爆破音消除電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種爆破音消除電路，包括接地切斷回路和切斷控制回路，其中，所述切斷控制回路包括三極管，所述三極管的集電極通過并聯(lián)的第三電阻和電容連接到供電電壓，其基極通過第二電阻連接到音頻功放的靜音控制端，其發(fā)射極接地，所述靜音控制端通過第一電阻連接到所述供電電壓；所述接地切斷回路包括場效應(yīng)管，所述場效應(yīng)管的源極連接至揚(yáng)聲器的接地端，其柵極連接至所述三極管的集電極，其漏極接地。該爆破音消除電路的結(jié)構(gòu)簡單，易于實現(xiàn)，并且能夠有效地消除爆破音。
【專利說明】爆破音消除電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種用于音頻功放輸出的爆破音的消除電路。
【背景技術(shù)】
[0002]爆破音是指音頻器件在上電、斷電瞬間以及上電穩(wěn)定后，由于各種操作的瞬態(tài)沖擊在耳機(jī)或揚(yáng)聲器上所產(chǎn)生的類似于“噗噗”的噪聲。這是用戶所不愿聽到的，系統(tǒng)設(shè)計工程師總是想辦法避免它。
[0003]目前，很多音頻功放為了簡化系統(tǒng)設(shè)計都采用單電源供電，這樣在音頻功放的輸出端就會產(chǎn)生二分之一電源電壓大小的直流偏置。因此，當(dāng)輸出端采用單端輸出時，需要外接一個隔直電容Ctl來濾除直流分量，如圖1所示，以免損壞揚(yáng)聲器或者耳機(jī)。這樣帶來的問題是，音頻功放在從工作狀態(tài)進(jìn)入靜音或關(guān)閉(SHUTDOWN)狀態(tài)時，可能會產(chǎn)生峰值較高的毛刺，從而通過隔直電容Ctl會在揚(yáng)聲器或者耳機(jī)上產(chǎn)生爆破音。
[0004]通常這種峰值較高的毛刺是一種很窄的尖脈沖，傅立葉分析展開后，頻譜分量很豐富，且在頻域內(nèi)的能量分布相對平均。人耳聽力的頻率范圍一般集中在20Hz?20KHz，幅度范圍一般在IOmV以上。因此，從用戶體驗角度出發(fā)，應(yīng)盡量減小爆破音在20Hz?20KHz范圍內(nèi)的諧波分量，并將其抑制在IOmV以下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了消除音頻功放電路在揚(yáng)聲器或耳機(jī)端產(chǎn)生的爆破音，本發(fā)明提供了一種爆破音消除電路，包括接地切斷回路和切斷控制回路，其中，所述切斷控制回路包括三極管，所述三極管的集電極通過并聯(lián)的第三電阻和電容連接到供電電壓，其基極通過第二電阻連接到音頻功放的靜音控制端，其發(fā)射極接地，所述靜音控制端通過第一電阻連接到所述供電電壓；所述接地切斷回路包括場效應(yīng)管，所述場效應(yīng)管的源極連接至揚(yáng)聲器或耳機(jī)的接地端，其柵極連接至所述三極管的集電極，其漏極接地。
[0006]優(yōu)選地，所述第一、第二、第三電阻的大小為10ΚΩ?100ΚΩ。
[0007]優(yōu)選地，所述電容的大小為InF?0.1 μ F。
[0008]優(yōu)選地，所述三極管為NPN型三極管，所述場效應(yīng)管為N溝道MOS管。
[0009]本發(fā)明通過檢測音頻功放的靜音控制端的信號來控制揚(yáng)聲器或耳機(jī)的對地回路的接通或斷開，從而達(dá)到消除爆破音的目的。本發(fā)明的爆破音消除電路的結(jié)構(gòu)簡單，易于實現(xiàn)，并且能夠有效地消除爆破音。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中單端輸出的音頻功放連接揚(yáng)聲器或耳機(jī)的連接示意圖；
[0011]圖2為本發(fā)明的爆破首消除電路與首頻功放的連接不意圖；
[0012]圖3為本發(fā)明的爆破音消除電路的優(yōu)選的實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實施方式】
[0013] 下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明的爆破音消除電路作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。
[0014]如圖2所示，本發(fā)明的爆破音消除電路連接在揚(yáng)聲器或耳機(jī)的接地端與地之間，通過檢測音頻功放的靜音控制端SHD的信號，來控制揚(yáng)聲器或耳機(jī)對地的回路接通或斷開，從而達(dá)到消除爆破音的目的。
[0015]具體地，繼續(xù)參考圖2，本發(fā)明的爆破音消除電路共有4個端口 a、b、c和d。其中，a端口連接至揚(yáng)聲器或耳機(jī)的接地端，b端口連接至音頻功放的靜音控制端SHD，c端口接地，d端口連接至供電電壓Vcc。
[0016]圖3為本發(fā)明的爆破音消除電路的優(yōu)選的實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。在該優(yōu)選的實施方式中，爆破音消除電路包括從a端口到c端口的接地切斷回路和從d端口到c端口的切斷控制回路。其中，切斷控制回路包括三極管Q1，三極管Q1的集電極通過并聯(lián)的第三電阻R3和電容C1連接到d端口從而連接到供電電壓\c，三極管Q1的基極通過第二電阻R2連接到b端口從而連接到音頻功放的靜音控制端SHD，三極管Q1的發(fā)射極連接到c端口從而接地。b端口和d端口之間通過第一電阻R1相連。接地切斷回路包括場效應(yīng)管Q2，場效應(yīng)管Q2的源極連接到a端口從而連接到揚(yáng)聲器或耳機(jī)的接地端，場效應(yīng)管Q2的柵極連接至三極管Q1的集電極，場效應(yīng)管Q2的漏極連接到c端口從而接地。
[0017]該爆破音消除電路的工作原理為:當(dāng)音頻功放開啟時，靜音控制端SHD的信號為低電平，三極管Q1的基極電壓為低，Q1截止，電容C1對第三電阻R3開始放電，Q1的集電極升至高電平，導(dǎo)致場效應(yīng)管Q2的柵源電壓Ves為高，Q2開啟，揚(yáng)聲器或者耳機(jī)的對地回路導(dǎo)通。當(dāng)音頻功放關(guān)斷時，靜音控制端SHD的信號為高電平，三極管Q1的基極電壓為高，Q1導(dǎo)通，電容C1開始充電，Q1的集電極降至低電平，導(dǎo)致場效應(yīng)管Q2的柵源電壓Ves為低，Q2關(guān)斷，揚(yáng)聲器或者耳機(jī)的對地回路斷開。因此，可以避免音頻功放輸出的跳變產(chǎn)生高峰值的噪聲，從而避免了爆破音的產(chǎn)生。
[0018]可選地，電阻&、1?2和R3的取值范圍在IOK Ω~100K Ω之間，電容C1的取值范圍為 InF ~0.1 μ F。
[0019]下表為本發(fā)明的爆破音消除電路應(yīng)用效果的一個實例。可以看出，本發(fā)明的爆破音消除電路可以有效地將揚(yáng)聲器或耳機(jī)端產(chǎn)生的爆破音噪聲的峰值電壓抑制到ImV以內(nèi)，從而對于人耳來說消除了爆破音。
[0020]
【權(quán)利要求】
1.一種爆破音消除電路，包括接地切斷回路和切斷控制回路，其中， 所述切斷控制回路包括三極管，所述三極管的集電極通過并聯(lián)的第三電阻和電容連接到供電電壓，其基極通過第二電阻連接到音頻功放的靜音控制端，其發(fā)射極接地，所述靜音控制端通過第一電阻連接到所述供電電壓； 所述接地切斷回路包括場效應(yīng)管，所述場效應(yīng)管的源極連接至揚(yáng)聲器或耳機(jī)的接地端，其柵極連接至所述三極管的集電極，其漏極接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爆破音消除電路，其特征在于，所述第一、第二、第三電阻的大小為IOK Ω?100K Ω。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爆破音消除電路，其特征在于，所述電容的大小為InF?0.1 μ F。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爆破音消除電路，其特征在于，所述三極管為NPN型三極管，所述場效應(yīng)管為N溝道MOS管。
【文檔編號】H04R3/00GK103974171SQ201410230688
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】阮頤, 張勇, 聶紀(jì)平 申請人:上海貝嶺股份有限公司