發(fā)聲器件的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種發(fā)聲器件，包括揚聲器單體和收容固定所述揚聲器單體的外圍殼體；所述揚聲器單體包括振膜，所述振膜包括位于中心位置的球頂部和位于邊緣位置的折環(huán)部；所述振膜后側(cè)的空間構(gòu)成后聲腔，所述后聲腔由所述揚聲器單體和所述外圍殼體共同形成，并且所述后聲腔為密封的結(jié)構(gòu)，其中，所述振膜上設(shè)有連通振膜兩側(cè)的泄露孔，所述泄露孔為孔狀或狹縫狀結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)使后聲腔中的氣流得到平衡，調(diào)節(jié)音質(zhì)，從而提高了這種后聲腔完全密封的發(fā)聲器件的聲學(xué)性能。
【專利說明】發(fā)聲器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電聲領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)聲器件。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)聲器件包括揚聲器單體和外圍殼體,揚聲器單體包括振動系統(tǒng),磁路系統(tǒng)，以及收容固定所述振動系統(tǒng)和所述磁路系統(tǒng)的保護框架。振動系統(tǒng)通常包括振膜和結(jié)合于振膜下側(cè)的音圈，磁路系統(tǒng)形成收容音圈的磁間隙。發(fā)聲器件振膜前側(cè)的空間形成前聲腔，振膜后側(cè)的空間形成后聲腔，前聲腔和后聲腔為相互隔離的結(jié)構(gòu)。其中后聲腔為揚聲器單體與外圍殼體之間圍城的空間，現(xiàn)有技術(shù)中在外圍殼體上對應(yīng)于后聲腔的位置設(shè)有連通外界的阻尼孔，阻尼孔主要用于散熱和平衡后聲腔內(nèi)的氣壓，使振膜可以自由振動。
[0003]但是，發(fā)聲器件最終是配合終端產(chǎn)品應(yīng)用的，其具體結(jié)構(gòu)需要針對終端產(chǎn)品進行改進。特定情況下，發(fā)聲器件的后聲腔為密封的結(jié)構(gòu)，對于這種結(jié)構(gòu)后聲腔中的氣壓不均衡，影響振膜的振動，容易造成聽音不良等缺陷。因此，需要提供一種新的解決方案，以調(diào)整這種后聲腔密封的發(fā)聲器件的聲學(xué)性能。
實用新型內(nèi)容
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種發(fā)聲器件，可以平衡后聲腔內(nèi)的氣流，調(diào)節(jié)廣品的首質(zhì)，從而提聞廣品的聲學(xué)性能。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種發(fā)聲器件，包括揚聲器單體和收容固定所述揚聲器單體的外圍殼體；所述揚聲器單體包括振膜，所述振膜包括位于中心位置的球頂部和位于邊緣位置的折環(huán)部；所述振膜后側(cè)的空間構(gòu)成后聲腔，所述后聲腔由所述揚聲器單體和所述外圍殼體共同形成，并且所述后聲腔為密封的結(jié)構(gòu)，其中，所述振膜上設(shè)有連通振膜兩側(cè)的泄露孔，所述泄露孔為孔狀或狹縫狀結(jié)構(gòu)。
[0006]此外，優(yōu)選的方案是，所述球頂部上設(shè)有所述泄露孔。
[0007]此外，優(yōu)選的方案是，所述折環(huán)部上設(shè)有所述泄露孔。
[0008]此外，優(yōu)選的方案是，所述球頂部和所述折環(huán)部上均設(shè)有所述泄露孔。
[0009]此外，優(yōu)選的方案是，所述泄露孔的面積小于所述振膜總振動面積的2%。
[0010]此外，優(yōu)選的方案是，所述泄露孔位于矩形振膜折環(huán)部的四條直線邊上，狹縫狀的所述泄露孔與所述折環(huán)部和/或球頂部的直線邊平行或垂直設(shè)置。
[0011]此外，優(yōu)選的方案是，所述折環(huán)部和所述球頂部均為矩形結(jié)構(gòu)，狹縫狀的所述泄露孔位于所述折環(huán)部和/或球頂部的直線邊呈一定角度設(shè)置。
[0012]此外，優(yōu)選的方案是，所述振膜上同時設(shè)置孔狀或狹縫狀的泄露孔。
[0013]可以使密封的后聲腔中的熱量和氣壓通過振膜上的泄露孔與外界進行流通，從而使后聲腔中的氣流得到平衡，使振膜的能夠自由移動，并且這種結(jié)構(gòu)可調(diào)節(jié)音質(zhì)，從而提高了這種后聲腔完全密封的發(fā)聲器件的聲學(xué)性能?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0014]通過下面結(jié)合附圖對本實用新型進行描述，本實用新型的上述特征和技術(shù)優(yōu)點將會變得更加清楚和容易理解。
[0015]圖1是本實用新型揚聲器單體的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2是本實用新型發(fā)聲器件的剖視圖；
[0017]圖3是本實用新型在球頂部上設(shè)置泄露孔的一種實施方案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4是本實用新型在球頂部上設(shè)置泄露孔的一種改進方案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖5是本實用新型在球頂部上設(shè)置泄露孔的一種改進方案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖6是本實用新型振膜折環(huán)部上設(shè)置泄露孔的一種實施方案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖7是本實用新型折環(huán)部上設(shè)置泄露孔的一種改進方案的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖8是本實用新型折環(huán)部上設(shè)置泄露孔的一種改進方案的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型做進一步詳細的描述。
[0024]如圖1和圖2所不,發(fā)聲器件包括揚聲器單體和收容固定揚聲器單體的外圍殼體
5。其中，揚聲器單體主要包括振動系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)，以及收容固定所述振動系統(tǒng)和所述磁路系統(tǒng)的保護框架，還包括電連接發(fā)聲器件內(nèi)部電路和外部電路的電連接件4。振動系統(tǒng)包括振膜，結(jié)合于振膜下側(cè)的音圈24,以及定心支片23 ;定心支片23與音圈24固定結(jié)合,防止音圈24振動過程中發(fā)生偏振；本實施例振膜由兩部分組成，包括位于中心位置的剛性的球頂部22和位于邊緣位置的柔性的折環(huán)部21，球頂部22采用剛性結(jié)構(gòu)可以防止振膜高頻段發(fā)生分割振動，有利于提高產(chǎn)品的聲學(xué)性能。磁路系統(tǒng)為雙磁路結(jié)構(gòu)，包括由上而下依次結(jié)合的位于中心位置的內(nèi)華司311和內(nèi)磁鐵312，位于邊緣位置的由上而下依次結(jié)合的外華司321和外磁鐵322，以及位于外磁鐵322和內(nèi)磁鐵312下側(cè)的導(dǎo)磁的導(dǎo)磁板33，所述磁路系統(tǒng)形成收容音圈24的磁間隙，即內(nèi)磁路和外磁路之間形成磁間隙，音圈24收容于磁間隙中。前蓋11扣接于外殼12上側(cè)面,前蓋11與外殼12共同形成揚聲器單體的保護框架。
[0025]本實施例的發(fā)聲器件為正面出聲的結(jié)構(gòu)，包括位于振膜前側(cè)的前聲腔和位于振膜后側(cè)的后聲腔I，如圖2所示，本實施例振膜前側(cè)的空間直接與外界連通。后聲腔I由揚聲器單體和外圍殼體5共同圍城，本實用新型后聲腔I為完全密封的結(jié)構(gòu)，即不具有傳統(tǒng)技術(shù)中的阻尼孔。作為一種改進，本實用新型在振膜上設(shè)有泄露孔，通過泄露孔可以彌補后聲腔I沒有阻尼孔帶來聽音不良等缺陷。
[0026]如圖3至圖5所示，在振膜的球頂部22上設(shè)有所述泄露孔，泄露孔的形狀可以為孔狀或狹縫狀。如圖3所示，泄露孔221a為狹縫狀結(jié)構(gòu)，設(shè)置于球頂部22的兩個角部，其中，狹縫狀泄露孔221a的尺寸、數(shù)量和位置等條件需要根據(jù)實際情況進行調(diào)整，不限于圖示結(jié)構(gòu)。圖4所示泄露孔221b為圓形的孔狀結(jié)構(gòu)，位于球頂部的中心位置，孔狀結(jié)構(gòu)泄露孔221b的形狀不限于圖示結(jié)構(gòu)，也可以為矩形或三角形等其他結(jié)構(gòu)，并且泄露孔221b的尺寸、數(shù)量和位置不限于圖示結(jié)構(gòu)。圖5所示的泄露孔221c為兩種直徑不同的圓形孔狀結(jié)構(gòu)，分別位于球頂部22的中心位置和四個角部，實施例中中心位置處圓形泄露孔221c的孔徑大于四個角部位置泄露孔221c的孔徑，同樣泄露孔221c孔徑的大小、形狀、位置、數(shù)量等不限于圖示結(jié)構(gòu)，應(yīng)根據(jù)實際情況進行調(diào)整。此外，球頂部22上的泄露孔也可以同時包含孔狀和狹縫狀結(jié)構(gòu)，在此不再詳述。
[0027]如圖6至圖7所示，可以在振膜的折環(huán)部21上設(shè)置所述泄露孔。同樣泄露孔的形狀可以為孔狀或狹縫狀結(jié)構(gòu)。如圖6所示，泄露孔211a設(shè)置于矩形振膜折環(huán)部21的四條邊上，并且與對應(yīng)邊所在的直線垂直，為狹縫狀結(jié)構(gòu)。圖7所示結(jié)構(gòu)的泄露孔211b也位于矩形振膜折環(huán)部21的四條直線邊上，泄露孔211b延伸的方向與所在邊平行設(shè)置。圖8所示泄露孔211c設(shè)置于折環(huán)部21的四條直線邊上，為圓形孔狀結(jié)構(gòu)，圓形泄露孔211c孔徑的大小不限，孔狀泄露孔211c的具體形狀不限，需根據(jù)實際情況進行調(diào)整。此外，需要說明的是，上述泄露孔的形狀、尺寸、數(shù)量等均不限于上述實施例，可根據(jù)實際情況進行調(diào)整，并且孔狀結(jié)構(gòu)和狹縫狀結(jié)構(gòu)的泄露孔可進行隨機的組合。
[0028]此外，泄露孔也可同時設(shè)置于球頂部22和折環(huán)部21上。
[0029]優(yōu)選的，本實用新型泄露孔的面積小于振膜總振動面積的2%，在該比例范圍內(nèi)即不會造成前后聲腔短路，而且可以調(diào)節(jié)產(chǎn)品的音質(zhì)。其中，振膜總振動面積是指振膜在垂直于其振動方向的平面上的正投影的面積。
[0030]上述在振膜上設(shè)置泄露孔的結(jié)構(gòu)，可以使密封的后聲腔I中的熱量和氣壓通過振膜上的泄露孔與外界進行流通，從而使后聲腔I中的氣流得到平衡，使振膜的能夠自由移動，并且這種結(jié)構(gòu)可調(diào)節(jié)音質(zhì)，從而提高了這種后聲腔I完全密封的發(fā)聲器件的聲學(xué)性能。
[0031]在本實用新型的上述教導(dǎo)下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在上述實施例的基礎(chǔ)上進行其他的改進和變形，而這些改進和變形，都落在本實用新型的保護范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的具體描述只是更好的解釋本實用新型的目的，本實用新型的保護范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)聲器件，包括揚聲器單體和收容固定所述揚聲器單體的外圍殼體；所述揚聲器單體包括振膜，所述振膜包括位于中心位置的球頂部和位于邊緣位置的折環(huán)部；所述振膜后側(cè)的空間構(gòu)成后聲腔，所述后聲腔由所述揚聲器單體和所述外圍殼體共同形成，并且所述后聲腔為密封的結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述振膜上設(shè)有連通振膜兩側(cè)的泄露孔，所述泄露孔為孔狀或狹縫狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述球頂部上設(shè)有所述泄露孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述折環(huán)部上設(shè)有所述泄露孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述球頂部和所述折環(huán)部上均設(shè)有所述泄露孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一權(quán)利要求所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述泄露孔的面積小于所述振膜總振動面積的2%。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述泄露孔位于矩形振膜折環(huán)部的四條直線邊上，狹縫狀的所述泄露孔與所述折環(huán)部和/或球頂部的直線邊平行或垂直設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述折環(huán)部和所述球頂部均為矩形結(jié)構(gòu)，狹縫狀的所述泄露孔位于所述折環(huán)部和/或球頂部的直線邊呈一定角度設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)聲器件，其特征在于，所述振膜上同時設(shè)置孔狀或狹縫狀的泄露孔。
【文檔編號】H04R7/04GK203387666SQ201320343687
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月14日
【發(fā)明者】王繼宗, 王澤 , 葛連山 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司