遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器，其特征包括：12V直流電源、拾音電路、振蕩頻率調(diào)節(jié)電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩電路、甲類功放及發(fā)射電路。本實(shí)用新型使用NPN型晶體管，利用變?nèi)荻O管調(diào)節(jié)高頻振蕩電路的振蕩頻率,將聲音信號(hào)調(diào)制成為調(diào)頻波。因前級(jí)電路只使用一只NPN型晶體管，電路受到的牽扯和干擾少，使得高頻振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于課堂教學(xué)、文體娛樂等。試驗(yàn)證明：本實(shí)用新型使用普通分立元件制作的遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器，實(shí)現(xiàn)了調(diào)頻無線話筒電路結(jié)構(gòu)簡單，制作容易、高頻振蕩頻率穩(wěn)定、耗電少等目的，遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器配合使用50Ω同軸電纜和八木天線，有效發(fā)射距離可達(dá)2000m。
【專利說明】遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)與無線通訊【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器。
【背景技術(shù)】
[0002]大多數(shù)調(diào)頻發(fā)射器電路由于沒有功率放大級(jí)，輸出功率很低，有效發(fā)射距離一般只有IOOm左右。本實(shí)用新型使用NPN型晶體管,利用變?nèi)荻O管調(diào)節(jié)聞?lì)l振蕩電路的振蕩頻率，將聲音信號(hào)調(diào)制成為調(diào)頻波。因前級(jí)電路只使用一只NPN型晶體管，電路受到的牽扯和干擾少，使得高頻振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于課堂教學(xué)、文體娛樂等。
[0003]試驗(yàn)證明:本實(shí)用新型使用普通分立元件制作的遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器，實(shí)現(xiàn)了調(diào)頻無線話筒電路結(jié)構(gòu)簡單，制作容易、高頻振蕩頻率穩(wěn)定、耗電少等目的，遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器配合使用50 Ω同軸電纜和八木天線，有效發(fā)射距離可達(dá)2000m。
[0004]以下詳細(xì)說明本實(shí)用新型所述的遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器在實(shí)施過程中所涉及的有關(guān)技術(shù)內(nèi)容。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]發(fā)明目的及有益效果:本實(shí)用新型使用NPN型晶體管，利用變?nèi)荻O管調(diào)節(jié)高頻振蕩電路的振蕩頻率，將聲音信號(hào)調(diào)制成為調(diào)頻波。因前級(jí)電路只使用一只NPN型晶體管，電路受到的牽扯和干擾少，使得高頻振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于課堂教學(xué)、文體娛樂等。
[0006]試驗(yàn)證明:本實(shí)用新型使用普通分立元件制作的遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器，實(shí)現(xiàn)了調(diào)頻無線話筒電路結(jié)構(gòu)簡單，制作容易、高頻振蕩頻率穩(wěn)定、耗電少等目的，遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器配合使用50 Ω同軸電纜和八木天線，有效發(fā)射距離可達(dá)2000m。
[0007]電路工作原理:本實(shí)用新型所述的遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器由駐極體話筒MIC將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橐纛l電流，將NPN型晶體管VTl設(shè)計(jì)成高頻振蕩器(VHF波段)，高頻振蕩電路內(nèi)用變?nèi)荻O管Dl來調(diào)節(jié)調(diào)頻無線話筒的頻率，并且利用音頻信號(hào)對(duì)振蕩電路中的變?nèi)荻O管Dl進(jìn)行調(diào)頻。由NPN型晶體管VT1、聞?lì)l振蕩線圈LI組成聞?lì)l振蕩電路，聞?lì)l振蕩電路輸出功率約為50mW。由次級(jí)線圈LI將信號(hào)送到NPN型晶體管VT2 (2N3866)構(gòu)成的VHF甲類功放級(jí)，將振蕩信號(hào)輸出功率放大4~5倍。因此，在NPN型晶體管VT2的集電極可得到≥300mff的射頻功率。
[0008]技術(shù)特征:遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器，它包括12V直流電源、拾音電路、振蕩頻率調(diào)節(jié)電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩電路、甲類功放及發(fā)射電路，其特征在于:
[0009]拾音電路:它由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容Cl和電阻R2組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻Rl的一端和耦合電容Cl的一端，耦合電容Cl的另一端通過電阻R2接變?nèi)荻O管Dl的負(fù)極，駐極體話筒MIC的金屬外殼端S與電路地GND相連，電阻Rl的另一端接電路正極VCC ；[0010]振蕩頻率調(diào)節(jié)電路:它由線性電位器RP和變?nèi)荻O管Dl組成，線性電位器RP的一端接電路正極VCC，線性電位器RP的活動(dòng)端接變?nèi)荻O管Dl的負(fù)極，線性電位器RP的另一端和變?nèi)荻O管Dl的正極接電路地GND ；
[0011]晶體管偏置電路:它由NPN型晶體管VT1、電阻R3、電容C2和電阻R4組成，NPN型晶體管VTl的基極接電阻R3的一端、電容C2的一端和電阻R4的一端，電阻R3的另一端接電路正極VCC，電容C2的另一端和電阻R4的另一端接電路地GND ；
[0012]高頻振蕩電路:它由NPN型晶體管VT1、電容C3、高頻振蕩線圈L1、負(fù)反饋電容C4、負(fù)反饋電阻R5組成，NPN型晶體管VTl的集電極接電容C3的一端和負(fù)反饋電容C4的一端，電容C3的另一端接變?nèi)荻O管Dl的負(fù)極，負(fù)反饋電容C4的另一端接NPN型晶體管VTl的發(fā)射極和負(fù)反饋電阻R5的一端，負(fù)反饋電阻R5的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VTl的集電極通過高頻振蕩線圈LI接電路正極VCC ；
[0013]甲類功放及發(fā)射電路:它由高頻振蕩線圈次級(jí)L2、NPN型晶體管VT2、高頻發(fā)射線圈L3、電位器RP2和電容C5、耦合電容C6及發(fā)射天線ATX組成，NPN型晶體管VT2的基極通過高頻振蕩線圈次級(jí)L2接電路地GND，NPN型晶體管VT2的發(fā)射極接電位器RP2的一端及其活動(dòng)端和電容C5的一端，電位器RP2的另一端和電容C5的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VT2的集電極通過高頻發(fā)射線圈L3接電路正極VCC，耦合電容C6的一端接NPN型晶體管VT2的集電極，耦合電容C6的另一端接發(fā)射天線ATX ；
[0014]12V直流電源正極與電路正極VCC相連，12V直流電源負(fù)極與電路地GND相連。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]附圖1是本實(shí)用新型提供的遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器一個(gè)實(shí)施例電路工作原理圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0016]按照附圖1所示的遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器電路工作原理圖和【專利附圖】

【附圖說明】，并按照實(shí)用新型內(nèi)容所述的各部分電路中元器件之間連接關(guān)系，以及實(shí)施方式中所述的元器件技術(shù)參數(shù)要求和電路制作要點(diǎn)進(jìn)行實(shí)施即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的相關(guān)技術(shù)作進(jìn)一步的描述。
[0017]元器件的選擇及其技術(shù)參數(shù)
【權(quán)利要求】
1.一種遠(yuǎn)程大功率調(diào)頻發(fā)射器，它包括12V直流電源、拾音電路、振蕩頻率調(diào)節(jié)電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩電路、甲類功放及發(fā)射電路，其特征在于: 所述的拾音電路由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容Cl和電阻R2組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻Rl的一端和耦合電容Cl的一端，耦合電容Cl的另一端通過電阻R2接變?nèi)荻O管Dl的負(fù)極，駐極體話筒MIC的金屬外殼端S與電路地GND相連，電阻Rl的另一端接電路正極VCC ； 所述的振蕩頻率調(diào)節(jié)電路由線性電位器RP和變?nèi)荻O管Dl組成，線性電位器RP的一端接電路正極VCC，線性電位器RP的活動(dòng)端接變?nèi)荻O管Dl的負(fù)極，線性電位器RP的另一端和變?nèi)荻O管Dl的正極接電路地GND ； 所述的晶體管偏置電路由NPN型晶體管VT1、電阻R3、電容C2和電阻R4組成，NPN型晶體管VTl的基極接電阻R3的一端、電容C2的一端和電阻R4的一端，電阻R3的另一端接電路正極VCC，電容C2的另一端和電阻R4的另一端接電路地GND ； 所述的高頻振蕩電路由NPN型晶體管VT1、電容C3、高頻振蕩線圈L1、負(fù)反饋電容C4、負(fù)反饋電阻R5組成，NPN型晶體管VTl的集電極接電容C3的一端和負(fù)反饋電容C4的一端，電容C3的另一端接變?nèi)荻O管Dl的負(fù)極，負(fù)反饋電容C4的另一端接NPN型晶體管VTl的發(fā)射極和負(fù)反饋電阻R5的一端，負(fù)反饋電阻R5的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VTl的集電極通過高頻振蕩線圈LI接電路正極VCC ； 所述的甲類功放及發(fā)射電路由高頻振蕩線圈次級(jí)L2、NPN型晶體管VT2、高頻發(fā)射線圈L3、電位器RP2和電容C5、耦合電容C6及發(fā)射天線ATX組成，NPN型晶體管VT2的基極通過高頻振蕩線圈次級(jí)L2接電路地GND，NPN型晶體管VT2的發(fā)射極接電位器RP2的一端及其活動(dòng)端和電容C5的一端，電位器RP2的另一端和電容C5的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VT2的集電極通過高頻發(fā)射線圈L3接電路正極VCC，耦合電容C6的一端接NPN型晶體管VT2的集電極，耦合電容C6的另一端接發(fā)射天線ATX ； 所述的12V直流電源的正極與電路正極VCC相連，12V直流電源的負(fù)極與電路地GND相連。
【文檔編號(hào)】H04B1/04GK203416244SQ201320373446
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月27日
【發(fā)明者】周蕓 申請(qǐng)人:周蕓