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      用于在電感耦合的rfid中產(chǎn)生專(zhuān)用數(shù)據(jù)信道的裝置制造方法

      文檔序號(hào):7994897閱讀:412來(lái)源:國(guó)知局
      用于在電感耦合的rfid中產(chǎn)生專(zhuān)用數(shù)據(jù)信道的裝置制造方法
      【專(zhuān)利摘要】用于修改傳入的射頻(RF)信號(hào)的電感耦合裝置包括用于根據(jù)電感元件的耦合阻抗特征修改傳入的射頻信號(hào)的電感元件。可變阻抗電路包括電耦合至電感元件的輸出。低通Delta-Sigma耦合至可變阻抗電路并數(shù)字式控制可變阻抗電路的輸出,基于可變阻抗電路的輸出調(diào)節(jié)電感元件的耦合阻抗。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】用于在電感耦合的RFID中產(chǎn)生專(zhuān)用數(shù)據(jù)信道的裝置發(fā)明領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明總體上涉及用于在電感或磁耦合的射頻通信網(wǎng)絡(luò)中產(chǎn)生專(zhuān)用數(shù)據(jù)傳輸信道的方法及裝置。

      【背景技術(shù)】
      [0002]射頻識(shí)別(RFID)系統(tǒng)通常用于定位并跟蹤包括讀取裝置和至少一個(gè)無(wú)線終端或者標(biāo)簽的近場(chǎng)通信網(wǎng)絡(luò)中的物品。在給定RFID網(wǎng)絡(luò)或系統(tǒng)中,將含有載波信號(hào)的激勵(lì)時(shí)變電磁射頻(RF)波從讀取器發(fā)送到多個(gè)標(biāo)簽。可利用電感耦合借助于兩個(gè)電路之間的互感將能量從一個(gè)電路(例如導(dǎo)電天線線圈及相關(guān)電路)傳輸?shù)搅硪粋€(gè)電路。標(biāo)簽中所感應(yīng)出的電壓能夠被整流并用于向標(biāo)簽電路供電。RFID網(wǎng)絡(luò)可包括標(biāo)簽和讀取器,其中,標(biāo)簽和讀取器利用它們的電感耦合天線(或者天線線圈)間的這種電感耦合來(lái)交換信息。為了使信息能夠從標(biāo)簽傳遞到讀取器,標(biāo)簽電路會(huì)改變負(fù)載,其在本文中指的是與其電感耦合線圈相關(guān)的耦合阻抗。由于互感耦合的原因,讀取器能夠檢測(cè)到此改變,借此,源自讀取器的RF信號(hào)能被修改并返回至該讀取器,修改后的信號(hào)由標(biāo)簽來(lái)調(diào)制以傳送編碼數(shù)據(jù)。
      [0003]圖1描述了現(xiàn)有技術(shù)的RFID系統(tǒng),在該系統(tǒng)中,在相同的頻率信道或頻譜104上進(jìn)行從標(biāo)簽1la-C到讀取裝置103的數(shù)據(jù)傳輸。利用已有的電感耦合技術(shù),通常處于RFID系統(tǒng)或網(wǎng)絡(luò)中的多個(gè)標(biāo)簽中的每個(gè)標(biāo)簽在用于電感耦合的相同載波信號(hào)上發(fā)送RF信號(hào)。因此,來(lái)自各標(biāo)簽的電感耦合的RF信號(hào)在與給定讀取裝置/RFID網(wǎng)絡(luò)相關(guān)的相同RF頻譜內(nèi)與其它標(biāo)簽的電感耦合RF信號(hào)重疊。
      [0004]因此,當(dāng)多個(gè)標(biāo)簽被相同的RFID讀取裝置激勵(lì),同時(shí)利用給定頻率信道對(duì)返回至讀取器的它們各自的、重疊的信號(hào)進(jìn)行耦合時(shí),在RFID系統(tǒng)中會(huì)發(fā)生標(biāo)簽沖突。這樣,每當(dāng)在同一 RF場(chǎng)中必須同時(shí)讀取大量標(biāo)簽時(shí),標(biāo)簽沖突問(wèn)題就會(huì)加重。當(dāng)同時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)發(fā)生沖突時(shí),讀取器不能區(qū)分這些信號(hào)。標(biāo)簽沖突會(huì)使讀取器混淆,產(chǎn)生數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,并通常會(huì)降低RFID系統(tǒng)或網(wǎng)絡(luò)內(nèi)的數(shù)據(jù)吞吐量。
      [0005]已提出了許多系統(tǒng)來(lái)對(duì)個(gè)體標(biāo)簽進(jìn)行隔離。例如,在一種專(zhuān)門(mén)減少?zèng)_突錯(cuò)誤的技術(shù)中,當(dāng)讀取器意識(shí)到已發(fā)生標(biāo)簽沖突時(shí),該讀取器會(huì)發(fā)送特殊的“間隙脈沖”信號(hào)。當(dāng)接收到此信號(hào)時(shí),各標(biāo)簽會(huì)詢(xún)問(wèn)隨機(jī)數(shù)計(jì)數(shù)器以確定發(fā)送其數(shù)據(jù)前要等待的間隔。由于各個(gè)標(biāo)簽得到唯一的數(shù)字間隔,因此標(biāo)簽會(huì)在不同時(shí)間發(fā)送它們的數(shù)據(jù)。然而,就數(shù)據(jù)吞吐率而言,仍然存在對(duì)整個(gè)RFID系統(tǒng)性能的不利影響。
      [0006]目前已知的是,通過(guò)利用例如相移鍵控(PSK)和幅移鍵控(ASK)這樣的信號(hào)調(diào)制方案來(lái)對(duì)標(biāo)簽所接收到的信號(hào)進(jìn)行調(diào)制并將調(diào)制后的信號(hào)電感耦合至讀取裝置,其中標(biāo)簽通過(guò)改變狀態(tài)之間的阻抗匹配來(lái)改變其耦合阻抗。然而,仍然存在由給定頻率信道上重疊的修改的信號(hào)導(dǎo)致的標(biāo)簽沖突的不利影響。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0007]本發(fā)明提供了一種用于修改傳入的射頻(RF)信號(hào)的電感耦合裝置。電感耦合裝置包括電感元件、具有電耦合至電感元件的輸出的可變阻抗電路以及至少一個(gè)低通Delta-Sigma(Δ Σ)調(diào)制器,該調(diào)制器耦合至可變阻抗電路并數(shù)字式控制可變阻抗電路的輸出,其中,當(dāng)根據(jù)可變阻抗電路的輸出來(lái)調(diào)節(jié)電感元件的耦合阻抗時(shí),修改傳入的RF信號(hào)。
      [0008]在一個(gè)實(shí)施例中,至少一個(gè)低通Delta-Sigma調(diào)制器的輸出在至少兩個(gè)狀態(tài)間切換可變阻抗電路的輸出以調(diào)節(jié)耦合阻抗Z。
      [0009]在另一實(shí)施例中,施加至低通Delta-Sigma調(diào)制器的輸入信號(hào)由將傳入的射頻信號(hào)偏移+/_ω(!的復(fù)合調(diào)制信號(hào)其中之一組成。
      [0010]復(fù)合調(diào)制信號(hào)可以由GMSK、QPSK、nPSK、nQAM和OFDM信號(hào)中的任意信號(hào)組成。
      [0011]在又一實(shí)施例中,電感耦合裝置還包括至少一耦合至可變阻抗電路的第二低通Delta-Sigma調(diào)制器,其中可變阻抗電路的輸出還數(shù)字式地受控于第二低通Delta-Sigma調(diào)制器。
      [0012]在進(jìn)一步的實(shí)施例中,輸入至電感耦合裝置的第一和第二低通Delta-Sigma調(diào)制器的輸入信號(hào)分別包括同相⑴信號(hào)和正交(Q)信號(hào)。

      【專(zhuān)利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0013]現(xiàn)在將僅參照下列附圖示例性地描述本發(fā)明,其中:
      [0014]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的電感耦合的RFID網(wǎng)絡(luò),其中在相同的頻率信道中進(jìn)行從標(biāo)簽到讀取器的數(shù)據(jù)傳輸;
      [0015]圖2示出了一實(shí)施例中用于產(chǎn)生耦合至電感元件的可變阻抗的裝置;
      [0016]圖3示出了一實(shí)施例中用于產(chǎn)生由數(shù)字信號(hào)源(例如直接數(shù)字式頻率合成器)的頻率偏移的IQ信號(hào)的裝置;
      [0017]圖4示出了一實(shí)施例中用于產(chǎn)生由數(shù)字信號(hào)源(例如是直接數(shù)字式頻率合成器)的頻率偏移的OFDM信號(hào)的裝置;
      [0018]圖5a示出了一實(shí)施例中用于基于IQ信號(hào)輸入來(lái)產(chǎn)生單邊帶信號(hào)的交織調(diào)制器裝置;
      [0019]圖5b示出了利用圖5a的交織調(diào)制器裝置產(chǎn)生的單邊帶信號(hào)的輸出信號(hào)的示意圖;
      [0020]圖6示出了 RFID通信網(wǎng)絡(luò)的實(shí)施例,其中通過(guò)標(biāo)簽和讀取器之間的電感耦合在專(zhuān)用頻率信道中進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;
      [0021]圖7a示出了一實(shí)施例中用于產(chǎn)生QAM信號(hào)的電感耦合調(diào)制器裝置;以及
      [0022]圖7b示出了可以在利用圖7a的調(diào)制器裝置產(chǎn)生的修改后的信號(hào)中產(chǎn)生的正交誤差的示意圖。
      [0023]具體說(shuō)明
      [0024]本文使用的術(shù)語(yǔ)調(diào)制指的是射頻識(shí)別(RFID)無(wú)線終端或標(biāo)簽改變讀取器電感耦合裝置的載波射頻(RF)信號(hào)以對(duì)信息進(jìn)行編碼和傳遞的過(guò)程。例如,在相位調(diào)制中,將從讀取裝置傳輸?shù)綐?biāo)簽的數(shù)據(jù)編碼到由RFID讀取裝置發(fā)出的載波的相位變化中。
      [0025]圖2示出了一個(gè)實(shí)施例中的如射頻識(shí)別(RFID)通信網(wǎng)絡(luò)的無(wú)線通信系統(tǒng)的電感耦合裝置200,該RFID通信網(wǎng)絡(luò)可以為無(wú)源或半無(wú)源式的,其用于在電感元件203上產(chǎn)生可變阻抗205以修改例如來(lái)自RFID網(wǎng)絡(luò)的讀取裝置的傳入的射頻(RF)信號(hào)。可以為RFID通信網(wǎng)絡(luò)的標(biāo)簽終端的一部分的電感元件203,根據(jù)其時(shí)變耦合阻抗特征ZJt)來(lái)修改傳入的RF信號(hào)。這里將數(shù)字波形207施加給單比特低通Delta-Sigma( Λ Σ)調(diào)制器202。應(yīng)用單比特低通Λ Σ調(diào)制器202的輸出以控制可變阻抗205的至少兩個(gè)狀態(tài)。
      [0026]圖3示出了一實(shí)施例中用于產(chǎn)生偏移數(shù)字信號(hào)源的頻率的同相-正交(IQ)信號(hào)(308,309)的裝置300,其中在一個(gè)實(shí)施例中數(shù)字信號(hào)源可以是直接數(shù)字式頻率合成器(DDS) 3070至混頻器的信號(hào)(308,309)由直接數(shù)字式頻率合成器307產(chǎn)生??梢詰?yīng)用低通Delta-Sigma ( Δ Σ)調(diào)制器302來(lái)產(chǎn)生復(fù)合調(diào)制信號(hào)。如本文所述,低通Delta-Sigma調(diào)制器產(chǎn)生代表從DC電平到某預(yù)定設(shè)計(jì)的帶寬BW的輸入數(shù)據(jù)的輸出比特流。超過(guò)該預(yù)定設(shè)計(jì)的帶寬BW后,低通Delta-Sigma調(diào)制器的量化噪聲會(huì)一直增加,直到在某設(shè)計(jì)截止點(diǎn)處該信號(hào)被認(rèn)為具有過(guò)多的量化噪聲為止。
      [0027]在一實(shí)施例中,在可變阻抗電路中會(huì)存在一個(gè)或多個(gè)濾波器以濾除來(lái)自低通Delta-Sigma調(diào)制器302的帶噪輸出。
      [0028]圖4示出了一實(shí)施例中用于產(chǎn)生由數(shù)字信號(hào)源的頻率偏移的正交頻分復(fù)用(OFDM)信號(hào)的裝置400。
      [0029]在圖3和圖4的示例中,在frt+ δ f和frf- δ f處產(chǎn)生復(fù)合調(diào)制信號(hào),即它們?yōu)殡p邊帶的,并具有低邊帶和高邊帶。
      [0030]圖5a示出了一實(shí)施例中用于基于IQ信號(hào)輸入508,509來(lái)產(chǎn)生單邊帶(SSB)信號(hào)的交織調(diào)制器裝置500a。能夠利用兩個(gè)交織的低通Λ Σ調(diào)制器502a,502b來(lái)產(chǎn)生單邊帶(SSB)信號(hào)。
      [0031]參見(jiàn)圖5a,兩個(gè)交織的低通ΛΣ調(diào)制器502a,502b提供使Z改變0,90,180或270° (或者通常地偏移+0,偏移+90,偏移+180,或者偏移+270)的信號(hào)。至交織的第一和第二低通Delta-Sigma調(diào)制器502a, 502b的輸入信號(hào)可分別包括同相(I)和正交(Q)信號(hào)508,509。在一個(gè)實(shí)施例中,施加至交織的低通Delta-Sigma調(diào)制器502a,402b的輸入信號(hào)由將傳入的射頻信號(hào)偏移+ω0或-COtl或O的復(fù)合調(diào)制信號(hào)組成。
      [0032]仍參照?qǐng)D5a,第一 Λ Σ (即(AS)1)具有也使Z改變O或180°的輸出,而另一Λ Σ (即(Λ Σ))具有也能使Z改變90或270°的輸出。然而,輸出是交織的,在第一 Λ Σ和第二 Δ Σ之間交替切換。因此,如果(Δ 產(chǎn)生0,180,180,0,0,180…且(Δ Σ)^^90,90,270,270,…,則控制 Z 改變 0,90,180,90,180,270,0,270,…。通過(guò)利用此結(jié)構(gòu)可以產(chǎn)生單邊帶SSB信號(hào)。
      [0033]圖5b示出了利用圖5a的調(diào)制器裝置500a產(chǎn)生的單邊帶SSB信號(hào)的代表性輸出信號(hào)500b。圖5b示出了這樣一種結(jié)構(gòu)的輸出,其中施加在(八2)1調(diào)制器和(AS)q調(diào)制器的信號(hào)分別為Sincobbt和COScobbt。這里,Cobb將被改變成三種不同的頻率。
      [0034]如果Z中出現(xiàn)任何誤差,則會(huì)得到修改后的信號(hào)中有效的IQ偏移量。然而,這可通過(guò)使用已知的IQ校正方案在讀取裝置中進(jìn)行校正。如果電感元件阻抗發(fā)生變化,則可將同樣的做法應(yīng)用到RFID讀取器上。
      [0035]圖6示出了 RFID通信網(wǎng)絡(luò)600的實(shí)施例,其中通過(guò)產(chǎn)生針對(duì)RFID通信網(wǎng)絡(luò)600中進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的各個(gè)標(biāo)簽60 la-c的不同頻率信道605,606, 607,利用針對(duì)低通Delta-Sigma調(diào)制的復(fù)合調(diào)制裝置和方法,在專(zhuān)用頻率信道上進(jìn)行從標(biāo)簽到讀取器的數(shù)據(jù)傳輸。這里,針對(duì)耦合阻抗的低通Delta-Sigma調(diào)制的復(fù)合調(diào)制方法和裝置是指并表示為“Ζ-Λ Σ方案”。各個(gè)標(biāo)簽終端60la-c中的電感元件603a_c根據(jù)電感元件603a_c的耦合阻抗特征Z來(lái)修改例如來(lái)自讀取裝置602的傳入的射頻信號(hào)??勺冏杩闺娐?在圖6中未示出)具有電連接至電感元件603a_c的輸出。低通Delta-Sigma調(diào)制器f禹合至可變阻抗電路的輸入,以數(shù)字式控制該可變阻抗電路的輸出,使得可通過(guò)改變?cè)摽勺冏杩闺娐返妮敵鰜?lái)調(diào)節(jié)電感元件603a_c的耦合阻抗Z。
      [0036]圖7a示出了一實(shí)施例中用于產(chǎn)生正交調(diào)幅(QAM)信號(hào)的調(diào)制器裝置700。將數(shù)據(jù)比特施加到查找表(LUT) 701后,再施加給Λ Σ調(diào)制器702a,702b。
      [0037]通過(guò)應(yīng)用單邊帶SSB方案,可以產(chǎn)生如GMSK、nPSK、正交相移鍵控(QPSK)、0FDM、nQAM等的復(fù)合調(diào)制信號(hào),其中η表示整數(shù)。
      [0038]在一實(shí)施例中,低通Delta-Sigma調(diào)制器702a,702b的輸出可以為歸零值(RTZ),從而如果數(shù)據(jù)為1101101,則輸出為10100010100010 ;注意在各比特位之間有O。在備選實(shí)施例中,低通Delta-Sigma調(diào)制器702a,702b的輸出可以為非歸零(NRZ)類(lèi)信號(hào);例如,如果數(shù)據(jù)為1101101,則輸出為1101101,且不對(duì)數(shù)據(jù)流進(jìn)行任何添加。
      [0039]Zin 的相位可能存在誤差;即 ZQexp(jO° ),(Z0+ ε ^ exp (j (180° +Φ!), (Z0+ ε 2)exp (j (90° +Φ2)4Ρ(Ζ0+ε3)θχρ(].(270。+Φ3),其中 ε 17 φ17 ε2,φ2,ε^Ρφ3 表示誤差,Ztl為某參考阻抗。這些誤差在由電感元件返回的修改后的信號(hào)中產(chǎn)生正交誤差。
      [0040]圖7b為在以偏移量Sf產(chǎn)生單邊帶的情況下的修改后的信號(hào)的示意圖。由于此誤差會(huì)在-Sf處產(chǎn)生錯(cuò)誤音調(diào)(error tone);理想情況下誤差信號(hào)是不存在的。此正交誤差能夠通過(guò)⑴調(diào)節(jié)施加給低通Delta-Sigma調(diào)制器的I和Q信號(hào)來(lái)校正,或者(ii)在RFID通信網(wǎng)絡(luò)自身的讀取器內(nèi)進(jìn)行校正。
      [0041]例如,在讀取器中測(cè)量的是E (Q~2)-E (Γ2)和E (IQ),其中E(X)為平均期望值。項(xiàng)E(Q~2)-E(I~2)為增益失配的度量,E(IQ)為相位失配的度量。直到E(Q~2)-E(Γ2) =0時(shí)I (或者Q)信道中的增益才會(huì)被更正,直到E(IQ) = O時(shí)I (或者Q)信道中的相位才能夠被更正。這可在閉環(huán)方案中例如通過(guò)使用最小均方濾波器的方式來(lái)完成。
      [0042]用于產(chǎn)生校正的I和Q值的矩陣為:
      [0043]I MiE0<]= 1*0
      [0044]Q 更正的=sin(phase_error)*I+cos(phase_error)*Q
      [0045]其中D為I和Q之間增益失配的度量,phase_error為I和Q之間的相位誤差。若沒(méi)有任何誤差,則D = I,且phase_error = 0°。
      [0046]針對(duì)由無(wú)線標(biāo)簽終端所利用的、例如用于驅(qū)動(dòng)低通Delta-Sigma調(diào)制器的計(jì)時(shí)能而言,該計(jì)時(shí)功能的產(chǎn)生可由標(biāo)簽讀取器中的時(shí)鐘電路來(lái)提供,或者經(jīng)由基于RFID網(wǎng)絡(luò)的讀取裝置所提供的傳入的RF信號(hào)的頻率的時(shí)鐘電路發(fā)生器來(lái)提供。
      [0047]例如,在將來(lái)自讀取器的信號(hào)作為時(shí)鐘的實(shí)例中,如果讀取器處于frf處,則標(biāo)簽使用的時(shí)鐘將為frf,或者某頻率frf/N,其中N為某整數(shù)(即frf被N分頻以產(chǎn)生時(shí)鐘)。
      [0048]雖然本文針對(duì)無(wú)源和半無(wú)源RFID通信網(wǎng)絡(luò)對(duì)本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行了描述,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以想到,也確實(shí)能理解的是,本文中提出的方案還可應(yīng)用于無(wú)線通信的其它方面。因此,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解本文所描述的具體實(shí)施例僅是說(shuō)明性的而不一定是全面的。例如,可以想到本文描述的低通Delta-Sigma調(diào)制器的比特流可由脈沖寬度調(diào)制系統(tǒng)的類(lèi)似比特流代替。在不脫離如權(quán)利要求所限定的本發(fā)明范圍的情況下,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠做出這些或其它多種修改。
      【權(quán)利要求】
      1.一種用于修改傳入的射頻即信號(hào)的電感耦合裝置,其包括: 電感元件; 具有電耦合至所述電感元件的輸出的可變阻抗電路;以及 至少一耦合至所述可變阻抗電路并數(shù)字式控制所述可變阻抗電路的輸出的低通0611:8-3腦八2調(diào)制器; 其中當(dāng)根據(jù)可變阻抗電路的輸出調(diào)節(jié)所述電感元件的耦合阻抗2時(shí),修改傳入的射頻信號(hào)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感耦合裝置,其中至少一低通061^-3101^調(diào)制器的輸出在至少兩個(gè)狀態(tài)之間切換所述可變阻抗電路的輸出,從而調(diào)節(jié)所述耦合阻抗。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電感耦合裝置,其中施加至所述低通061^-3101^調(diào)制器的輸入信號(hào)包括將傳入的射頻信號(hào)偏移—廣0。的復(fù)合調(diào)制信號(hào)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電感耦合裝置,其中所述復(fù)合調(diào)制信號(hào)由咖部、職部、成部、成八1和0?01信號(hào)中之一組成。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其中所述低通061^-3101^調(diào)制器的輸出為歸零奶2和非歸零見(jiàn)?2類(lèi)信號(hào)中的一種信號(hào)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其還包括至少一耦合至所述可變阻抗電路的第二低通061^-3101^調(diào)制器,其中所述可變阻抗電路的輸出還數(shù)字式受控于至少第二低通調(diào)制器。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電感耦合裝置,其中至第一和第二低通061仏調(diào)制器的輸入信號(hào)分別包括同相I和正交0信號(hào)。
      8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電感耦合裝置,其中第一和第二所述低通061^-3101^調(diào)制器的組合輸出使所述可變阻抗電路的輸出在四個(gè)狀態(tài)間切換以調(diào)節(jié)所述電感元件的耦合阻抗。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電感耦合裝置,其中所述耦合阻抗包括四個(gè)狀態(tài),彼此相隔206x^)00。),2(^611)0180°)^2(^^)0270°
      10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其中第一所述低通061乜-318胍調(diào)制器((厶從)在0度和180度之間切換狀態(tài)。
      11.根據(jù)權(quán)利要求6至10中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其中所述第二低通061^1-31卿3調(diào)制器((八2)9在90度和270度之間切換狀態(tài)。
      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電感耦合裝置,其中第一和第二低通061^-3101^調(diào)制器的輸出在彼此間交替切換,其中如果(八2):^^ 0,180,180,0,0,180-^ (八產(chǎn)生90,90,270,270,…,則控制 2 以 0,90,180,90,180,270,0,270,…來(lái)調(diào)節(jié)。
      13.根據(jù)權(quán)利要求6至12中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其中施加到所述低通061仏調(diào)制器的輸入信號(hào)包括將傳入的射頻信號(hào)的頻率偏移^:的正弦和余弦波形,其中%可為正或負(fù)。
      14.根據(jù)權(quán)利要求6至12中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其中施加到所述低通061^-81^調(diào)制器的輸入信號(hào)由將傳入的射頻信號(hào)的頻率偏移—03。,-03。和0其中之一的復(fù)合調(diào)制信號(hào)組成。
      15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電感耦合裝置,其中所述復(fù)合調(diào)制信號(hào)由成部、驢部、II洶1和0?01信號(hào)中之一組成。
      16.根據(jù)權(quán)利要求6至15中任一項(xiàng)所述的電感|禹合裝置,其中所述低通0611:21-31卿8調(diào)制器的輸出由歸零奶2和非歸零見(jiàn)?2類(lèi)信號(hào)中的一個(gè)信號(hào)組成。
      17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電感耦合裝置,其中調(diào)節(jié)所述I和0信號(hào)以補(bǔ)償在產(chǎn)生200X1)00。),2(^1)0180° ),2,1)(^90° )^2,^)0270° )時(shí)而導(dǎo)致的誤差。
      18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電感耦合裝置,其中在電磁耦合至所述電感元件的射頻識(shí)別即10讀取裝置中進(jìn)行所述誤差的補(bǔ)償。
      19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其還包括在所述可變阻抗電路處的至少一濾波裝置以濾除來(lái)自至少一低通061^-3101^調(diào)制器的帶噪輸出。
      20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項(xiàng)所述的電感耦合裝置,其中所述電感元件包括標(biāo)簽終端的一部分,所述標(biāo)簽終端電磁耦合至射頻識(shí)別即10系統(tǒng)中的讀取裝置,所述讀取裝置以載波信號(hào)頻率提供傳入的射頻信號(hào),所述射頻識(shí)別系統(tǒng)包括對(duì)所述低通061^-3101^調(diào)制器進(jìn)行計(jì)時(shí),其中計(jì)時(shí)由標(biāo)簽讀取器中的時(shí)鐘電路和基于所述載波信號(hào)頻率產(chǎn)生的時(shí)鐘電路中的一個(gè)電路產(chǎn)生。
      21.一種用于修改傳入的射頻即信號(hào)的電感耦合裝置,其包括: 電感元件; 具有電耦合至所述電感元件的輸出的可變阻抗電路;以及 至少一耦合至所述可變阻抗電路并數(shù)字式控制所述可變阻抗電路的輸出的脈寬調(diào)制電路; 其中當(dāng)根據(jù)可變阻抗電路的輸出調(diào)節(jié)所述電感元件的耦合阻抗2時(shí),修改傳入的射頻信號(hào)。
      【文檔編號(hào)】H04B7/005GK104380611SQ201280073533
      【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月29日
      【發(fā)明者】塔吉德?tīng)枴ぢ鼛?kù) 申請(qǐng)人:泰格信息技術(shù)有限公司
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