專利名稱：在一系列場強上的支持 nfc 的裝置中的變化負(fù)載調(diào)制的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及近場通信(NFC)裝置及其操作和應(yīng)用。更具體地，本發(fā)明涉及用于測量NFC讀取器場的強度并調(diào)整標(biāo)簽讀取器的負(fù)載調(diào)制的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
近場通信(NFC)包括裝置間非接觸的或無線的通信，其中這些裝置在空間上僅分隔一小段距離并在第一裝置生成的場和第二裝置的天線之間進(jìn)行耦合。在一種操作模式中，當(dāng)?shù)诙b置調(diào)制其天線端間的阻抗且對耦合場的影響被第一裝置檢測到時，信息被從第二裝置通信至第一裝置。由于對場的可檢測的影響是由調(diào)制天線端間的阻抗引起的，這種通信方案被稱為負(fù)載調(diào)制。僅在很短的距離上無線通信的能力為與電子裝置、產(chǎn)品和系統(tǒng)的安全個人交互提供了一系列的框架。真正地，個人應(yīng)用已經(jīng)超越與電腦交互的呆板模式而變?yōu)槠渲杏嬎愫屯ㄐ庞布钦嬲膫€人項目、且高度地移動化并融入現(xiàn)代的生活方式中的這種模型。與這種強大的個人計算和通信裝置的使用模式相一致，“移動(on-the-go)”計算和通信的許多應(yīng)用已被、并正在被開發(fā)出來。這樣的移動應(yīng)用的一類包括裝置之間的NFC。諸如與商店、銀行、火車、公交等進(jìn)行財務(wù)交易的應(yīng)用可通過兩個裝置的近場耦合進(jìn)行來交換財務(wù)和/或個人信息。應(yīng)理解，在第一和第二 NFC裝置的交互中，其中裝置中的至少一個被人移動進(jìn)近場耦合范圍，這樣的裝置的相對位置可能在一次使用和下一次使用時存在不同。由于缺少位置上的嚴(yán)格統(tǒng)一，耦合場強度將發(fā)生變化。通過負(fù)載調(diào)制通信的傳統(tǒng)的NFC裝置無法應(yīng)對不一致的場強，無論是由于對準(zhǔn)變化或其他的原因?qū)е碌牟灰恢隆Ｐ枰糜谠谝幌盗袠?biāo)簽讀取器場強上支持NFC的裝置(NFC-enabled device)中的變化負(fù)載調(diào)制的方法和設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
(I) 一種操作通信裝置的方法，包括:在所述通信裝置處選擇第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載；由所述通信裝置確定耦合至所述通信裝置的場的場強；如果所述場強大于閾值，則在所述通信裝置處選擇第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載。(2)根據(jù)(I)所述的方法，其中，所述通信裝置是支持NFC的裝置。(3)根據(jù)(I)所述的方法，其中，所述場是NFC讀取器場。(4)根據(jù)(I)所述的方法，所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載和所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載均包括一個或多個晶體管。(5)根據(jù)(I)所述的方法，進(jìn)一步包括:利用所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載來對所述場進(jìn)行負(fù)載調(diào)制。(6)根據(jù)(5)所述的方法，進(jìn)一步包括:利用所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載來對所述場進(jìn)行負(fù)載調(diào)制。(7)根據(jù)(6)所述的方法，其中，利用所述第一和所述第二負(fù)載的負(fù)載調(diào)制同時進(jìn)行。(8) 一種操作通信裝置的方法，包括:生成指示標(biāo)簽讀取器場的場強的信號；將所述信號至少與第一閾值進(jìn)行比較，并產(chǎn)生比較結(jié)果信號；以及，至少部分地基于所述比較結(jié)果信號來產(chǎn)生負(fù)載調(diào)制負(fù)載。(9)根據(jù)(8)所述的方法，其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載具有當(dāng)所述第一閾值被超過時減少的阻抗值。(10) 一種操作支持NFC的裝置的方法，包括:提供第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載和第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載；生成指示所述支持NFC的裝置所耦合的場的強度是否大于預(yù)定閾值的信號；如果所述場的強度不大于所述預(yù)定閾值，則選擇所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載；以及，如果所述場的強度大于所述預(yù)定閾值，則選擇所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載；其中，所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載具有比所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載低的阻抗。(11)一種支持NFC的裝置，包括:天線；負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路，耦合至所述天線；以及，負(fù)載調(diào)制負(fù)載控制器，耦合至所述天線和所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路；其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載控制器向所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路提供一個或多個控制信號；并且，其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路響應(yīng)于所述一個或多個控制信號而提供預(yù)定負(fù)載阻抗。(12 )根據(jù)(11)所述的支持NFC的裝置，其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載控制器包括耦合至所述天線的分流調(diào)節(jié)器。(13)根據(jù)(11)所述的支持NFC的裝置，其中，所述預(yù)定負(fù)載阻抗在所述支持NFC的裝置檢測到讀取器場強小于閾值時包括第一阻抗，并且在檢測到的讀取器場強大于所述閾值時包括第二阻抗。(14)根據(jù)(13)所述的支持NFC的裝置，其中，所述第一阻抗大于所述第二阻抗。(15)根據(jù)(11)所述的支持NFC的裝置，負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路在第一天線端和第二天線端之間包括兩個或更多電通路。(16)—種近場通信裝置，包括:負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路，用于提供至少兩種預(yù)定負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗；其中，由所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路提供的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗取決于被傳輸?shù)臄?shù)據(jù)以及耦合至所述近場通信裝置的讀取器場強的大小。(17)根據(jù)(16)所述的近場通信裝置，其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路包括至少兩個能夠獨立切換的電路徑。(18)—種近場通信裝置，包括:負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路，用于提供持續(xù)變化的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗；其中，由所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路提供的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗取決于被傳輸?shù)臄?shù)據(jù)以及耦合至所述近場通信裝置的場強的大小。( 19)根據(jù)(18)所述的近場通信裝置，其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路的阻抗通過模擬信號設(shè)定，所述模擬信號源自數(shù)據(jù)被傳輸之前被采樣并保持的所述場強的測量值。(20 )根據(jù)(18 )所述的近場通信裝置，其中，所述場強是讀取器場強。


參照

本發(fā)明的實施方式。在圖中，相同的參考標(biāo)號表示相同的或功能相似的元件。此外，參考標(biāo)號最左邊的數(shù)字標(biāo)識該參考標(biāo)號首次出現(xiàn)的圖。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的近場通信(NFC)環(huán)境的框圖。圖2是高階框圖，示出適于至少部分基于標(biāo)簽天線所耦合的讀取器場的強度來改變負(fù)載調(diào)制負(fù)載的硬件結(jié)構(gòu)。圖3是圖2中所示的負(fù)載調(diào)制控制塊206的高階電路框圖。圖4是適于本發(fā)明實施方式使用的分流調(diào)節(jié)器(shunt regulator)的簡化示意圖。圖5是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的高階框圖，該負(fù)載具有由傳輸數(shù)據(jù)直接控制的第一部分和至少部分地由耦合至標(biāo)簽天線的讀取器場的強度控制的第二部分。圖6是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的示意圖，該負(fù)載包括雙極型晶體管，每個都與表示預(yù)定阻抗的一個或多個組件串聯(lián)。圖7是示例性可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載的示意圖，該負(fù)載包括在標(biāo)簽天線的天線端之間漏極到源極并聯(lián)耦合的一對FET。圖8是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的示意圖，該負(fù)載包括在標(biāo)簽天線的天線端之間的兩個并聯(lián)通路，其中兩個并聯(lián)通路中的至少一個包括彼此串聯(lián)耦合的兩個或更多個FET。圖9是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的示意圖，該負(fù)載包括標(biāo)簽天線的天線端之間的多個并聯(lián)通路，其中，通路中的第一個由傳輸數(shù)據(jù)直接控制，且多個通路中的其他通路中的至少兩個的阻抗取決于耦合至標(biāo)簽天線的讀取器場的強度。圖10是根據(jù)本發(fā)明的用于可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的示例性控制子電路的示意圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的處理的流程圖。
具體實施例方式總的來說，本發(fā)明的實施方式使用場強測量信號來控制負(fù)載調(diào)制的程度，以便當(dāng)讀取器信號強時，低阻抗負(fù)載調(diào)制器可被使用以改善讀取器的所見信號。在較弱的場中，較高的阻抗負(fù)載調(diào)制器可被使用以確保讀取器時鐘可以被標(biāo)簽或標(biāo)簽仿真器恢復(fù)。以這種方式，與傳統(tǒng)NFC通信裝置相比，由各種NFC通信規(guī)范、標(biāo)簽或標(biāo)簽仿真器加在NFC通信裝置上的要求可以在更廣的操作范圍上被保持。下面詳細(xì)的說明引用本發(fā)明的示例性實施方式的附圖。詳細(xì)說明中對“一種例證性實施方式”、“示例性實施方式”、“例證性實施方式”等的引用，表明引用的實施方式可包括具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但每個例證性實施方式可不一定包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。此外，這樣的短語不一定關(guān)于同一例證性實施方式。進(jìn)一步地，當(dāng)特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性被結(jié)合例證性實施方式被說明時，無論是否被明確地說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可結(jié)合其他例證性實施方式影響這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性。本文所說明的例證性實施方式以示例性目的被提出，并無限制。其他例證性實施方式是可行的，而可在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)對例證性實施方式做出修改。因此，詳細(xì)說明并不意為限制本發(fā)明。而且，本發(fā)明的范圍僅根據(jù)附加的權(quán)利要求及其等同物被定義。例證性實施方式的詳細(xì)的說明將如此全面的揭示本發(fā)明的總體性質(zhì)以至于其他人可在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，無需過度實驗地，通過應(yīng)用本領(lǐng)域技術(shù)知識來容易地修改和/或為各個應(yīng)用調(diào)整這樣的例證性實施方式。因此，這樣的調(diào)整和修改應(yīng)是在根據(jù)本文提出的教導(dǎo)和引導(dǎo)的例證性實施方式的含義和多個等同物范圍內(nèi)的。應(yīng)理解，本文的措辭或術(shù)語是以說明為目的的并無限制，以便本說明書的措辭和術(shù)語可被本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本文的教導(dǎo)所理解。盡管本發(fā)明的描述關(guān)于NFC方面進(jìn)行描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明可被應(yīng)用至使用近場和/或遠(yuǎn)場的其他通信。例如，盡管使用支持NFC的裝置描述本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，這些支持NFC的裝置的功能可被應(yīng)用至使用近場和/或遠(yuǎn)場的其他通信裝置。術(shù)語如本文所用，措辭“近場通信器”指至少包括提供NFC標(biāo)簽和NFC標(biāo)簽讀取器機能的資源的產(chǎn)品。這樣的產(chǎn)品有時可被稱為支持NFC的裝置。術(shù)語芯片、裸片、集成電路、半導(dǎo)體裝置和微電子裝置，在電子設(shè)備領(lǐng)域中常常被交替使用。本發(fā)明可應(yīng)用于如本領(lǐng)域中通常理解那樣的以上全部。關(guān)于芯片，通常經(jīng)由物理、電力地導(dǎo)電連接來在其和其他電路元件之間耦合電力、地和多種信號。這樣的連接點可被稱為輸入、輸出、輸入/輸出(I/o)、端、線、管腳、焊點、端口、接口或相似的變體和組合。盡管芯片之中和之間的連接一般通過電導(dǎo)體進(jìn)行，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，芯片和其他電路元件可以可選地通過光的、機械的、磁的、靜電的和電磁的接口進(jìn)行耦合。縮寫FET指場效應(yīng)晶體管。術(shù)語“gate (柵或門)”是上下文關(guān)聯(lián)的，并當(dāng)說明集成電路時可以以兩種方式被使用。如本文所用，當(dāng)被用在邏輯門的上下文中時，門指用于實現(xiàn)任意邏輯功能的電路。當(dāng)被用在晶體管電路配置的上下文中時，柵指三端FET的絕緣柵端。措辭“柵端”一般可以與措辭“柵極”替換，且這兩個均可被用于表示三端FET的絕緣柵端。盡管當(dāng)考慮到半導(dǎo)體本體時FET可被視為四端，但為了說明本發(fā)明示例性實施方式，將使用傳統(tǒng)的柵-漏-源三端模型說明FET。源/漏端指FET的端，在向柵端施加電壓所產(chǎn)生的垂直電場的作用下，由于半導(dǎo)體表面的反轉(zhuǎn)，在電場的作用下在源端和漏端之間發(fā)生導(dǎo)通?？傮w來說，源和漏被構(gòu)成為使其幾何對稱。對于幾何對稱的源和漏端，通常簡單地將這些端表示為源/漏端，且本文使用這種命名方式。設(shè)計者常常基于當(dāng)FET在電路中工作時施加至該端的電壓指定具體的源/漏端為“源”或“漏”。術(shù)語“變?nèi)荻O管”指電壓可變電容器。通過非限制性的示例，電壓可變電容器可被諸如二極管、FET和MEMS裝置形成。由于二極管正極和負(fù)極之間的結(jié)電容與在二極管結(jié)間施加的反向偏置的幅度有關(guān)，電壓可變電容器可以由二極管形成。類似地，F(xiàn)ET可被用作電壓可變電容器。公知的是，F(xiàn)ET的柵端和半導(dǎo)體本體之間的電容與施加在柵端的電壓和所施加的電壓對耗盡區(qū)深度的影響相關(guān)。即，在溝道反轉(zhuǎn)之后FET柵電容達(dá)到最高，而當(dāng)柵下的耗盡區(qū)達(dá)到其最大深度時FET柵電容達(dá)到最低。MEMS裝置也可被用作電壓可變電容器。MEMS變?nèi)荻O管一般通過在所施加電壓的控制下變化兩個電容器板之間的距離進(jìn)行工作。措辭“負(fù)載調(diào)制” 一般指通過修改耦合至由第一裝置生成的場的天線或線圈間的阻抗來調(diào)制該場。如本文結(jié)合NFC裝置所用，負(fù)載調(diào)制指一個處理，通過該處理NFC標(biāo)簽修改NFC讀取器場以使讀取器可以從被修改場中提取數(shù)據(jù)。一般，標(biāo)簽通過在其耦合至讀取器場期間調(diào)制標(biāo)簽天線間的阻抗，即負(fù)載，來修改讀取器場。負(fù)載的調(diào)制根據(jù)標(biāo)簽正在通信至讀取器的數(shù)據(jù)進(jìn)行。讀取器裝置檢測該數(shù)據(jù)相關(guān)的負(fù)載調(diào)制并從被調(diào)制的讀取器場中提取數(shù)據(jù)。術(shù)語“智能卡”指具有嵌入其中的集成電路的諸如信用卡大小的塑料的物理基板。一般，智能卡被用于財務(wù)交易或?qū)σ焰i設(shè)備的安全訪問。有源智能卡包括諸如電池的嵌入式電源。無源智能卡需要從外部源被供應(yīng)電力。在一些例子中，外部源是激勵場(energization field),從其中無源智能卡收獲執(zhí)行其期望功能所需的能源?？蒒FC的智能卡與其他裝置以非接觸、或無線的方式通信。示例性近場通信環(huán)境圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的近場通信(NFC)環(huán)境的框圖。NFC環(huán)境100提供了充分接近彼此的第一 NFC裝置102與第二 NFC裝置104之間的信息的無線通信。信息可包括將被第一 NFC裝置102和/或第二 NFC裝置104執(zhí)行的一個或多個指令、將被傳輸至第一 NFC裝置102和/或第二 NFC裝置104的來自一個或多個數(shù)據(jù)存儲裝置的數(shù)據(jù)、或其任意組合。數(shù)據(jù)存儲裝置可包括一個或多個非接觸發(fā)送應(yīng)答器、一個或多個非接觸標(biāo)簽、一個或多個非接觸智能卡、任何其他機器可讀介質(zhì)、或其任意組合。其他機器可讀介質(zhì)可包括非瞬態(tài)存儲介質(zhì)，如但不限于，例如隨機存取存儲器(RAM)的易失性存儲器、例如只讀存儲器(ROM)的非易失性存儲器、閃存、磁盤存儲介質(zhì)以及光存儲介質(zhì)。再其他機器可讀介質(zhì)可包括電的、光的、聲音的或其他形式的傳播信號，如載波、紅外信號、以及數(shù)字信號，以提供示例。制造技術(shù)和數(shù)字化結(jié)構(gòu)的改進(jìn)導(dǎo)致之前不可能或無法實際實現(xiàn)的多種產(chǎn)品和產(chǎn)品種類的產(chǎn)生。近場通信(NFC)電路、系統(tǒng)和應(yīng)用領(lǐng)域中出現(xiàn)的發(fā)展使新的產(chǎn)品和產(chǎn)品種類成為可能。含有近場通信能力的產(chǎn)品有時被稱為可NFC的(NFC-enabled)。例如移動電話、智能卡、密鑰鏈、安全訪問卡、平板電腦、或具有NFC能力的其他電子產(chǎn)品被稱為可NFC的。近場通信使數(shù)據(jù)可以在短距離上從第一支持NFC的裝置通信至第二支持NFC的裝置。盡管對短距離范圍的嚴(yán)格的定義在領(lǐng)域內(nèi)并未達(dá)成，但用于NFC的短距離一般被認(rèn)為是少于4cm或在所選通信頻率的一個波長之內(nèi)，該頻率一般是13.56MHz。一般的NFC配置包括一對裝置，其中第一裝置作為目標(biāo)或“標(biāo)簽”來響應(yīng)通信，在第一裝置近場耦合距離內(nèi)的第二裝置作為“讀取器”來發(fā)起通信。在本發(fā)明的各個實施方式中，第一裝置可配備用作標(biāo)簽和讀取器這兩者工作的電路系統(tǒng)，通常被稱為通信器。包括NFC標(biāo)簽電路系統(tǒng)以及用于其它機能的電路系統(tǒng)的電子產(chǎn)品可被稱為標(biāo)簽仿真器，或具有在“標(biāo)簽仿真模式”中工作的能力。類似地，包括NFC讀取器電路系統(tǒng)以及用于其他機能的電路系統(tǒng)的電子產(chǎn)品可被稱為讀取器仿真器，或具有在“讀取器仿真模式”中工作的能力。如將在以下更詳細(xì)的說明，支持NFC的裝置和應(yīng)用至少在消費者電子和工業(yè)產(chǎn)品中具有實用性。結(jié)合下面的示例性實施方式，注意，對計算平臺的任何引用意為包括無論其形式因素或輸入/輸出配置的相似的計算裝置和計算機。通過示例，并無限制地，智能手機是一種計算平臺。示例性場強相關(guān)的負(fù)載調(diào)制器
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的NFC通信裝置的負(fù)載調(diào)制通信部分。與僅具有僅根據(jù)傳輸數(shù)據(jù)的單個阻抗改變不同，本發(fā)明的實施方式提供兩個或更多的阻抗改變，所述兩個或更多的改變依賴于傳輸數(shù)據(jù)和同時檢測到的耦合至NFC天線的標(biāo)簽讀取器場的強度這兩者。更具體地參照圖2，電路200被示出為包括標(biāo)簽天線202，其具有第一天線端210和第二天線端212。可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路204耦合在天線202的端210、212之間。負(fù)載控制子電路206耦合在端210、212之間。傳輸信號Tx被作為輸入耦合至可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路204和負(fù)載控制子電路206。定時控制信號LoadModeEn被作為輸入耦合至負(fù)載控制子電路206。在本示例性實施方式中，Tx和LoadModeEn都是數(shù)字信號。負(fù)載控制子電路206生成數(shù)字信號208作為輸出，該信號208被作為輸入稱合至可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路 204。通過響應(yīng)于信號Tx的狀態(tài)改變(即調(diào)制)調(diào)制天線端210、212間的負(fù)載，可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路204負(fù)責(zé)標(biāo)簽和標(biāo)簽讀取器(未示出)之間的通信。圖2所示的組件中的一些或所有可以被(但并不要求被)集成在單個芯片上。在圖2的示例性實施方式中，信號Tx控制天線端210、212間負(fù)載以第一量改變。當(dāng)信號208被認(rèn)定(assert)時，信號Tx控制天線端210、212間的負(fù)載以第二量改變。在一些實施方式中，第一和第二量是標(biāo)定的固定量。在本發(fā)明的一般實施方式中，為每一個具體的天線設(shè)計均選擇一個負(fù)載調(diào)制負(fù)載的默認(rèn)值。再次地，在一般實施方式中，在其中負(fù)載調(diào)制負(fù)載被改變的通信之后，將為下一次通信重新選擇默認(rèn)負(fù)載調(diào)制負(fù)載。本發(fā)明的各個實施方式使用在負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路中的負(fù)載阻抗的預(yù)定值，其中所選擇的負(fù)載至少部分地基于與對應(yīng)的負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路一起使用的具體的天線設(shè)計。參照圖3，負(fù)載控制子電路206的更詳細(xì)的示意框圖包括耦合在天線端210、212之間的分流調(diào)節(jié)器302。分流調(diào)節(jié)器302提供輸出信號303，該信號代表天線202耦合至的場的強度。參考304提供輸出信號305，該信號代表場強值，在該值以上低阻抗負(fù)載調(diào)制器可以被使用以改善讀取器所見信號。參考304可以是固定的或可編程的。在一般的工作方案中，參考304的輸出是不變的。在這種標(biāo)簽或標(biāo)簽仿真器被配備兩個或更多不同的天線的各個可選的實施方式中，可編程參考304可被用于提供更新的參考值以與不同的天線中的每一個一起使用。在另一種可選中，參考304具有多個固定的參考值以適應(yīng)兩個或更多不同天線中所選的一個或多個。在本實施方式中，參考304將被提供選擇信號，該選擇信號指示應(yīng)輸出其多個參考值中的哪一個以與分流調(diào)節(jié)器302的輸出信號303作比較。仍關(guān)于參考304，在進(jìn)一步的實施方式中，輸出的參考值可至少部分地基于移動通信中的錯誤率而改變。在更進(jìn)一步的實施方式中，通信協(xié)議棧(一般以軟件實現(xiàn))提供控制信息以使參考304輸出的參考值可基于通信協(xié)議棧的決定而改變。在一些實施方式中，參考304是可尋址的，而且選擇具體輸出值的地址被放置于耦合至參考304的參考地址寄存器(未不出)中。在一些實施方式中，參考地址寄存器對于協(xié)議棧軟件是可訪問的并可被協(xié)議棧的軟件直接地控制。比較器306被耦合以接收分流調(diào)節(jié)器302的輸出信號303和參考304的輸出信號305作為輸入。比較器306生成輸出信號307，該信號當(dāng)應(yīng)使用低阻抗負(fù)載調(diào)制負(fù)載時是邏輯1，其他時候為邏輯O。即，當(dāng)被耦合的讀取器場的強度超過了預(yù)定值時，那么輸出信號307的狀態(tài)使得低阻抗調(diào)制負(fù)載被用于與讀取器通信。仍參照圖3，輸出信號307被耦合至D型觸發(fā)器308的D輸入端。在示例性實施方式中，觸發(fā)器308在工作期間不被復(fù)位。不過，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，可選的實現(xiàn)方法可以在一個或多個的預(yù)定時間處或由于一個或多個的預(yù)定條件復(fù)位觸發(fā)器308至已知狀態(tài)。在一些例子中，作為制造過程的一部分，諸如觸發(fā)器的復(fù)位元件輔助電路的測試。如圖3所示，觸發(fā)器308由信號LoadModEn提供時鐘。LoadModEn的定時使得觸發(fā)器308在NFC標(biāo)簽/讀取器通信協(xié)議中每個響應(yīng)幀的開始或之前，載入比較器306的輸出。換句話說，觸發(fā)器308是上升沿觸發(fā)的，而LoadModEn先于每個響應(yīng)巾貞作出由低到高的一次轉(zhuǎn)變并在該巾貞的末尾返回低狀態(tài)。當(dāng)LoadModEn信號為高時，觸發(fā)器308的輸出是穩(wěn)態(tài)的。以這種方式，負(fù)載調(diào)制負(fù)載在標(biāo)簽或標(biāo)簽仿真器與讀取器間的數(shù)據(jù)交換期間不變。觸發(fā)器308的Q輸出端被耦合至邏輯門310的第一輸入端。在本示例性實施方式中，邏輯門310是雙輸入的與門。傳輸數(shù)據(jù)Tx被耦合至雙輸入與門310的第二輸入端。與門310的輸出是負(fù)載調(diào)制控制信號208。參考回圖2，可見在示例性實施方式中，負(fù)載調(diào)制控制信號208被耦合至可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載204。當(dāng)負(fù)載調(diào)制控制信號208被認(rèn)定時，所耦合的讀取器場的強度在預(yù)定值以上，天線端210、212之間的低阻抗通路可以被傳輸數(shù)據(jù)Tx激活。如上所注明，分流調(diào)節(jié)器302向比較器306提供輸入信號。圖4是適于本發(fā)明實施方式使用的分流調(diào)節(jié)器的簡化的示意圖。標(biāo)簽或標(biāo)簽仿真器、天線202提供差分信號對210、212。FET 404被漏到源地耦合在差分信號對210、212之間，并在工作中響應(yīng)于調(diào)節(jié)控制信號303來調(diào)整差分恢復(fù)通信信號210、212的電力電平，其中調(diào)節(jié)控制信號303被施加至FET404的柵端。FET 404可被稱為分流晶體管。分流晶體管404表示可控制阻抗，當(dāng)調(diào)節(jié)控制信號303大于或等于FET的閾值電壓時，該可控制阻抗利用差分恢復(fù)的通信信號212中的至少一些來分流恢復(fù)的通信信號210中的至少一些。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在實際電路中，F(xiàn)ET并不作為“理想”裝置工作并且可存在一些小的亞閾值泄漏電流通過FET。這樣的亞閾值導(dǎo)通總體上對本文說明的目的來說是無關(guān)緊要的并因此不進(jìn)一步討論。應(yīng)進(jìn)一步理解，可被用于進(jìn)行上述電力電平調(diào)整的任何合適的電路元件或電路元件的組合可被使用在包括分流調(diào)節(jié)器電路的各個實施方式中。仍參照圖4，被共同分流的差分恢復(fù)通信信號210、212的量與調(diào)節(jié)控制信號303的幅度有關(guān)。對于更大的調(diào)節(jié)控制信號303，分流晶體管404將分流更多的差分恢復(fù)通信信號210,212這兩者。調(diào)節(jié)控制信號303的幅度隨著節(jié)點405處電壓的升高而增加。節(jié)點405處的電壓隨著從天線202接收的信號的增加而升高。注意，來自分流調(diào)節(jié)器的信號并不一定是可結(jié)合負(fù)載調(diào)制負(fù)載的變化被使用的唯一的信息源。例如，在NFC通信器裝置中，即使當(dāng)標(biāo)簽仿真器被使用時IQ解調(diào)器一般不被上電，但原理上IQ解調(diào)器也可被用作關(guān)于在標(biāo)簽和讀取器間耦合的場強的信息的源，并因此可被用于確定負(fù)載調(diào)制負(fù)載的值的改變。圖5是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的高階框圖，該負(fù)載具有由傳輸數(shù)據(jù)直接控制的第一部分和至少部分地由耦合至標(biāo)簽天線的讀取器場強控制的第二部分。在該可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載204的高階表示中，由傳輸數(shù)據(jù)信號Tx4直接控制的第一可切換阻抗502被耦合在天線端210、212之間；由負(fù)載調(diào)制控制信號208直接控制的第二可切換阻抗504被耦合在天線端210、212之間。以這種方式，當(dāng)所耦合的讀取器場的強度大于預(yù)定水平時，可切換阻抗504的并聯(lián)路徑被激活以使傳輸操作的低阻抗部分成為一個比通過單獨激活可切換阻抗502可得到的阻抗更低的阻抗。負(fù)載阻抗的一般值是16歐姆或更少，但本發(fā)明并不限于負(fù)載阻抗的任何具體值。圖6是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的示意圖，該負(fù)載包括雙極型晶體管，每個都與表示預(yù)定阻抗的一個或多個的組件串聯(lián)。在本可選電路配置中，可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路204包括耦合在標(biāo)簽天線的第一側(cè)210與節(jié)點603之間的第一雙極型晶體管602，和耦合在標(biāo)簽天線的第一側(cè)210和節(jié)點607之間的第二雙極型晶體管606。可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路204進(jìn)一步包括耦合在節(jié)點603和標(biāo)簽天線的第二側(cè)212之間的第一阻抗元件604，和耦合在節(jié)點607和標(biāo)簽天線的第二側(cè)212之間的第二阻抗元件608。注意，阻抗元件604、608可具有相同或不同的電特性，并且每個都可以通過一個或多個的有源或無源的電路元件被物理實現(xiàn)。圖7是示例性可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路的示意圖，該子電路包括在標(biāo)簽天線的天線端之間漏到源地并聯(lián)耦合的一對FET。第一 FET 702響應(yīng)于數(shù)字傳輸數(shù)據(jù)信號Tx，在高阻抗?fàn)顟B(tài)和低阻抗?fàn)顟B(tài)之間切換。第二 FET704響應(yīng)于數(shù)字信號208，在高阻抗?fàn)顟B(tài)和低阻抗?fàn)顟B(tài)之間切換。當(dāng)耦合至標(biāo)簽天線的場的強度大于預(yù)定值，那么被信號208施加至FET704的柵的電壓使得FET 702和704響應(yīng)于傳輸數(shù)據(jù)同時工作。因此，當(dāng)讀取器場是強的時，阻抗的改變相對于只有FET 702切換時更大。然而，當(dāng)耦合至標(biāo)簽天線的場的強度小于預(yù)定值時，那么被信號208施加至FET 704的柵的電壓使得其不響應(yīng)于傳輸數(shù)據(jù)而改變。集成電路設(shè)計的技術(shù)人員將理解，作為導(dǎo)通兩個并聯(lián)的FET以減少負(fù)載調(diào)制負(fù)載的阻抗的可選方案，可以使用單個FET并向柵施加兩個不同的電壓。在η溝道FET的情況中，柵上更高的電壓導(dǎo)致更低的導(dǎo)通電阻。在這樣的可選實現(xiàn)方法中，信號208將用于施加更高的柵電壓而不是導(dǎo)通第二晶體管。向耦合在天線端之間的FET的柵施加在時間上隨傳輸數(shù)據(jù)和耦合場強的邏輯組合變化的電壓，是一種控制負(fù)載調(diào)制負(fù)載的阻抗的方法。但在FET中，漏電流(IDS)并不具有與漏電壓(VDS)的線性關(guān)系。這會出現(xiàn)額外的設(shè)計復(fù)雜度?？蛇x的方法將使用被選擇的一組完全導(dǎo)通的FET (即低電阻狀態(tài))來將一個或多個電路元件(例如電阻器)耦合入天線引線210、212之間的路徑。在天線引線210、212之間的路徑中使用電阻器做阻抗控制的實施方式，一般使用具有固定的、不隨電壓改變的阻值的電阻。在一些實施方式中，電阻器可以是可微調(diào)的以使制造者在電阻器形成之后可以調(diào)整這些電阻用于具體的應(yīng)用。眾所周知微調(diào)(修整)電阻器以修改其阻值有多種微調(diào)方法。圖8是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載子電路的示意圖，該子電路包括在標(biāo)簽天線的天線端之間的兩個并聯(lián)通路，其中兩個并聯(lián)的通路中的至少一個包括彼此串聯(lián)耦合的兩個或更多的FET。更具體地，可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路204具有第一路徑，該路徑包括漏到源地耦合在天線端210和212之間的FET 802。從FET 802的漏到源的阻抗被數(shù)字信號Tx控制，該信號Tx表示傳輸數(shù)據(jù)。天線端210和212之間的第二路徑包括漏到源地串聯(lián)耦合的多個FET。第一 FET 804-1被漏到源地耦合在天線端210和節(jié)點805-1之間。多個串聯(lián)耦合的FET中的第二 FET 804-2漏到源地耦合在節(jié)點805-1和第n_l節(jié)點805-(n_l)之間。第η個FET 804-η漏到源地耦合在節(jié)點805-(η-1)和天線端212之間。第二路徑中的FET804-1,804-2和804-η的柵中的每一個分別耦合至控制信號808-1、808_2、808_η中的對應(yīng)的一個，這些控制信號是η位寬的調(diào)制負(fù)載控制總線808的所有組成成員。第二路徑的阻抗取決于多個因素，包括但不一定限于，串聯(lián)FET的數(shù)量、這些FET的物理長度和寬度、FET的閾值電壓、FET的子閾值導(dǎo)通特性、和施加至這些FET的柵的電壓。仍參照圖8，應(yīng)理解，F(xiàn)ET 804-1,804-2和804_η可具有相同或不同的物理寬度和長度；相同或不同的閾值電壓；相同或不同的亞閾值導(dǎo)通特性；和分別施加至其對應(yīng)柵的相同或不同的電壓。集成電路設(shè)計領(lǐng)域技術(shù)人員可容易地選擇適于任意具體應(yīng)用的參數(shù)，而無需過度實驗。圖9是示例性可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的示意圖，該負(fù)載包括標(biāo)簽天線的天線端之間的多個并聯(lián)通路，其中通路中的第一個由傳輸數(shù)據(jù)直接控制，而多個通路中的其他通路中的至少兩個的阻抗取決于耦合至標(biāo)簽天線的讀取器場的強度。在本示例性實施方式中，第一路徑包括漏到源地耦合在天線端210和212之間的FET 902。FET 902的從漏到源的阻抗被表示傳輸數(shù)據(jù)的數(shù)字信號Tx控制。天線端210和212之間的第二路徑包括彼此漏到源地并聯(lián)耦合的多個FET。第一個FET 904-1漏到源地耦合在天線端210和212之間；第二個FET 904-2漏到源地耦合在天線端210和212之間；第η個FET 904-η漏到源地耦合在
天線端210和212之間。FET 904- 1、904_2、......>904-η的柵分別耦合至控制信號908-1、
908-2、和908-η，這些控制信號是η位寬調(diào)制負(fù)載控制總線908的組成成員。在本配置中，F(xiàn)ET可以以任何組合地被打開。FET 904-1、904-2、……、904_η可具有相同或不同的電特性。在可選的配置中，F(xiàn)ET 904-1,904-2,......、904_η中的每一個可與固定的或可變
的阻抗元件串聯(lián)耦合。在這樣的可選配置中，阻抗元件可耦合在天線端210與FET的漏之間、FET的源與天線端212之間、或同時耦合在天線端210與FET的漏之間以及FET的源與天線端212之間。在進(jìn)一步的可選實施方式中，通過電編程的手段，可從兩組以上阻抗元件中選擇阻抗元件。例如，熔絲和/或反熔絲可被電編程以在上述的兩組以上的阻抗元件中進(jìn)行選擇，并將所選擇的組永久連接至構(gòu)成場強相關(guān)可變負(fù)載調(diào)制負(fù)載的可切換路徑。類似地，可被重新編程的非易失性存儲器可被使用于指定兩組以上的阻抗元件中的哪一組被選擇。注意，負(fù)載調(diào)制負(fù)載(load-modulation load)是一個阻抗值,不需要是純的電阻性負(fù)載。除了其中晶體管和電阻器耦合在天線端210、212之間的上述示例性實施方式之夕卜，諸如但不限于電容器的其他電路元件也可以被換入或換出天線端之間的通路(即負(fù)載調(diào)制通路)。電容器可以是固定值的電容器或電壓可變電容器(變?nèi)荻O管，varactor)。在另一可選中，當(dāng)負(fù)載調(diào)制阻抗將被設(shè)為具體標(biāo)定數(shù)值時，默認(rèn)切換通路被取消選擇，可切換通路中的新的一條被激活以用于傳輸?shù)臄?shù)據(jù)。圖10是根據(jù)本發(fā)明的用于可變負(fù)載調(diào)制的負(fù)載的示例性控制子電路的示意圖。場強指示器1002生成指示被耦合的讀取器場的強度的輸出信號。參考1004提供多個參考值1005-1、1005-2、......、1005-n，其中每一個被分別耦合至比較器1006-1、1006-2、......、1006-n。每個比較器也接收場強指示器1002的輸出。在本示例性實施方式中的每個比較器處，當(dāng)場強指示器大于相應(yīng)的參考值，比較器輸出邏輯I。比較器1006-1、1006-2、……、1006-n的輸出在D型觸發(fā)器1008-1、1008-2、……、1008-n中被鎖存。每個D觸發(fā)器1008-1、
1008-2、......、1008-n的Q輸出通過對應(yīng)的多個雙輸入與門1010-1、1010-2、......、1010_n
而與傳輸數(shù)據(jù)Tx相“與”。以這種方式，阻抗路徑中每個FET的工作可被單獨地控制。仍參照圖10，D觸發(fā)器1008-1、1008-2、……、1008_n被稱為LoadModEn的信號提供時鐘。觸發(fā)器被提供時鐘使得在傳輸開始之前，新的數(shù)據(jù)被鎖存且調(diào)制負(fù)載控制總線的信號可用。圖11是根據(jù)本發(fā)明的處理的流程圖。從標(biāo)簽到讀取器傳輸數(shù)據(jù)的示例性方法包括:由標(biāo)簽測量(1102)耦合至標(biāo)簽的讀取器場的強度；如果所測量的強度低于預(yù)定閾值，則通過利用第一負(fù)載阻抗的負(fù)載調(diào)制將數(shù)據(jù)從標(biāo)簽傳輸(1104)至讀取器；以及如果所測量的強度大于預(yù)定閾值，則通過利用第二負(fù)載阻抗的負(fù)載調(diào)制將數(shù)據(jù)從標(biāo)簽傳輸(1106)至讀取器；其中，第一和第二負(fù)載阻抗不同。在本發(fā)明的各個實施方式中，標(biāo)簽使用來自被布置在標(biāo)簽天線的端間的分流調(diào)節(jié)器的信號作為所耦合的讀取器場的強度的度量。如果該度量指示所耦合的場的強度大于預(yù)定量，那么利用具有低于當(dāng)耦合場強小于預(yù)定量時所使用的負(fù)載阻抗的負(fù)載阻抗來進(jìn)行經(jīng)由負(fù)載調(diào)制的通信。在本發(fā)明的一種實施方式中，操作支持NFC的裝置的方法包括:在通信裝置處選擇第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載；由通信裝置確定耦合至通信裝置的場的場強；如果場強大于閾值，則在通信裝置處選擇第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載。在本發(fā)明的另一種實施方式中，操作通信裝置的方法包括:生成指示標(biāo)簽讀取器場的場強的信號；將信號至少與第一閾值進(jìn)行比較，并產(chǎn)生比較結(jié)果信號；以及至少部分基于比較結(jié)果信號，產(chǎn)生負(fù)載調(diào)制負(fù)載。

在更進(jìn)一步的實施方式中，操作支持NFC的裝置的方法包括:提供第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載和第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載；生成指示支持NFC的裝置所耦合的場的強度是否大于預(yù)定閾值的信號；如果場的強度不大于預(yù)定閾值，則選擇第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載；如果場的強度大于預(yù)定閾值，則選擇第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載；其中，第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載具有比第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載更低的阻抗。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，本發(fā)明并不限于正邏輯與(versus)負(fù)邏輯的使用。類似地，本發(fā)明不限于供電電壓的任何具體范圍。在本發(fā)明的一般的實施方式中，用于負(fù)載阻抗的改變以生效的轉(zhuǎn)變或置位時間沒有具體速度的要求。不過，其必須在LoadModEn被認(rèn)定與被負(fù)載調(diào)制的傳輸開始之間的時間生效。注意，該時間段可被系統(tǒng)設(shè)計工程師設(shè)定。并且，由于負(fù)載調(diào)制負(fù)載的切換，即設(shè)置，是在傳輸開始之前進(jìn)行，因此沒有由負(fù)載切換產(chǎn)生的非期望的邊帶噪聲。在本發(fā)明的可選實現(xiàn)方法中，場強和閾值是數(shù)字格式的。注意，數(shù)字格式對設(shè)計者提出多種權(quán)衡方面，包括但不限于將一個或多個模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號所增加的電力消耗。在一些實施方式中，使用持續(xù)變化的負(fù)載調(diào)制負(fù)載。持續(xù)變化的負(fù)載調(diào)制負(fù)載可以隨時間改變其阻抗的幅度。不過，即使這在理論意義上是有益的，但在實際中幀的持續(xù)時間和標(biāo)簽移動的速度使得傳輸期間的任何可能的場的改變都很小。
在一些實施方式中，使用持續(xù)可變的負(fù)載調(diào)制負(fù)載。持續(xù)可變的負(fù)載調(diào)制負(fù)載能夠改變至任何值，而不是有限數(shù)量的離散值。這就要求實現(xiàn)更多的電路系統(tǒng)，但其具有更接近于給定場強的天線端間阻抗的最優(yōu)值的優(yōu)勢。在一種示例性實施方式中，近場通信裝置，包括用于提供持續(xù)可變的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗的負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路，其中，負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路提供的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗取決于被傳輸?shù)臄?shù)據(jù)和耦合至近場通信裝置的場強的幅度。負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路的阻抗由模擬信號設(shè)定，該模擬信號源自在數(shù)據(jù)被傳輸之前被采樣和保持的場強的測量值。一般地，場強是讀取器場的強度。注意，負(fù)載調(diào)制可通過解諧(de-tuning)進(jìn)行，并且因此，包括但不限于變?nèi)荻O管的電壓可變組件可被用在天線端之間的負(fù)載調(diào)制通路中。根據(jù)所耦合的讀取器場的強度來改變負(fù)載調(diào)制負(fù)載的阻抗可被用于無源和有源標(biāo)簽的通信。只要標(biāo)簽使用負(fù)載調(diào)制進(jìn)行通信，根據(jù)所耦合的讀取器場的強度改變負(fù)載阻抗就可以被使用。本發(fā)明的實施方式至少在NFC通信裝置中具有實用性。眾所周知，NFC通信裝置被應(yīng)用在許多應(yīng)用環(huán)境中，如NFC標(biāo)簽、標(biāo)簽仿真器、非接觸卡、接近卡、智能電話、平板電腦、密鑰鏈等。注意，根據(jù)本發(fā)明以基于所耦合的場的強度的方式來改變負(fù)載調(diào)制負(fù)載并不限于任何具體應(yīng)用環(huán)境。即，在其中通過負(fù)載調(diào)制進(jìn)行通信的任何應(yīng)用、裝置、系統(tǒng)或環(huán)境中可米用本發(fā)明。結(jié)論應(yīng)理解，本公開的具體實施方式
部分、而不是摘要，意在被用于解釋權(quán)利要求。本公開的摘要可能描述本發(fā)明的一個或多個、但不是全部的示例性實施方式，并因此不應(yīng)以任何形式地限制本發(fā)明和所附的權(quán)利要求。以上借助于示出其具體功能和關(guān)系的實現(xiàn)方式的功能結(jié)構(gòu)塊描述了本發(fā)明。這些功能結(jié)構(gòu)塊的邊界在本文中是為了描述的方便而被隨意規(guī)定的，只要其具體的功能和關(guān)系被適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行，可規(guī)定可選的邊界。對本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，可在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下在其中對形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行多種改變。因此，本發(fā)明不應(yīng)被上述示例性實施方式中的任何內(nèi)容所限制，而應(yīng)僅根據(jù)所附權(quán)利要求和其等同物被規(guī)定。
權(quán)利要求
1.一種操作通信裝置的方法，包括: 在所述通信裝置處選擇第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載； 由所述通信裝置確定耦合至所述通信裝置的場的場強； 如果所述場強大于閾值，則在所述通信裝置處選擇第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載和所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載均包括一個或多個晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括:利用所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載或所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載來對所述場進(jìn)行負(fù)載調(diào)制，或者， 利用所述第一和所述第二負(fù)載的負(fù)載調(diào)制同時進(jìn)行。
4.一種操作通信裝置的方法，包括: 生成指示標(biāo)簽讀取器場的場強的信號； 將所述信號至少與第一閾值進(jìn)行比較，并產(chǎn)生比較結(jié)果信號；以及 至少部分地基于所述比較結(jié)果信號來產(chǎn)生負(fù)載調(diào)制負(fù)載。
5.一種操作支持NFC的裝置的方法，包括: 提供第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載和第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載； 生成指示所述支持NFC的裝置所耦合的場的強度是否大于預(yù)定閾值的信號； 如果所述場的強度不大于所述預(yù)定閾值，則選擇所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載；以及 如果所述場的強度大于所述預(yù)定閾值，則選擇所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載； 其中，所述第二負(fù)載調(diào)制負(fù)載具有比所述第一負(fù)載調(diào)制負(fù)載低的阻抗。
6.一種支持NFC的裝置，包括: 天線； 負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路，耦合至所述天線；以及 負(fù)載調(diào)制負(fù)載控制器，耦合至所述天線和所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路； 其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載控制器向所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路提供一個或多個控制信號；并且 其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路響應(yīng)于所述一個或多個控制信號而提供預(yù)定負(fù)載阻抗。
7.一種近場通信裝置，包括: 負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路，用于提供至少兩種預(yù)定負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗； 其中，由所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路提供的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗取決于被傳輸?shù)臄?shù)據(jù)以及耦合至所述近場通信裝置的讀取器場強的大小。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的近場通信裝置，其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路包括至少兩個能夠獨立切換的電路徑。
9.一種近場通信裝置，包括: 負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路，用于提供持續(xù)變化的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗； 其中，由所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路提供的負(fù)載調(diào)制負(fù)載阻抗取決于被傳輸?shù)臄?shù)據(jù)以及耦合至所述近場通信裝置的場強的大小。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的近場通信裝置，其中，所述負(fù)載調(diào)制負(fù)載子電路的阻抗通過模擬信號設(shè)定，所述模擬信號源自數(shù)據(jù)被傳輸之前被采樣并保持的所述場強的測量值。
全文摘要
本公開涉及在一系列場強上的支持NFC的裝置中的變化負(fù)載調(diào)制。一種支持NFC的裝置，包括在天線端間提供兩種或更多負(fù)載阻抗可選變化的負(fù)載調(diào)制通信部。兩種或更多可選變化中的至少一種取決于傳輸數(shù)據(jù)和同時檢測到的、耦合至NFC天線的標(biāo)簽讀取器場的強度。
文檔編號H04B5/00GK103117775SQ20121035714
公開日2013年5月22日 申請日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月23日
發(fā)明者菲利普·斯圖爾特·羅伊斯頓, 博杰科·馬霍勒夫, 羅賓·溫德哈姆·約翰·威爾遜 申請人:美國博通公司