專利名稱：一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電容專用管芯，特別是涉及一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯。
背景技術(shù)：
如專利ZL200680(^6071. 2公開了一種具有集成電子電路的半導(dǎo)體管芯，被配置以安裝在具有電容性換能器的殼體內(nèi)，所述電子電路包括第一電路，被配置為在輸入節(jié)點(diǎn)接收來自所述換能器的輸入信號(hào)并且在所述半導(dǎo)體管芯的焊盤上提供輸出信號(hào)；其中所述集成電子電路包括具有耦合到所述半導(dǎo)體管芯的焊盤的控制輸入的有源器件，以可操作地接合或斷開與所述第一電路互連的第二電路，從而以所述控制輸入選擇的模式操作所述集成電子電路，所述第二電路與所述一電路互連，從而與所述輸入節(jié)點(diǎn)分離。由于隨集成度要求，外圍電容體積偏大很難用于很多運(yùn)用領(lǐng)域。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)以上技術(shù)所存在的不足，提供一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，該電容專用管芯封裝體積小、成本低。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體方案為一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，包括設(shè)置在同一芯片上的N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)與多晶電容，所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)與多晶電容為電連接，所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)與多晶電容之間設(shè)置有三個(gè)P+區(qū)域。所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)包括P型襯底與P-型區(qū)域，所述P型襯底上設(shè)有 P-型區(qū)域，所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)的源電極與漏電極溝道之間設(shè)有N阱區(qū)域。所述多晶電容包括下極板、上極板以及介質(zhì)層，所述下極板與上極板之間設(shè)置有介質(zhì)層。本實(shí)用新型中，三個(gè)所述P+區(qū)域的大小與形狀相同，三個(gè)所述P+區(qū)域彼此隔離。本實(shí)用新型中，所述下極板為多晶硅層。本實(shí)用新型中，所述上極板為鋁層。本實(shí)用新型中，所述介質(zhì)層為耐高溫氮化硅(SiN)層。本實(shí)用新型具有的有益效果將電容同N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)集成在一個(gè)硅片上，減小了封裝體積、降低了成本；集成電路芯片中各元件兼容在同一硅片上；本實(shí)用新型尤其是在制作N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)的同時(shí)不需增加很多加工工藝，加工成本比后續(xù)封裝在一起低很多，具有推廣作用。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1、P型襯底，2、P-型區(qū)域，3、P+區(qū)域，6、N阱區(qū)域，8、上極板，9、下極版，10、頂柵，11、源電極與漏電極，21、N溝道場(chǎng)效晶體管，22、多晶電容。
具體實(shí)施方式
為使對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，用以較佳的實(shí)施例及附圖配合詳細(xì)的說明，說明如下如圖1所示，本實(shí)用新型所述一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯包括設(shè)置在同一芯片上的N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)21與多晶電容22，所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)21 與多晶電容22為電連接，所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET) 21與多晶電容22之間設(shè)置有三個(gè) P+區(qū)域3。所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET) 21包括P型襯底1與P-型區(qū)域2，所述P型襯底1 上設(shè)有P-型區(qū)域2，所述N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)21的源電極與漏電極11溝道之間設(shè)有 N阱區(qū)域6。所述多晶電容包括下極板9、上極板8以及介質(zhì)層，所述下極板9與上極板8之間設(shè)置有介質(zhì)層。進(jìn)一步，三個(gè)所述P+區(qū)域3的大小與形狀相同，三個(gè)所述P+區(qū)域3彼此隔離。進(jìn)一步，所述下極板9為多晶硅層。進(jìn)一步，所述上極板8為鋁層。進(jìn)一步，所述介質(zhì)層為耐高溫氮化硅(SiN)層。一種制造駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯的方法，該方法為在制作N阱區(qū)域6后生長(zhǎng)多晶硅12，對(duì)多晶硅12進(jìn)行光刻圖形和刻蝕處理、光刻圖形和刻蝕處理后對(duì)下極板9 多晶硅區(qū)域進(jìn)行大劑量磷注入、然后制作低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)的高溫氮化硅做電容介質(zhì)層，正面再做金屬淀積即制得多晶電容22，上面所述為多晶22電容與N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)21的工藝整合過程，即制得一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯。N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)21的淺溝道N型雜質(zhì)區(qū)由低濃度N型雜質(zhì)淺注入退火工藝和P型柵注入后的淺擴(kuò)散工藝形成。N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET) 21的最終溝道高度由結(jié)深更淺的頂柵10擴(kuò)散決定；頂柵10擴(kuò)散前的離子注入采用高能注入條件下的薄氧化層掩蔽處理。進(jìn)一步，所需的所述淺注入的深度等于該能量下離子直接注入硅中深度減去氧化層厚度；頂柵10高能離子注入可增加底柵P區(qū)的濃度以提高底柵控制的靈敏性。進(jìn)一步，N溝道注入與擴(kuò)散雜質(zhì)、N阱擴(kuò)散雜質(zhì)以及電容摻雜的雜質(zhì)都為磷。進(jìn)一步，所述頂柵10擴(kuò)散的雜質(zhì)為硼。其中，所述電容SiN工藝采用現(xiàn)有的成熟技術(shù)。本實(shí)用新型應(yīng)用于駐極體傳聲器，由于隨集成度要求，外圍電容體積偏大很難用于很多運(yùn)用領(lǐng)域，故本實(shí)用新型使外圍電容集成到器件里。本實(shí)用新型將電容同N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)集成在一個(gè)硅片上，減小了封裝體積、降低了成本；集成電路芯片中各元件的性能達(dá)到預(yù)定的要求，如得到了飽和漏電流 IDSS = 150 μ A 300 μ Α、夾斷電壓Vp = 0. 3 0. 5V高性能的N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET) 和電容值IOPF 100PF兼容在同一硅片上；在原有的N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)制造工藝基礎(chǔ)上規(guī)范出混合兼容電容工藝設(shè)計(jì)規(guī)則和N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)工藝的PCM管理規(guī)范；本實(shí)用新型尤其是在制作N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)的同時(shí)不需增加很多加工工藝，加工成本比后續(xù)封裝在一起低很多。 綜上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，其特征在于其包括設(shè)置在同一芯片上的N 溝道場(chǎng)效晶體管與多晶電容，所述N溝道場(chǎng)效晶體管與多晶電容為電連接，所述N溝道場(chǎng)效晶體管與多晶電容之間設(shè)置有三個(gè)P+區(qū)域；所述N溝道場(chǎng)效晶體管包括P型襯底與P-型區(qū)域，所述P型襯底上設(shè)有P-型區(qū)域，所述N溝道場(chǎng)效晶體管的源電極與漏電極溝道之間設(shè)有N阱區(qū)域；所述多晶電容包括下極板、上極板以及介質(zhì)層，所述下極板與上極板之間設(shè)置有介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，其特征在于三個(gè)所述P+區(qū)域的大小與形狀相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，其特征在于所述下極板為多晶硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，其特征在于所述上極板為鋁層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，其特征在于所述介質(zhì)層為氮化硅層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種駐極體麥克風(fēng)內(nèi)置電容專用管芯，包括設(shè)置在同一芯片上的N溝道場(chǎng)效晶體管與多晶電容，所述N溝道場(chǎng)效晶體管與多晶電容為電連接，所述N溝道場(chǎng)效晶體管與多晶電容之間設(shè)置有三個(gè)P+區(qū)域；所述N溝道場(chǎng)效晶體管包括P型襯底與P-型區(qū)域，所述P型襯底上設(shè)有P-型區(qū)域，所述N溝道場(chǎng)效晶體管的源電極與漏電極溝道之間設(shè)有N阱區(qū)域；所述多晶電容包括下極板、上極板以及介質(zhì)層，所述下極板與上極板之間設(shè)置有介質(zhì)層。本實(shí)用新型將電容同N溝道場(chǎng)效晶體管(JFET)集成在一個(gè)硅片上，減小了封裝體積、降低了成本，具有推廣作用。
文檔編號(hào)H04R19/01GK202068569SQ20112017903
公開日2011年12月7日 申請(qǐng)日期2011年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月30日
發(fā)明者龔宇遜 申請(qǐng)人:上海寶遜電聲器材有限公司