專利名稱：Rf開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般性地涉及半導(dǎo)體設(shè)備，并且更具體地涉及用于在RF應(yīng)用中使用的射頻(RF)開關(guān)。
背景技術(shù)：
圖I圖示了耦合至天線110的現(xiàn)有技術(shù)的示例性收發(fā)器100。收發(fā)器100包括被配置為在功率放大器130和接收器放大器140之間進(jìn)行切換的開關(guān)120，諸如固態(tài)單刀雙擲開關(guān)。收發(fā)器100還包括部署在開關(guān)120和天線110之間的濾波器150。在現(xiàn)有技術(shù)中，天線110有時(shí)耦合至各自包括開關(guān)120、功率放大器130和接收器放大器140的多個(gè)電路，其中每個(gè)這樣的電路專用于特定頻帶。這里，收發(fā)器100例如對一個(gè)或多個(gè)高頻帶和/或一個(gè)或多個(gè)低頻帶進(jìn)行處理。在這些實(shí)例中，濾波器150有選擇地去除該電路專用的特定頻帶之外的頻率。功率放大器130所產(chǎn)生的大部分功率處于一些所期望的頻率處，然而一些功率也會進(jìn)入該主要頻率的諧波中。因此，濾波器150的另一個(gè)功能是去除所傳送信號的較高諧波以使得天線HO僅以所期望的頻率進(jìn)行傳送。在操作中，收發(fā)器100通過將功率放大器130耦合至天線110來傳送RF信號，并且通過將接收器放大器140耦合至天線110來接收RF信號。然而，將要意識到的是，由于功率放大器130和接收器放大器140都耦合至相同的開關(guān)120，所以開關(guān)120會無意地將高功率傳送的RF信號耦合到接收器傳輸線路160上，該效應(yīng)被稱作寄生泄露。此外，開關(guān)120需要能夠應(yīng)對功率放大器所產(chǎn)生的處于大約15至30伏范圍內(nèi)的高電壓。這樣的電壓對于金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)開關(guān)而言是過高而無法承受的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性制品包括半導(dǎo)體設(shè)備、收發(fā)器和通信設(shè)備。在各個(gè)實(shí)施例中，該制品使用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)而完全實(shí)施于硅襯底上。示例性制品包括功率放大器、接收器放大器以及第一和第二傳輸線路。第一傳輸線路在功率放大器和天線端口之間延伸，而第二傳輸線路則在接收器放大器和天線端口之間延伸。示例性實(shí)施例還包括第一和第二閥。第一閥被配置為改變第一傳輸線路的阻抗，而第二閥則被配置為改變第二傳輸線路的阻抗。在示例性實(shí)施例中，第一和第二閥是可控的以使得當(dāng)一個(gè)開啟時(shí)另一個(gè)關(guān)閉。在各個(gè)實(shí)施例中，該制品附加地包括被配置為對第一和第二閥進(jìn)行相反控制的控制邏輯。在該制品包括通信設(shè)備的那些實(shí)施例中，例如，該制品能夠進(jìn)一步包括耦合至天線端口的天線。在各個(gè)實(shí)施例中，第一閥和/或第二閥能夠包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備，其可被控制以將閥耦合至接地端或者使得閥從接地端脫離耦合以便分別開啟和關(guān)閉閥。而且在各個(gè)實(shí)施例中，第一傳輸線路包括傳輸線路分段并且第一閥和/或第二閥可以包括都在節(jié)點(diǎn)處接合至第一傳輸線路的第一和第二線路。在這些實(shí)施例中，第一線路包括沿傳輸線路的分段部署的第一線路分段，并且第二線路包括沿傳輸線路的分段部署的第二線路分段。在一些實(shí)施例中，示例性制品在功率放大器和天線之間并不包括用于去除主頻率的諧波的濾波器，原因在于即使在第一傳輸線路上在工作頻率周圍的衰減微不足道時(shí)，整個(gè)電路也在高于功率放大器主頻率的頻率處在第一傳輸線路上引起了頻率的強(qiáng)烈衰減。在各個(gè)實(shí)施例中，第一和/或第二閥具有小于O. 5dB的插入損耗。而且在各個(gè)實(shí)施例中，第一閥能夠在功率放大器的主頻率處提供至少22dB的隔離。 本發(fā)明還提供了一種用于利用天線交替進(jìn)行發(fā)送和接收的方法。一種示例性方法包括交替地從功率放大器向天線傳送RF信號并且從天線接收RF信號。更具體地，在阻止耦合在接收器放大器和天線之間的接收器傳輸線路上的RF信號的同時(shí)在傳送器傳輸線路上執(zhí)行從功率放大器向天線傳送RF信號的步驟。類似地，在阻止傳送器傳輸線路上來自功率放大器的RF信號的同時(shí)在接收器傳輸線路上執(zhí)行從天線接收RF信號的步驟。在各個(gè)實(shí)施例中，CMOS設(shè)備從功率放大器通過傳送器傳輸線路向天線傳送RF信號切換至接收器放大器通過接收器傳輸線路從天線接收RF信號。在一些實(shí)施例中，阻止接收器傳輸線路上的RF信號包括將部署在接收器傳輸線路和接地端之間的第一閥保持為開啟狀態(tài)。同樣，在一些實(shí)施例中，阻止傳送器傳輸線路上來自功率放大器的RF信號的，包括將部署在傳送器傳輸線路和接地端之間的第二閥保持為開啟狀態(tài)。在這些實(shí)施例中的一些中，第一和/或第二閥包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備，并且將閥保持為開啟狀態(tài)的步驟包括控制雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備的柵極以使得該雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備在其源極和漏極之間導(dǎo)通?？刂齐p柵極半導(dǎo)體設(shè)備的柵極以使得該雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備在源極和漏極之間不導(dǎo)通使得閥關(guān)閉，以去除在相應(yīng)傳輸線路上來自閥的阻抗，以允許從功率放大器到天線進(jìn)行發(fā)送或者由接收器放大器從天線進(jìn)行接收。


圖I是耦合至天線的現(xiàn)有技術(shù)的收發(fā)器的示意性表示。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的通信設(shè)備的示意性表示。圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的閥的示意性表示。圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的閥的線路分段布局的示意性表示。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的閥的線路分段布局的示意性表示。圖6是根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)示例性實(shí)施例的閥的線路分段布局的示意性表示。圖7是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的閥的示意性表示。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的傳輸線路上由于處于“開啟”狀態(tài)的示例性閥而產(chǎn)生的作為信號頻率的函數(shù)的衰減的示圖。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的傳輸線路上由于處于“關(guān)閉”狀態(tài)的示例性閥而產(chǎn)生的作為信號頻率函數(shù)的衰減的示圖。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的傳送器傳輸線路上的整體衰減的示圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的用于發(fā)送和接收信號的方法的流程圖表示。
具體實(shí)施例方式本公開針對能夠?qū)⑻炀€交替耦合至傳送器放大 器或接收器放大器的RF開關(guān)設(shè)備。本公開還針對包括這樣的RF開關(guān)設(shè)備的制品，諸如集成電路(IC)以及如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、蜂窩電話、智能電話等的移動通信設(shè)備。本公開還針對操作RF開關(guān)設(shè)備的方法，以及集成有這樣的RF開關(guān)設(shè)備的設(shè)備。本發(fā)明的示例性RF開關(guān)設(shè)備包括兩個(gè)閥，一個(gè)閥被配置為控制部署在天線和接收器放大器之間的接收器傳輸線路，而另一個(gè)閥則被配置為控制天線和功率放大器之間的傳送器傳輸線路。如本文其它地方所特別定義的，閥包括可切換地將傳輸線路耦合至接地端的電路。當(dāng)電路耦合至接地端時(shí)，流過該電路的電流使得傳輸線路的阻抗增大由此使得傳輸線路上的信號嚴(yán)重衰減。當(dāng)從接地端脫離耦合時(shí)，傳輸線路的阻抗實(shí)質(zhì)上不受影響并且由于該值存在信號衰減最小。對該對閥進(jìn)行控制以使得當(dāng)一個(gè)閥開啟時(shí)另一個(gè)閥關(guān)閉，且反之亦然，從而天線從功率放大器接收信號或者接收放大器從天線接收信號。圖2是通信設(shè)備200的示意性表示,其包括天線110、功率放大器130、接收器放大器140、將功率放大器130耦合至天線110的傳送器傳輸線路210，以及將接收器放大器140耦合至天線110的接收器傳輸線路220。設(shè)備200還包括分別耦合至傳輸線路210和220的閥230和240。此外，設(shè)備200包括被配置為對閥230、240進(jìn)行控制的控制邏輯250。控制邏輯250被配置為接收控制線路260上的控制信號并且向兩個(gè)閥230、240中的每一個(gè)輸出相反信號。例如，根據(jù)控制信號，如果閥230接收到高電壓，則閥240接收低電壓，且反之亦然?？刂七壿?50的簡單示例是與非門(NAND gate)。如圖2所示，設(shè)備200可選地還包括耦合至閥230、240和天線110之間以及閥230、240和相應(yīng)放大器130、140之間的傳輸線路210、220的阻抗匹配電路270。在一些實(shí)施例中，阻抗匹配電路270可以包括耦合在接地端和傳輸線路210、220上的節(jié)點(diǎn)之間的電容器，以及與該節(jié)點(diǎn)和相應(yīng)閥230、240之間的傳輸線路210、220同軸(in-line)部署的電感器。在設(shè)備200的一些實(shí)施例中，功率放大器130、接收器放大器140、閥230、240以及阻抗匹配電路250被部署在封裝內(nèi)的半導(dǎo)體芯片上。在這些實(shí)施例中，通過封裝在天線110和傳輸線路210、220之間進(jìn)行連接，例如，通過將芯片上的焊盤接合至封裝上的焊盤，并且通過將封裝上的焊盤接合至包括天線的電路板上的焊盤。在一些實(shí)施例中，芯片包括CMOS芯片。傳輸線路210、220的用于接合天線110的端子在這里被稱作天線端口。雖然在圖2中沒有示出，但是天線端口處于傳輸線路210、220的交點(diǎn)處。還將意識到的是，設(shè)備200可以附加地包括與圖2所示的閥和放大器相并行的另外的閥和放大器以應(yīng)對多個(gè)頻帶。例如，高頻帶和低頻帶可以由兩個(gè)功率放大器130和兩個(gè)接收器放大器140來供應(yīng)，每個(gè)放大器具有到天線110的專用傳輸線路并且每個(gè)專用傳輸線路由專用閥進(jìn)行控制。
開關(guān)將一側(cè)上的天線端口(在許多現(xiàn)代情況下，天線印刷在電路板上或者印刷在電路板上所安裝的具體襯底上)在一個(gè)位置連接到接收器的低噪聲放大器的輸入或者在其它位置連接到功率放大器的輸出。如本文所使用的，閥被定義為具有以下組件、配置和屬性的電子電路。具體地，閥包括傳輸線路分段，在節(jié)點(diǎn)處結(jié)合至傳輸線路并且包括沿傳輸線路分段進(jìn)行部署的分段的第一傳導(dǎo)線路，以及能夠?qū)⒌谝痪€路耦合至接地端或者使其從那里脫離耦合的開關(guān)。如本文所使用的，一個(gè)線路分段沿另一個(gè)線路分段進(jìn)行部署，其中兩個(gè)分段在一些共用路徑上彼此相鄰部署，其中該路徑例如可以包括直線、曲線、8字形或方波圖案。線路分段的示例性配置在圖4-圖6中示出。第一和傳輸線路的分段被布置為使得當(dāng)電流流過二者時(shí)，傳輸線路中的電流以一個(gè)方向流動而第一線路中的電流以相反方向流動。由于在第一和傳輸線路的分段中流動的電流以相反方向流動，并且由于第一線路的分段是沿傳輸線路的分段進(jìn)行部署的，所以當(dāng) 電流流過二者時(shí)，傳輸線路的分段的阻抗與沒有電流在第一線路中流動時(shí)相比有所增加。所增加的阻抗用來使得沿傳輸線路傳播的信號發(fā)生衰減。貫穿本公開，閥在電流流過第一線路時(shí)被認(rèn)為是處于“開啟”狀態(tài)，否則就處于“關(guān)閉”狀態(tài)。傳輸線路的阻抗和RF信號在傳輸線路上的衰減在閥開啟時(shí)高，并且在阻抗閥關(guān)閉時(shí)低。傳輸線路上實(shí)際實(shí)現(xiàn)的阻抗取決于信號的頻率以及線路分段對稱性以及每個(gè)線路分段中流動的電流量的函數(shù)。如本文所使用的，閥與現(xiàn)有技術(shù)的開關(guān)120的區(qū)別之處在于開關(guān)120將一個(gè)傳輸線路交替耦合至兩個(gè)其它傳輸線路之一，而如本文所使用的閥則并不斷開傳輸線路。如本文所使用的閥還與場效應(yīng)晶體管(FET)有所區(qū)別。圖3示意性圖示了示例性閥300。閥300包括傳輸線路310和第一線路330，該傳輸線路310包括傳輸線路分段320，該第一線路330包括沿傳輸線路分段320進(jìn)行部署的第一線路分段340?？蛇x地，閥300還包括沿傳輸線路分段320部署的第二線路350和第二線路分段360。將要理解的是，雖然線路分段320、340和360在圖3中與其相應(yīng)線路的其余部分區(qū)別表示，但是這些線路分段內(nèi)的金屬跡線的物理尺寸(寬度和厚度)可以與線路上的其它地方?jīng)]有不同。線路330、350在節(jié)點(diǎn)370處接合至傳輸線路310。閥300還包括開關(guān)380，其能夠?qū)⒕€路330、350耦合至接地端或者與之脫離耦合。如所圖示的，線路分段320和340以及可選地360被配置為使得當(dāng)電流流過其中每一個(gè)時(shí)，流過第一和第二線路分段340、360的電流以一個(gè)方向流動而流過傳輸線路分段320的電流則以相反方向流動。在并不包括第二線路350的那些實(shí)施例中，并且當(dāng)閥處于開啟狀態(tài)時(shí)，流過傳輸線路310和第一線路330的電流的每一個(gè)均大約為閥300所接收電流的一半。在包括第二線路350的那些實(shí)施例中，流過傳輸線路310的電流大約是閥300所接收電流的一半，而線路330、350的每一個(gè)中的電流大約是閥300所接收電流的四分之一。在閥300的一些實(shí)施例中，閥300具有小于O. 5dB的插入損耗。優(yōu)選地，從節(jié)點(diǎn)370到分段340、360的距離之間的任何路徑長度差都應(yīng)當(dāng)是波長的整數(shù)倍，從而相位沿分段340、360得以被保持。圖4示出了閥的示例性部分。在該示例中，傳輸線路分段320包括具有在任一側(cè)上沿傳輸線路分段320進(jìn)行部署的第一和第二線路分段340、360的圓弧。在線路分段320、340,360的每一個(gè)中電流流動方向利用箭頭示出。線路分段320、340、360的長度類似于圖4中的示例但是并不相等。將要意識到的是，可以通過使得每個(gè)弧線包含(subtend)不同角度而使得線路分段320、340、360的長度相等。圓弧的示例性直徑為300 μ m至1mm。而且，圖4中線路分段320、340、360的寬度相等，但是在一些實(shí)施例中，第一和第二線路分段340、360的寬度相同但是不同于傳輸線路分段320的寬度。在另外的實(shí)施例中，每個(gè)線路分段320、340、360的寬度不同。可以通過到繪制平面上方或下方的層中的跡線的過孔(vias)來形成到線路分段320、340、360的連接。線路分段320,340,360的示例性寬度從IOym到300 μ m。圖5示出了閥的另一個(gè)示例性部分。在該示例中，線路分段320、340、360包括層疊的圓弧，其中線路分段340和360通過處于傳輸線路分段320的上方和下方而沿傳輸線路分段320進(jìn)行部署。在圖5中，線路分段320、340、360以俯視圖和截面圖所示出。俯視圖示出了能夠連接至線路分段320、340、360中任一個(gè)的一對引線500。至線路分段340和·360的連接可以通過過孔交替形成。每個(gè)線路分段320、340、360中的電流流動方向在截面圖中示出。截面圖還示出了線路分段320、340、360之間的電介質(zhì)層510。在該實(shí)施例中，線路分段320、340、360的長度、寬度和厚度相同，然而，其它實(shí)施例并不局限于此。圓弧的示例性直徑以及線路分段320、340、360的寬度同樣分別為從300 μ m到Imm以及從10 μ m到300 μ m0圖6示出了閥的又另一個(gè)示例性部分。在該示例中，傳輸線路分段320包括8字形，其中線路分段340、360沿傳輸線路分段320進(jìn)行部署。在該示例中，線路分段320、340、360的長度和厚度相同，而傳輸線路分段320的寬度則大于線路分段340、360的寬度。8字形的葉瓣的圓弧的示例性直徑以及線路分段320、340、360的寬度同樣分別為從300μπι到1mm 以及從 IOum 至Ij 300 μ m。圖7示意性圖示了閥300的示例性實(shí)施例，其中開關(guān)380包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備，其包括源極和漏極并且由MOS柵710和結(jié)型柵400所控制。以上所提到的美國專利申請No. 12/070,019公開了這樣的配置。如美國專利申請No. 12/070，019所提供的，MOS柵710和結(jié)型柵720通過控制電路耦合在一起，該控制電路在一些實(shí)例中可簡單地包括電容器。將要意識到的是，單柵極半導(dǎo)體設(shè)備也能夠被用于開關(guān)380。圖8是示出傳輸線路上由于處于“開啟”狀態(tài)的示例性閥而產(chǎn)生的作為信號頻率函數(shù)的衰減的示圖，而圖9示出了針對“關(guān)閉”狀態(tài)的類似示圖。兩幅示圖覆蓋了達(dá)6GHz的相同頻率范圍但是利用不同的垂直比例。在圖8中，能夠看出在閥開啟時(shí)，IGHz處的衰減大約為IOdB并且隨頻率減小而增大。當(dāng)閥關(guān)閉時(shí)，在圖9中，衰減在較低頻率處基本上很小，在6GHz處達(dá)到約I. 3dB。因此，在達(dá)到約2GHz的操作范圍中，能夠看到RF信號在傳輸線路上的衰減在閥關(guān)閉時(shí)是不明顯的。另一方面，當(dāng)閥開啟時(shí)，來自功率放大器130的RF信號明顯衰減。為了額外的衰減，例如能夠串聯(lián)布置多個(gè)閥。在一些實(shí)施例中，由開啟的閥在功率放大器130的主頻率處提供的隔離至少為22dB。將要意識到的是，圖8和圖9所示出的示圖示出了示例性閥在從整體電路的環(huán)境中去除時(shí)的表現(xiàn)。圖10圖示了傳送器傳輸線路210在閥230關(guān)閉時(shí)的整體衰減，其中由于存在設(shè)備200的電路的其余部分而導(dǎo)致了圖9和圖10之間的差異。從圖10能夠看出，當(dāng)功率放大器130以大約2GHz的頻率進(jìn)行傳送時(shí)，信號不會被大幅衰減，然而，處于大約4GHz的第二諧波將嚴(yán)重衰減，甚至更高的諧波亦是如此。因此，由于傳送器傳輸線路210即使在閥230開啟時(shí)也會使得功率放大器130的主頻率的頻率之上的頻率強(qiáng)烈衰減，所以包括圖2的電路的制品可以不在功率放大器130和天線110之間包括濾波器來去除主頻率的諧波。在這些實(shí)施例的一些中，在沒有這樣的濾波器的情況下，第二諧波的衰減至少為20dB。諧波量級越高，衰減就更為嚴(yán)重。例如，第三諧波的衰減在一些實(shí)例中可以為至少30dB。圖11提供了本發(fā)明的示例性方法1100的流程圖表示。方法1100例如可以是對通信設(shè)備進(jìn)行操作的方法，該通信設(shè)備包括耦合至包括RF開關(guān)設(shè)備的收發(fā)器的天線。方法1100在傳送RF信號的步驟1110和接收RF信號的步驟1120這兩個(gè)步驟之間提供了交替切換。在傳送RF信號的步驟1110中，RF信號通過傳送器傳輸線路而從功率放大器傳送至天線。步驟1110同時(shí)包括阻止耦合在接收器放大器和天線之間的接收器傳輸線路上的RF信號。當(dāng)在這里參考信號使用“阻止”時(shí)，“阻止”被定義為表示利用承載信號的傳輸線路中電致阻抗進(jìn)行衰減。因此，將要理解的是，如在圖I所示的現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)通過斷開接收器放大器130和天線110之間的電路徑的開關(guān)120來防止傳輸線路上的信號到達(dá)接收器 放大器130時(shí)，該開關(guān)并不阻止當(dāng)前使用中的信號，即使開關(guān)120實(shí)際上防止了信號到達(dá)接收器放大器130?！白柚埂钡钠渌鼊釉~時(shí)態(tài)被類似地定義。在步驟1120中，通過接收器傳輸線路從天線接收RF信號。步驟1120同時(shí)包括阻止傳送器傳輸線路上來自功率放大器的RF信號。來自功率放大器的RF信號在功率放大器不進(jìn)行傳送時(shí)例如可以僅是噪聲。在任一步驟1110或1120中，在各個(gè)實(shí)施例中，阻止任一傳輸線路上的RF信號包括將閥保持為開啟狀態(tài)，其中該閥部署在傳輸線路和接地端之間。在這些實(shí)施例的一些中，閥包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備。在這些相同實(shí)施例中，將閥保持為開啟狀態(tài)包括對雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備的柵極進(jìn)行控制以使得雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備在其源極和漏極之間導(dǎo)通。在另外的實(shí)施例中，CMOS設(shè)備將功率放大器在步驟1110中通過傳送器傳輸線路向天線傳送RF信號切換至接收器放大器在步驟1120通過接收器傳輸線路從天線接收RF信號。在以上說明書中，參考其具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會認(rèn)識到本發(fā)明并不局限于此。以上所描述發(fā)明中的各個(gè)特征和方面可以單獨(dú)或聯(lián)合使用。另外，本發(fā)明可以在超出這里所描述的那些但是并不背離本說明書較為寬泛的精神和范圍的任意多種環(huán)境和應(yīng)用中得以利用。說明書和附圖因此要被示為是說明性而非限制性的。將要認(rèn)識到的是，如本文所使用的，術(shù)語“包括”、“包含”和“具有”特別地意在被作為本領(lǐng)域的開放式術(shù)語。
權(quán)利要求
1.一種制品，包括 功率放大器； 接收器放大器； 在所述功率放大器和天線端口之間延伸的第一傳輸線路； 在所述接收器放大器和所述天線端口之間延伸的第二傳輸線路； 被配置為改變所述第一傳輸線路的阻抗的第一閥；和 被配置為改變所述第二傳輸線路的阻抗的第二閥； 所述第一閥和所述第二閥是可控的以使得當(dāng)一個(gè)開啟時(shí)另一個(gè)關(guān)閉。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制品，還包括耦合至所述天線端口的天線。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的制品，還包括被配置為對所述第一閥和所述第二閥進(jìn)行相反控制的控制邏輯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的制品，其中所述第一閥包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3或4所述的制品，其中所述第一傳輸線路包括傳輸線路分段，并且所述第一閥包括 在節(jié)點(diǎn)處接合至所述第一傳輸線路并且包括沿所述傳輸線路的分段布置的第一線路分段的第一線路， 在所述節(jié)點(diǎn)處接合至所述第一傳輸線路并且包括沿所述傳輸線路的分段部署的第二線路分段的第二線路，和 被配置為將所述第一線路和所述第二線路耦合至接地端或者將所述第一線路和所述第二線路從接地端脫離耦合的開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制品，其中所述開關(guān)包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5或6所述的制品，其中所述制品在所述功率放大器和所述天線之間不包括用于去除主頻率的諧波的濾波器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6或7所述的制品，其中所述第一閥具有小于O.5dB的插入損耗。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7或8所述的制品，其中所述第一閥在所述功率放大器的所述主頻率處提供的隔離至少為22dB。
10.一種方法，包括 通過傳送器傳輸線路從功率放大器向天線傳送RF信號，同時(shí)阻止耦合在接收器放大器和所述天線之間的接收器傳輸線路上的所述RF信號；并且隨后切換至 通過所述接收器傳輸線路從所述天線接收RF信號，同時(shí)阻止所述傳送器傳輸線路上來自所述功率放大器的RF信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中阻止所述接收器傳輸線路上的RF信號包括將部署在所述接收器傳輸線路和接地端之間的閥保持為開啟狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述閥包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備，并且將所述閥保持為開啟狀態(tài)包括控制所述雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備的柵極以使得所述雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備在其源極和漏極之間導(dǎo)通。
13.根據(jù)權(quán)利要求10、11或12所述的方法，其中阻止所述傳送器傳輸線路上來自所述功率放大器的RF信號包括將部署在所述傳送器傳輸線路和接地端之間的閥保持為開啟狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述閥包括雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備，并且將所述閥保持為開啟狀態(tài)包括控制所述雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備的柵極以使得所述雙柵極半導(dǎo)體設(shè)備在其源極和漏極之間導(dǎo)通。
15.根據(jù)權(quán)利要求10-13或14所述的方法，其中CMOS設(shè)備從所述功率放大器通過所述傳送器傳輸線路向所述天線傳送RF信號切換至所述接收器放大器通過所述接收器傳輸線路從所述天線接收RF信號。
16.根據(jù)權(quán)利要求10-14或15所述的方法，其中阻止所述接收器傳輸線路上的RF信號在所述功率放大器的主頻率處提供至少22dB的隔離。
全文摘要
提供了將天線交替耦合至傳送器放大器或接收器放大器的RF切換設(shè)備。示例性RF切換設(shè)備包括兩個(gè)閥，一個(gè)用于天線和接收器放大器之間的接收器傳輸線路，而另一個(gè)則用于天線和功率放大器之間的傳送器傳輸線路。每個(gè)閥可切換地耦合在接地端及其傳輸線路之間。當(dāng)耦合至接地端時(shí)，流過該閥的電流使得傳輸線路的阻抗增加由此使對傳輸線路上的信號造成衰減。當(dāng)從接地端脫離耦合時(shí)，傳輸線路的阻抗基本上不受影響。對該對閥進(jìn)行控制以使得在一個(gè)閥開啟時(shí)另一個(gè)閥關(guān)閉，且反之亦然，從而天線從功率放大器接收信號或者接收放大器從天線接收信號。
文檔編號H04B1/44GK102859888SQ201180018327
公開日2013年1月2日 申請日期2011年4月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者丹尼斯·A·馬斯利亞 申請人:Acco半導(dǎo)體公司, 丹尼斯·A·馬斯利亞