一種復(fù)合式振膜的制作方法
【專利摘要】一種復(fù)合式振膜，包擴(kuò)基材，基材之表面涂布有一微納米陶瓷層，由于微納米陶瓷層是一種可以在高溫下讓硬度與韌度得以大幅提高的結(jié)構(gòu)材料，因此所制得的復(fù)合式振膜可以兼具高硬度、高韌度及良好延展性等優(yōu)點，使得復(fù)合式振膜在室溫下能夠允許有較大的彈性變形而實現(xiàn)高清晰音質(zhì)的目的。
【專利說明】一種復(fù)合式振膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及揚(yáng)聲器領(lǐng)域，特別是一種復(fù)合式振膜。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著數(shù)字媒體的普及與進(jìn)步，數(shù)字音樂不斷朝向高傳真(H1-Fi )發(fā)展，也帶動各種專業(yè)揚(yáng)聲器的研發(fā)風(fēng)潮。為了追求更優(yōu)越的音頻輸出特性，揚(yáng)聲器的振膜為其中最關(guān)鍵的
零件之一。
[0003]然而在相同尺寸與外形的前提之下，振膜必須要有足夠的硬度與韌性才能承受劇烈的反復(fù)運(yùn)動，以避免產(chǎn)生非彈性變形甚至破裂的情況，為了解決上述問題，目前的傳統(tǒng)做法是將工程陶瓷布設(shè)于振膜的表面而形成所謂的陶瓷振膜，以提高振膜本身的力學(xué)特性，但是工程陶瓷的高脆性反而會對振膜的延展性造成一定程度的限制，如此勢必會影響振膜的能量發(fā)散而無法提供高清晰的音質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種具高硬度與高韌度且在室溫下具有極佳的延展性的復(fù)合式振膜。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種復(fù)合式振膜，其包括基材、設(shè)置在所述基材表面的至少一層微納米陶瓷層，所述微納米陶瓷層是由至少有一維尺度小于500微米的陶瓷材料所制成。
[0006]優(yōu)選地，所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部是外周緣，所述微納米陶瓷層設(shè)于所述中心部的上表面。
[0007]優(yōu)選地，所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部是外周緣，所述微納米陶瓷層設(shè)于所述邊緣部的上表面。
[0008]優(yōu)選地，所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部是外周緣，所述微納米陶瓷層設(shè)于所述中心部的上表面與所述邊緣部的上表面。
[0009]優(yōu)選地，所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部是外周緣，所述微納米陶瓷層的數(shù)目為兩層且設(shè)于所述中心部是上、下表面。
[0010]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述基材的中心部的斷面形狀與所述基材的邊緣部的斷面形狀皆為弧形。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述微納米陶瓷層是選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯、二氧化鈦、磷酸鈣、氫氧化鋁、氧化鋅或碳化硅及其組合物所制成。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述微納米陶瓷層是預(yù)先成形后再以涂布及轉(zhuǎn)印制程，或者黏貼及熔合制程而與所述基材相結(jié)合。
[0013]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述微納米陶瓷層是利用物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法直接形成于所述基材。
[0014]由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點: 由于本發(fā)明的復(fù)合式振膜包含有基材與微納米陶瓷層，微納米陶瓷層是指一種在零維、一維、二維或三維(對應(yīng)為點、線、面、立體)尺度中至少有一維尺度小于500微米的微納米晶形式的陶瓷材料所制成，該微納米陶瓷層設(shè)于該基材的表面，由于該微納米陶瓷層是一種可以在高溫下讓硬度與韌度得以大幅提高的結(jié)構(gòu)材料，因此，本發(fā)明可以兼具高硬度與高韌度的優(yōu)點，同時在室溫下能夠產(chǎn)生良好的延展性，使得在室溫下能夠允許有較大的彈性變形而實現(xiàn)高清晰音質(zhì)的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]附圖1為本發(fā)明第I實施例的剖面示意圖；
附圖2為本發(fā)明第2實施例的剖面示意圖；
附圖3為本發(fā)明第3實施例的剖面示意圖；
附圖4為本發(fā)明第4實施例的剖面示意圖。
[0016]以上附圖中:10、復(fù)合式振膜；20、基材；21、中心部；22、邊緣部；30、微納米陶瓷層。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖所示的實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
實施例一:參見附圖1所示，一種復(fù)合式振膜10包含有基材20與微納米陶瓷層30。
[0018]基材20所使用的材質(zhì)可以選自金屬、高分子材料、布、絲、麻、紙或復(fù)合材料的其中之一，在此并不特別加以限定。在本實施例中，基材20具有中心部21及邊緣部22，邊緣部22設(shè)于中心部21的外周緣，而且，中心部21的斷面形狀與邊緣部22的斷面形狀皆為弧形。
[0019]微納米陶瓷層30在此定義為一種在零維、一維、二維或三維(對應(yīng)為點、線、面、立體)尺度中至少有一維尺度小于500微米的微納米晶形式的陶瓷材料所制成，且此處所指微納米系指微米以下包括納米尺寸(lnnT500um)，常見的材料為氧化物、氮化物或碳化物，例如氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯、二氧化鈦、磷酸鈣、氫氧化鋁、氧化鋅與碳化硅等。在與基材20結(jié)合時，微納米陶瓷層30可以預(yù)先成形后再以涂布及轉(zhuǎn)印制程或黏貼及熔合制程而設(shè)于基材20的中心部21的上表面,或者也可以利用物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法將微納米陶瓷層30直接形成于基材20的中心部21的上表面。
[0020]實施例二:參見附圖2所示，本實施例與實施例一基本相同，不同之處在于微納米陶瓷層30的數(shù)目為兩層且設(shè)于中心部21的上、下表面。
[0021]實施例三:參見附圖2所不,本實施例與實施例一基本相同，不同之處在于微納米陶瓷層30設(shè)于邊緣部22的上表面。
[0022]實施例四:參見附圖2所示，本實施例與實施例一基本相同，不同之處在于微納米陶瓷層30設(shè)于中心部21和邊緣部22的上表面。
[0023]由于微納米陶瓷是一種具備傳統(tǒng)工程陶瓷的力學(xué)特性，同時可以改善傳統(tǒng)工程陶瓷的高脆性問題的結(jié)構(gòu)材料，也就是說，本發(fā)明所使用的微納米陶瓷層30可以在高溫下讓硬度與韌度得以大幅提高，所以在與基材20結(jié)合之后所制得的復(fù)合式振膜10可以兼具高硬度與高韌度的特性，并且在室溫下能夠表現(xiàn)出良好的延展性，因此，本發(fā)明是復(fù)合式振膜10在室溫下能夠允許有較大的彈性變形而實現(xiàn)高清晰音質(zhì)的目的。
[0024]上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合式振膜，其特征在于:其包括基材、設(shè)置在所述基材表面的至少一層微納米陶瓷層，所述微納米陶瓷層是由至少有一維尺度小于500微米的陶瓷材料所制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合式振膜，其特征在于:所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部的外周緣，所述微納米陶瓷層設(shè)于所述中心部的上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合式振膜，其特征在于:所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部的外周緣，所述微納米陶瓷層設(shè)于所述邊緣部的上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合式振膜，其特征在于:所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部的外周緣，所述微納米陶瓷層設(shè)于所述中心部的上表面與所述邊緣部的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合式振膜，其特征在于:所述基材具有中心部與邊緣部，所述邊緣部設(shè)于所述中心部的外周緣，所述微納米陶瓷層的數(shù)目為兩層且設(shè)于所述中心部的上、下表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項所述的一種復(fù)合式振膜,其特征在于:所述基材的中心部的斷面形狀與所述基材的邊緣部的斷面形狀皆為弧形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的一種復(fù)合式振膜，其特征在于:所述微納米陶瓷層是選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鋯、二氧化鈦、磷酸鈣、氫氧化鋁、氧化鋅或碳化硅及其組合物所制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的一種復(fù)合式振膜，其特征在于:所述微納米陶瓷層是預(yù)先成形后再以涂布及轉(zhuǎn)印制程，或者黏貼及熔合制程而與所述基材相結(jié)合。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的一種復(fù)合式振膜，其特征在于:所述微納米陶瓷層是利用物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法直接形成于所述基材。
【文檔編號】H04R9/02GK103916800SQ201410133163
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月3日
【發(fā)明者】林晴嵐, 楊宸貿(mào), 陳柏昱, 謝易霖 申請人:美特科技(蘇州)有限公司