專利名稱：信號(hào)傳輸裝置和攝像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及進(jìn)行信號(hào)的輸入操作和輸出操作 中至少一個(gè)操作(信號(hào)傳輸操作)的信號(hào)傳輸裝置和具有進(jìn)行信號(hào)的輸入操作(攝像操作)的攝像裝置的攝像顯示系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在諸如攝像裝置和顯示裝置等信號(hào)傳輸裝置中，通常設(shè)置有靜電放電保護(hù)電路(ESD保護(hù)電路)以用于保護(hù)內(nèi)部設(shè)備(電路)免受來自外部的由靜電放電(ESD)現(xiàn)象導(dǎo)致的靜電輸入。例如，日本專利文獻(xiàn)JP-A_2007-294900(專利文獻(xiàn)I)提出了一種攝像裝置，該攝像裝置的靜電放電保護(hù)電路設(shè)置在信號(hào)線之間。然而，可能在上述專利文獻(xiàn)I所揭示的靜電放電保護(hù)電路中存在沒有形成有效的靜電保護(hù)的情況，因此，需要提出能夠更有效地進(jìn)行靜電保護(hù)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題，期望提供能夠更有效地進(jìn)行靜電保護(hù)的信號(hào)傳輸裝置和攝像顯示系統(tǒng)。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種信號(hào)傳輸裝置，所述信號(hào)傳輸裝置包括多個(gè)像素，其進(jìn)行信號(hào)的輸入操作和/或輸出操作；一條或多條信號(hào)線，其連接到所述像素；多條布線，其包括信號(hào)線；一個(gè)或多個(gè)靜電放電保護(hù)電路，其布置在所述多條布線中的一條信號(hào)線與另一條布線之間，并且各個(gè)所述靜電保護(hù)電路具有第一晶體管和電容器；及第一控制線，其連接到所述靜電放電保護(hù)電路。在所述靜電放電保護(hù)電路中，所述第一晶體管的柵極直接或間接地連接到所述第一控制線，在所述第一晶體管中的源極和漏極中的一者連接到所述一條信號(hào)線和所述電容器的一端，另一者連接到所述另一條布線，且所述電容器的另一端連接到所述第一晶體管的柵極。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種攝像顯示系統(tǒng)，所述攝像顯示系統(tǒng)包括攝像裝置；及顯示器，其基于由所述攝像裝置獲得的攝像信號(hào)進(jìn)行圖像顯示。所述攝像裝置包括多個(gè)像素，其進(jìn)行攝像操作；一條或多條信號(hào)線，其連接到所述像素；多條布線，其包括信號(hào)線；一個(gè)或多個(gè)靜電放電保護(hù)電路，其布置在所述多條布線中的一條信號(hào)線與另一條布線之間，并且各個(gè)所述靜電保護(hù)電路具有第一晶體管和電容器；及第一控制線，其連接到所述靜電放電保護(hù)電路。在所述靜電放電保護(hù)電路中，所述第一晶體管的柵極直接或間接地連接到所述第一控制線，在所述第一晶體管中的源極和漏極中的一者連接到一條信號(hào)線和所述電容器的一端，另一者連接到另一條布線，且所述電容器的另一端連接到所述第一晶體管的柵極。在本發(fā)明實(shí)施例的信號(hào)傳輸裝置和攝像顯示系統(tǒng)中，例如，在裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)下，當(dāng)靜電輸入到一條信號(hào)線和另一條布線中一者時(shí)，布置在這些布線之間的靜電放電保護(hù)電路變?yōu)橛行顟B(tài)。具體地，在靜電包括正電荷和負(fù)電荷這兩種情況下，靜電放電保護(hù)電路中的第一晶體管打開，從而在一條信號(hào)線和另一條布線之中的另一條布線的方向上釋放靜電電荷。在本發(fā)明實(shí)施例的信號(hào)傳輸裝置和攝像顯示系統(tǒng)中，靜電放電保護(hù)電路布置在一條信號(hào)線與另一條布線之間，因此，在輸入到上述布線中的一條布線的靜電荷包括正電荷和負(fù)電荷這兩種情況下，靜電荷能夠在另一條布線的方向上釋放。因此，能夠更有效地進(jìn)行靜電保護(hù)。


圖I是表示作為本發(fā)明實(shí)施例的信號(hào)傳輸裝置的攝像裝置的整體結(jié)構(gòu)的框圖； 圖2是表示圖I所示攝像單元的概略結(jié)構(gòu)示例的示意圖；圖3是表示圖I所示像素的具體結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖4是表示圖I所示靜電放電保護(hù)單元的具體結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖5表示圖4所示晶體管的特性示例。圖6是表示圖4所示晶體管中的電位設(shè)定示例的示意圖；圖7是表示比較例I的靜電放電保護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖8表示圖7所示晶體管的特性示例；圖9是表示比較例2的靜電放電保護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖10是表示當(dāng)裝置電源處于工作狀態(tài)時(shí)圖4所示的靜電放電保護(hù)單元的操作示例的電路圖；圖IlA和圖IlB是表示當(dāng)裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)圖4所示的靜電放電保護(hù)單元的操作示例的電路圖(當(dāng)輸入正的靜電荷時(shí))；圖12A和圖12B是表示當(dāng)裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)圖4所示的靜電放電保護(hù)單元的操作示例的電路圖(當(dāng)輸入負(fù)的靜電荷時(shí))；圖13是表示變形例I的靜電放電保護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖14表示圖13所示晶體管的特性示例；圖15是表示變形例2的靜電放電保護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖16是表示變形例3的靜電放電保護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示例的電路圖；圖17A至圖17C是表示變形例4至6的攝像單元的概略結(jié)構(gòu)示例的示意圖；圖18是表示應(yīng)用示例的攝像顯示系統(tǒng)的概略結(jié)構(gòu)示例的示意圖；圖19是表示本發(fā)明另一變形例的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)示例的框具體實(shí)施例方式以下將參照

本發(fā)明的實(shí)施例。將以下順序進(jìn)行說明。I、實(shí)施例(具有N型第一晶體管、電容器和電阻器的單元電路的示例)2、變形例
變形例I (具有P型第一晶體管、電容器和電阻器的單元電路的示例)變形例2 (具有作為電阻器的第二晶體管的單元電路的示例)變形例3(具有第一晶體管和電容器的單元電路的示例)變形例4至6 (攝像單元的其他結(jié)構(gòu)示例)3、應(yīng)用示例(具有實(shí)施例和相應(yīng)變形例的攝像裝置的攝像顯示系統(tǒng)的示例)4、其他變形例(將靜電放電保護(hù)單元應(yīng)用于顯示裝置的示例)I、實(shí)施例
攝像裝置I的結(jié)構(gòu)圖I表示本發(fā)明實(shí)施例的作為信號(hào)傳輸裝置的攝像裝置(攝像裝置I)的整體組塊結(jié)構(gòu)。攝像裝置I進(jìn)行信號(hào)的輸入操作(攝像操作)，具體地，攝像裝置I基于攝像光讀出物體的信息(對(duì)物體進(jìn)行攝像)。攝像裝置I包括攝像單元11、行掃描單元13、A/D轉(zhuǎn)換單元14、列掃描單元15、系統(tǒng)控制單元16和靜電放電保護(hù)單元18。攝像單元11攝像單元11是用于生成與入射攝像光相對(duì)應(yīng)的電信號(hào)的攝像區(qū)域。在攝像單元11中，具有光電轉(zhuǎn)換單元(下文所述的光電轉(zhuǎn)換器件21)的像素(攝像像素)20以二維矩陣形式排列，光電轉(zhuǎn)換單元生成具有與入射攝像光的光量相對(duì)應(yīng)的電荷量的光電荷，并將其積累在光電轉(zhuǎn)換單元中。換言之，信號(hào)輸入操作(攝像操作)在多個(gè)像素20中進(jìn)行。如圖I所示，通過將攝像單元11中的水平方向(行方向)定義為“H”方向并將垂直方向(列方向)定義為“V”方向來進(jìn)行說明。圖2表示攝像單元11的概略結(jié)構(gòu)示例。在攝像單元11中，形成有光電轉(zhuǎn)換層111，像素20在以矩陣形式排列在光電轉(zhuǎn)換層111中。如圖2所示，在光電轉(zhuǎn)換層111中讀出基于入射攝像光Lin的信息。圖3表示像素20的電路結(jié)構(gòu)示例。在像素20中設(shè)置有一個(gè)光電轉(zhuǎn)換器件21和一個(gè)晶體管22。還設(shè)置有沿H方向延伸的讀出控制線Lread和沿V方向延伸的信號(hào)線Lsig，它們均與像素20相連接。例如，光電轉(zhuǎn)換器件21是由正-本征-負(fù)(Positive Intrinsic Negative,PIN)型光電二極管形成的，其生成具有與入射光(攝像光Lin)的光量相對(duì)應(yīng)的電荷量的信號(hào)電荷。光電轉(zhuǎn)換器件21的陰極與積累節(jié)點(diǎn)N相連接。晶體管22在根據(jù)提供自讀出控制線Lread的行掃描信號(hào)而被打開時(shí)輸出光電轉(zhuǎn)換器件21中產(chǎn)生的信號(hào)電荷(輸入電壓Vin)。此例中的晶體管22是由N溝道(N型)場效應(yīng)管(FET)形成的。晶體管22還可以由P溝道(P型)FET等形成。例如，晶體管22是由諸如微晶硅或多晶硅等硅基半導(dǎo)體構(gòu)成的。還可以采用諸如銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)或氧化鋅(ZnO)等氧化物半導(dǎo)體。例如，由于微晶硅、多晶硅和氧化物半導(dǎo)體具有比非晶硅更高的遷移率U，因此晶體管22能夠高速地讀出信號(hào)。在像素20中，晶體管22的柵極與讀出控制線Lread相連接，源極與信號(hào)線Lsig相連接，漏極與光電轉(zhuǎn)換器件21的陰極(積累節(jié)點(diǎn)N)相連接。光電轉(zhuǎn)換器件21的陽極接地。靜電放電保護(hù)單元18靜電放電保護(hù)單元18具有保護(hù)內(nèi)部器件(具體為像素20中的晶體管22、光電轉(zhuǎn)換器件21等)免受由ESD現(xiàn)象導(dǎo)致的來自外部的靜電輸入的功能。具體地，靜電放電保護(hù)單元18具有防止靜電通過信號(hào)線Lsig等輸入到內(nèi)部設(shè)備的作用。盡管示出了在攝像區(qū)域(攝像單元11)中布置靜電放電保護(hù)單元18的示例，然而本發(fā)明不限于該示例。圖4示出了靜電放電保護(hù)單元18的電路結(jié)構(gòu)示例。靜電放電保護(hù)單元18包括沿H方向延伸的多個(gè)單元電路180 (靜電放電保護(hù)電路)。在此示例中，為了方便起見，由Lsigl至Lsig6表示附圖中所示的六條信號(hào)線。單元電路180布置在多條布線中的一條信號(hào)線Lsig與另一條布線之間，上述多條布線包括信號(hào)線Lsig、接地線Lgnd和電源線(未圖示)。具體地，單元電路180布置在一條信號(hào)線Lsig與另一條信號(hào)線Lsig之間(一對(duì)鄰近信號(hào)線Lsig之間)、一條信號(hào)線Lsig與一條接地線Lgnd之間或一條信號(hào)線Lsig與一條電源線(未圖示)之間。在圖4所示的示例中，單元電路180布置在信號(hào)線Lsigl與Lsig2之間、信號(hào)線Lsig2與Lsig3之間、信號(hào)線Lsig3與Lsig4之間、信號(hào)線Lsig4與Lsig5之間、以及信號(hào)線Lsig5與Lsig6之間(對(duì) 應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例中“第一保護(hù)電路”的具體示例)。單元電路180還布置在信號(hào)線Lsig6 與接地線Lgnd之間(對(duì)應(yīng)于本發(fā)明實(shí)施例中“第二保護(hù)電路”的具體示例)。在圖4所示的靜電放電保護(hù)單元18中，多個(gè)單元電路180 (上述“第一保護(hù)電路”和“第二保護(hù)電路”)連續(xù)地(彼此鄰近地)布置在鄰近的多條布線(此例中為多條信號(hào)線Lsigl至Lsig6和接地線Lgnd等)之間。例如，接地線Lgnd和電源線(未圖示)布置在攝像單元11中的末端區(qū)域(例如，沿H方向的右端部或左端部)。單元電路180包括晶體管Trl (第一晶體管)、電容器Cl和電阻器Rl。在此示例中，晶體管Trl是由N溝道(N型)FET形成的。晶體管Trl的柵極、源極和漏極在圖4中分別以“G”、“S”和“D”表示，且與其他附圖相同。沿H方向延伸的保護(hù)控制線Lctll(第一控制線)與各個(gè)單元電路180相連接。在單元電路180中，晶體管Trl的柵極通過電阻器Rl間接地連接到保護(hù)控制線Lctll0 S卩，電阻器Rl的一端與保護(hù)控制線Lctll相連接，而另一端與晶體管Trl的柵極相連接。晶體管Trl的源極和漏極中的一者與一條信號(hào)線Lsig和電容器Cl的一端相連接，而另一者與另一條布線(此示例中為信號(hào)線Lsig或接地線Lgnd)相連接。電容器Cl的另一端與晶體管Trl的柵極和電阻器Rl的另一端相連接。此處，保護(hù)控制線Lctll的電位Vctll設(shè)置成使得當(dāng)攝像裝置I的電源(裝置電源)處于打開狀態(tài)(設(shè)備運(yùn)行狀態(tài))時(shí)晶體管Trl處于關(guān)閉狀態(tài)。具體地，保護(hù)控制線Lctll的電位Vctll設(shè)定成低于信號(hào)線Lsig的電位(信號(hào)電壓)Vsig以滿足圖5所示的晶體管Trl的柵極-源極電壓Vgs < O。如圖6所示,例如，當(dāng)信號(hào)線Lsig的電位Vsig(對(duì)應(yīng)于晶體管Trl的源極電位)變化(此示例中在OV與IV之間變化)時(shí)，保護(hù)控制線Lctll的電位Vctll(對(duì)應(yīng)于晶體管Trl的柵極電位)設(shè)定成滿足Vgs < O。因此，即使當(dāng)晶體管Trl的閾值電壓Vth向負(fù)側(cè)偏移一定程度時(shí)(如圖5中的箭頭Pll所示)，仍能夠?qū)⒕w管Trl的泄漏電流(關(guān)閉狀態(tài)下的泄漏電流)抑制為低。因此，能夠抑制當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)由晶體管Trl中的泄漏電流導(dǎo)致的對(duì)來自相應(yīng)像素20的信號(hào)(電荷)讀出操作的不利影響(電荷量減少等)。即，在像素20具有所謂的無源電路結(jié)構(gòu)(像素20的結(jié)構(gòu)不具有諸如源極跟隨電路等放大器)的情況下，能夠減小或消除信號(hào)線Lsig中的電位變化(電荷的消失)。
例如，圖I所示的行掃描單元13形成為包括移位寄存器、地址譯碼器等，行掃描單元13例如是以行為單位驅(qū)動(dòng)攝像單元11中各像素20的像素驅(qū)動(dòng)單元。通過由讀出控制線Lread提供行掃描信號(hào)來實(shí)現(xiàn)以行為單位的驅(qū)動(dòng)。A/D轉(zhuǎn)換單元14包括圖I所示的多個(gè)列選擇單元17,針對(duì)每多條(此示例中為四條)信號(hào)線Lsig來設(shè)置列選擇單元17，A/D轉(zhuǎn)換單元14基于由信號(hào)線Lsig輸入的信號(hào)電壓進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換(模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換)。例如，各列選擇單元17包括放大器、電容器(電容)、開關(guān)、采樣/保持(S/H)電路、水平選擇開關(guān)、A/D轉(zhuǎn)換器等(均沒有示出)。在具有上述結(jié)構(gòu)的A/D轉(zhuǎn)換單元14中，生成包括數(shù)字信號(hào)的輸出數(shù)據(jù)Dout (攝像信號(hào))以被輸出到外部。例如，列掃描單元15形成為包括移位寄存器、地址譯碼器等，列掃描單元15在進(jìn)行掃描的同時(shí)依次驅(qū)動(dòng)列選擇單元17中的各個(gè)水平選擇開關(guān)(未圖示)。根據(jù)列掃描單元15進(jìn)行的選擇掃描，由各個(gè)信號(hào)線Lsig傳輸?shù)母鱾€(gè)像素20的信號(hào)(上述數(shù)據(jù)輸出Dout) 被依次輸出。系統(tǒng)控制單元16控制行掃描單元13、A/D轉(zhuǎn)換單元14、列掃描單元15等的操作。具體地，系統(tǒng)控制單元16包括用于生成各種時(shí)序信號(hào)的時(shí)序發(fā)生器，并基于由時(shí)序發(fā)生器中生成的各種時(shí)序信號(hào)對(duì)行掃描單元13、A/D轉(zhuǎn)換單元14、列掃描單元15等進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。通過受控于系統(tǒng)控制單元16的行掃描單元13、A/D轉(zhuǎn)換單元14和列掃描單元15對(duì)攝像單元11中的多個(gè)像素20進(jìn)行攝像驅(qū)動(dòng)(順序掃描)，能夠從攝像單元11獲得輸出數(shù)據(jù)Dout。攝像裝置I的操作和效果I)、基本操作在攝像裝置I中，當(dāng)攝像光Lin入射到圖2所示的攝像單元11上時(shí)，攝像光Lin光在電轉(zhuǎn)換層111(圖3中所示的各個(gè)像素20中的光電轉(zhuǎn)換器件21)中被轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷。由于由光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電荷的原因，積累節(jié)點(diǎn)N處的電壓產(chǎn)生與積累節(jié)點(diǎn)電容相對(duì)應(yīng)的變化。具體地，當(dāng)積累節(jié)點(diǎn)電容為“Cs”且所產(chǎn)生的電荷為“q”時(shí)，積累節(jié)點(diǎn)N處的電壓減小(q/Cs)。對(duì)應(yīng)于上述電壓變化的輸入電壓Vin施加到晶體管22的漏極。當(dāng)晶體管22根據(jù)提供自讀出控制線Lread的行掃描信號(hào)導(dǎo)通時(shí)，提供到晶體管22的輸入電壓Vin的電荷輸出(讀出)到信號(hào)線Lsig。以上述方式讀出的信號(hào)通過信號(hào)線Lsig以多條(此例中為四條)像素列為單位被輸入到A/D轉(zhuǎn)換單元14中的列選擇單元17。在列選擇單元17中，首先，在電荷放大器等中對(duì)輸入自各個(gè)信號(hào)線Lsig的各個(gè)信號(hào)電荷進(jìn)行Q-V轉(zhuǎn)換，從而進(jìn)行從信號(hào)電荷到信號(hào)電壓的轉(zhuǎn)換。接著，對(duì)各個(gè)經(jīng)轉(zhuǎn)換的信號(hào)電壓進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換，以生成包括數(shù)字信號(hào)的輸出數(shù)據(jù)Dout (圖像信號(hào))。由此，從各個(gè)列選擇單元17中依次輸出輸出數(shù)據(jù)Dout并將其傳輸?shù)酵獠俊?)、靜電放電保護(hù)單元的操作接著，通過與比較例(比較例I和2)進(jìn)行比較，詳細(xì)地說明靜電放電保護(hù)單元18 (單元電路18)的操作，靜電放電保護(hù)單元18是本實(shí)施例的一個(gè)特征。2-1)、比較例 I圖7示出了比較例I的靜電放電保護(hù)單元的電路結(jié)構(gòu)。比較例I中的靜電放電保護(hù)單元包括沿H方向延伸的多個(gè)單元電路(靜電放電保護(hù)電路)108。
單元電路108包括兩個(gè)由N溝道(N型)FET形成的晶體管Trl01、Trl02。沿V方向延伸的信號(hào)線Lsig、沿H方向延伸的電源線VDD以及電源線VSS (接地線)連接到各個(gè)單元電路108。在單元電路108中，晶體管TrlOl的柵極和源極均連接到信號(hào)線Lsig，晶體管TrlOl的漏極連接到電源線VDD。此外，晶體管Trl02的柵極和源極均連接到電源線VSS，晶體管Trl02的漏極均連接到信號(hào)線Lsig。根據(jù)上述電路結(jié)構(gòu)，晶體管Trl01、Trl02用作具有由附圖中虛線所示方向的二極管。即，單元電路108中布置有如下兩個(gè)二極管一個(gè)二極管的陽極與電源線VDD相連接，而陰極與信號(hào)線Lsig相連接；另一個(gè)二極管的陽極與信號(hào)線Lsig相連接,而陰極與電源線VSS相連接。在具有上述結(jié)構(gòu)的單元電路108中，當(dāng)正靜電荷輸入到信號(hào)線Lsig時(shí),靜電荷通過晶體管TrlOl釋放到電源線VDD。當(dāng)負(fù)靜電荷輸入到信號(hào)線Lsig時(shí)，靜電荷通過晶體管Trl02釋放到電源線VSS。由此，在比較例I中，使內(nèi)部設(shè)備免受通過信號(hào)線Lsig輸入的靜電。
然而，在比較例I中的靜電放電保護(hù)單元中，晶體管TrlOl和Trl02的源極和柵極彼此相連，且兩個(gè)晶體管均恒定地設(shè)定為Vgs = 0V，因此發(fā)生了如下問題。S卩，例如，如圖8中的箭頭PlOl所示，當(dāng)晶體管TrlOl和Trl02中的閾值電壓Vth向負(fù)側(cè)偏移一定程度時(shí)，晶體管TrlOl和Trl02中的泄漏電流顯著地增加(如圖8中箭頭P102所示)。因此，在從各個(gè)像素20中讀出信號(hào)(電荷)時(shí)信號(hào)線Lsig中的電位發(fā)生了變化(電荷的消失)。因此，在上述無源像素電路結(jié)構(gòu)的情況下，可能在所拍攝圖像中產(chǎn)生諸如線缺陷(line defect)等圖像劣化。而且，在比較例I的靜電放電保護(hù)單元中，各個(gè)信號(hào)線Lsig與兩條電源線VDD和VSS彼此相交叉，因此還發(fā)生如下問題。即，在布線之間形成的寄生電容Cp (如圖7中虛線所示)增加，這導(dǎo)致功耗增加或者使得信號(hào)線Lsig中的電壓波形變圓。2-2)、比較例 2圖9示出了比較例2的靜電放電保護(hù)單元的電路結(jié)構(gòu)。比較例2中的靜電放電保護(hù)單元包括沿H方向延伸的多個(gè)單元電路(靜電放電保護(hù)電路)208。在各個(gè)單元電路208中，沿V方向延伸的多條信號(hào)線(此處所示的是三條信號(hào)線Lsig 201至Lsig 203)與沿H方向延伸的一條保護(hù)控制線Lctll相連接。各個(gè)單元電路208布置在一對(duì)鄰近的信號(hào)線之間(信號(hào)線Lsig 201和Lsig 202之間以及信號(hào)線Lsig 202和Lsig 203之間)。單元電路208包括由N溝道(N型)FET形成的晶體管Tr201。在單元電路208中，晶體管Tr201的柵極與保護(hù)控制線Lctll相連接，源極與一對(duì)信號(hào)線中的一條信號(hào)線相連接，而漏極與另一條信號(hào)線相連接。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在負(fù)靜電荷輸入到一條信號(hào)線的情況下，例如，當(dāng)單元電路208中的裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)(設(shè)備停止?fàn)顟B(tài))時(shí)，Vgs變?yōu)榇笥凇?”從而使晶體管Tr201導(dǎo)通，因此，靜電荷向另一條信號(hào)線的方向釋放。因此，在比較例2中，使內(nèi)部設(shè)備免受通過信號(hào)線Lsig輸入的負(fù)靜電荷。然而，在正靜電荷輸入到一條信號(hào)線的情況下，例如，當(dāng)裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)(設(shè)備停止?fàn)顟B(tài))時(shí)，Vgs保持為低于“0” (Vgs沒有變?yōu)榇笥凇?”)，因此，晶體管Tr201沒有導(dǎo)通，且靜電荷沒有向另一條信號(hào)線的方向釋放。即，當(dāng)靜電是負(fù)電荷時(shí)，比較例2的靜電放電保護(hù)單元有效地工作，然而當(dāng)靜電是正電荷(內(nèi)部設(shè)備沒有被有效地保護(hù))時(shí)，靜電放電保護(hù)單元沒有有效地工作。如上所述，當(dāng)裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)可能存在沒有進(jìn)行有效的靜電保護(hù)的情況。而且，在比較例2的靜電保護(hù)單元中，各個(gè)單元電路208均布置在一對(duì)信號(hào)線之間(各個(gè)單元電路208不與電源線或接地線相連接)，這與本發(fā)明實(shí)施例的靜電放電保護(hù)單元不同，因此會(huì)發(fā)生如下問題。即，通過信號(hào)線輸入的靜電荷沒有確定的放電路徑，因此在一些情況下，電場的放電效果(防靜電作用)不足，從而沒有充分地保護(hù)部分設(shè)備。2-3)、本實(shí)施例然而，在本實(shí)施例中，在靜電放電保護(hù)單元18中布置有具有圖4所示結(jié)構(gòu)的多個(gè)單元電路180，因此在各個(gè)單元電路180中進(jìn)行了下述操作，從而比上述比較例I和2更有效地進(jìn)行了靜電保護(hù)。
A、當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)首先，保護(hù)控制線Lctll的電位Vctll設(shè)定成使得在裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)晶體管Trl處于關(guān)閉狀態(tài)。因此，例如，如圖10所示，當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)晶體管Trl在靜電保護(hù)單元18中的各個(gè)單元電路180中總是處于關(guān)閉狀態(tài)。即，當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)，靜電放電保護(hù)單元18處于無效狀態(tài)(非活動(dòng)狀態(tài))。在此情況下，為了方便起見，各個(gè)晶體管Trl在圖10以及下述圖IlAUlB和圖12A、12B中表示為開關(guān)。B、當(dāng)裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)另一方面，如圖11A、圖IlB和圖12A、圖12B所示，當(dāng)裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，各個(gè)信號(hào)線Lsig和保護(hù)控制線Lctll分別處于浮動(dòng)狀態(tài)，從而靜電放電保護(hù)單元18處于有效狀態(tài)。上述情況同樣適用于沒有部件連接到攝像單元11的情況(例如，在攝像單元11的制造過程中)。在圖11A、圖IlB和圖12A、圖12B中，為了方便起見，靜電放電保護(hù)單元18中所示的六個(gè)單元電路180表示為單元電路1801-1至180-6。在輸入正靜電荷時(shí)此處，例如，當(dāng)通過圖IlA所示的信號(hào)線Lsig5(見圖中箭頭P21)輸入正靜電荷時(shí),單元電路180-5中的晶體管Trl中的源極-漏極電壓Vds變?yōu)榇笥凇癘”。從而通過電容器Cl的電容耦合(見圖中箭頭P22)使得晶體管Trl的柵極電位增加，柵極-源極電壓Vgs變?yōu)榇笥凇癘”。因此，單元電路180-5中的晶體管Trl被選擇性地導(dǎo)通，通過信號(hào)線Lsig5輸入到單元電路180-5的靜電荷向晶體管Trl的源極方向(信號(hào)線Lsig6的方向)釋放(見圖中箭頭P21)。S卩，兩條相鄰的彳目號(hào)線Lsig5和Lsig6短路(短路狀態(tài))。此外，此時(shí)晶體管Trl的柵極和保護(hù)控制線Lctll之間的電位差通過單元電路180-5中的電阻器Rl在一定時(shí)間內(nèi)保持，因此，避免了晶體管Trl瞬間關(guān)閉(成為關(guān)閉狀態(tài))。如果晶體管Trl瞬間關(guān)閉，則難以將輸入到信號(hào)線Lsig5中的靜電荷釋放到信號(hào)線Lsig6。接著，例如，如圖IlB所示，向信號(hào)線Lsig6方向釋放的靜電荷(正電荷)輸入到鄰近于單元電路180-5的單元電路180-6(如圖中箭頭P23所示)。此后，單元電路180-6中的晶體管Trl也以上述相同的方式被選擇性地導(dǎo)通。即，Vds變?yōu)榇笥凇?”且柵極電位通過電容器Cl的電容耦合(見圖中箭頭P24)增加，柵極-源極電壓Vgs變?yōu)榇笥凇癘”。因此，從單元電路180-5方向輸入到單元電路180-6的靜電荷(正電荷)向晶體管源極方向(接地線Lgnd方向)釋放(見圖中箭頭P23)。即，鄰近的信號(hào)線Lsig6與接地線Lgnd短路，從而使靜電荷最終釋放到接地線Lgnd。由此，在設(shè)備電壓處于關(guān)閉狀態(tài)的情況下，當(dāng)通過信號(hào)線Lsig輸入正靜電荷時(shí)，靜電放電保護(hù)單元18中的單元電路180中的晶體管Trl一個(gè)接一個(gè)地(依次)導(dǎo)通，從而使靜電荷最終向電源線(未圖示)或接地線Lgnd釋放。由于此時(shí)電荷依次被釋放，因此電位逐漸降低。由此，能夠與比較例I和2相比更有效地進(jìn)行靜電保護(hù)。當(dāng)輸入負(fù)靜電荷時(shí)另一方面,例如，如圖12A所示，當(dāng)通過信號(hào)線Lsig5從與上述正電荷的情況相反的方向輸入負(fù)靜電荷時(shí)(見圖中箭頭P31)，單元電路180-4中的晶體管Trl中的電壓變?yōu)閂ds > 0且Vgs > O。因此，單元電路180-4中的晶體管Trl被選擇性地導(dǎo)通，從而使通過信號(hào)線Lsig5輸入到單元電路180-4中的靜電荷(負(fù)電荷)向晶體管Trl漏極方向(信號(hào)線Lsig4的方向)釋放(見圖中箭頭P31)。S卩，兩條鄰近的信號(hào)線Lsig5和Lsig4短路。在此情況下，晶體管Trl的柵極與保護(hù)控制線Lctll之間的電位差由于單元電路180-4中 電阻器Rl的原因而在一定時(shí)間內(nèi)保持，因此避免了晶體管Trl的瞬間關(guān)閉。接著，例如，如圖12B所示，向信號(hào)線Lsig4方向釋放的靜電荷(負(fù)電荷)輸入到鄰近于單元電路180-4的單元電路180-3(見圖中箭頭P32)。此后，單元電路180-3中的電壓以上述相同的方式變?yōu)閂ds > 0和Vgs > 0，從而使晶體管Trl選擇性地導(dǎo)通。因此，從單元電路180-4方向輸入到單元電路180-3中的靜電荷(負(fù)電荷)向晶體管Trl漏極方向(信號(hào)線Lsig3的方向)釋放(見圖中箭頭P32)。即，鄰近的信號(hào)線Lsig4和Lsig3短路。在后面的電路中連續(xù)進(jìn)行相同操作，從而將靜電荷(負(fù)電荷)最終釋放到電源線(未圖示)或接地線Lgnd。由此，在裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)的情況下，當(dāng)通過信號(hào)線Lsig輸入負(fù)靜電荷時(shí)，靜電放電保護(hù)單元18的單元電路180中的晶體管Trl 一個(gè)接一個(gè)地(依次)導(dǎo)通，從而使靜電荷最終釋放到電源線(未圖示)或接地線Lgnd。此時(shí)由于電荷依次被釋放，因此電位逐漸降低。由此，在此情況下，也能夠與比較例I和2相比更有效地進(jìn)行靜電保護(hù)。如上所述,在一條信號(hào)線Lsig和包括信號(hào)線Lsig、接地線Lgnd和電源線(未圖示)的多條布線中的另一條布線之間設(shè)置了具有單元電路180的靜電放電保護(hù)單元18，因此，在正和負(fù)的靜電荷輸入到這些布線中的一條布線的兩種情況下，均能夠使靜電荷向上述另一條布線的方向釋放。因此，能夠更有效地進(jìn)行靜電保護(hù)(能夠提高靜電耐受電壓)，因此能夠減小由靜電荷導(dǎo)致的器件特性變化，并提高產(chǎn)率。此外，靜電荷通過采用上述靜電放電保護(hù)單元18本身的靜電荷而被釋放，因此，能夠在不額外設(shè)置特定設(shè)備的情況下提高靜電耐受電壓。當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)，即使在晶體管Trl的閾值電壓Vth等變化時(shí)，泄漏電流仍被控制為減小，因此，能夠在從各個(gè)像素20的信號(hào)(電荷)進(jìn)行讀出操作時(shí)抑制信號(hào)線Lsig中的電位變化(電荷的消失)。因此，即使當(dāng)像素20具有上述無源電路結(jié)構(gòu)時(shí)也能夠減小所拍攝圖像中諸如線缺陷等圖像劣化的產(chǎn)生。此外，在單元電路180中設(shè)置了電阻器R1，因此，晶體管Trl的柵極與保護(hù)控制線Lctll之間的電位差可以在固定時(shí)段內(nèi)保持，這能夠避免晶體管Trl瞬間關(guān)閉，從而能夠更明確地操作靜電放電保護(hù)單元18。此外，在鄰近的多條布線(在此例中為多條信號(hào)線Lsigl至Lsig6、接地線Lgnd等)之間連續(xù)地布置有多個(gè)單元電路180，因此，能夠使靜電荷最終釋放到電源線(未圖示)或接地線Lgnd，從而更明確地進(jìn)行靜電保護(hù)。2、變形例接著，將說明本實(shí)施例的變形例(變形例I至6)。與本實(shí)施例相同的元件由相同的附圖標(biāo)記表示，并適當(dāng)省略其說明。變形例I圖13示出了變形例I的靜電放電保護(hù)單元(靜電放電保護(hù)單元18A)的電路結(jié)構(gòu)。本變形例的靜電放電保護(hù)單元18A包括沿H方向延伸的多個(gè)單元電路180A(靜電放電保護(hù)單元)。本變形例的單元電路180A采用由P溝道(P型)FET形成的晶體管Trl，以替代上述實(shí)施例的單元像素180中由N溝道(N型)FET形成的晶體管Trl。 同樣在本變形例中，保護(hù)控制線Lctll的電位Vctll設(shè)定為使得當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)晶體管Tr處于關(guān)閉狀態(tài)。具體地，例如，如圖14所示，保護(hù)控制線Lctll的電位Vctll設(shè)定為高于信號(hào)線Lsig的電位(信號(hào)電壓)Vsig以滿足晶體管Trl中柵極-源極電壓Vgs > O。同樣在此示例中，保護(hù)控制線Lctll的電位Vctll設(shè)定為即使當(dāng)信號(hào)線Lsig的電位Vsig變化時(shí)也滿足Vgs > O。因此,如圖14中的箭頭P41所示，即使當(dāng)晶體管Trl中的閾值電壓Vth向正側(cè)偏移一定程度時(shí)也能夠?qū)⒕w管Trl中的泄漏電流(關(guān)閉狀態(tài)下的泄漏電流)抑制為低。因此，在本變形例中，也能夠?qū)υ谘b置電源處于打開狀態(tài)時(shí)由晶體管Trl中泄漏電流導(dǎo)致的對(duì)各個(gè)像素20的信號(hào)(電荷)讀出操作的不利影響進(jìn)行抑制。如上所述，能夠通過與上述實(shí)施例相同的操作獲得相同的效果。然而，當(dāng)晶體管Trl具體地由多晶半導(dǎo)體(多晶硅等)構(gòu)成時(shí)，如同上述實(shí)施例，期望晶體管Trl是N溝道晶體管，這是因?yàn)镹溝道中的泄漏電流通常小于P溝道。變形例2圖15示出了變形例2的靜電放電保護(hù)單元(靜電放電保護(hù)單元18B)的電路結(jié)構(gòu)。本變形例的靜電放電保護(hù)單元18B包括沿H方向延伸的多個(gè)單元電路180B(靜電放電保護(hù)單元)。本變形例的單元電路180B設(shè)置有晶體管Tr2(第二晶體管)，以替換上述實(shí)施例的單元電路180中的電阻器R1，晶體管Tr2充當(dāng)電阻器。換言之，電阻器是由單元電路180B中的晶體管Tr2形成的。同樣在各單元電路180B中，除了上述保護(hù)控制線Lctll之外，還連接了沿H方向延伸的保護(hù)控制線Lctl2 (第二控制線)。在單元電路180B中，晶體管Trl的柵極通過晶體管Tr2的漏極和源極(電阻器的一端和另一端)間接連接到保護(hù)控制線Lctll。S卩，晶體管Tr2的源極與保護(hù)控制線Lctll相連接，晶體管Tr2的漏極與晶體管Trl的柵極相連接。晶體管Tr2的柵極與保護(hù)控制線Lctl2相連接。晶體管Trl的源極和漏極中的一者(此例中為漏極)與一條信號(hào)線Lsigl和電容器Cl的一端相連接，另一者(此例中為源極)與另一條布線相連接(此例中為信號(hào)線Lsig或接地線Lgnd)。電容器Cl的另一端與晶體管Trl的柵極和晶體管Tr2的漏極相連接。在本變形例中，保護(hù)控制線Lctl2的電位設(shè)定為使得當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)晶體管Tr2處于打開狀態(tài)。具體地，保護(hù)控制線Lctl2的電位設(shè)定為滿足晶體管Tr2的柵極-源極電壓Vgs > O。因此，當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)，通過采用本變形例的保護(hù)控制線Lctl2能夠可靠地使晶體管Tr2處于打開狀態(tài)。在本變形例的具有上述結(jié)構(gòu)的靜電放電保護(hù)單元18B中，如上所述，當(dāng)裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)，各個(gè)單元電路180中的晶體管Tr2處于打開狀態(tài)，因此，電阻器的電阻值相對(duì)低。因此，在攝像操作時(shí)，能夠在信號(hào)電壓Vsig變化且晶體管Trl的柵極電位由于電容器Cl的電容耦合而變化的情況下，增加?xùn)艠O電位的返回操作以抑制泄漏電流。另一方面，由于當(dāng)裝置電源處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)保護(hù)控制線Lctl2變?yōu)楦?dòng)狀態(tài)，與上述情況相反地，Vgs近似為“0”，因此，各單元電路180B中的晶體管Tr2處于關(guān)閉狀態(tài)。因此，電阻器的電阻值相對(duì)高，這能夠避免晶體管Trl瞬間關(guān)閉，從而能夠更有效地操作靜電放電保護(hù)單元18B。本變形例說明的是晶體管Trl和Tr2均由N溝道FET形成的情況，然而，例如，晶體管Trl和Tr2至少一者可以由P溝道FET形成。
變形例3圖16示出了變形例3的靜電放電保護(hù)單元(靜電放電保護(hù)單元18C)的電路結(jié)構(gòu)。變形例的靜電放電保護(hù)單元18C具有沿H方向延伸的多個(gè)單元電路180C (靜電放電保護(hù)電路)。本變形例的單元電路180C沒有設(shè)置(省略了)上述實(shí)施例的單元電路180中的電阻器R1，且具有除了電阻器Rl之外的相同組件。因此，晶體管Trl的柵極直接與各個(gè)單元電路180C中的保護(hù)控制線Lctll相連接。如上所述，在一些情況下，在靜電放電保護(hù)單元的各個(gè)單元電路中可能沒有設(shè)置電阻器。然而，期望地設(shè)置電阻器，因?yàn)檫@能夠防止晶體管Trl瞬間關(guān)閉，從而能夠如上所述地更有效地操作靜電放電保護(hù)單元。本變形例說明了晶體管Trl由N溝道FET形成的情況，然而，例如，還可以以與變形例I相同的方式由P溝道FET形成晶體管Trl。變形例4至6圖17A至圖17C分別示意性地示出了變形例4至6的攝像單元(攝像單元IlA至11C)的概略結(jié)構(gòu)示例。圖17A所示的變形例4的攝像單元IlA是由攝像器件112和簡化光學(xué)系統(tǒng)113以替換上述實(shí)施例的攝像單元11中的光學(xué)轉(zhuǎn)換層111。攝像器件112是用于檢測(cè)攝像光Lin以獲得輸出數(shù)據(jù)Dout (成像信號(hào))的器件。攝像器件112可以通過采用諸如CXD(電荷耦合器件)圖像傳感器或CMOS(互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器等圖像傳感器來形成。簡化光學(xué)系統(tǒng)113布置在攝像器件112的光接收表面上，且例如是由微透鏡陣列等形成。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠以與上述實(shí)施例的攝像單元11相同的方式，讀出基于本變形例的攝像單元IlA中入射攝像光Lin的信息。除上述實(shí)施例的光電轉(zhuǎn)換層111之外，圖17B所示變形例5的攝像單元IlB還包括波長轉(zhuǎn)換層114。具體地，波長轉(zhuǎn)換層114設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換層111上(攝像單元IlB的光接收側(cè))。除上述變形例4中的攝像器件112和簡化光學(xué)系統(tǒng)113之外，圖17C所示變形例6的攝像單元IlC還包括波長轉(zhuǎn)換層114。具體地，波長轉(zhuǎn)換層114設(shè)置在簡化光學(xué)系統(tǒng)113上(攝像單元IlC的光接收側(cè))。
波長轉(zhuǎn)換層114將射線Rrad (a射線、0射線、y射線、X射線等)轉(zhuǎn)換成光電轉(zhuǎn)換層111或攝像器件112的靈敏度范圍，使得光電轉(zhuǎn)換層111和攝像器件112能夠讀出基于射線Rrad的信息。例如，波長轉(zhuǎn)換層114是由用于將諸如X射線等射線轉(zhuǎn)換成可見光的熒光材料(例如，閃爍體(scintillator))構(gòu)成的。例如，可以通過在光電轉(zhuǎn)換層111或簡化光學(xué)系統(tǒng)113上形成由有機(jī)平坦化膜、旋涂式玻璃等制成的平坦化膜，并通過在該平坦化膜上形成由Csl、NaI、CaF2等制成的熒光膜，來獲得波長轉(zhuǎn)換層114。在變形例5和6的包括具有上述結(jié)構(gòu)的攝像單元IlB和IlC的攝像裝置中，攝像單元IIB和IlC根據(jù)入射射線Rrad生成電信號(hào)，從而它們形成為輻射攝像裝置。該輻射攝像裝置可以例如應(yīng)用于醫(yī)療器械(諸如數(shù)字射線照相技術(shù)等X射線攝像裝置)、航空用行李檢查等的X射線攝像裝置、以及工業(yè)X射線攝像裝置(例如，在容器中進(jìn)行危險(xiǎn)材料檢查或在行李中進(jìn)行內(nèi)容檢查等的裝置)。3、應(yīng)用示例 接著，將說明上述實(shí)施例和各變形例(變形例I至6)的攝像裝置的應(yīng)用示例。圖18示意性地示出了應(yīng)用示例的攝像顯示系統(tǒng)(攝像顯示系統(tǒng)5)的概略結(jié)構(gòu)示例。攝像顯示系統(tǒng)5包括具有上述實(shí)施例的攝像單元IldlA至11C)等的攝像裝置I、圖像處理單元52和顯示器4，攝像顯示系統(tǒng)5在本示例中是利用射線的攝像顯示系統(tǒng)。圖像處理單元52對(duì)攝像裝置I輸出的輸出數(shù)據(jù)Dout (圖像信號(hào))進(jìn)行給定的圖像處理，從而生成圖像數(shù)據(jù)D1。顯示器4基于圖像處理單元52中生成的圖像數(shù)據(jù)Dl在給定的監(jiān)視屏幕40上進(jìn)行圖像顯示。在具有上述結(jié)構(gòu)的攝像顯示系統(tǒng)5中，攝像裝置I (此例中的輻射攝像裝置)基于從輻射源(例如，X射線源)51向物體50照射的射線來獲得物體50的圖像數(shù)據(jù)Dout，并將該數(shù)據(jù)輸出到圖像處理單元52。圖像處理單元52對(duì)輸入的圖像數(shù)據(jù)Dout進(jìn)行給定的圖像處理，并將經(jīng)圖像處理的圖像數(shù)據(jù)(顯示數(shù)據(jù))Dl輸出到顯示器4。顯示器4基于輸入的圖像數(shù)據(jù)Dl在監(jiān)視屏幕40上顯示圖像信息(所拍攝的圖像)。如上所述，能夠在攝像裝置I中將物體50的圖像獲得為電信號(hào)，因此，能夠通過向顯示器4傳輸所獲得的電信號(hào)來進(jìn)行圖像顯示。即，能夠在不采用相關(guān)技術(shù)中的射線膠片(radiographic film)的情況下研究物體50的圖像,并能夠響應(yīng)移動(dòng)圖片的攝像和顯示。在本應(yīng)用示例中，舉例說明了攝像裝置I形成為利用射線的攝像顯示系統(tǒng)的輻射成像裝置，然而，本發(fā)明實(shí)施例的攝像顯示系統(tǒng)可以應(yīng)用于采用其他類型攝像裝置的系統(tǒng)。4、其他變形例盡管通過上述實(shí)施例、變形例和應(yīng)用示例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，然而，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例等，還可以進(jìn)行各種變形。例如，在上述實(shí)施例等中說明了在靜電放電保護(hù)單元中設(shè)置多個(gè)單元電路的情況，然而不限于此，還可以優(yōu)選地在靜電放電保護(hù)單元中只設(shè)置一個(gè)單元電路。攝像單元中的像素的電路結(jié)構(gòu)不限于上述實(shí)施例等的結(jié)構(gòu)，還可以采用其他電路結(jié)構(gòu)。即，優(yōu)選地是，例如，光電轉(zhuǎn)換器件21的陽極與積累節(jié)點(diǎn)N相連接，陰極與電源線VDD相連接。優(yōu)選地是在像素中設(shè)置給定的源極跟隨電路。 此外，優(yōu)選地，上述實(shí)施例等中的攝像單元11、行掃描單元13、A/D轉(zhuǎn)換單元14 (列選擇單元17)、列掃描單元15和靜電放電保護(hù)單元18形成在同一基板上。具體地，可以通過采用諸如低溫多晶硅(Si)等多晶半導(dǎo)體在同一基板上形成上述電路部中的開關(guān)等，因此，基于來自外部系統(tǒng)控制單元16的控制信號(hào)，能夠進(jìn)行同一基板上的驅(qū)動(dòng)操作。此外，在本發(fā)明的實(shí)施例等中，通過多個(gè)像素(攝像像素)進(jìn)行信號(hào)的輸入操作(攝像操作)的攝像裝置來舉例說明“信號(hào)傳輸裝置”，然而，本發(fā)明不限于此。即，上述實(shí)施例中的靜電放電保護(hù)單元(靜電放電保護(hù)電路)等可以應(yīng)用于在多個(gè)像素中進(jìn)行信號(hào)的輸入操作(攝像操作)和輸出操作(顯示操作)中至少一者的信號(hào)傳輸裝置。具體地，例如，在圖19所示的顯示裝置3 (信號(hào)傳輸裝置)中，多個(gè)像素60(顯示像素)進(jìn)行信號(hào)的輸出操作(顯示操作)。顯示裝置3包括具有多個(gè)像素60的顯示單元31、向信號(hào)線Lsig提供視頻信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)單元32 (數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器)、在V方向上依次掃描寫入控制線Lwrite (柵線)的行掃描單元33 (柵極驅(qū)動(dòng)器)以及系統(tǒng)控制單元34。上述實(shí)施例中的靜電放電保護(hù)單元18(18A至18C)設(shè)置在顯示裝置3中。系統(tǒng)控制單元34控制信號(hào)線驅(qū)動(dòng)單元32和行掃描單元33的操作。各個(gè)像素60具有顯示器件61 (例如，液晶顯示器件、有機(jī)EL(電致發(fā)光)器件等)和作為開關(guān)器件的晶體管62，各個(gè)像素60均與信號(hào) 線Lsig和寫入控制線Lwrite連接。在具有上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置3中，同樣能夠通過與上述實(shí)施例等相同的操作來獲得相同的效果。本發(fā)明可以采用如下結(jié)構(gòu)。(I) 一種信號(hào)傳輸裝置，其包括多個(gè)像素，其進(jìn)行信號(hào)的輸入操作和/或輸出操作；一條或多條信號(hào)線，其連接到所述像素；多條布線，其包括信號(hào)線；一個(gè)或多個(gè)靜電放電保護(hù)電路，其布置在所述多條布線中的一條信號(hào)線與另一條布線之間，并且各個(gè)所述靜電保護(hù)電路具有第一晶體管和電容器；及第一控制線，其連接到所述靜電放電保護(hù)電路，其中，在所述靜電放電保護(hù)電路中，所述第一晶體管的柵極直接或間接地連接到所述第一控制線，所述第一晶體管的源極和漏極中的一者連接到一條信號(hào)線和所述電容器的一端，所述第一晶體管的源極和漏極中的另一者連接到另一條布線，且所述電容器的另一端連接到所述第一晶體管的柵極。(2)如⑴所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述靜電放電保護(hù)電路還包括電阻器，且所述電阻器的一端連接到所述第一控制線，并且所述電阻器的另一端連接到所述第一晶體管的柵極和所述電容器的所述另一端。(3)如⑵所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述電阻器由第二晶體管形成。(4)如(3)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述電阻器的所述一端是所述第二晶體管的源極或漏極，而所述電阻器的所述另一端是所述第二晶體管的漏極或源極，且第二控制線連接到所述第二晶體管的柵極。(5)如⑷所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述第二控制線的電位設(shè)定成使得當(dāng)所述信號(hào)傳輸裝置的裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)所述第二晶體管處于打開狀態(tài)。
(6)如(I)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述第一控制線的電位設(shè)定成使得當(dāng)所述信號(hào)傳輸裝置的裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。(7)如⑴至(6)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述另一條布線是所述多條布線中的另一條信號(hào)線、一條電源線或一條接地線。(8)如(7)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述多個(gè)靜電放電保護(hù)電路包括一個(gè)或多個(gè)第一保護(hù)電路，其布置在所述一條信號(hào)線與所述另一條信號(hào)線之間，及一個(gè)或多個(gè)第二保護(hù)電路，其布置在所述一條信號(hào)線與所述一條電源線之間或布置在所述一條信號(hào)線與所述一條接地線之間。(9)如⑶所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述第一保護(hù)電路和所述第二保護(hù)電路連 續(xù)地布置在鄰近的所述多條布線之間。(10)如⑴至(9)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述多個(gè)像素進(jìn)行作為所述信號(hào)的輸入操作的攝像操作，所述信號(hào)傳輸裝置構(gòu)成攝像裝置。(11)如(10)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述多個(gè)像素根據(jù)入射射線生成電信號(hào)，以進(jìn)行所述攝像操作，所述信號(hào)傳輸裝置構(gòu)成輻射攝像裝置。(12)如(11)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述射線是X射線。(13)如⑴至(9)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述多個(gè)像素進(jìn)行作為所述信號(hào)的輸出操作的顯示操作，所述信號(hào)傳輸裝置構(gòu)成顯示裝置。(14) 一種攝像顯不系統(tǒng)，其包括攝像裝置，其包括(10)-(12)中任一項(xiàng)所述的信號(hào)傳輸裝置；及顯示器，其基于由所述攝像裝置獲得的攝像信號(hào)進(jìn)行圖像顯示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。
權(quán)利要求
1.一種信號(hào)傳輸裝置,其包括 多個(gè)像素，其進(jìn)行信號(hào)輸入操作和/或信號(hào)輸出操作； 一條或多條信號(hào)線，其連接到所述像素； 多條布線，其包括所述信號(hào)線； 一個(gè)或多個(gè)靜電放電保護(hù)電路，其布置在所述多條布線中的一條信號(hào)線與另一條布線之間，并且各個(gè)所述靜電保護(hù)電路具有第一晶體管和電容器；及 第一控制線，其連接到所述靜電放電保護(hù)電路， 其中，在所述靜電放電保護(hù)電路中，所述第一晶體管的柵極直接或間接地連接到所述第一控制線，· 所述第一晶體管的源極和漏極中的一者連接到所述一條信號(hào)線和所述電容器的一端，所述第一晶體管的源極和漏極中的另一者連接到所述另一條布線，且 所述電容器的另一端連接到所述第一晶體管的柵極。
2.如權(quán)利要求I所述的信號(hào)傳輸裝置，其中， 所述靜電放電保護(hù)電路還包括電阻器，且 所述電阻器的一端連接到所述第一控制線，所述電阻器的另一端連接到所述第一晶體管的柵極和所述電容器的所述另一端。
3.如權(quán)利要求2所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述電阻器由第二晶體管形成。
4.如權(quán)利要求3所述的信號(hào)傳輸裝置，其中， 所述電阻器的所述一端和所述另一端分別是所述第二晶體管的源極和漏極或者分別是所述第二晶體管的漏極和源極，且 所述第二晶體管的柵極連接到第二控制線。
5.如權(quán)利要求4所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述第二控制線的電位設(shè)定成使得當(dāng)所述信號(hào)傳輸裝置的裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)所述第二晶體管處于打開狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求I所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述第一控制線的電位設(shè)定成使得當(dāng)所述信號(hào)傳輸裝置的裝置電源處于打開狀態(tài)時(shí)所述第一晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求I所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述另一條布線是所述多條布線中的另一條信號(hào)線、一條電源線或一條接地線。
8.如權(quán)利要求7所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述信號(hào)傳輸裝置包括 布置在所述一條信號(hào)線與所述另一條信號(hào)線之間的一個(gè)或多個(gè)所述靜電放電保護(hù)電路，及 布置在所述一條信號(hào)線與所述一條電源線之間或者所述一條信號(hào)線與所述一條接地線之間的一個(gè)或多個(gè)所述靜電放電保護(hù)電路。
9.如權(quán)利要求8所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述靜電放電保護(hù)電路連續(xù)地布置在鄰近的所述多條布線之間。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述多個(gè)像素進(jìn)行作為所述信號(hào)輸入操作的攝像操作，所述信號(hào)傳輸裝置構(gòu)成攝像裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述多個(gè)像素根據(jù)入射的射線生成電信號(hào)，以進(jìn)行所述攝像操作，所述信號(hào)傳輸裝置構(gòu)成輻射攝像裝置。
12.如權(quán)利要求11所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述射線是X射線。
13.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的信號(hào)傳輸裝置，其中，所述多個(gè)像素進(jìn)行作為所述信號(hào)輸出操作的顯示操作，所述信號(hào)傳輸裝置構(gòu)成顯示裝置。
14.一種攝像顯示系統(tǒng)，其包括 攝像裝置，其包括權(quán)利要求10-12中任一項(xiàng)所述的信號(hào)傳輸裝置 '及 顯示器，其基于由所述攝像裝置獲得的攝像信號(hào)進(jìn)行圖像顯示。
全文摘要
本發(fā)明涉及信號(hào)傳輸裝置和攝像顯示裝置。信號(hào)傳輸裝置包括多個(gè)像素，其進(jìn)行信號(hào)的輸入操作和/或輸出操作；一條或多條信號(hào)線，其連接到像素；多條布線，其包括信號(hào)線；一個(gè)或多個(gè)靜電放電保護(hù)電路，其布置在多條布線中的一條信號(hào)線與另一條布線之間，并且各個(gè)靜電保護(hù)電路具有第一晶體管和電容器；及第一控制線，其連接到靜電放電保護(hù)電路；其中，在靜電放電保護(hù)電路中，第一晶體管的柵極直接或間接地連接到第一控制線，第一晶體管中的源極和漏極中的一者連接到一條信號(hào)線和所述電容器的一端，另一者連接到另一條布線，且電容器的另一端連接到第一晶體管的柵極。根據(jù)本發(fā)明，能夠更有效地進(jìn)行靜電保護(hù)。
文檔編號(hào)H04N5/225GK102801902SQ20121015232
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者千田滿 申請(qǐng)人:索尼公司