專利名稱：一種用于檢測雪崩光電二極管最佳倍增因子的光纖模擬器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及光纖光纜檢測領(lǐng)域，特別涉及用于光時域反射儀的雪崩光電二極管最佳偏置電壓的檢測領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在光纖光纜測試領(lǐng)域，利用光線在光纖中傳輸時產(chǎn)生的瑞利背向散射和菲涅爾反射而采用光時域反射儀(OTDR)進行光纖連接的現(xiàn)場監(jiān)視和連接損耗測量評價是目前最有效的方法，可進行光纖長度、光纖的傳輸衰減、接頭衰減和故障定位等的測量。由于OTDR接收的來自光路的背向散射信號功率較小，因此要求作為光電轉(zhuǎn)換的光檢測器有較高的靈敏度，而雪崩光電二極管(以下稱APD)在適當?shù)钠秒妷合缕鋬?nèi)部電流有倍增效應(yīng)，如圖1，圖中虛線為信噪比SNR曲線，實線為倍增因子曲線，V。仍為最佳偏執(zhí)電壓點。APD能有效放大來自光路的待檢測信號，故雪崩光電二極管常用作OTDR的光檢測器。在忽略溫度影響條件下，AH)倍增因子通常由偏置電壓決定，如果APD兩端偏置電壓過高，引入了更多噪聲，致信噪比不好，同時電壓一旦超過了閾值，會引起APD管被擊穿。如果APD兩端偏置電壓過低，則無法起到較佳地放大作用。為使APD工作在最佳信噪比條件下，需找到能使APD倍增因子最佳的相應(yīng)偏置電壓，但現(xiàn)有技術(shù)中沒有針對如何使OTDR中APD檢測背向瑞利散射信號時達到最佳放大倍數(shù)進行精確測量的技術(shù)。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供能找到APD最佳倍增因子的光纖模擬器。實現(xiàn)本實用新型目的的方法是:一種用于檢測雪崩光電二極管最佳倍增因子的光纖模擬器，由光環(huán)形器和衰減器組成，所述光環(huán)形器和衰減器連接成光路。本方案可通過調(diào)節(jié)衰減器數(shù)值來模擬光纖近端背向瑞利散射功率衰減，進而找到APD最佳倍增因子及相對應(yīng)的偏置電壓，即找到APD最佳信噪比。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，操作方便。實現(xiàn)本實用新型的目的的優(yōu)選方法是，在所述光路中還包含光纖。其在模擬器中起到延遲光傳輸時間作用。實現(xiàn)本實用新型的目的的另一優(yōu)選方法是，所述光路中還包含光耦合器，所述耦合器設(shè)在雪崩光電二極管和光環(huán)形器之間。所述光耦合器模擬OTDR中耦合器作用。光耦合器的使用，使本實用新型更符合實際需要。

為了更清楚地說明本實用新型或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單介紹。顯而易見針，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。[0010]圖1為APD倍增因子與偏置電壓關(guān)系曲線；圖2為本實用新型提供的一個實施例示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖2所示，LD激光器3發(fā)射激光進入耦合器2，經(jīng)耦合器2進入到光環(huán)形器12，并經(jīng)環(huán)形器122 口進入，經(jīng)長光纖11進入衰減器13，由衰減器13出射入環(huán)形器121 口，并經(jīng)環(huán)形器122 口進入耦合器，經(jīng)耦合器出進入APD4。LD激光器3發(fā)射最大光功率激光，經(jīng)上述過程進入APD檢波器4。圖2中衰減器
(13)模擬光纖近端背向瑞利散射功率衰減，其值由光纖近端背向瑞利散射因子決定，通過改變衰減器13的值并調(diào)節(jié)APD兩端偏置電壓，可以測量相應(yīng)的倍增因子，其關(guān)系如圖1所示。圖中VO點即為最佳偏置電壓點。光纖11在模擬器中起到延遲光傳輸時間作用。當然，本實施例是最優(yōu)選的實施例。也可將本實施例中的耦合器2省掉，一樣可達到模擬光路功率衰減的目的。也可將衰減器13和環(huán)形器12置入一外殼內(nèi)，外殼上再置一操作窗口。本實用新型也可用在光路系統(tǒng)設(shè)計中，此時將圖2中的Aro改作其它的光路元件，通過調(diào)節(jié)衰減器13的值來檢測光路元件和光路的適應(yīng)性。
權(quán)利要求1.一種用于檢測雪崩光電二極管最佳倍增因子的光纖模擬器，其特征是，由光環(huán)形器(12)和衰減器(13)組成，所述光環(huán)形器(12)和衰減器(13)連接成光路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于檢測雪崩光電二極管最佳倍增因子的光纖模擬器，其特征是，所述光路中還包括光纖(11)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一個所述的用于檢測雪崩光電二極管最佳倍增因子的光纖模擬器，其特征是，所述光路中還包含光耦合器(2)，所述耦合器(2)設(shè)在光路中的雪崩光電二極管和光環(huán)形器(12)之間。
專利摘要本實用新型公開了一種用于檢測雪崩光電二極管最佳倍增因子的光纖模擬器，由光環(huán)形器和衰減器組成，所述光環(huán)形器和衰減器連接成光路,光路中也可添加光耦合器。本實用新型可通過改變衰減器數(shù)值并調(diào)節(jié)APD兩端偏置電壓以檢測APD最佳倍增因子。
文檔編號H04B10/071GK202998102SQ20122059798
公開日2013年6月12日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者李楚元 申請人:一諾儀器(威海)有限公司