天線及電子設(shè)備的制作方法【專利摘要】本發(fā)明的目的在于實現(xiàn)天線的小型化。1以上的開口部為規(guī)定的大小的線圈即標準線圈和1以上的開口部大小比標準線圈小的線圈即小線圈進行電連接。此外，具有標準線圈的標準線圈層和具有小線圈的小線圈層，以將小線圈的開口部包含在標準線圈的開口部中進行層疊。而且，表層為標準線圈層。本發(fā)明例如能夠適用于進行非接觸式通信的天線等?！緦＠f明】天線及電子設(shè)備【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明涉及天線及電子設(shè)備，例如，特別涉及能夠?qū)崿F(xiàn)天線的小型化的天線及電子設(shè)備?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]作為通過非接觸式通信交換數(shù)據(jù)的、例如，IC(IntegratedCircuit;集成電路)卡等的RF(Rad1Frequency;射頻)標簽的天線，例如有在平面上將金屬線卷繞為潤旋狀的線圈。[0003]此外，作為RF標簽的天線，例如，提出了以與線圈對置來配置平面導體，通過將線圈和平面導體利用電容元件進行電容性耦合，從而難以受到金屬部件的影響的天線(例如，參照專利文獻I)。[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻[0005]專利文獻[0006]專利文獻1:日本特開2011-193245號公報【
發(fā)明內(nèi)容】[0007]發(fā)明要解決的問題[0008]可是，在RF標簽的非接觸式通信中，為了確保某個水平的通信質(zhì)量，例如，作為RF標簽的天線的線圈和作為與該RF標簽之間進行非接觸式通信的R/W(Reader/Writer;讀/寫器)的天線的線圈之間的耦合系數(shù)，需要為某個水平的值以上。[0009]為了使作為RF標簽的天線的線圈和作為R/W的天線的線圈之間的耦合系數(shù)(以下，適當使用k表示)為某個水平的值以上，一般地，需要使作為RF標簽的天線的線圈和作為R/W的天線的線圈之間的開口部的面積(開口面積)成為同水平的面積。[0010]因此，作為RF標簽的天線(線圈)，難以采用大小(開口部)遠遠小于R/W的天線(線圈)的天線。[0011]另一方面，近年來，例如，數(shù)碼相機或智能手機及其他的可攜帶的電子設(shè)備的小型化在發(fā)展，在這樣的小型的電子設(shè)備中，裝入RF標簽的要求不斷提高，在小型的電子設(shè)備中，為了裝入RF標簽，需要實現(xiàn)RF標簽的天線的小型化。[0012]本發(fā)明鑒于這樣的狀況而完成，能夠?qū)崿F(xiàn)天線的小型化。[0013]解決問題的方案[0014]本發(fā)明的天線，I以上的標準線圈即開口部為規(guī)定的大小的線圈和I以上的小線圈即開口部的大小比所述標準線圈小的線圈進行電連接，具有所述標準線圈的標準線圈層和具有所述小線圈的小線圈層，以所述小線圈的開口部包含在所述標準線圈的開口部中進行層疊，表層為所述標準線圈層。[0015]本發(fā)明的電子設(shè)備包括:天線，以及信號處理單元，進行用于進行使用了所述天線的無線通信的信號處理，所述天線中，I以上的標準線圈即開口部為規(guī)定的大小的線圈與I以上的小線圈即開口部的大小比所述標準線圈小的線圈進行電連接，具有所述標準線圈的標準線圈層和具有所述小線圈的小線圈層，以所述小線圈的開口部被包含在所述標準線圈的開口部中進行層疊，表層為所述標準線圈層。[0016]在本發(fā)明中，I以上的標準線圈即開口部為規(guī)定的大小的線圈和I以上的小線圈即開口部的大小比所述標準線圈小的線圈進行電連接，具有所述標準線圈的標準線圈層和具有所述小線圈的小線圈層，以所述小線圈的開口部包含在所述標準線圈的開口部中進行層疊。而且，表層為所述標準線圈層。[0017]發(fā)明的效果[0018]根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)天線的小型化。[0019]再有，本說明書中記載的效果只是例示，本發(fā)明的效果不限定于本說明書中記載的效果，還可以有附加的效果?！緦＠綀D】【附圖說明】[0020]圖1是表示應用了本發(fā)明的通信系統(tǒng)的一實施方式的結(jié)構(gòu)例子的圖。[0021]圖2是表示非接觸式通信裝置11的電結(jié)構(gòu)例子的方框圖。[0022]圖3是表示非接觸式通信裝置12的電結(jié)構(gòu)例子的方框圖。[0023]圖4是表示R/W11的天線單元21的結(jié)構(gòu)例子的平面圖。[0024]圖5是表示RF標簽12的外觀的結(jié)構(gòu)例子的概略的立體圖。[0025]圖6A、圖6B是表示RF標簽12的天線單元41的結(jié)構(gòu)例子的概略的圖。[0026]圖7A、圖7B是表示RF標簽12的天線單元41的其他結(jié)構(gòu)例子的概略的圖。[0027]圖8是表示標準線圈層的結(jié)構(gòu)例子的概要的平面圖。[0028]圖9是表示小線圈層的結(jié)構(gòu)例子的概要的平面圖。[0029]圖10是表示作為天線單元41的多層基板的第I層至第6層各自的結(jié)構(gòu)例子的平面圖。[0030]圖11是表示測定由R/W11(的天線單元21)觀測的、來自RF標簽12的調(diào)制信號的電壓振幅的模擬的模擬結(jié)果的圖。[0031]圖12是表示混合層疊天線的層的其他結(jié)構(gòu)例子的概要的平面圖。[0032]圖13是表示混合層疊天線的第I其他結(jié)構(gòu)例子的、混合層疊天線的各層的平面圖。[0033]圖14是表示混合層疊天線的第2其他結(jié)構(gòu)例子的、混合層疊天線的各層的平面圖。[0034]圖15是表示混合層疊天線的第3其他結(jié)構(gòu)例子的、混合層疊天線的各層的平面圖。[0035]圖16是表示測定耦合系數(shù)的第I耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0036]圖17是表示測定耦合系數(shù)的第2耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0037]圖18是表示測定耦合系數(shù)的第3耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0038]圖19是表示測定耦合系數(shù)的第4耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0039]圖20是表示測定耦合系數(shù)的第5耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0040]圖21是表示測定耦合系數(shù)的第6耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0041]圖22是表示測定耦合系數(shù)的第7耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0042]圖23是表示適用了通信系統(tǒng)的電子設(shè)備系統(tǒng)的一實施方式的結(jié)構(gòu)例子的方框圖。[0043]圖24是說明電子設(shè)備110及120的具體例子的圖。[0044]標號說明[0045]11，12非接觸式通信裝置，21天線單元，22接收單元，23解調(diào)單元，24解碼單元，25數(shù)據(jù)處理單元，26編碼單元，27RF信號輸出單元，28調(diào)制單元，29控制單元，29ACPU,29BEEPR0M,30電源單元，40IC(裸片)芯片，41天線單元，42接收單元，43解調(diào)單元，44解碼單元，45數(shù)據(jù)處理單元，46編碼單元，47負荷調(diào)制單元，48電源單元，49控制單元，49ACPU，49BEEPR0M，110電子設(shè)備，111非接觸式通信裝置，112無線通信裝置，113處理單元，120電子設(shè)備，121非接觸式通信裝置，122無線通信裝置，123處理單元【具體實施方式】[0046]<適用了本發(fā)明的通信系統(tǒng)的一實施方式>[0047]圖1是表示適用了本發(fā)明的通信系統(tǒng)(系統(tǒng)是指多個裝置邏輯地集合后的物體，無論各結(jié)構(gòu)的裝置是否在同一機架中)的一實施方式的結(jié)構(gòu)例子的圖。[0048]在圖1中，通信系統(tǒng)具有進行非接觸式通信的非接觸式通信裝置11和12。[0049]再有，在圖1的實施方式中，為了簡單地說明，假設(shè)非接觸式通信裝置11僅具有作為自身輸出RF(Radi0Frequency;射頻)信號，并通過調(diào)制該RF信號來發(fā)送數(shù)據(jù)的啟動器的功能，非接觸式通信裝置12僅具有作為通過將啟動器輸出的RF信號進行負荷調(diào)制來發(fā)送數(shù)據(jù)的目標(target)的功能。[0050]作為啟動器的非接觸式通信裝置11，例如是R/W，作為目標的非接觸式通信裝置12，例如是RF標簽。[0051]圖2是表示作為R/W的圖1的非接觸式通信裝置11的電結(jié)構(gòu)例子的方框圖。[0052]天線單元21由線圈等構(gòu)成，通過線圈中流過的電流發(fā)生變化，輸出RF信號。此外，因通過作為天線單元21的線圈的(與線圈交叉)磁通發(fā)生變化，在天線單元21中流過電流。[0053]接收單元22接收在天線單元21中流過的電流，并輸出到解調(diào)單元23。[0054]解調(diào)單元23將從接收單元22供給的信號進行解調(diào)(例如,ASK(AmplitudeShiftKeying;振幅鍵控)解調(diào))，并將該結(jié)果得到的解調(diào)信號供給到解碼單元24。[0055]解碼單元24將作為從解調(diào)單元23供給的解調(diào)信號的、例如曼徹斯特碼(Manchestercode)等解碼,將該解碼的結(jié)果得到的數(shù)據(jù)供給到數(shù)據(jù)處理單元25。[0056]數(shù)據(jù)處理單元25基于從解碼單元24供給的數(shù)據(jù)，進行規(guī)定的處理。此外，數(shù)據(jù)處理單元25將應發(fā)送到非接觸式通信裝置12等其他裝置的數(shù)據(jù)供給到編碼單元26。[0057]編碼單元26將從數(shù)據(jù)處理單元25供給的數(shù)據(jù)，例如編碼為曼徹斯特碼等，并輸出到調(diào)制單元28。[0058]RF信號輸出單元27將用于從天線單元21發(fā)射規(guī)定的單一頻率f。的載波(RF信號)的電流在天線單元21中流過。[0059]調(diào)制單元28將作為RF信號輸出單元27在天線單元21中流過的電流的載波，根據(jù)從編碼單元26供給的信號進行調(diào)制。由此，從天線單元21，發(fā)射作為根據(jù)數(shù)據(jù)處理單元25對編碼單元26輸出的數(shù)據(jù)(編碼后的曼徹斯特碼)調(diào)制了載波的調(diào)制信號的RF信號。[0060]這里，作為調(diào)制單元28中的調(diào)制方式，例如，可以采用ASK(AmplitudeShiftKeying)、PSK(PhaseShiftKeying;相移鍵控)，QAM(QuadratureAmplitudeModulat1n；正交調(diào)幅)及其他的數(shù)字調(diào)制方式。此外，在采用ASK等的振幅被調(diào)制的調(diào)制方式的情況下，作為振幅的調(diào)制度，例如，可以選擇從8%到30%、50%、100%及其他合適的值。[0061]控制單元29進行構(gòu)成非接觸式通信裝置11的各塊的控制等。S卩，控制單元29例如由CPU(CentralProcessingUnit;中央處理器)29A、EEPROM(ElectricalIyandErasableProgrammableReadOnlyMemory;電可擦除可編程只讀存儲器)29B、其他未圖示的RAM(RandomAccessMemory;隨機存取存儲器)等構(gòu)成。CPU29A執(zhí)行在EEPR0M29B中存儲的程序，由此，進行構(gòu)成非接觸式通信裝置11的各塊的控制、其他的各種處理。EEPR0M29B存儲CPU29A要執(zhí)行的程序、CPU29A的動作上需要的數(shù)據(jù)。[0062]再有，由CPU29A執(zhí)行程序而進行的一系列的處理，可設(shè)置專用的硬件取代CPU29A，由該專用的硬件進行。此外，由CPU29A執(zhí)行的程序，除了預先安裝在EEPR0M29B中之外，也可以臨時或永久性地存儲(記錄)在軟盤、⑶-ROM(CompactDiscReadOnlyMemory;只讀式光盤)，MO(MagnetoOptical;光磁)盤，DVD(DigitalVersatileDisc;數(shù)字通用盤)、磁盤、半導體存儲器等的可移動記錄介質(zhì)中，作為所謂的數(shù)據(jù)包軟件(packetsoftware)來提供。而且，程序能夠通過近距離通信等發(fā)送到非接觸式通信裝置11，并安裝在EEPR0M29B中。[0063]電源單元30對構(gòu)成非接觸式通信裝置11的各塊供給需要的電源。[0064]再有，在圖2中，表示控制單元29控制構(gòu)成非接觸式通信裝置11的各塊的線的圖示、以及表示電源單元30對構(gòu)成非接觸式通信裝置11的各塊供給電源的線的圖示，因圖繁雜而省略。[0065]此外，在解碼單元24及編碼單元26中，能夠進行除了曼徹斯特碼以外的、例如改進型密勒(modifiedMiller)、NRZ(NonReturntoZero)及其他的任意的碼的處理。[0066]在如以上那樣構(gòu)成的非接觸式通信裝置11中，控制單元29控制非接觸式通信裝置11的各塊，由此，非接觸式通信裝置11具有作為啟動器即R/W的功能。[0067]S卩，在R/W即非接觸式通信裝置11(以下，也記載為R/W11)中，在發(fā)送數(shù)據(jù)(幀)的情況下，RF信號輸出單元27將用于從天線單元21發(fā)射規(guī)定的單一頻率f。的載波的電流流過天線單元21，由此，從天線單元21發(fā)射載波(非調(diào)制波)即RF信號。[0068]此外，在R/W11中，數(shù)據(jù)處理單元25將要發(fā)送到目標的數(shù)據(jù)供給到編碼單元26，編碼單元26將從數(shù)據(jù)處理單元25供給的數(shù)據(jù)編碼為曼徹斯特碼，并輸出到調(diào)制單元28。調(diào)制單元28將RF信號輸出單元27作為在天線單元21中流過的電流的載波，根據(jù)從編碼單元26供給的信號進行調(diào)制。由此，從天線單元21發(fā)射根據(jù)數(shù)據(jù)處理單元25輸出到編碼單元26的數(shù)據(jù)而調(diào)制了載波后的RF信號，對目標發(fā)送數(shù)據(jù)。[0069]另一方面，在R/W11中，在接收目標通過負荷調(diào)制發(fā)送來的數(shù)據(jù)(幀)的情況下，接收單元22將通過目標的負荷調(diào)制而變化的、與天線單元21上的電流對應的信號輸出到解調(diào)單元23。解調(diào)單元23將從接收單元22供給的信號進行解調(diào)，并供給到解碼單元24。解碼單元24將作為從解調(diào)單元23供給的信號的曼徹斯特碼等進行解碼，將該解碼結(jié)果得到的數(shù)據(jù)供給到數(shù)據(jù)處理單元25。數(shù)據(jù)處理單元25基于從解碼單元24供給的數(shù)據(jù)，進行規(guī)定的處理。[0070]圖3是表示RF標簽即圖1的非接觸式通信裝置12的電結(jié)構(gòu)例子的方框圖。[0071]在圖3中，非接觸式通信裝置12具有IC(裸片)芯片40和天線單元41。[0072]IC芯片40具有:接收單元42、解調(diào)單元43、解碼單元44、數(shù)據(jù)處理單元45、編碼單元46、負荷調(diào)制單元47、電源單元48、以及控制單元49，進行用于使用了天線單元41進行無線通信的信號處理。[0073]天線單元41由線圈等構(gòu)成，通過線圈中流過的電流變化，輸出RF信號。此外，通過作為天線單元41的線圈的磁通發(fā)生變化，在天線單元41中流過電流。[0074]接收單元42接收在天線單元41中流過的電流，并輸出到解調(diào)單元43。[0075]解調(diào)單元43將從接收單元42供給的信號進行ASK解調(diào)等，并供給到解碼單元44。[0076]解碼單元44將作為從解調(diào)單元43供給的信號的、例如曼徹斯特碼等進行解碼，將該解碼結(jié)果得到的數(shù)據(jù)供給到數(shù)據(jù)處理單元45。[0077]數(shù)據(jù)處理單元45基于從解碼單元44供給的數(shù)據(jù)，進行規(guī)定的處理。此外，數(shù)據(jù)處理單元45將要發(fā)送到非接觸式通信裝置11等的其他裝置的數(shù)據(jù)，供給到編碼單元46。[0078]編碼單元46將從數(shù)據(jù)處理單元45供給的數(shù)據(jù)，例如編碼為曼徹斯特碼等，并輸出到負荷調(diào)制單元47。[0079]負荷調(diào)制單元47使從外部觀察作為天線單元41的線圈時的阻抗，根據(jù)從編碼單元46供給的信號而變化。在通過其他裝置輸出作為載波的RF信號，在天線單元41的周圍形成RF場(磁場)的情況下，通過觀察作為天線單元41的線圈時的阻抗發(fā)生變化，天線單元41的周圍的RF場也發(fā)生變化。由此，其他裝置輸出的作為RF信號的載波根據(jù)從編碼單元46供給的信號而被調(diào)制(負荷調(diào)制)，數(shù)據(jù)處理單元45輸出到編碼單元46的數(shù)據(jù)被發(fā)送到輸出RF信號的其他裝置。[0080]這里，作為負荷調(diào)制單元47中的調(diào)制方式，與圖2的調(diào)制單元28同樣，能夠采用ASK,PSK,QAM等。而且，對于振幅被調(diào)制的調(diào)制方式，通過調(diào)節(jié)負荷即阻抗的變化量，對作為RF信號的載波的調(diào)制振幅能夠成為合適的值。[0081]電源單元48通過在天線單元41的周圍形成的RF場從在天線單元41中流過的電流得到電源，對構(gòu)成非接觸式通信裝置12的各塊供給電源。[0082]控制單元49進行構(gòu)成非接觸式通信裝置12的各塊的控制等。即，控制單元49例如由CPU49A、EEPR0M49B、其他未圖示的RAM等構(gòu)成。CPU49A執(zhí)行在EEPR0M49B中存儲的程序，由此，進行構(gòu)成非接觸式通信裝置12的各塊的控制、其他各種處理。EEPR0M49B存儲CPU49A要執(zhí)行的程序、CPU49A的動作上需要的數(shù)據(jù)。[0083]這里，通過CPU49A執(zhí)行程序進行的一系列的處理，可設(shè)置專用的硬件取代CPU49A，通過該專用的硬件來進行。此外，由CPU49A執(zhí)行的程序，除了預先安裝在EEPR0M49B中之外，也可以臨時或永久性地存儲(記錄)在軟盤、⑶-R0M，MO盤、DVD、磁盤、半導體存儲器等的可移動記錄介質(zhì)中，作為數(shù)據(jù)包軟件來提供。而且，程序能夠通過近距離通信等發(fā)送到非接觸式通信裝置12，并安裝在EEPR0M49B中。[0084]再有，在圖3中，表示控制單元49控制構(gòu)成非接觸式通信裝置12的各塊的線的圖示和表示電源單元48對構(gòu)成非接觸式通信裝置12的各塊供給電源的線的圖示，因圖繁雜而省略。[0085]此外，在圖3中，在電源單元48中，從天線單元41中流過的電流得到了電源，但除此以外，例如，也可以在非接觸式通信裝置12中內(nèi)置電池(電池)，從該電池對構(gòu)成非接觸式通信裝置12的各塊供給電源。[0086]而且，在解碼單元44及編碼單元46中，與圖2的解碼單元24及編碼單元26的情況同樣，能夠進行除了曼徹斯特碼以外的、例如，改進型密勒、NRZ及其他任意的碼的處理。[0087]在以上那樣構(gòu)成的非接觸式通信裝置12中，控制單元49控制非接觸式通信裝置12的各塊，由此，具有作為目標的功能。[0088]S卩，在RF標簽即非接觸式通信裝置12(以下，也稱為RF標簽12)中，在發(fā)送數(shù)據(jù)(幀)的情況下，數(shù)據(jù)處理單元45將要發(fā)送到啟動器的數(shù)據(jù)供給到編碼單元46，編碼單元46將從數(shù)據(jù)處理單元45供給的數(shù)據(jù)編碼為曼徹斯特碼，并輸出到負荷調(diào)制單元47。負荷調(diào)制單元47使從外部觀察作為天線單元41的線圈時的阻抗，根據(jù)從編碼單元46供給的信號而變化。[0089]此時，通過RF標簽12靠近R/Wll，R/W11輸出作為載波的RF信號，如果在天線單元41的周圍形成RF場，則因觀察作為天線單元41的線圈時的阻抗發(fā)生變化，天線單元41的周圍的RF場也發(fā)生變化。由此，R/W11輸出的RF信號根據(jù)從編碼單元46供給的信號而被調(diào)制(負荷調(diào)制)，數(shù)據(jù)處理單元45輸出到編碼單元46的數(shù)據(jù)被發(fā)送到輸出RF信號的R/ffllo[0090]另一方面，在RF標簽12中，在接收R/W11通過將自身輸出的作為載波的RF信號進行調(diào)制而送信來的數(shù)據(jù)(幀)的情況下，接收單元42將根據(jù)該數(shù)據(jù)調(diào)制后的RF信號而與天線單元41中流過的電流對應的信號，輸出到解調(diào)單元43。解調(diào)單元43將從接收單元42供給的信號進行解調(diào)，并供給到解碼單元44。解碼單元44將作為從解調(diào)單元43供給的信號的曼徹斯特碼等進行解碼，并將該解碼結(jié)果得到的數(shù)據(jù)供給到數(shù)據(jù)處理單元45。數(shù)據(jù)處理單元45基于從解碼單元44供給的數(shù)據(jù)，進行規(guī)定的處理。[0091]<R/ffll的天線單元21的結(jié)構(gòu)例子>[0092]圖4是表示圖2的R/W11的天線單元21的結(jié)構(gòu)例子的平面圖。[0093]在圖4的天線單元21中，在平板形狀的基板上，通過卷繞金屬線以使其形成大致圓形狀，從而形成開口部大致圓形狀的線圈。[0094]在作為R/W11的天線單元21的線圈中，例如，能夠采用滿足在NFC(NearFieldCommunicat1n;近場通信)論壇(forum)中規(guī)定的第二波(secondwave)的模擬測試的評價規(guī)格的線圈。[0095]作為圖4的天線單元21的線圈，是滿足上述評價規(guī)格的線圈，金屬線僅卷繞大致4匝以使其在規(guī)定的部位相交，直徑為大致70mm。[0096]〈RF標簽12的外觀的結(jié)構(gòu)例子>[0097]圖5是表示圖3的RF標簽12的外觀的結(jié)構(gòu)例子的概略的立體圖。[0098]RF標簽12通過將IC(裸片)芯片40安裝在作為天線單元41的大致平板形狀的多層基板上而構(gòu)成。[0099]〈RF標簽12的天線單元41的結(jié)構(gòu)例子>[0100]圖6是表示圖3的RF標簽12的天線單元41的結(jié)構(gòu)例子的概略的圖。[0101]g卩，圖6A是表示天線單元41的結(jié)構(gòu)例子的概略的平面圖，圖6B是將圖6A的天線單元41(中央部分)在水平方向上截斷時的截面圖。[0102]例如，天線單元41，由具有標準線圈的(形成有標準線圈的)標準線圈層和具有小線圈的(形成有小線圈的)小線圈層，以小線圈的開口部包含在標準線圈的開口部中進行了層疊的、大致平板形狀的多層基板構(gòu)成。[0103]這里，標準線圈是開口部為規(guī)定的大小的線圈，小線圈是開口部的大小比標準線圈小的線圈。[0104]作為標準線圈(開口部的)的大小，例如，在將作為標準線圈的金屬線卷繞在作為天線單元41的多層基板上時，可以采用將開口部的面積盡量增大的大小等。[0105]在圖6中，作為天線單元41的多層基板形成大致平板形狀，根據(jù)該多層基板的形狀，標準線圈(開口部的)的形狀為大致矩形狀。[0106]此外，在圖6中，小線圈也與標準線圈同樣，為大致矩形狀。[0107]再有，對于大致矩形狀的標準線圈、以及小線圈，在矩形的角的部分，可以附加也可以不附加所謂的半徑。[0108]此外，作為標準線圈、以及小線圈的形狀，除了大致矩形狀之外，例如，可以采用大致圓形狀或大致橢圓形狀、其他的任意的形狀。[0109]而且，標準線圈的形狀和小線圈的形狀不需要為相同的形狀，也可以是不同的形狀。[0110]在本實施方式中，以大致矩形狀的多層基板的層即標準線圈層的重心(大致矩形狀的多層基板的層的對角線相互間的交點)和標準線圈的大致矩形狀的開口部的重心一致，在標準線圈層中形成標準線圈。[0111]同樣地，以大致矩形狀的多層基板的層即小線圈層的重心和小線圈的大致矩形狀的開口部的重心一致，在小線圈層中形成小線圈。[0112]而且，標準線圈層和小線圈層，以重心一致進行層疊，因此，小線圈的開口部被包含在標準線圈的開口部中。[0113]在圖6中，作為天線單元41的多層基板為第I層至第8層的8層的基板。[0114]這里，將作為天線單元41的平板形狀的多層基板的、配置IC芯片40(圖6)的面?zhèn)茸鳛樯蟼?cè)，并且將與上側(cè)對置的面?zhèn)茸鳛橄聜?cè)，將最下側(cè)的層作為最下層即第I層，并且將最上側(cè)的層作為最上層。在圖6中，最上層是第8層。[0115]在圖6中，第I層、第2層、第4層、以及第6層為具有標準線圈的標準線圈層，第3層、以及第5層為具有小線圈的小線圈層。因此，關(guān)注第2層至第6層的5層時，在該5層中，標準線圈層和小線圈層交替地進行層疊。[0116]第7層為無部件或布線等的空層，第8層為形成有連接IC芯片40和天線單元41或外部的布線的布線層。[0117]再有，在圖6中(后述的圖7也同樣)，為了簡單地圖示，圖示了矩形狀的布線，但實際上，規(guī)定的圖案(pattern)的布線形成在第8層中。[0118]此外，圖6A是從上側(cè)觀察天線單元41時的平面圖，從天線單元41的上側(cè)，直接地看不到第I層至第6層的標準線圈、以及小線圈。[0119]但是，在本實施方式中，作為天線單元41的多層基板，例如，使用有一些透明度的材料來形成，在最下層、接近最上層或最下層的層中形成的標準線圈或小線圈，如圖6A中虛線所示，作為影子而透過可見。[0120]在圖6的作為天線單元41的多層基板中，是形成有標準線圈的標準線圈層、或是形成有小線圈的小線圈層的層，是第I層至第6層的6層，因此，圖6的天線單元41，實質(zhì)上6個線圈(標準線圈、小線圈)進行層疊而構(gòu)成。[0121]S卩，天線單元41的第I層至第6層具有作為RF標簽12的天線的功能。[0122]如以上，將天線單元41之中的、具有作為RF標簽12的天線的線圈(以下，也稱為天線線圈)的功能的層中的最下層和最上層，也稱為天線線圈的表層。[0123]對于圖6的天線單元41，第I層及第6層是天線線圈的表層。[0124]在作為天線單元41的多層基板的各層中，形成有通孔(例如，貫通孔)，作為天線單元41的多層基板的各層能夠通過通孔而電連接。[0125]第I層至第6層的各層的標準線圈或小線圈通過通孔，按第I層至第6層的順序，串聯(lián)地連接，構(gòu)成I個天線線圈。[0126]如以上，天線線圈中，I以上的標準線圈和I以上的小線圈進行電連接，標準線圈(標準線圈層)和小線圈(小線圈層)，以小線圈的開口部包含在標準線圈的開口部中進行層疊而構(gòu)成，表層為標準線圈(標準線圈層)。[0127]再有，作為天線單元41的多層基板的各層的厚度，例如，設(shè)為約100μm左右，構(gòu)成各層形成的標準線圈或小線圈的金屬線的厚度，例如，設(shè)為約18μπι左右。這種情況下，形成有標準線圈或小線圈的I層的厚度為約120μm左右，由第I層至第8層構(gòu)成的多層基板的厚度為約Imm左右。[0128]圖7是表示圖3的RF標簽12的天線單元41的其他結(jié)構(gòu)例子的概略的圖。[0129]S卩，圖7A是表示天線單元41的其他結(jié)構(gòu)例子的概略的平面圖，與圖6的情況同樣，圖7B是將圖7A的天線單元41在水平方向截斷時的截面圖。[0130]在圖6中，作為天線單元41的多層基板是8層的多層基板，而在圖7中，作為天線單元41的多層基板為第I層至第6層的6層的多層基板。而且，在圖6中，布線形成在最上層即第8層中，而在圖7中，布線形成在最上層即第6層中。[0131]作為圖7的天線41的多層基板，除了以上方面，與圖6的情況同樣地構(gòu)成。[0132]S卩，即使在圖7中，也與圖6同樣地，第I層、第2層、第4層、以及第6層為具有標準線圈的標準線圈層，第3層、以及第5層為具有小線圈的小線圈層。因此，第I層至第6層是具有作為天線線圈功能的層，表層即第I層及第6層為標準線圈層。[0133]但是，在圖7中，在標準線圈層即第6層中，除了標準線圈之外，還形成有布線。[0134]在圖7中，第6層的布線形成在標準線圈的開口部內(nèi)，因此，作為標準線圈(開口部的)的大小，通過在將作為標準線圈的金屬線卷繞在作為天線單元41的多層基板上時，采用將開口部的面積盡量增大的大小，能夠增大在第6層中與標準線圈一起形成的布線的自由度。[0135]再有，圖7A是從上側(cè)觀察天線單元41的平面圖，從天線單元41的上側(cè)可直接地看到第6層的標準線圈、以及布線，但從天線單元41的上側(cè)不可直接地看到在第6層以外的層中構(gòu)成的小線圈。[0136]但是，在本實施方式中，如圖6中說明的，作為天線單元41的多層基板，例如，使用有一些透明度的材料來形成，在第6層以外的層中構(gòu)成的小線圈，只要不被第6層的布線遮蓋，則如圖7A中用虛線所示，作為影子而透過可見。[0137]圖8是表示標準線圈層的結(jié)構(gòu)例子的概要的平面圖。[0138]如圖8所示，作為標準線圈層中形成的標準線圈是開口部(橫X縱)為大致19mmX14mm的大致矩形的線圈，例如，能夠采用開口部為18.8mmX13.8mm的大致矩形的線圈。[0139]再有，在本說明書中，為了便于說明，在指線圈的開口部的大小時，未考慮構(gòu)成線圈的金屬線的線寬(直徑)(將金屬線的線寬設(shè)為O)。因此，例如，開口部為18.8mmX13.8mm的大致矩形的線圈，意味著外形尺寸為18.8mmX13.8mm的大致矩形的線圈。[0140]例如，以標準線圈層的重心和標準線圈的開口部的重心一致，將標準線圈形成在標準線圈層上。[0141]圖9是表示小線圈層的結(jié)構(gòu)例子的概要的平面圖。[0142]如圖9所示，作為形成在小線圈層中的小線圈是開口部為大致17mmX12mm的大致矩形的線圈，例如，能夠采用開口部為16.8mmX11.8mm的大致矩形的線圈。[0143]例如，以小線圈層的重心和小線圈的開口部的重心一致，將小線圈形成在小線圈層上。[0144]通過將圖8的標準線圈層和圖9的小線圈層，如圖6中說明的，以標準線圈層及小線圈層的重心一致進行層疊，從而標準線圈層和小線圈層，以構(gòu)成標準線圈的金屬線和構(gòu)成小線圈的金屬線之間的、包含開口部的面上的距離為大致Imm進行層疊。[0145]即，在圖6A及圖7A的平面圖中，假設(shè)構(gòu)成標準線圈的金屬線和構(gòu)成小線圈的金屬線之間的距離是指標準線圈和小線圈之間線間隔時，在采用圖8的標準線圈層和圖9的小線圈層的天線單元41中，線間隔為1mm。[0146]這里，線間隔，正確地說，是構(gòu)成標準線圈及小線圈的金屬線(截面的)的中心彼此的距離。因此，例如，在構(gòu)成標準線圈及小線圈的金屬線的線寬(直徑)例如為0.3_時，線間隔為Imm的金屬線彼此的間隙間的距離(金屬線彼此的端部之間的距離)為0.7mm。[0147]再有，在本實施方式中，作為天線單元41的多層基板的各層的標準線圈或小線圈的匝數(shù)為大致略I匝。[0148]S卩，對于標準線圈層，形成將金屬線僅卷繞了大致I圈的標準線圈。同樣地，對于小線圈層，形成將金屬線僅卷繞了大致I圈的小線圈。[0149]但是，作為標準線圈層的標準線圈，可以采用將金屬線僅卷繞了大致2圈等的、超過大致I圈的圈數(shù)的線圈。作為小線圈層的小線圈，同樣地，可以采用將金屬線卷繞了超過大致I圈的圈數(shù)的線圈。[0150]再有，標準線圈不限定于圖8所示的大小的線圈，小線圈也不限定于圖9所示的大小的線圈。[0151]此外，圖8的標準線圈的開口部和圖9的小線圈的開口部的面積比為大致4:3，即，圖9的小線圈的開口部的面積是圖8的標準線圈的開口部的面積的大致75%，但作為小線圈，可以采用開口部的面積在小于標準線圈的開口部的面積的范圍內(nèi)的、大于或小于標準線圈的開口部的面積的大致75%的線圈。[0152]而且，天線單元41不僅是標準線圈層和小線圈層兩種，例如，能夠通過在該標準線圈層和小線圈層中，將附加了開口部的大小比小線圈小的線圈即形成有極小線圈的極小線圈層后的3種類的層，以表層為標準線圈層進行層疊而構(gòu)成。[0153]圖10是表示在圖6及圖7所示的、第I層至第6層作為具有天線線圈功能的天線單元41的多層基板的、其第I層至第6層各自的結(jié)構(gòu)例子的平面圖。[0154]在第I層至第6層中，在同一位置中，形成有通孔Vl至v7。[0155]在第I層中，形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到通孔v7。[0156]而且，在第I層中，從通孔v7起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔Vl。[0157]在第2層中，形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到通孔v2。因此，通過通孔vl，第I層的標準線圈的一端和第2層的標準線圈的一端被連接。[0158]而且，在第2層中，從通孔vl起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v2。[0159]在第3層中，形成匝數(shù)大致為I匝的小線圈，該小線圈的一端連接到通孔v2，另一端連接到通孔v3。因此，通過通孔v2，第2層的標準線圈的另一端和第3層的小線圈的一端被連接。[0160]而且，在第3層中，從通孔v2起，將小線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v3。[0161]在第4層中，形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔v3，另一端連接到通孔v4。因此，通過通孔v3，第3層的小線圈的另一端和第4層的標準線圈的一端被連接。[0162]而且，在第4層中，從通孔v3起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，達到通孔v4。[0163]在第5層中，形成匝數(shù)大致為I匝的小線圈，該小線圈的一端連接到通孔v4，另一端連接到通孔v5。因此，通過通孔v4，第4層的標準線圈的另一端和第5層的小線圈的一端被連接。[0164]而且，在第5層中，從通孔v4起，將小線圈向右旋轉(zhuǎn)，達到通孔v5。[0165]在第6層中，形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔v5，另一端連接到通孔v6。因此，通過通孔v5，第5層的小線圈的另一端和第6層的標準線圈的一端被連接。[0166]而且，在第6層中，從通孔v5起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，達到通孔v6。[0167]因此，在從通孔v6及v7觀察第I層至第6層的情況下，第I層至第6層的標準線圈及小線圈形成從通孔v7起向右卷繞，達到通孔v6的I個線圈(天線線圈)，S卩，形成將通孔v6及v7分別作為一端及另一端的線圈。[0168]再有，標準線圈或小線圈的匝數(shù)為大致I匝，S卩，如第I層那樣，有匝數(shù)差一點不到I匝的情況，或如第6層那樣，有超過I匝一點的情況，是起因于設(shè)置連接各層的通孔vl至V7的位置。[0169]此外，如第I層那樣，差一點不到I匝的情況，或如第6層那樣，超過I匝一點的情況下的線圈(標準線圈)的開口部，意味著如果使金屬線達到了I匝，則可以由該I匝的金屬線形成了閉合區(qū)域。[0170]而且，在圖10中，在將標準線圈或小線圈向右旋轉(zhuǎn)的情況下，如從下層到達上層那樣，形成有通孔vl至v7、以及標準線圈及小線圈，但通孔vl至v7、以及標準線圈及小線圈，在將標準線圈或小線圈向左旋轉(zhuǎn)的情況下，能夠從上層到達下層那樣地構(gòu)成。[0171]如圖6至圖10中說明的，通過將作為I以上的標準線圈的4個標準線圈和作為I以上的小線圈的2個小線圈，以表層為標準線圈進行層疊，構(gòu)成天線單元41(天線線圈)，從而即使將天線單元41小型地構(gòu)成，也可以維持規(guī)定的性能等。[0172]S卩，可以實現(xiàn)發(fā)揮規(guī)定的性能的天線單元41的小型化等。[0173]圖11是表示本發(fā)明人進行的、測定由R/W11(的天線單元21)觀測的、來自RF標簽12的信號的電壓振幅的模擬的模擬結(jié)果的圖。[0174]在模擬中，對于將圖10所示的標準線圈(層)和小線圈(層)如圖6或圖7所示那樣進行了所謂混合層疊的天線線圈(以下，也稱為混合層疊天線)、即由6層構(gòu)成的混合層疊天線作為天線單元41使用的情況，以及僅層疊了圖10所示的標準線圈(層)的天線線圈(以下，也稱為簡單層疊天線)、即由6層構(gòu)成的簡單層疊天線作為天線單元41使用的情況的各個的情況，測定了由R/W11觀測的、來自RF標簽12的信號的電壓振幅。[0175]圖11表示R/W11的天線單元21和RF標簽12的天線單元41平行配置地對置設(shè)置，天線單元21和天線單元41的距離分別為Omm和5mm時，測定了由R/W11觀測的、來自RF標簽12的信號的電壓振幅的結(jié)果。[0176]在圖11中，Omm和5mm的各距離中的中央的方形內(nèi)的數(shù)字表示，在作為R/W11的天線單元21的線圈(圖4)的開口部的重心和作為RF標簽12的天線單元41的標準線圈及小線圈的開口部的重心之間沒有位置的偏移量的情況下的電壓振幅。即，假設(shè)將作為R/Wll的天線單元21的線圈的開口部的重心為原點，根據(jù)將橫方向及縱方向分別設(shè)為X方向及I方向的二維坐標系的坐標(x，y)，表示作為RF標簽12的天線單元41的標準線圈及小線圈的開口部的重心的位置時，中央的方形內(nèi)的數(shù)字表示，(x，y)=(0,0)情況下的、由R/Wll觀測的來自RF標簽12的信號的電壓振幅。[0177]此外，在圖11中，從中央的方形向橫方向(X方向)、或縱方向(y方向)的一個方形的偏移，分別表示在平行平面內(nèi)的5_的橫方向、或縱方向的位置的偏移，方形內(nèi)的數(shù)字表示該位置中的電壓振幅。因此，例如，從中央的方形向左偏移了相當于兩個的方形內(nèi)的數(shù)字表示，在RF標簽12的天線單元41位于從R/W11的天線單元21向左方向偏移了1mm的位置的情況下的、由R/W11觀測的來自RF標簽12的信號的電壓振幅。[0178]根據(jù)圖11，可以確認無論R/W11的天線單元21和RF標簽12的天線單元41之間的位置關(guān)系是什么樣的位置關(guān)系，使用了混合層疊天線線圈的情況相比使用了簡單層疊天線線圈的情況，觀測到大的電壓振幅。[0179]如以上，根據(jù)混合層疊天線，盡管外形尺寸(包含線圈的開口部的平面內(nèi)的外形尺寸)和匝數(shù)與簡單層疊天線相同，但可以觀測比簡單層疊天線大的電壓振幅。[0180]此外，根據(jù)本發(fā)明人進行的模擬，在圖4所示的、具有直徑為70mm的線圈即天線單元21的R/W11和圖6至圖10所示的、外形尺寸為18.8mmX13.8mm的混合層疊天線作為天線單元41使用的RF標簽12之間的通信中，盡管天線單元21的開口部的開口面積和天線單元41的開口部的開口面積極大地不同，但在天線單元21(作為線圈)和天線單元41(作為線圈)之間，實現(xiàn)某種程度的耦合系數(shù)，作為由R/W11觀測的、來自RF標簽12的信號的電壓振幅及其他事項，確認了得到滿足NFC論壇的規(guī)定(規(guī)格)的值。[0181]這里，R/W11的天線單元21和RF標簽12的天線單元41之間的耦合系數(shù)k為這樣的值:其與構(gòu)成變壓器的線圈的耦合系數(shù)那樣的接近1.0的較大的值比較為較小的值。[0182]這種情況下，耦合系數(shù)k為這樣的值:其與來自天線單元21的磁通與天線單元41交叉的比例和來自天線單元41的磁通與天線單元21交叉的比例之積的平方根成正比。[0183]作為這樣的將天線單元21和41之間的耦合系數(shù)k設(shè)定得大的方法，例如，有將天線單元41的開口面積設(shè)定得大，以成為與直徑為70_的線圈即天線單元21相同程度的開口面積的方法。[0184]但是，將天線單元41的開口面積設(shè)定得大，與天線單元41(進而RF標簽12)的小型化的請求相違。[0185]相對于此，混合層疊天線是除了標準線圈(層)之外，還層疊了開口面積比標準線圈小的小線圈(層)的線圈，但根據(jù)本發(fā)明人進行的模擬，得到了相比僅層疊了標準線圈的簡單層疊天線具有高性能的模擬結(jié)果。[0186]再有，作為RF標簽12的天線單元41的混合層疊天線，相比簡單層疊天線具有高性能，要發(fā)揮期望的性能，在與作為R/W11的天線單元21的線圈的匝數(shù)極其他的參數(shù)的關(guān)系中，例如，有優(yōu)選調(diào)整混合層疊天線的層數(shù)、匝數(shù)、標準線圈的大小、小線圈的大小等的情況。[0187]<天線單元41的其他結(jié)構(gòu)例子>[0188]圖12是表示混合層疊天線的層的其他結(jié)構(gòu)例子的概要的平面圖。[0189]作為混合層疊天線的層，除了圖8所示的標準線圈層、以及圖9所示的小線圈層之夕卜，如圖12所示，可以采用形成有標準線圈和小線圈兩者的層(以下，也稱為雙線圈層)。[0190]在圖12的雙線圈層中，以各自的開口部的重心和層的重心一致來形成標準線圈、以及小線圈。[0191]再有，雙線圈層具有標準線圈，所以也可以認為也有標準線圈層。此外，雙線圈層具有小線圈，所以也可以認為也有小線圈層。[0192]對于混合層疊天線的、除了表層以外的任意的層，能夠采用雙線圈層。[0193]此外，對于混合層疊天線的任意的層，包含表層，能夠采用雙線圈層。[0194]圖13是表示混合層疊天線的第一其他結(jié)構(gòu)例子的、混合層疊天線的各層的平面圖。[0195]圖13的混合層疊天線，由從下側(cè)起，層疊了第I層至第4層的4層構(gòu)成。[0196]在圖13的混合層疊天線中，第I層及第4層為(僅有標準線圈)標準線圈層，第2層及第3層為雙線圈層。[0197]在第I層至第4層中，在同一位置,形成有通孔vl、v3、v5、v6、及以v7。[0198]而且，在第I層中，僅形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到通孔v7。[0199]在第I層中，從通孔v7起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔Vl。[0200]在第2層中，形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈及小線圈，標準線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到小線圈的一端。而且，小線圈的另一端連接到通孔v3。因此，通過通孔vl，第I層的標準線圈的一端和第2層的標準線圈的一端被連接。[0201]在第2層中，從通孔vl起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，而且，將小線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v3。[0202]在第3層中，形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈及小線圈，標準線圈的一端連接到通孔v3，另一端連接到小線圈的一端。而且，小線圈的另一端連接到通孔v5。因此，通過通孔v3，第2層的小線圈的另一端和第3層的標準線圈的一端被連接。[0203]在第3層中，從通孔v3起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，而且，將小線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v5。[0204]在第4層中，僅形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔v5，另一端連接到通孔v6。因此，通過通孔v5，第3層的小線圈的另一端和第4層的標準線圈的一端被連接。[0205]在第4層中，從通孔v5起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v6。[0206]從通孔v6及v7觀察層疊了以上那樣的第I層至第4層的混合層疊天線的情況下，第I層至第4層的標準線圈及小線圈形成從通孔v7起，向右旋轉(zhuǎn)地卷繞，到達通孔v6的I個線圈(天線線圈)，即，形成將通孔v6及v7分別作為一端及另一端的線圈。[0207]此時，將混合層疊天線的層數(shù)為a層、作為混合層疊天線的線圈全體的匝數(shù)為(大致)b匝的情況設(shè)為所謂a層b匝時，圖13的混合層疊天線為4層6匝的線圈。[0208]圖14是表示混合層疊天線的第二其他結(jié)構(gòu)例子的、混合層疊天線的各層的平面圖。[0209]圖14的混合層疊天線，由從下側(cè)起，層疊了第I層至第3層的3層構(gòu)成，為3層3匝的線圈。[0210]在圖14的混合層疊天線中，第I層及第3層為(僅有標準線圈)標準線圈層，第2層為(僅有小線圈)小線圈層。[0211]在第I層至第3層中，在同一位置中，形成有通孔vl、v5、v6、以及v7。[0212]而且，在第I層中，僅形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到通孔v7。[0213]在第I層中，從通孔v7起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔Vl。[0214]在第2層中，僅形成匝數(shù)大致為I匝的小線圈，小線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到通孔v5。因此，通過通孔vl，第I層的標準線圈的一端和第2層的小線圈的一端被連接。[0215]在第2層中，從通孔vl起，將小線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v5。[0216]在第3層中，僅形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔v5，另一端連接到通孔v6。因此，通過通孔v5，第2層的小線圈的另一端和第3層的標準線圈的一端被連接。[0217]在第3層中，從通孔v5起,將小線圈向右旋轉(zhuǎn),到達通孔v6。[0218]在從通孔v6及v7觀察層疊了以上那樣的第I層至第3層的混合層疊天線的情況下，第I層至第3層的標準線圈及小線圈，形成從通孔v7起，向右旋轉(zhuǎn)地卷繞，到達通孔v6的I個線圈，即，形成將通孔v6及v7分別作為一端及另一端的線圈。[0219]圖15是表示混合層疊天線的第三其他結(jié)構(gòu)例子的、混合層疊天線的各層的平面圖。[0220]圖15的混合層疊天線，從下側(cè)起，由層疊了第I層至第4層的4層構(gòu)成，成為4層4匝的線圈。[0221]在圖15的混合層疊天線中，第I層、第2層、以及第4層為(僅有標準線圈)標準線圈層，第3層為(僅有小線圈)小線圈層。[0222]在第I層至第4層中，在同一位置中，形成有通孔vl、v3、v5、v6、以及v7。[0223]而且，在第I層中，僅形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到通孔v7。[0224]在第I層中，從通孔v7起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔vl。[0225]在第2層中，僅形成匝數(shù)大致為I匝的標準線圈，標準線圈的一端連接到通孔vl，另一端連接到通孔v3。因此，通過通孔vl，第I層的標準線圈的一端和第2層的標準線圈的一端被連接。[0226]在第2層中，從通孔Vl起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v3。[0227]在第3層中，僅形成匝數(shù)為大致略I匝的小線圈，小線圈的一端連接到通孔v3，另一端連接到通孔v5。因此，通過通孔v3，第2層的標準線圈的另一端和第3層的小線圈的一端被連接。[0228]在第3層中，從通孔v3起,將小線圈向右旋轉(zhuǎn),到達通孔v5。[0229]在第4層中，僅形成匝數(shù)為大致I匝的標準線圈，該標準線圈的一端連接到通孔v5，另一端連接到通孔v6。因此，通過通孔v5，第3層的小線圈的另一端和第4層的標準線圈的一端被連接。[0230]在第4層中，從通孔v5起，將標準線圈向右旋轉(zhuǎn)，到達通孔v6。[0231]在從通孔v6及v7觀察層疊了以上那樣的第I層至第4層的混合層疊天線的情況下，第I層至第4層的標準線圈及小線圈，形成從通孔v7起，向右旋轉(zhuǎn)地卷繞，到達通孔v6的I個線圈，即，形成將通孔v6及v7分別作為一端及另一端的線圈。[0232]圖16是表示本發(fā)明人進行的、測定耦合系數(shù)的第一耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0233]第一耦合系數(shù)測定模擬，以匝數(shù)為3匝的線圈作為對象，測定了電感L和R/W11的天線單元21(圖4)之間的耦合系數(shù)k。再有，耦合系數(shù)k的測定，將該測定的對象的線圈和R/W11的天線單元21之間的距離(z方向)設(shè)為Omm來進行。在這方面，即使在后述的第2至第7耦合系數(shù)測定模擬中也是同樣。[0234]作為測定耦合系數(shù)k的對象的3匝的線圈，采用了:3層全部僅由標準線圈的標準線圈層構(gòu)成簡單層疊天線；由第I層僅為標準線圈的標準線圈層、第2層僅為小線圈的小線圈層、第3層僅為標準線圈的標準線圈層分別構(gòu)成的混合層疊天線；以及分別由第I層僅為標準線圈的標準線圈層、第2層為標準線圈和小線圈的雙線圈層構(gòu)成的混合層疊天線。[0235]這里，在圖16中(在后述的圖中也同樣)，例如，‘大I大I大’之中的‘I’表示層的劃分，‘大’表示層僅是標準線圈的標準線圈層。此外，以‘I’劃分的層，越左側(cè)是越低的層，以‘I’劃分的左端的層是第I層。[0236]因此，‘大I大I大’表示第I層為標準線圈層、第2層為標準線圈層、第3層為標準線圈層的、分別構(gòu)成的3層3匝的線圈(簡單層疊天線)。[0237]此外，例如，‘大I小I大’中的‘小’表示層是小線圈的小線圈層，例如，‘大I大+小’中的‘大+小’表示層是具有標準線圈和小線圈的雙線圈層。[0238]因此，‘大I小I大’表示第I層由標準線圈層、第2層由小線圈層、第3層由標準線圈層分別構(gòu)成的3層3匝的線圈(混合層疊天線)。此外，‘大I大+小’表示第I層由標準線圈層、第2層由雙線圈層分別構(gòu)成的2層3匝的線圈(混合層疊天線)。[0239]再有，在模擬中，標準線圈層的標準線圈、小線圈層的小線圈、雙線圈層的標準線圈、以及雙線圈層的小線圈的匝數(shù)都為(大致)I匝。[0240]因此，圖16的‘大I大I大’、‘大I小I大’、‘大I大+小’都表示3匝的線圈。[0241]根據(jù)第一耦合系數(shù)測定模擬，對于匝數(shù)為3匝的線圈，能夠確認與沒有小線圈的‘大I大I大’相比，包含小線圈的‘大I小I大’、‘大I大+小’的一方，耦合系數(shù)k較高。[0242]而且，根據(jù)第一耦合系數(shù)測定模擬，對于包含小線圈的‘大I小I大’、以及‘大I大+小’，能夠確認表層僅為標準線圈的標準線圈層的‘大I小I大’的一方，相比表層為雙線圈層的‘大I大+小’，耦合系數(shù)k較高。[0243]圖17是表示本發(fā)明人進行的、測定耦合系數(shù)的第二耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0244]第二耦合系數(shù)測定模擬，以匝數(shù)為4匝的線圈作為對象，測定了電感L和R/W11的天線單元21(圖4)之間的耦合系數(shù)k。[0245]作為測定耦合系數(shù)k的對象的4匝的線圈，采用了‘大I大I大I大’、以及‘大大+小I大’的線圈。[0246]這里，‘大I大I大I大’表示4層全部僅由標準線圈的標準線圈層構(gòu)成的4層4匝的作為簡單層疊天線的線圈，‘大I大+小I大’表示第I層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層由雙線圈層、第3層僅由標準線圈的標準線圈層分別構(gòu)成的作為3層4匝的混合層疊天線的線圈。[0247]根據(jù)第二耦合系數(shù)測定模擬，能夠確認對于匝數(shù)為4匝的線圈，與圖16的匝數(shù)為3匝的線圈的情況同樣，相比沒有小線圈的‘大I大I大I大’，包含小線圈的‘大I大+小大’的一方，耦合系數(shù)k較高。[0248]圖18是表示本發(fā)明人進行的、測定耦合系數(shù)的第三耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0249]第三耦合系數(shù)測定模擬，以匝數(shù)為5匝的線圈作為對象，測定了電感L和R/W11的天線單元21(圖4)之間的耦合系數(shù)k。[0250]作為測定耦合系數(shù)k的對象的5匝的線圈，采用了‘大I大I大I大I大’、‘大大I小I大I大，、‘大I小I大I小I大’、以及‘大I小I小I大I大’。[0251]這里，‘大I大I大I大I大’表示全部5層都僅由標準線圈的標準線圈層構(gòu)成的作為5層5匝簡單層疊天線的線圈，‘大I大I小I大I大’表示第I層及第2層僅由標準線圈的標準線圈層、第3層僅由小線圈的小線圈層、第4層及第5層僅由標準線圈的標準線圈層分別構(gòu)成的作為5層5匝的混合層疊天線的線圈。[0252]此外，‘大I小I大I小I大’表示第I層、第3層、以及第5層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層及第4層僅由小線圈的小線圈層分別構(gòu)成的作為5層5匝的混合層疊天線的線圈，‘大I小I小I大I大’表示第I層、第4層、以及第5層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層及第3層僅由小線圈的小線圈層分別構(gòu)成的作為5層5匝的混合層疊天線的線圈。[0253]根據(jù)第三耦合系數(shù)測定模擬，能夠確認對于匝數(shù)為5匝的線圈，與圖16的匝數(shù)為3匝的線圈的情況同樣，相比沒有小線圈的‘大I大I大I大I大’，包含小線圈的‘大I大小I大I大’、‘大I小I大I小I大’、‘大I小I小I大I大’的一方，耦合系數(shù)k較高。[0254]圖19是表示本發(fā)明人進行的、測定耦合系數(shù)的第4耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0255]第4耦合系數(shù)測定模擬，以匝數(shù)為6匝的線圈作為對象，測定了電感L和R/W11的天線單元21(圖4)之間的耦合系數(shù)k。[0256]作為測定耦合系數(shù)k的對象的6匝的線圈，采用了‘大I大I大I大I大I大’、‘大小I大I小I大I大，、‘大I小I大I小I大I小’、以及‘大I小I大I小I小I大’。[0257]這里，‘大I大I大I大I大I大’表示全部6層僅由標準線圈的標準線圈層構(gòu)成的作為6層6匝的簡單層疊天線的線圈，‘大I小I大I小I大I大’表示第I層、第3層、第5層、以及第6層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層及第4層僅由小線圈的小線圈層分別構(gòu)成的作為6層6匝的混合層疊天線的線圈。[0258]此外，‘大I小I大I小I大I小’表示第I層、第3層、以及第5層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層、第4層、以及第6層僅由小線圈的小線圈層分別構(gòu)成的作為6層6匝的混合層疊天線的線圈，‘大I小I大I小I小I大’表示第I層、第3層、以及第6層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層、第4層、以及第5層僅由小線圈的小線圈層分別構(gòu)成的作為6層6匝的混合層疊天線的線圈。[0259]根據(jù)第4耦合系數(shù)測定模擬，能夠確認對于匝數(shù)為6匝的線圈，與圖16的匝數(shù)為3匝的線圈的情況同樣，相比沒有小線圈的‘大I大I大I大I大I大’，包含小線圈的‘大小I大I小I大I大’、‘大I小I大I小I大I小’、‘大I小I大I小I小I大’的一方，耦合系數(shù)k較高。[0260]而且,能夠確認對于包含小線圈的‘大I小I大I小I大I大，、‘大I小I大I小大I小’、以及‘大I小I大I小I小I大’，僅標準線圈的標準線圈層連續(xù)的‘大I小I大小I大I大’的一方，相比那樣的標準線圈層不連續(xù)的‘大I小I大I小I大I小’、‘大小I大I小I小I大’，耦合系數(shù)k較高。[0261]圖20是表示本發(fā)明人進行的、測定耦合系數(shù)的第五耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0262]在第五耦合系數(shù)測定模擬中，作為標準線圈，采用圖8所示的開口部為18.8mmX13.8mm的大致矩形的線圈,一邊改變標準線圈和小線圈之間的線間隔(構(gòu)成標準線圈的金屬線和構(gòu)成小線圈的金屬線之間的距離)，一邊測定了以‘大I小I大I小I大大’表示的作為6層6匝的混合層疊天線的線圈的電感L和R/W11的天線單元21(圖4)之間的耦合系數(shù)k。[0263]再有，在線間隔為Imm的情況下，如圖9所示，小線圈成為開口部為16.SmmXll.8mm的大致矩形的線圈。因此，在線間隔小于Imm的情況下，相比圖9所示的情況，小線圈成為開口部大的線圈，在線間隔大于Imm的情況下，相比圖9所示的情況，小線圈成為開口部小的線圈。[0264]根據(jù)第五耦合系數(shù)測定模擬，能夠確認在線間隔為Imm或1.1mm的情況下，相比其他值的線間隔的情況，耦合系數(shù)k較高。[0265]圖21是表示本發(fā)明人進行的、測定耦合系數(shù)的第6耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0266]在第6耦合系數(shù)測定模擬中，作為標準線圈，采用比圖8的情況大的、開口部為25mmX20mm的大致矩形的線圈，一邊改變標準線圈和小線圈之間的線間隔，一邊測定了以‘大I小I大I小I大I大’表示的作為6層6匝的混合層疊天線的線圈的電感L和R/W11的天線單元21(圖4)之間的耦合系數(shù)k。[0267]根據(jù)第6稱合系數(shù)測定模擬,能夠確認在線間隔為1.1mm的情況和為2.5mm的情況下，相比其他值的線間隔的情況，耦合系數(shù)k較高。[0268]此外，根據(jù)第5及第6耦合系數(shù)測定模擬，能夠確認標準線圈的開口部大的一方(與R/W11的天線單元21的開口部的大小接近的一方)，耦合系數(shù)k較高。[0269]圖22是表示本發(fā)明人進行的、測定耦合系數(shù)的第7耦合系數(shù)測定模擬的結(jié)果的圖。[0270]第7耦合系數(shù)測定模擬，以匝數(shù)為6匝的線圈作為對象，測定了電感L和R/W11的天線單元21(圖4)之間的耦合系數(shù)k。[0271]作為測定耦合系數(shù)的對象的6匝的線圈，采用了‘大I大I大I大I大I大’、‘大大+小I大+小I大’、以及‘大I小I極小I小I大I大’。[0272]這里，‘大I大I大I大I大I大’表示全部6層都僅由標準線圈的標準線圈層構(gòu)成的作為6層6匝的簡單層疊天線的線圈，‘大I大+小I大+小I大’表示第I層及第4層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層及第3層由雙線圈層分別構(gòu)成的作為4層6匝的混合層疊天線的線圈。[0273]此外，‘大I小I極小I小I大I大’表示第I層、第5層、以及第6層僅由標準線圈的標準線圈層、第2層及第4層僅由小線圈的小線圈層、第3層由形成了大小比小線圈小的極小線圈的層(極小線圈層)分別構(gòu)成的作為6層6匝的混合層疊天線的線圈。[0274]根據(jù)第7耦合系數(shù)測定模擬，能夠確認對于匝數(shù)為6匝的線圈，與圖16的匝數(shù)為3匝的線圈的情況同樣，相比沒有小線圈的‘大I大I大I大I大I大’，包含小線圈(或極小線圈)的‘大I大+小I大+小I大，、‘大I小I極小I小I大I大’的一方，耦合系數(shù)k較聞。[0275]再有，根據(jù)第7耦合系數(shù)測定模擬，能夠確認對于包含小線圈(或極小線圈)的‘大I大+小I大+小I大，、‘大I小I極小I小I大I大’，包含極小線圈的‘大I小I極小I小I大I大’的一方，相比不包含極小線圈的‘大I大+小I大+小I大’很少，但耦合系數(shù)k較高。[0276]<通信系統(tǒng)的應用例>[0277]圖23是表示適用了圖1的通信系統(tǒng)的電子設(shè)備系統(tǒng)的一實施方式的結(jié)構(gòu)例子的方框圖。[0278]在圖23中，電子設(shè)備系統(tǒng)具有電子設(shè)備110及120。[0279]電子設(shè)備110及120，例如是錄音機、數(shù)碼相機、電視接收機(TV)、移動電話或平板(tablet)終端等的移動終端、揚聲器或耳機等的音響輸出裝置、其他的電子設(shè)備，具有通信功能。[0280]因此，在電子設(shè)備110和120之間，能夠進行通信。[0281]電子設(shè)備110具有非接觸式通信裝置111、無線通信裝置112、以及處理單元113。[0282]非接觸式通信裝置111，例如，與圖1的R/W(非接觸式通信裝置)11同樣地構(gòu)成，在與后述的非接觸式通信裝置121等的RF標簽之間，作為啟動器進行非接觸式通信(NFC通信)。因此，在圖23中，非接觸式通信裝置111，例如具有滿足圖4所示的NFC論壇的第二波的模擬測試的評價規(guī)格的線圈作為天線，使用該天線，進行非接觸式通信。再有，在非接觸式通信裝置111中，除此之外，例如，與后述的無線通信裝置112同樣地，安裝混合層疊天線，使用該混合層疊天線，能夠進行非接觸式通信。[0283]無線通信裝置112進行比非接觸式通信裝置111快的高速無線通信、例如，符合藍牙(Bluetooth(注冊商標))等的無線通信。[0284]處理單元113進行用于使電子設(shè)備110發(fā)揮固有的功能的處理。[0285]電子設(shè)備120具有:非接觸式通信裝置121、無線通信裝置122、以及處理單元123。[0286]非接觸式通信裝置121，例如，與圖1的RF標簽(非接觸式通信裝置)12同樣地構(gòu)成，在與非接觸式通信裝置111等的R/W之間，作為目標，進行非接觸式通信。因此，在圖23中，非接觸式通信裝置121，例如，與圖1的RF標簽12同樣，具有混合層疊天線，使用該混合層疊天線，進行非接觸式通信。[0287]無線通信裝置122，與無線通信裝置112同樣，進行比非接觸式通信裝置121快的高速無線通信、例如符合藍牙(Bluetooth(注冊商標))等的無線通信。[0288]處理單元123進行用于使電子設(shè)備120發(fā)揮固有的功能的處理。[0289]在以上那樣的電子設(shè)備系統(tǒng)中，電子設(shè)備110和120靠近時，在作為啟動器的非接觸式通信裝置111和作為目標的非接觸式通信裝置121之間，進行非接觸式通信，在電子設(shè)備110及120各自中，各自被確定是通信對方。[0290]S卩，在電子設(shè)備110中，電子設(shè)備120被確定是通信對方，在電子設(shè)備120中，電子設(shè)備110被確定是通信對方。[0291]然后，在電子設(shè)備110中，進行將通信從非接觸式通信裝置111轉(zhuǎn)換為無線通信裝置112的切換(handover)，同時在電子設(shè)備120中，進行將通信從非接觸式通信裝置121轉(zhuǎn)換為無線通信裝置122的切換。[0292]在電子設(shè)備110及120各自中，由于通信對方彼此被確定，所以切換后，在無線通信裝置111和122之間，能夠進行高速的無線通信。[0293]因此，在電子設(shè)備110和120中，只要靠近，就能夠?qū)⒈舜舜_定為通信對方，進行高速的無線通信。[0294]其結(jié)果，用戶只要使電子設(shè)備110和120靠近，在該電子設(shè)備110和120之間，數(shù)據(jù)就能夠被交換。[0295]圖24是說明圖23的電子設(shè)備110及120的具體例子的圖。[0296]例如，如圖24所示，作為電子設(shè)備110，例如可以采用TV(電視接收機)，而作為電子設(shè)備120,例如可以米用數(shù)碼相機。[0297]這種情況下，作為電子設(shè)備120的數(shù)碼相機，具有采用小型的混合層疊天線的非接觸式通信裝置121，用戶只要將該數(shù)碼相機靠近作為具有可與非接觸式通信裝置121進行非接觸式通信的非接觸式通信裝置111的電子設(shè)備110的TV，例如就能夠?qū)?shù)碼相機拍攝的運動圖像或靜止圖像等內(nèi)容傳送到TV中進行視聽。[0298]另外，例如，作為電子設(shè)備110，例如可以采用移動電話、智能手機、便攜式音樂播放器等的移動設(shè)備，而作為具有采用小型的混合層疊天線的非接觸式通信裝置121的電子設(shè)備120，例如可以采用將移動設(shè)備再生的樂曲等輸出的、小型的揚聲器或耳機。[0299]這種情況下，用戶只要將移動設(shè)備和揚聲器或耳機靠近，例如就能夠使移動設(shè)備再生的樂曲傳送輸出到揚聲器或耳機中。[0300]再有，在本說明書中，系統(tǒng)意味著多個結(jié)構(gòu)要素(裝置、模塊(部件)等)的集合，無論全部的結(jié)構(gòu)要素是否在同一機架中。因此，容納在另一個機架中的、通過網(wǎng)絡(luò)連接的多個裝置、以及在一個機架之中容納有多個模塊的一個裝置都是系統(tǒng)。[0301]此外，本發(fā)明的實施方式，不限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍中可進行各種變更。[0302]S卩，例如，標準線圈或小線圈的大小或形狀，不限定于上述大小或形狀。[0303]而且，混合層疊天線，除了標準線圈和小線圈之外，如圖22中說明的，而且可以將極小線圈再進行層疊而構(gòu)成。[0304]此外，構(gòu)成混合層疊天線的各層的標準線圈或小線圈等的匝數(shù)，不限定于大致I匝，也可以是2匝以上。[0305]而且，在本實施方式中，說明了在RF標簽12的天線單元41中適用了混合層疊天線的情況，但除此以外，混合層疊天線例如也能夠適用于R/W11的天線單元21、對RF標簽12僅進行讀出或?qū)懭氲拈喿x器或?qū)懭肫鞯奶炀€等。[0306]再有，本發(fā)明能夠如下構(gòu)成。[0307]〈1>一種天線，[0308]I以上的標準線圈即開口部為規(guī)定的大小的線圈和I以上的小線圈即開口部的大小比所述標準線圈小的線圈進行電連接，[0309]具有所述標準線圈的標準線圈層和具有所述小線圈的小線圈層，以所述小線圈的開口部包含在所述標準線圈的開口部中進行層疊，[0310]表層為所述標準線圈層。[0311]〈2>在〈1>中記載的天線，[0312]表層以外的層的所述標準線圈層以及所述小線圈層之中的I以上的層為具有所述標準線圈和所述小線圈的雙線圈層。[0313]〈3>在〈1>或〈2>中記載的天線，[0314]各層的標準線圈或小線圈的匝數(shù)為大致I匝。[0315]<4>在〈1>至〈3>中任意一項記載的天線，[0316]所述標準線圈的開口部和所述小線圈的開口部的面積比為大致4:3。[0317]<5>在〈1>至〈4>中任意一項記載的天線，[0318]所述標準線圈層和所述小線圈層交替地進行層疊。[0319]<6>在<1>至〈4>中任意一項記載的天線，[0320]所述標準線圈層、或所述小線圈層被連續(xù)層疊。[0321]<7>在<1>至〈4>中任意一項記載的天線，[0322]具有極小線圈即開口部大小比所述小線圈小的線圈的極小線圈層進一步進行層疊。[0323]〈8>在〈1>中記載的天線，[0324]所述標準線圈層和所述小線圈層僅進行層疊合計6層。[0325]<9>在〈8>中記載的天線，[0326]所述6層之中的第I層、第2層、第4層以及第6層為所述標準線圈層，[0327]所述6層之中的第3層以及第5層為所述小線圈層。[0328]<10>在〈9>中記載的天線，[0329]所述標準線圈為開口部為大致19mmX14mm的大致矩形的線圈，[0330]所述小線圈為開口部為大致17_X12mm的大致矩形的線圈，[0331]所述標準線圈層和所述小線圈層，以構(gòu)成所述標準線圈的線和構(gòu)成所述小線圈的線之間的、包含所述開口部的面上的距離為大致Imm進行層疊。[0332]<11>電子設(shè)備，包括:[0333]天線，以及[0334]信號處理單元，進行使用了所述天線的無線通信的信號處理，[0335]所述天線中，I以上的標準線圈即開口部為規(guī)定的大小的線圈和I以上的小線圈即開口部的大小比所述標準線圈小的線圈進行電連接，[0336]具有所述標準線圈的標準線圈層和具有所述小線圈的小線圈層，以所述小線圈的開口部包含在所述標準線圈的開口部中進行層疊，[0337]表層為所述標準線圈層?！緳?quán)利要求】1.一種天線，I以上的標準線圈即開口部為規(guī)定的大小的線圈和I以上的小線圈即開口部的大小比所述標準線圈小的線圈進行電連接，具有所述標準線圈的標準線圈層和具有所述小線圈的小線圈層，以所述小線圈的開口部包含在所述標準線圈的開口部中進行層疊，表層為所述標準線圈層。2.如權(quán)利要求1所述的天線，表層以外的層的所述標準線圈層以及所述小線圈層之中的I以上的層，為具有所述標準線圈和所述小線圈的雙線圈層。3.如權(quán)利要求1所述的天線，各層的標準線圈或小線圈的匝數(shù)為大致I匝。4.如權(quán)利要求1所述的天線，所述標準線圈的開口部和所述小線圈的開口部之間的面積比為大致4:3。5.如權(quán)利要求1所述的天線，所述標準線圈層和所述小線圈層交替地進行層疊。6.如權(quán)利要求1所述的天線，所述標準線圈層、或所述小線圈層被連續(xù)層疊。7.如權(quán)利要求1所述的天線，具有極小線圈即開口部大小比所述小線圈小的線圈的極小線圈層進一步進行層疊。8.如權(quán)利要求1所述的天線，所述標準線圈層和所述小線圈層進行合計6層的層疊。9.如權(quán)利要求8所述的天線，所述6層之中的第I層、第2層、第4層以及第6層為所述標準線圈層，所述6層之中的第3層以及第5層為所述小線圈層。10.如權(quán)利要求9所述的天線，所述標準線圈是開口部為大致19_X14_的大致矩形的線圈，所述小線圈是開口部為大致17mmX12mm的大致矩形的線圈，所述標準線圈層和所述小線圈層，以構(gòu)成所述標準線圈的線和構(gòu)成所述小線圈的線之間的、包含所述開口部的面上的距離為大致Imm進行層疊。11.一種電子設(shè)備，包括:天線；以及信號處理單元，進行用于進行使用了所述天線的無線通信的信號處理，所述天線中，I以上的標準線圈即開口部為規(guī)定的大小的線圈與I以上的小線圈即開口部的大小比所述標準線圈小的線圈進行電連接，具有所述標準線圈的標準線圈層和具有所述小線圈的小線圈層，以所述小線圈的開口部被包含在所述標準線圈的開口部中進行層疊，表層為所述標準線圈層。【文檔編號】H04B5/00GK104241858SQ201410230678【公開日】2014年12月24日申請日期:2014年5月28日優(yōu)先權(quán)日:2013年6月6日【發(fā)明者】石川拓登申請人:索尼公司