發(fā)聲器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種發(fā)聲器件，包括磁路系統(tǒng)，以及收容固定所述磁路系統(tǒng)的外殼。所述磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括盆架，以及位于盆架中心位置的內(nèi)磁路和位于邊緣位置的外磁路，所述外磁路包括導(dǎo)磁的外華司和外磁鐵，所述內(nèi)磁路包括內(nèi)磁鐵，所述內(nèi)磁鐵和所述外磁鐵之間形成磁間隙，其中，所述外殼上設(shè)有限定所述外華司的限位部，所述外華司設(shè)有對應(yīng)所述限位部的壓邊。這種結(jié)構(gòu)節(jié)省揚(yáng)聲器內(nèi)部的空間，有效地固定了外磁路，提高了產(chǎn)品的可靠性。
【專利說明】發(fā)聲器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電聲領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)聲器件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的發(fā)聲器件包括磁路系統(tǒng)，以及收容固定所述磁路系統(tǒng)的外殼。揚(yáng)聲器需要通過模擬手機(jī)掉落的可靠性跌落實(shí)驗(yàn)，而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)外磁路華司沒有壓邊，殼體限位部高度較高，占用了揚(yáng)聲器內(nèi)部空間，壓縮了磁路上方振動(dòng)組件的空間，增加了揚(yáng)聲器的設(shè)計(jì)難度；傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)抑或外磁路上方?jīng)]有限位部，跌落實(shí)驗(yàn)外磁路容易脫落。因此，有必要對這種結(jié)構(gòu)的發(fā)聲器件進(jìn)行改進(jìn)，以避免上述缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種發(fā)聲器件，可以節(jié)省揚(yáng)聲器內(nèi)部的空間，并有效防止外磁路掉落的缺點(diǎn)，提聞廣品的可罪性。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種發(fā)聲器件，包括磁路系統(tǒng)，以及收容固定所述磁路系統(tǒng)的外殼。所述磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括盆架，以及位于所述盆架中心位置的內(nèi)磁路和位于邊緣位置的外磁路，所述外磁路包括導(dǎo)磁的外華司和外磁鐵，所述內(nèi)磁路包括內(nèi)磁鐵，所述內(nèi)磁鐵和所述外磁鐵之間形成磁間隙，其中，所述外殼上設(shè)有限定所述外華司的限位部，所述外華司設(shè)有對應(yīng)所述限位部的壓邊。
[0005]此外，優(yōu)選的方案是，所述壓邊位于所述外華司靠近所述外殼一側(cè)，且遠(yuǎn)離所述外磁鐵的位置。
[0006]此外，優(yōu)選的方案是，所述限位部位于所述外殼的內(nèi)側(cè)，與所述壓邊抵接。
[0007]此外，優(yōu)選的方案是，所述外殼上靠近所述磁間隙一側(cè)設(shè)有限定所述外華司位置的限位擋臂。
[0008]此外，優(yōu)選的方案是，所述外華司上設(shè)有與所述限位擋臂卡合的定位部。
[0009]此外，優(yōu)選的方案是，所述外磁鐵和所述內(nèi)磁鐵遠(yuǎn)離所述外華司的一側(cè)結(jié)合有盆架，所述盆架上設(shè)有凸臺(tái)，所述凸臺(tái)貼合于所述外磁鐵靠近所述磁間隙一側(cè)的底部。
[0010]采用上述技術(shù)方案后，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)用新型在外殼上設(shè)有限定外華司的限位部，華司上設(shè)有對應(yīng)外殼限位部的壓邊。從而節(jié)省揚(yáng)聲器內(nèi)部的空間，有效地固定了外磁路，提聞了廣品的可罪性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]通過下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行描述，本實(shí)用新型的上述特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚和容易理解。
[0012]圖1是本實(shí)用新型發(fā)聲器件的外殼和磁路系統(tǒng)的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型發(fā)聲器件外殼和磁路系統(tǒng)組裝后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3是本實(shí)用新型發(fā)聲器件外華司的立體結(jié)構(gòu)示意圖；【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0016]本實(shí)用新型所提供的發(fā)聲器件，包括磁路系統(tǒng)，以及收容固定所述磁路系統(tǒng)的外殼11。如圖1和圖2所示，磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括盆架12，以及位于盆架12中心位置的內(nèi)磁路和位于邊緣位置的外磁路，內(nèi)磁路包括內(nèi)華司21和內(nèi)磁鐵22，外磁路包括外華司23和外磁鐵24，內(nèi)華司21和外華司23均為導(dǎo)磁的結(jié)構(gòu)，可以調(diào)整磁力線的方向，內(nèi)磁鐵22和外磁鐵24之間形成磁間隙，磁路系統(tǒng)形成閉合的磁路。
[0017]如圖2和圖3所示，本實(shí)用新型外華司23靠近外殼11 一側(cè)且遠(yuǎn)離外磁鐵24的位置設(shè)有壓邊232。外殼11內(nèi)側(cè)對應(yīng)于外華司位置設(shè)有限位部111，壓邊232與限位部111均為延伸結(jié)構(gòu)，兩者對應(yīng)卡合，從而固定了外磁路。這種結(jié)構(gòu)使外殼11的限位部111占用了外華司23的一部分位置，從而節(jié)省了發(fā)聲器的空間，增加了振動(dòng)組件的空間，這樣可以設(shè)計(jì)更大振幅的發(fā)聲器?；蛘咴谙嗤穹那闆r下降低了雜音的風(fēng)險(xiǎn)，使結(jié)構(gòu)更加緊湊，從而可以使得發(fā)聲器更薄。
[0018]優(yōu)選的，在外殼11的內(nèi)側(cè)壁上可設(shè)有限位擋臂112，外華司23上設(shè)有延伸的定位部231，定位部231與限位擋臂112對應(yīng)卡合，從而限定了外磁路的具體位置。如圖1和圖2所示，本實(shí)施例限位擋臂112為直角結(jié)構(gòu)，定位部231為平行于外華司23軸線方向延伸的結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計(jì)可以增加外磁路的固定效果。
[0019]優(yōu)選的，盆架12對應(yīng)于外磁鐵24靠近磁間隙的一側(cè)設(shè)有凸臺(tái)121，凸臺(tái)121抵接于外磁鐵24的底部。這種結(jié)構(gòu)既避免了外磁鐵24與內(nèi)磁鐵22的吸合，又固定了外磁路的位置。
[0020]以上僅為本實(shí)用新型實(shí)施案例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)聲器件，包括磁路系統(tǒng)，以及收容固定所述磁路系統(tǒng)的外殼； 所述磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括盆架，以及位于所述盆架中心位置的內(nèi)磁路和位于邊緣位置的外磁路，所述外磁路包括導(dǎo)磁的外華司和外磁鐵，所述內(nèi)磁路包括內(nèi)磁鐵，所述內(nèi)磁鐵和所述外磁鐵之間形成磁間隙，其特征在于: 所述外殼上設(shè)有限定所述外華司的限位部，所述外華司設(shè)有對應(yīng)所述限位部的壓邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述壓邊位于所述外華司靠近所述外殼一側(cè)，且遠(yuǎn)離所述外磁鐵的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述限位部位于所述外殼的內(nèi)偵牝與所述壓邊抵接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述外殼上靠近所述磁間隙一側(cè)設(shè)有限定所述外華司位置的限位擋臂。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述外華司上設(shè)有與所述限位擋臂卡合的定位部。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述外磁鐵和所述內(nèi)磁鐵遠(yuǎn)離所述外華司的一側(cè)結(jié)合有盆架，所述盆架上設(shè)有凸臺(tái)，所述凸臺(tái)貼合于所述外磁鐵靠近所述磁間隙一側(cè)的底部。
【文檔編號(hào)】H04R9/02GK203387664SQ201320295532
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月27日
【發(fā)明者】劉建飛, 孫立國 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司