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      一種x頻段發(fā)射組件的制作方法

      文檔序號:7786018閱讀:281來源:國知局
      一種x頻段發(fā)射組件的制作方法
      【專利摘要】本實用新型公開了一種X頻段發(fā)射組件,涉及通信與信息領(lǐng)域,包括殼體,所述殼體側(cè)面設(shè)有電源接口,所述殼體頂部設(shè)有天線,所述殼體內(nèi)部設(shè)有移相器、驅(qū)動功率放大器和末級功率放大器,所述驅(qū)動功率放大器與末級功率放大器之間設(shè)有限幅器,所述驅(qū)動功率放大器、末級功率放大器和限幅器集體化成發(fā)射器電路芯片,所述移相器通過控制開關(guān)與發(fā)射器電路芯片連接,所述控制開關(guān)設(shè)于殼體上,本實用新型采用的芯片集成效果好,科技含量高,具有很高的運行效率,并且具有體積小、重量輕、大動態(tài)與可靠性高等特點,結(jié)構(gòu)合理,實用方便,適于推廣使用。
      【專利說明】一種X頻段發(fā)射組件
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及通信與信息領(lǐng)域,具體涉及一種X頻段發(fā)射組件。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著社會生產(chǎn)的發(fā)展,電工電子的快速發(fā)展,大量的電子科技產(chǎn)品被生產(chǎn)、使用,隨著電子行業(yè)的廣泛發(fā)展,C/S雙波段功放的生產(chǎn)和應(yīng)用是不可忽視的,申請?zhí)枮镃N201220543971.7公開了一種C波段收發(fā)組件,VCO壓控振蕩器電路、一分二功分器電路、微波開關(guān)電路、前級放大電路、激勵放大器電路、末級功率放大電路、環(huán)形器、限幅低噪放電路、零中頻混頻器電路、脈沖電源控制電路、VT調(diào)諧電路、套脈沖信號驅(qū)動電路,具有耗電流小、功能多等特點,適用于各種高度探測,具有靜態(tài)電流小,功能集成度高等優(yōu)點,可廣泛應(yīng)用于飛機(jī)、雷達(dá)、車載等無線電裝備中,但是該收發(fā)組件沒有將驅(qū)動功率放大器、末級功率放大器和限幅器三者集體化成一個電路芯片,集成效果差,運行效率低,并且發(fā)射組件體積大,重量重,沒有設(shè)置控制開關(guān),可靠性低。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本實用新型的目的是提供一種X頻段發(fā)射組件,以解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致的上述多項缺陷。
      [0004]本實用新型所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn):一種X頻段發(fā)射組件,包括殼體,所述殼體側(cè)面設(shè)有電源接口,所述殼體頂部設(shè)有天線窗,所述殼體內(nèi)部設(shè)有移相器、驅(qū)動功率放大器和末級功率放大器,所述驅(qū)動功率放大器與末級功率放大器之間設(shè)有限幅器,所述驅(qū)動功率放大器、末級功率放大器和限幅器集體化成發(fā)射器電路芯片,所述移相器通過控制開關(guān)與發(fā)射器電路芯片連接,所述控制開關(guān)設(shè)于殼體上。
      [0005]優(yōu)選的,所述殼體上設(shè)有屏蔽層。
      [0006]優(yōu)選的,所述屏蔽層為EMI材質(zhì)。
      [0007]優(yōu)選的,所述控制開關(guān)為按壓式開關(guān)。
      [0008]優(yōu)選的,所述發(fā)射器電路芯片與殼體為卡接。
      [0009]優(yōu)選的,所述殼體上設(shè)有透氣孔。
      [0010]本實用新型的優(yōu)點在于:通過將驅(qū)動功率放大器、末級功率放大器和限幅器三者集體化成一個電路芯片,電路芯片集成效果好,科技含量高,具有很高的運行效率,并且發(fā)射組件體積小,重量輕,移相器和發(fā)射電路芯片中間設(shè)置控制開關(guān),使發(fā)射組件工作穩(wěn)定,即開即停,可靠性高,屏蔽層可使發(fā)射組件不受外來信號干擾,增加發(fā)射效果,EMI材質(zhì)屏蔽效果好,適于本實用新型中使用,按壓式開關(guān)方便操作,便于控制,卡接可使芯片從殼體上拆卸下來,便于安裝和更換,透氣孔防止發(fā)射組件工作發(fā)熱,溫度過高而影響正常功能。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0011]圖1是本實用新型所述的一種X頻段發(fā)射組件的結(jié)構(gòu)示意圖。[0012]圖2是本實用新型所述的一種X頻段發(fā)射組件的發(fā)射器電路芯片圖。
      [0013]圖3是本實用新型所述的一種X頻段發(fā)射組件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。
      [0014]其中:1 一殼體,2 —電源接口,3—天線窗,4 一移相器,5—驅(qū)動功率放大器,6—末級功率放大器,7—限幅器,8—發(fā)射器電路芯片,9一控制開關(guān),10—屏蔽層,11 一透氣孔。
      【具體實施方式】
      [0015]為了使本實用新型實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合具體圖示,進(jìn)一步闡述本實用新型。
      [0016]如圖1所示,本實用新型所述的一種X頻段發(fā)射組件,包括殼體1,所述殼體I側(cè)面設(shè)有電源接口 2,所述殼體I頂部設(shè)有天線窗3,又如圖2和圖3所示,所述殼體I內(nèi)部設(shè)有移相器4、驅(qū)動功率放大器5和末級功率放大器6,所述驅(qū)動功率放大器5與末級功率放大器6之間設(shè)有限幅器7,所述驅(qū)動功率放大器5、末級功率放大器6和限幅7器集體化成發(fā)射器電路芯片8,所述移相器4通過控制開關(guān)9與發(fā)射器電路芯片8連接,所述控制開關(guān)9設(shè)于殼體I上,通過將驅(qū)動功率放大器、末級功率放大器和限幅器三者集體化成一個電路芯片,電路芯片集成效果好,科技含量高,具有很高的運行效率,并且發(fā)射組件體積小,重量輕,移相器和發(fā)射電路芯片中間設(shè)置控制開關(guān),使發(fā)射組件工作穩(wěn)定,即開即停,可靠性高。
      [0017]值得注意的是,所述殼體I上設(shè)有屏蔽層10,屏蔽層可使發(fā)射組件不受外來信號干擾,增加發(fā)射效果,所述屏蔽層10為EMI材質(zhì),EMI材質(zhì)屏蔽效果好,適于本實用新型中使用,所述控制開關(guān)9為按壓式開關(guān),按壓式開關(guān)方便操作,便于控制,所述發(fā)射器電路芯片8與殼體I為卡接,卡接可使芯片從殼體上拆卸下來,便于安裝和更換,所述殼體I上設(shè)有透氣孔11,透氣孔防止發(fā)射組件工作發(fā)熱,溫度過高而影響正常功能。
      [0018]此外,所述殼體I的尺寸應(yīng)根據(jù)其內(nèi)置物的尺寸確定,留有一定的空隙,以確保通風(fēng)散熱,所述移相器4應(yīng)選用五項移相器,工作效果更好,所述屏蔽層應(yīng)經(jīng)常檢查,厚度不夠時,可自行涂抹。
      [0019]基于上述,通過將驅(qū)動功率放大器、末級功率放大器和限幅器三者集體化成一個電路芯片,電路芯片集成效果好,科技含量高,具有很高的運行效率,并且發(fā)射組件體積小,重量輕,移相器和發(fā)射電路芯片中間設(shè)置控制開關(guān),使發(fā)射組件工作穩(wěn)定,即開即停,可靠性高,屏蔽層可使發(fā)射組件不受外來信號干擾,增加發(fā)射效果,EMI材質(zhì)屏蔽效果好,適于本實用新型中使用,按壓式開關(guān)方便操作,便于控制,卡接可使芯片從殼體上拆卸下來,便于安裝和更換,透氣孔防止發(fā)射組件工作發(fā)熱,溫度過高而影響正常功能。
      [0020]以上顯示和描述了實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中的描述只是說明本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下,本實用新型還會有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都在要求保護(hù)的本實用新型范圍內(nèi),本實用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
      【權(quán)利要求】
      1.一種X頻段發(fā)射組件,包括殼體,所述殼體側(cè)面設(shè)有電源接口,所述殼體頂部設(shè)有天線窗,所述殼體內(nèi)部設(shè)有移相器、驅(qū)動功率放大器和末級功率放大器,所述驅(qū)動功率放大器與末級功率放大器之間設(shè)有限幅器,其特征在于:所述驅(qū)動功率放大器、末級功率放大器和限幅器集體化成發(fā)射器電路芯片,所述移相器通過控制開關(guān)與發(fā)射器電路芯片連接,所述控制開關(guān)設(shè)于殼體上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X頻段發(fā)射組件,其特征在于:所述殼體上設(shè)有屏蔽層。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種X頻段發(fā)射組件,其特征在于:所述屏蔽層為EMI材質(zhì)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X頻段發(fā)射組件,其特征在于:所述控制開關(guān)為按壓式開關(guān)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X頻段發(fā)射組件,其特征在于:所述發(fā)射器電路芯片與殼體為卡接。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種X頻段發(fā)射組件,其特征在于:所述殼體上設(shè)有透氣孔。
      【文檔編號】H04B1/036GK203492012SQ201320550967
      【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月6日
      【發(fā)明者】曹學(xué)坡 申請人:安徽天兵電子科技有限公司
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