若在數(shù)據(jù)線S2的另一側(cè)還具有數(shù)據(jù)線S3，則在數(shù)據(jù)線S2及S3之間也將具有隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)與隔離結(jié)構(gòu)161都延伸至與外部公共電位連接。優(yōu)選的，隔離結(jié)構(gòu)161設(shè)置于為N端電極層611與N端電極層612正中，即隔離結(jié)構(gòu)161分別與N端電極層611、N端電極層612之間的距離相等，從而可使得隔離結(jié)構(gòu)161分別與兩個(gè)光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。在兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)161，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個(gè)大小相等的電容，且兩個(gè)電容有相同的參考電位。當(dāng)光敏器件D12與D21數(shù)據(jù)被讀出時(shí)，對(duì)應(yīng)的寄生電容對(duì)各自的影響效應(yīng)是等量的，對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)的線性區(qū)間這一影響是可以被忽略的。需要說明的是，圖7僅僅為圖6所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)161沿B-B'的剖面示意圖。鑒于平板型X射線圖像傳感器的重復(fù)結(jié)構(gòu)，其他掃描線組與相鄰數(shù)據(jù)線所圍區(qū)域的相鄰光敏器件及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)也采用圖7所示的光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)131相同的結(jié)構(gòu)，在此不再重復(fù)闡述。另外，圖7也僅僅示出了圖6的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)161沿B-B'的一種剖面結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)中，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括N端電極層611、設(shè)置于N端電極層611上的功能結(jié)構(gòu)層631、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層631上的P端電極層641，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層631是N端在下、P端在上的；隔離結(jié)構(gòu)與N端電極層、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實(shí)施方式，圖6的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)161沿B-B'的具有另一種剖面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)與圖7所示的剖面結(jié)構(gòu)很相似，其區(qū)別僅在于，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括P端電極層、設(shè)置于P端電極層上的功能結(jié)構(gòu)層、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層上的N端電極層，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層是P端在下、N端在上的；此時(shí)，隔離結(jié)構(gòu)與P端電極層、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接；其余結(jié)構(gòu)均可以和圖7所示相應(yīng)結(jié)構(gòu)相同。由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設(shè)置在基板上構(gòu)成如圖6所示的陣列，并且每一個(gè)光敏器件(優(yōu)選為光電二級(jí)管)均包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層。其中，功能結(jié)構(gòu)層包括N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，靠近N型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為N端電極層，靠近P型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為P端電極層；各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的一端(N端電極層或P端電極層)與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極/源極電連接，各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的另一端(對(duì)應(yīng)的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起并連接至外部公共電位。其中，與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極/源極電連接的N端電極層或P端電極層與功能結(jié)構(gòu)層之間還設(shè)置有鈍化層，N端電極層通過設(shè)置于鈍化層中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層的N端連接。接下去將介紹本實(shí)施例的平板型X射線圖像傳感器的制造方法，具體請(qǐng)參考圖8a Sg，其為圖6所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)的制造方法沿B-B'的剖面示意圖。

步驟1、如圖8a所示，提供一基板60 ;在所述基板60之上依次形成有TFT柵極電極及掃描線(圖8a Sg為沿B-B'的剖面示意圖，因此，在本實(shí)施例的附圖中未示出)、柵絕緣層600、TFT半導(dǎo)體層(未示出)。具體的，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層600、TFT半導(dǎo)體層的基板60的步驟包括1、提供基板60;2、形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成TFT柵極電極及掃描線；其中，該金屬層直接形成在基板60的表面上，并覆蓋整個(gè)基板60 ;其形成方法可以采用物理氣相沉積法；其刻蝕工藝可以采用傳統(tǒng)的光刻工藝。需要說明的是，此處以及本申請(qǐng)文件的其他地方所講的形成某一層，均指的是在前一步驟完成后，直接在整個(gè)基板范圍內(nèi)形成該層。例如這里所說的“形成一金屬層”指的就是在前一步驟提供的基板60的表面上直接形成覆蓋整個(gè)基板范圍的金屬層。3、形成柵絕緣層600 ;根據(jù)前文的定義，這里所說的“形成柵絕緣層600”指的就是在前一步驟形成有TFT柵極電極及掃描線的基板60表面上形成覆蓋整個(gè)基板范圍的柵絕緣層600。因此，所述柵絕緣層600覆蓋所述TFT柵極電極及掃描線，并覆蓋TFT柵極電極及掃描線未遮蓋部分的基板60。4、形成一半導(dǎo)體層，刻蝕所述半導(dǎo)體層形成TFT有源結(jié)構(gòu)。根據(jù)前文的定義，這里所說的“形成一半導(dǎo)體層”指的就是在前一步驟形成的柵絕緣層600的表面上形成覆蓋整個(gè)基板范圍的半導(dǎo)體層；然后用傳統(tǒng)的光刻工藝刻蝕(一般采用干法刻蝕)該半導(dǎo)體層以形成TFT有源結(jié)構(gòu)(即硅島)。接著步驟2，如圖Sb所示，形成一金屬層，刻蝕該金屬層形成光敏器件的第一端電極層611及612、隔離結(jié)構(gòu)161以及數(shù)據(jù)線、TFT源極電極和TFT漏極電極(未畫出)。具體的，該金屬層在整個(gè)基板范圍內(nèi)形成，覆蓋整個(gè)基板范圍內(nèi)的柵絕緣層600及其表面上的TFT有源結(jié)構(gòu)，所述金屬層可以為鋁金屬層，采用物理氣相沉積的方法形成，采用傳統(tǒng)光刻工藝刻蝕所述金屬層形成圖案化的第一端電極層層611及612、隔離結(jié)構(gòu)161以及數(shù)據(jù)線、TFT源極電極和TFT漏極電極。優(yōu)選的，所述隔離結(jié)構(gòu)161與所述第一端電極層611及612的距離相等，從而可使得隔離結(jié)構(gòu)161分別與兩個(gè)光敏器件形成的寄生電容相等。此夕卜，在本實(shí)施例中，利用所述形成第一端電極層611、612及隔離結(jié)構(gòu)161的同一金屬層形成薄膜晶體管的源漏電極，并且所述薄膜晶體管的源漏電極與所述第一端電極層611、612相連，即通過光刻及刻蝕工藝使得所述薄膜晶體管的源漏電極與所述N端電極層611、612之間具有金屬連接。相鄰數(shù)據(jù)線之間的隔離結(jié)構(gòu)連在一起形成一個(gè)隔離結(jié)構(gòu)161，并延伸至與外部公共電位連接，通常與地線連接，實(shí)現(xiàn)了與固定電位連接，從而使得其電位值固定，從而可使得后續(xù)形成的光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數(shù)固定與可知，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于光敏器件D12及光敏器件D21之間的寄生電容的電荷數(shù)變化與不可知，讀取的光敏器件D12或者光敏器件D21的光電流信號(hào)發(fā)生較大的偏差的問題，提高了讀取的光敏器件D12或者光敏器件 D21的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。然后步驟3，如圖Sc所示，形成第一絕緣層62 ( —般為鈍化層)，所述第一絕緣層62覆蓋步驟2之后整個(gè)基板范圍內(nèi)暴露在外的表面，即覆蓋第一端電極層611、612、隔離結(jié)構(gòu)161、數(shù)據(jù)線、TFT源極電極和TFT漏極電極、TFT源漏電極間的溝道等?？涛g該第一絕緣層52形成通孔520、522以暴露出光敏器件的第一端電極層511、512。接著步驟4，如圖8d所示，形成光敏器件的功能結(jié)構(gòu)層630。該功能結(jié)構(gòu)層630覆蓋步驟3之后整個(gè)基板范圍內(nèi)暴露出的表面，可以采用現(xiàn)有光敏器件的傳統(tǒng)層疊結(jié)構(gòu)。以圖8d所示為例，功能結(jié)構(gòu)層630的N端在下、P端在上，N端通過過孔620、622分別與第一端電極層(此時(shí)第一端電極層為N端電極層)611、612連接。該功能結(jié)構(gòu)層630的N端設(shè)置有N型半導(dǎo)體層6301、P端設(shè)置有P型半導(dǎo)體層6302。光敏器件的功能結(jié)構(gòu)層可以為PIN結(jié)構(gòu)(自下而上依次為N-1-P)或MIS結(jié)構(gòu)(自下而上依次為M-1-S)，對(duì)應(yīng)的光敏器件為PIN型光電二極管或MIS型光電二極管。當(dāng)然，作為另一種實(shí)施方式，功能結(jié)構(gòu)層530也可以為P端在下、N端在上，P端通過過孔分別與第一端電極層(此時(shí)第一端電極層為P端電極層)連接。步驟5，如圖Se所示，形成一透明導(dǎo)電層，刻蝕該透明導(dǎo)電層形成第二端電極層(此時(shí)第二端電極層為P端電極層)641、642，刻蝕該功能結(jié)構(gòu)層630形成各個(gè)獨(dú)立的光敏器件。在步驟4之后，整個(gè)基板范圍內(nèi)顯露的表面為功能結(jié)構(gòu)層630的P端表面，該透明導(dǎo)電層(一般為ITO)在整個(gè)基板范圍內(nèi)覆蓋該P(yáng)端表面，可以采用物理氣相沉積法形成；然后用光刻工藝刻蝕(可采用濕法刻蝕)該透明導(dǎo)電層以形成圖案化的P端電極層641、642 ；接下來采用光刻工藝刻蝕(可采用干法刻蝕)該功能機(jī)構(gòu)層630以形成圖案化的功能結(jié)構(gòu)層631和632。至此，就形成了各個(gè)獨(dú)立的光敏器件；所述N端電極層611、通過過孔與其上形成的功能結(jié)構(gòu)層631的N型半導(dǎo)體層6311接觸，功能結(jié)構(gòu)層631的P型半導(dǎo)體層6312上形成有P端電極層641，構(gòu)成了光敏器件D12 ;所述N端電極層612、通過過孔與其上形成的功能結(jié)構(gòu)層632的N型半導(dǎo)體層6321接觸，功能結(jié)構(gòu)層632的P型半導(dǎo)體層6322上形成有P端電極層642，構(gòu)成了光敏器件D21。當(dāng)然，作為另一種實(shí)施方式，當(dāng)步驟4中，功能結(jié)構(gòu)層530為P端在下、N端在上時(shí)，第二端電極層為N端電極層。步驟5中用光刻工藝刻蝕該透明導(dǎo)電層以形成圖案化的第二端電極層641、642和用光刻工藝刻蝕功能結(jié)構(gòu)層630以形成圖案化的功能結(jié)構(gòu)層631和632可以共用一個(gè)光刻工藝，即刻蝕功能結(jié)構(gòu)層630可以以刻蝕該透明導(dǎo)電層中所形成的圖案化的光刻膠為掩膜。接著步驟6，如圖8f所示，形成第二絕緣層65 (可采用氮化硅)，所述第二絕緣層65覆蓋步驟5之后整個(gè)基板范圍內(nèi)所有顯露出來的表面，包括第二端電極層641及第二端電極層642，并填充光敏器件之間的間隙(同時(shí)覆蓋露出的第一絕緣層62)。用光刻工藝刻蝕該第二絕緣層以暴露出光敏器件的第二端電極層541及第二端電極層542，即在所述第二端電極層641上形成接觸孔650，在所述第二端電極層642上形成接觸孔651。所述第二絕緣層65與前述步驟 中形成的第一絕緣層62共同隔絕光敏器件D12及光敏器件D21。最后步驟7，如圖Sg所示，形成一第二透明導(dǎo)電層，刻蝕該第二透明導(dǎo)電層以形成圖案化的公共電極層66。該第二透明導(dǎo)電層(一般為ΙΤ0)在整個(gè)基板范圍內(nèi)覆蓋步驟6形成的第二絕緣層65和暴露出的第二端電極層；這樣第二端電極層641、6426通過該第二透明導(dǎo)電層連接在一起，進(jìn)而可以連接至外部公共電位。在基板邊緣出設(shè)置有多個(gè)引出電極，為了防止這些引出電極之間通過該第二透明導(dǎo)電層短接或者為了減小寄生電容，還需要對(duì)該第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行光刻刻蝕形成公共電極層66 ;所述公共電極層66覆蓋所述第二絕緣層65、第二端電極層641及第二端電極層642，所述公共電極層66在外部與公共電位連接。實(shí)施例三請(qǐng)參考圖9，其為本發(fā)明實(shí)施例三的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖9所示，平板型X射線圖像傳感器7包括為了圖示與描述的清晰，圖9中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ;以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性或?qū)ΨQ性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)171作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器7中具有重復(fù)性或?qū)ΨQ性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器7均適用。具體的，如圖9所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)171，所述隔離結(jié)構(gòu)171與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)171將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏 器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)171的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)171與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器7的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過所述薄膜晶體管Τ12、Τ21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管Τ21 (當(dāng)然，在圖9中還包括薄膜晶體管Τ11)，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D21的光電流信號(hào)的讀取(當(dāng)然，在圖9中還可通過讀取數(shù)據(jù)線SI，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件Dll的光電流信號(hào)的讀取)。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管Τ21 (此處的“打開”指薄膜晶體管Τ21接入電路，使得通過薄膜晶體管Τ21的光敏器件D21與數(shù)據(jù)線S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管Τ21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。當(dāng)掃描線G2為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管Τ12及Τ22，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線SI實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12的光電流信號(hào)的讀取，通過讀取數(shù)據(jù)線S2實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D22的光電流信號(hào)的讀取。通過圖9以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件D11、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖9中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。圖10為圖9所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿C-C'的剖面示意圖。如圖10所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板70 ;基板70上形成有柵絕緣層700 ;公共電極層71形成于柵絕緣層700上，同時(shí)，光敏器件D12形成于所述柵絕緣層700上，所述光敏器件D12包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層700上的P端電極層711、設(shè)置于P端電極層711上的功能結(jié)構(gòu)層731、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層731上的N端電極層741，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層731必然是P端在下、N端在上的。P端電極層711與功能結(jié)構(gòu)層731之間還設(shè)置有第一絕緣層72( —般為鈍化層)，P端電極層711通過設(shè)置于第一絕緣層72中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層731的P端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層731包括P型半導(dǎo)體7311層和N型半導(dǎo)體層7312，該功能結(jié)構(gòu)層731的N極一端處設(shè)置的N端電極層741通過過孔(未畫出)與對(duì)應(yīng)耦接的薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖10中功能結(jié)構(gòu)層731包括N型半導(dǎo)體層7311和P型半導(dǎo)體層7312僅僅是一個(gè)示例，其具體結(jié)構(gòu)可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件；或者所述光敏器件為MIS (metal-1nsulator-semiconductor)型光敏器件。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結(jié)構(gòu)，即光敏器件D21形成于柵絕緣層700上，其包括依次形成在柵絕緣層700上的P端電極層712、設(shè)置于P端電極層712上的功能結(jié)構(gòu)層732、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層732上的N端電極層742，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層732必然是P端在下、N端在上的。P端電極層712與功能結(jié)構(gòu)層732之間還設(shè)置有第一絕緣層72 ( 一般為鈍化層)，P端電極層712通過設(shè)置于第一絕緣層72中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層732的P端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層732包括P型半導(dǎo)體7321層和N型半導(dǎo)體層7322，該功能結(jié)構(gòu)層732的N極一端處設(shè)置的N端電極層742通過過孔(未畫出)與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接。從圖10中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設(shè)置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層72和第二絕緣層75構(gòu)成。第二絕緣層75不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21的上方。光敏器件D12的功能結(jié)構(gòu)層731的P極一端處設(shè)置的P端電極層711與光敏器件D21的功能結(jié)構(gòu)層732的P極一端處設(shè)置的P端電極層712通過公共電極層71連接在一起并電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層711、712與公共電極層71位于同一層上，圖案化所述P端電極層711、712及公共電極層71時(shí)，同時(shí)形成所述P端電極層711、712與公共電極層71間的連接結(jié)構(gòu)。作為優(yōu)選實(shí)施方式，公共電極層71采用透明導(dǎo)電 材料，如氧化銦錫(ITO)。在實(shí)際工藝生產(chǎn)過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應(yīng)各層在同一工藝步驟中制備，因此處于同一層，具體的說就是，P端電極層711與P端電極層712位于同一層，P型半導(dǎo)體層7311與P型半導(dǎo)體層7321位于同一層，N型半導(dǎo)體層7312與N型半導(dǎo)體層7322位于同一層，N端電極層741與N端電極層742位于同一層。兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)171，并使該隔離結(jié)構(gòu)171與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖10中該隔離結(jié)構(gòu)171位于N端電極層741、N端電極層742之間，并且通過設(shè)置于光敏器件D12與光敏器件D21之間、位于第一絕緣層72中的過孔與公共電極層71電連接。通常，該隔離結(jié)構(gòu)171與N端電極層741、N端電極層742位于同一層；P端電極層與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極、薄膜晶體管TFT的漏極電極位于同一層，在同一工藝步驟中制備，所有P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位。該隔離結(jié)構(gòu)131可以采用導(dǎo)電材料，例如金屬或者透明導(dǎo)電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2))，優(yōu)選采用金屬材料，如鋁。這一實(shí)施方式中，所有隔離結(jié)構(gòu)在物理上是不相連的，只是分別通過設(shè)置于所述絕緣層的過孔與所述公共電極層實(shí)現(xiàn)彼此電連接。如圖9中所示，隔離結(jié)構(gòu)171與隔離結(jié)構(gòu)172在物理上不直接連接。優(yōu)選的，隔離結(jié)構(gòu)171設(shè)置于為N端電極層741與N端電極層742正中，即隔離結(jié)構(gòu)171分別與N端電極層741、N端電極層742之間的距離相等，從而可使得隔離結(jié)構(gòu)171分別與兩個(gè)光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。優(yōu)選的，隔離結(jié)構(gòu)171與掃描線Gl和G2保持6um以上的距尚。在兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)171，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個(gè)大小相等的電容，且兩個(gè)電容有相同的參考電位。當(dāng)光敏器件D12與D21數(shù)據(jù)被讀出時(shí)，對(duì)應(yīng)的寄生電容對(duì)各自的影響效應(yīng)是等量的，對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)的線性區(qū)間這一影響是可以被忽略的。需要說明的是，圖10僅僅為圖9所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)171沿C-C'的剖面示意圖。鑒于平板型X射線圖像傳感器的重復(fù)結(jié)構(gòu)，其他掃描線組與相鄰數(shù)據(jù)線所圍區(qū)域的相鄰光敏器件 及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)也采用圖10所示的光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)171相同的結(jié)構(gòu)，在此不再重復(fù)闡述。另外，圖10也僅僅示出了圖9的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)171沿C-C'的一種剖面結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)中，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括P端電極層711、設(shè)置于P端電極層711上的功能結(jié)構(gòu)層731、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層731上的N端電極層741，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層731是P端在下、N端在上的；隔離結(jié)構(gòu)與N端電極層位于同一層，P端電極層與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實(shí)施方式，圖9的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)171沿C-C'的具有另一種剖面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)與圖10所示的剖面結(jié)構(gòu)很相似，其區(qū)別僅在于，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括N端電極層、設(shè)置于N端電極層上的功能結(jié)構(gòu)層、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層上的P端電極層，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層是N端在下、P端在上的；此時(shí)，隔離結(jié)構(gòu)與P端電極層位于同一層，N端電極層與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接；其余結(jié)構(gòu)均可以和圖10所示相應(yīng)結(jié)構(gòu)相同。由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設(shè)置在基板上構(gòu)成如圖9所示的陣列，并且每一個(gè)光敏器件(優(yōu)選為光電二級(jí)管)均包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層。其中，功能結(jié)構(gòu)層包括N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，靠近N型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為N端電極層，靠近P型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為P端電極層；各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的一端(N端電極層或P端電極層)與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極/源極電連接，各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的另一端(對(duì)應(yīng)的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起并連接至外部公共電位。實(shí)施例四請(qǐng)參考圖11，其為本發(fā)明實(shí)施例四的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖11所示，平板型X射線圖像傳感器8包括為了圖示與描述的清晰，圖11中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上， 實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)181作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器8中具有重復(fù)性或?qū)ΨQ性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器8均適用。具體的，如圖11所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線G2電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21分別與不同的掃描線耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)181，所述隔離結(jié)構(gòu)181與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管T13、T14、T23、T24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)181將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)181的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)181與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器8的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過所述薄膜晶體管T12、T21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管T21 (當(dāng)然，在圖11中還包括薄膜晶體管Tll)，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D21的光電流信號(hào)的讀取(當(dāng)然，在圖11中還可通過讀取數(shù)據(jù)線SI，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件Dll的光電流信號(hào)的讀取)。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管T21 (此處的“打開”指薄膜晶體管T21接入電路，使得通過薄膜晶體管T21的光敏器件D21與數(shù)據(jù)線S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。當(dāng)掃描線G2為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管T12及T22，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線SI實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12的光電流信號(hào)的讀取，通過讀取數(shù)據(jù)線S2實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D22的光電流信號(hào)的讀取。通過圖11以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖11中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了 寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。圖12為圖11所示的平板型X射線圖像傳感器采用一種光敏器件的結(jié)構(gòu)時(shí)沿D-D'的首I]面不意圖。如圖12所示，平板型X射線圖像傳感器包括一基板80 ;基板80上形成有柵絕緣層800 ;公共電極層81形成于柵絕緣層800上，同時(shí)，光敏器件D12形成于所述柵絕緣層800上，所述光敏器件D12包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層，具體地說，其包括依次形成在柵絕緣層800上的P端電極層811、設(shè)置于P端電極層811上的功能結(jié)構(gòu)層831、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層831上的N端電極層841，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層831必然是P端在下、N端在上的。P端電極層811與功能結(jié)構(gòu)層831之間還設(shè)置有第一絕緣層72( —般為鈍化層)，P端電極層811通過設(shè)置于第一絕緣層72中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層831的P端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層831包括P型半導(dǎo)體8311層和N型半導(dǎo)體層8312，該功能結(jié)構(gòu)層831的N極一端處設(shè)置的N端電極層841通過過孔(未畫出)與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接。需要說明的是，圖12中功能結(jié)構(gòu)層831包括N型半導(dǎo)體層8311和P型半導(dǎo)體層8312僅僅是一個(gè)示例，其具體結(jié)構(gòu)可以有多種選擇，例如，所述光敏器件為PIN(P+/1-layer/N+)型光敏器件；或者所述光敏器件為MIS (metal-1nsulator-semi conductor)型光敏器件。同樣的，光敏器件D21與光敏器件D12具有相同的結(jié)構(gòu)，即光敏器件D21形成于柵絕緣層800上，其包括依次形成在柵絕緣層800上的P端電極層812、設(shè)置于P端電極層812上的功能結(jié)構(gòu)層832、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層832上的N端電極層842，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層832必然是P端在下、N端在上的。P端電極層812與功能結(jié)構(gòu)層832之間還設(shè)置有第一絕緣層72 ( 一般為鈍化層)，P端電極層812通過設(shè)置于第一絕緣層72中的過孔與功能結(jié)構(gòu)層832的P端連接。其中，功能結(jié)構(gòu)層832包括P型半導(dǎo)體8321層和N型半導(dǎo)體層8322，該功能結(jié)構(gòu)層832的N極一端處設(shè)置的N端電極層842通過過孔(未畫出)與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接。從圖12中可以看出，光敏器件D12與光敏器件D21之間設(shè)置有絕緣層，該絕緣層由第一絕緣層82和第二絕緣層85構(gòu)成。第二絕緣層85不僅填充光敏器件D12與光敏器件D21之間的間隙，還覆蓋光敏器件D12與光敏器件D21之間的上方。光敏器件D12的功能結(jié)構(gòu)層831的P極一端處設(shè)置的P端電極層811與光敏器件D21的功能結(jié)構(gòu)層832的P極一端處設(shè)置的P端電極層812通過公共電極層81連接在一起并電連接到外部公共電位上。具體的說，P端電極層811、812與公共電極層81位于同一層上，圖案化所述P端電極層811、812及公共電極層81時(shí)，同時(shí)形成所述P端電極層811、812與公共電極層81間的連接結(jié)構(gòu)。作為優(yōu)選實(shí)施方式，公共電極層81采用透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)。在實(shí)際工藝生產(chǎn)過程中，光敏器件D12與光敏器件D21的相應(yīng)各層在同一工藝步驟中制備，因此處于同一層，具體的說就是，P端電極層811與P端電極層812位于同一層，P型半導(dǎo)體層8311與P型半導(dǎo)體層8321位于同一層，N型半導(dǎo)體層8312與N型半導(dǎo)體層8322位于同一層，N端電極層841與N端電極層842位于同一層。兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)181，并使該隔離結(jié)構(gòu)181與參考電位(一般為固定電位)連接。具體的，圖12中該隔離結(jié)構(gòu)181位于N端電極層841、N端電極層842之間，所述隔離結(jié) 構(gòu)181延伸至與外部公共電位連接，通常各隔離結(jié)構(gòu)連接在一起并與地線連接。通常，該隔離結(jié)構(gòu)181與N端電極層841、N端電極層842位于同一層；P端電極層與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極、薄膜晶體管TFT的漏極電極位于同一層，在同一工藝步驟中制備，所有P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位。該隔離結(jié)構(gòu)131可以采用導(dǎo)電材料，例如金屬或者透明導(dǎo)電金屬氧化物(ΙΤ0或者SnO2)),優(yōu)選采用金屬材料，如鋁。這一實(shí)施方式中，相鄰數(shù)據(jù)線之間的隔離結(jié)構(gòu)在物理上是相連的，在圖11中即顯示出數(shù)據(jù)線SI及S2之間、所有掃描線組G12及G34之間的隔離結(jié)構(gòu)連在一起形成一個(gè)隔離結(jié)構(gòu)181，當(dāng)然，本實(shí)施例只示出了平板型X射線圖像傳感器的部分結(jié)構(gòu)，若在數(shù)據(jù)線S2的另一側(cè)還具有數(shù)據(jù)線S3，則在數(shù)據(jù)線S2及S3之間也將具有隔離結(jié)構(gòu)，該隔離結(jié)構(gòu)與隔離結(jié)構(gòu)181都延伸至與外部公共電位連接。優(yōu)選的，隔離結(jié)構(gòu)181設(shè)置于為N端電極層841與N端電極層842正中，即隔離結(jié)構(gòu)181分別與N端電極層841、N端電極層842之間的距離相等，從而可使得隔離結(jié)構(gòu)181分別與兩個(gè)光敏器件D12、D21之間形成的寄生電容相等。在兩個(gè)光敏器件D12、D21之間設(shè)置隔離結(jié)構(gòu)181，使得相鄰電極之間的寄生電容被分割為兩個(gè)大小相等的電容，且兩個(gè)電容有相同的參考電位。當(dāng)光敏器件D12與D21數(shù)據(jù)被讀出時(shí)，對(duì)應(yīng)的寄生電容對(duì)各自的影響效應(yīng)是等量的，對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)的線性區(qū)間這一影響是可以被忽略的。需要說明的是，圖12僅僅為圖11所示的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)181沿D-D'的剖面示意圖。鑒于平板型X射線圖像傳感器的重復(fù)結(jié)構(gòu)，其他掃描線組與相鄰數(shù)據(jù)線所圍區(qū)域的相鄰光敏器件及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)也采用圖12所示的光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)181相同的結(jié)構(gòu)，在此不再重復(fù)闡述。另外，圖12也僅僅示出了圖11的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)181沿D-D'的一種剖面結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)中，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括P端電極層811、設(shè)置于P端電極層811上的功能結(jié)構(gòu)層831、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層831上的N端電極層841，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層831是P端在下、N端在上的；隔離結(jié)構(gòu)與N端電極層位于同一層，P端電極層與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。但是作為另一種實(shí)施方式，圖11的平板型X射線圖像傳感器中掃描線組G12與相鄰數(shù)據(jù)線S1、S2所圍區(qū)域的相鄰光敏器件D12、D21及其之間設(shè)置的隔離結(jié)構(gòu)181沿D-D'的具有另一種剖面結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)與圖12所示的剖面結(jié)構(gòu)很相似，其區(qū)別僅在于，各個(gè)光敏器件從下而上依次包括N端電極層、設(shè)置于N端電極層上的功能結(jié)構(gòu)層、設(shè)置于功能結(jié)構(gòu)層上的P端電極層，此時(shí)功能結(jié)構(gòu)層是N端在下、P端在上的；此時(shí)，隔離結(jié)構(gòu)與P端電極層位于同一層，N端電極層與數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接；其余結(jié)構(gòu)均可以和圖12所示相應(yīng)結(jié)構(gòu)相同。 由此可知，平板型X射線圖像傳感器中所有的光敏器件均設(shè)置在基板上構(gòu)成如圖11所示的陣列，并且每一個(gè)光敏器件(優(yōu)選為光電二級(jí)管)均包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層。其中，功能結(jié)構(gòu)層包括N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，靠近N型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為N端電極層，靠近P型半導(dǎo)體層一端設(shè)置的電極為P端電極層；各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的一端(N端電極層或P端電極層)與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極/源極電連接，各個(gè)功能結(jié)構(gòu)層的另一端(對(duì)應(yīng)的P端電極層或N端電極層)通過公共電極層連接在一起并連接至外部公共電位。實(shí)施例五請(qǐng)參考圖13，其為本發(fā)明實(shí)施例五的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖13所示，平板型X射線圖像傳感器9包括為了圖示與描述的清晰，圖13中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)191作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器9中具有重復(fù)性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器9均適用。此外，在本實(shí)施例的平板型X射線圖像傳感器9的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)191，并且一般采用IT0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)191與掃描線組G12，數(shù)據(jù)線S1、S2以及開關(guān)單元T12、T21之間的關(guān)系，在圖13中，所述Com電極未示出。具體的，如圖13所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)191，所述隔離結(jié)構(gòu)191與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管Τ13、Τ14、Τ23、Τ24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)191將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位 值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)191的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)191與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器9的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過所述薄膜晶體管Τ12、Τ21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管Τ12、Τ21，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S1、S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21的光電流信號(hào)的讀取。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管T12、T21 (此處的“打開”指薄膜晶體管Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜晶體管T12、T21的光敏器件D12、D21分別與數(shù)據(jù)線S1、S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管T12讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。此外，當(dāng)打開掃描線G2時(shí)，數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號(hào)，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T22讀取光敏器件D22的光電流信號(hào)。通過圖13以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖13中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。在本實(shí)施例中，圖13中E-E^的剖面圖與圖4中A-A^的剖面圖相同，具體可參考圖4中A-A'的剖面圖以進(jìn)一步了解本實(shí)施例提供的平板型X射線圖像傳感器9。實(shí)施例六請(qǐng)參考圖14，其為本發(fā)明實(shí)施例六的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖14所示，平板型X射線圖像傳感器10包括為了圖示與描述的清晰，圖14中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。

此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)IlOl作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器10中具有重復(fù)性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器10均適用。此外，在本實(shí)施例的平板型X射線圖像傳感器10的俯視圖中，公共電極層(或稱為Com電極)覆蓋所述光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)1101，并且一般采用ΙΤ0，為了圖示出光敏器件D12、D21及隔離結(jié)構(gòu)IlOl與掃描線組G12，數(shù)據(jù)線S1、S2以及開關(guān)單元T12、T21之間的關(guān)系，在圖14中，所述Com電極未示出。具體的，如圖14所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)1101，所述隔離結(jié)構(gòu)IlOl與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管T13、T14、T23、T24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)IlOl將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)IlOl的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)IlOl與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器10的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過所述薄膜晶體管Τ12、Τ21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管Τ12、Τ21，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S1、S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21的光電流信號(hào)的讀取。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管T12、T21 (此處的“打開”指薄膜晶體管Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜晶體管Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分別與數(shù)據(jù)線S1、S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管T12讀取光 敏器件D12的光電流信號(hào)，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。此外，當(dāng)打開掃描線G2時(shí)，數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號(hào) ，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T22讀取光敏器件D22的光電流信號(hào)。通過圖14以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖14中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。在本實(shí)施例中，圖14中F-Γ的剖面圖與圖6中B-B^的剖面圖相同，具體可參考圖6中B-B'的剖面圖以進(jìn)一步了解本實(shí)施例提供的平板型X射線圖像傳感器10。實(shí)施例七請(qǐng)參考圖15，其為本發(fā)明實(shí)施例七的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖15所示，平板型X射線圖像傳感器11包括為了圖示與描述的清晰，圖15中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)Illl作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器11中具有重復(fù)性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器11均適用。具體的，如圖15所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、 S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)1111，所述隔離結(jié)構(gòu)Illl與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管T13、T14、T23、T24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)Illl將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)Illl的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)Illl與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器11的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過所述薄膜晶體管Τ12、Τ21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管Τ12、Τ21，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S1、S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21的光電流信號(hào)的讀取。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管T12、T21 (此處的“打開”指薄膜晶體管Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜晶體管Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分別與數(shù)據(jù)線S1、S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管T12讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。此外，當(dāng)打開掃描線G2時(shí)，數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號(hào)，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T22讀取光敏器件D22的光電流信號(hào)。通過圖15以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖15中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。在本實(shí)施例中，圖15中GW的剖面圖與圖9中C-CT的剖面圖相同，具體可參考圖9中C-C'的剖面圖以進(jìn)一步了解本實(shí)施例提供的平板型X射線圖像傳感器11。實(shí)施例八請(qǐng)參考圖16，其為本發(fā)明實(shí)施例八的平板型X射線圖像傳感器的俯視示意圖。如圖16所示，平板型X射線圖像傳感器12包括為了圖示與描述的清晰，圖16中只示意性的畫出了兩個(gè)掃描線組(掃描線Gl與掃描線G2組成的掃描線組G12 ；以及掃描線G3與掃描線G4組成的掃描線組G34)以及兩根數(shù)據(jù)線(數(shù)據(jù)線SI及數(shù)據(jù)線S2)，需要說明的是，由于平板型X射線圖像傳感器結(jié)構(gòu)的重復(fù)性，在本實(shí)施例公開的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)包括更多個(gè)掃描線組及更多根數(shù)據(jù)線的平板型X射線圖像傳感器是清楚并且易于實(shí)現(xiàn)的。此外，在本實(shí)施例接下去的描述中，將以掃描線組G12以及數(shù)據(jù)線S1、S2以及其間的光敏器件D12、D21，隔離結(jié)構(gòu)1121作為重點(diǎn)描述對(duì)象，由于上述結(jié)構(gòu)在整個(gè)平板型X射線圖像傳感器12中具有重復(fù)性，須知此部分結(jié)構(gòu)具有的性能將對(duì)于整個(gè)平板型X射線圖像傳感器12均適用。具體的，如圖16所示，在掃描線組G12的兩根掃描線G1、G2之間、數(shù)據(jù)線SI兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件Dll和光敏器件D12，數(shù)據(jù)線S2兩側(cè)分別設(shè)置有光敏器件D21和光敏器件D22 ;光敏器件Dll通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT) Tll與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的一根掃描線G2耦接，光敏器件D12通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T12與所述數(shù)據(jù)線SI和所述兩根掃描線中的另一根掃描線Gl耦接；光敏器件D21通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T21與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的一根掃描線Gl耦接，光敏器件D22管通過開關(guān)單元(優(yōu)選為薄膜晶體管TFT)T22與所述數(shù)據(jù)線S2和所述兩根掃描線中的另一根掃描線G2耦接。具體的說，所述光敏器件D12的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T12的漏極/源 極電連接，所述薄膜晶體管T12的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T12的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線SI電連接；所述光敏器件D21的一端(N端或P端)與所述薄膜晶體管T21的漏極/源極電連接，所述薄膜晶體管T21的柵極與所述掃描線Gl電連接，所述薄膜晶體管T21的源極/漏極與所述數(shù)據(jù)線S2電連接。即在本實(shí)施例中，所述掃描線組G12和數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)設(shè)置的兩個(gè)相鄰光敏器件D12、D21通過薄膜晶體管T12、T21與相同的掃描線Gl耦接。在掃描線組G12的兩根掃描線Gl、G2與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線S1、S2相交而成的區(qū)域內(nèi)的兩個(gè)相鄰的光敏器件D12、D21之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)1121，所述隔離結(jié)構(gòu)1121與參考電位(一般為固定電位)連接。掃描線組G34與數(shù)據(jù)線S1、S2交叉位置關(guān)系以及相應(yīng)的光敏器件D13、D14、D23、D24和薄膜晶體管T13、T14、T23、T24的設(shè)置與掃描線組G12相同，在此不再重復(fù)。所有光敏器件的另外一端(P端或N端)均連接至公共電位。已知光敏器件D12、D21之間具有寄生電容，通過所述隔離結(jié)構(gòu)1121將所述光敏器件D12、D21進(jìn)行隔離，具體的，當(dāng)讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)時(shí)，寄生電容的參考電位將不再以光敏器件D21的電位值作為參考電位，而是將隔離結(jié)構(gòu)1121的電位值作為參考電位。而在本發(fā)明實(shí)施例中，將所述隔離結(jié)構(gòu)1121與固定電位連接，由此，當(dāng)讀取光敏器件D12的電位值時(shí)，寄生電容的參考電位將是一固定值，即所述固定電位的電位值。從而，在讀取光敏器件D12時(shí)，所讀取的寄生電容的電荷數(shù)是一定的并且可知的，由此，該電荷數(shù)對(duì)于光敏器件D12的影響是一定的并且可知的。當(dāng)需要知道光敏器件D12所讀取的光電流信號(hào)的精確值時(shí)，只需將寄生電容的影響去除即可，而寄生電容的電荷數(shù)是一定并且可知的，從而去除其對(duì)光敏器件D12的影響是易于實(shí)現(xiàn)的。由此，提高了讀取的光敏器件D12的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器12的可靠性。同樣的，也能正確、可靠地讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。通過所述薄膜晶體管Τ12、Τ21可實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21中的光電流信號(hào)的讀取。具體的，當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，即打開薄膜晶體管Τ12、Τ21，此時(shí)，便可通過讀取數(shù)據(jù)線S1、S2，實(shí)現(xiàn)對(duì)光敏器件D12、D21的光電流信號(hào)的讀取。即當(dāng)掃描線Gl為開啟狀態(tài)時(shí)，打開薄膜晶體管T12、T21 (此處的“打開”指薄膜晶體管Τ12、Τ21接入電路，使得通過薄膜晶體管Τ12、Τ21的光敏器件D12、D21分別與數(shù)據(jù)線S1、S2之間導(dǎo)通)，而數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管T12讀取光敏器件D12的光電流信號(hào)，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T21讀取光敏器件D21的光電流信號(hào)。此外，當(dāng)打開掃描線G2時(shí)，數(shù)據(jù)線SI可通過薄膜晶體管Tll讀取光敏器件Dll的光電流信號(hào)，數(shù)據(jù)線S2可通過薄膜晶體管T22讀取光敏器件D22的光電流信號(hào)。通過圖16以及背景技術(shù)的介紹可知，光敏器件Dll、D12、D21、D22是在同一行上的，即圖16中每一行上具有四個(gè)像素，而在此，只通過兩根數(shù)據(jù)線SI及S2即實(shí)現(xiàn)了對(duì)同一行四個(gè)像素?cái)?shù)據(jù)的讀取，由此可見，減少了掃描線的數(shù)量，降低了成本。而通過本發(fā)明所提供的上述結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步避免了寄生電容造成的讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的偏差，提高了讀取的光敏器件的光電流信號(hào)的正確性、可靠性，從而提高了平板X光感應(yīng)器的可靠性。在本實(shí)施例中，圖16中H-W的剖面圖與圖12中D-N的剖面圖相同，具體可參考圖12中D-D'的剖面圖以進(jìn)一步了解本實(shí)施例提供的平板型X射線圖像傳感器12。上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，包括 至少I個(gè)掃描線組，每一所述掃描線組包括兩根掃描線； 與所述掃描線組相交的至少2根數(shù)據(jù)線，在任一所述掃描線組的兩根掃描線之間、任一所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)分別設(shè)置有第一光敏器件和第二光敏器件，所述第一光敏器件通過開關(guān)單元與所述數(shù)據(jù)線和所述兩根掃描線中的一根掃描線耦接，所述第二光敏器件通過開關(guān)單元與所述數(shù)據(jù)線和所述兩根掃描線中的另一根掃描線耦接； 其中，任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)具有相鄰的兩個(gè)光敏器件，所述相鄰的兩個(gè)光敏器件之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)連接至參考電位。
2.如權(quán)利要求1所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述開關(guān)單元為薄膜晶體管TFT，所述薄膜晶體管TFT的柵極和與其耦接的掃描線電連接，所述薄膜晶體管TFT的源極/漏極和與其耦接的數(shù)據(jù)線電連接，所述薄膜晶體管TFT的漏極/源極和與其耦接的光敏器件的一端電極連接。
3.如權(quán)利要求2所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所有所述光敏器件的另外一端電極均連接至公共電位。
4.如權(quán)利要求3所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述光敏器件為PIN型光電二極管或MIS型光電二極管。
5.如權(quán)利要求3所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述光敏器件包括N端電極層、P端電極層、設(shè)置于所述N端電極層和P端電極層之間的功能結(jié)構(gòu)層。
6.如權(quán)利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述N端電極層、所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層。
7.如權(quán)利要求6所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。
8.如權(quán)利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述P端電極層、所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層。
9.如權(quán)利要求8所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位，各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。
10.如權(quán)利要求7或9所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述相鄰的兩個(gè)光敏器件之間、所述隔離結(jié)構(gòu)上設(shè)置有絕緣層，各所述隔離結(jié)構(gòu)分別通過設(shè)置于所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。
11.如權(quán)利要求7或9所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，相鄰數(shù)據(jù)線之間的隔離結(jié)構(gòu)連接在一起并與地線連接。
12.如權(quán)利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述N端電極層位于同一層；所有所述光敏器件的P端電極層與所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有所述光敏器件的P端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位；各所述光敏器件的N端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。
13.如權(quán)利要求5所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述P端電極層位于同一層；所有所述光敏器件的N端電極層與所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管TFT的源極電極和漏極電極位于同一層，所有所述光敏器件的N端電極層通過公共電極層電連接在一起并連接至公共電位；各所述光敏器件的P端電極層和與其耦接的薄膜晶體管TFT的漏極/源極連接。
14.如權(quán)利要求12或13所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述相鄰的兩個(gè)光敏器件之間、所述隔離結(jié)構(gòu)下設(shè)置有絕緣層，各所述隔離結(jié)構(gòu)分別通過設(shè)置于所述絕緣層的過孔與所述共同電極層電連接。
15.如權(quán)利要求12或13所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，各所述隔離結(jié)構(gòu)連接在一起并與地線連接。
16.如權(quán)利要求1所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)分別與所述兩個(gè)光敏器件之間的寄生電容大小相等。
17.如權(quán)利要求16所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)至所述兩個(gè)光敏器件的距離相等。
18.如權(quán)利要求1-9、12-13、16-17中的任一項(xiàng)所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電材料。
19.如權(quán)利要求18中的任一項(xiàng)所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述隔離結(jié)為金屬或者透明導(dǎo)電金屬氧化物比如ITO或者Sn02。
20.如權(quán)利要求19中的任一項(xiàng)所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物為ITO或者SnO2。
21.如權(quán)利要求1-9、12-13、16-17中的任一項(xiàng)所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)相鄰的兩個(gè)光敏器件分別通過開關(guān)單元與所述掃描線組中兩根掃描線中不同的掃描線耦接。
22.如權(quán)利要求1-9、12-13、16-17中的任一項(xiàng)所述的平板型X射線圖像傳感器，其特征在于，在任一所述掃描線組的兩根掃描線與相鄰的兩根所述數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內(nèi)相鄰的兩個(gè)光敏器件分別通過開關(guān)單元與所述掃描線組中兩根掃描線中相同的掃描線耦接。
23.一種平板型X射線圖像傳感器的制造方法，其特征在于，包括 步驟1、提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導(dǎo)體層的基板； 步驟2、形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成光敏器件的第一端電極層、隔離結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)線、TFT源極電極、TFT漏極電極； 步驟3、形成一鈍化層，刻蝕所述鈍化層暴露出光敏器件的第一端電極層； 步驟4、形成光敏器件的功能結(jié)構(gòu)層； 步驟5、形成一透明導(dǎo)電層，刻蝕所述透明導(dǎo)電層形成第二端電極層，刻蝕所述功能結(jié)構(gòu)層形成各個(gè)獨(dú)立的光敏器件； 步驟6、形成一絕緣層，所述絕緣層覆蓋光敏器件的第二電極層并填充光敏器件之間的間隙，刻蝕所述絕緣層暴露出光敏器件的第二端電極層； 步驟7、形成一第二透明導(dǎo)電層，刻蝕所述第二透明導(dǎo)電層形成公共電極層，所述公共電極層與所述露出的部分光敏器件的第二端電極層接觸。
24.如權(quán)利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的制造方法，其特征在于，提供一其上依次形成有TFT柵極電極及掃描線、柵絕緣層、TFT半導(dǎo)體層的基板的步驟包括 提供一基板； 在所述基板上形成一金屬層，刻蝕所述金屬層形成TFT柵極電極及掃描線； 形成一柵絕緣層； 形成一半導(dǎo)體層，刻蝕所述半導(dǎo)體層形成TFT有源結(jié)構(gòu)。
25.如權(quán)利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的制造方法，其特征在于，所述光敏器件為PIN型光電二極管或MIS型光電二極管。
26.如權(quán)利要求25所述的平板型X射線圖像傳感器的制造方法，其特征在于，步驟4中所述光敏器件功能結(jié)構(gòu)層為N-1-P或M-1-S。
27.如權(quán)利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的制造方法，其特征在于，步驟6中還刻蝕所述絕緣層和所述鈍化層暴露出所述隔離結(jié)構(gòu)；步驟7中所述公共電極層還與所述露出的隔離結(jié)構(gòu)接觸。
28.如權(quán)利要求23所述的平板型X射線圖像傳感器的制造方法，其特征在于，步驟2中所述隔離結(jié)構(gòu)延伸至外部接地端。
全文摘要
本發(fā)明提供一種平板型X射線圖像傳感器及其制造方法。在每?jī)闪邢袼毓蚕硪粭l數(shù)據(jù)線的圖像傳感器陣列中，在中間沒有數(shù)據(jù)線的相鄰兩列像素中間，配置具有一定電位的導(dǎo)電電極，從而將相鄰兩列像素隔離開，避免了像素之間的串?dāng)_和其他干擾。該電極同時(shí)具有對(duì)光電變換元器件施加合適電壓以及將各個(gè)像素的光電變換元器件的電極連接到外部公共電源的作用。
文檔編號(hào)H04N5/32GK103050499SQ20111030877
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2011年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月12日
發(fā)明者黃忠守, 陳艷光, 邱承彬, 金利波, 夏軍, 凌嚴(yán) 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司