一種新型td-lte系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置，它包括供電單元、電壓漸升電路和功能模塊，供電單元通過電壓漸升電路與功能模塊相連，所述的功能模塊包括調(diào)制載波單元、混頻濾波單元、開關(guān)濾波放大單元、穩(wěn)幅放大單元、程控衰減單元、多路輸出匹配單元，調(diào)制載波單元順次通過混頻濾波單元、開關(guān)濾波放大單元、穩(wěn)幅放大單元、程控衰減單元與多路輸出匹配單元相連。本發(fā)明能夠產(chǎn)生低噪聲、低雜散、大動(dòng)態(tài)范圍、多路的TD-LTE信號(hào)，并具有電壓漸升電路，提高裝置使用的安全性和穩(wěn)定性，延長裝置壽命。
【專利說明】—種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TD-LTE終端射頻一致性測試是通信行業(yè)非常關(guān)鍵的一致性測試之一，在3GPP標(biāo)準(zhǔn)、TE-LTE國家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)有嚴(yán)格規(guī)定，其中網(wǎng)絡(luò)端發(fā)射喜好在基站的全面涉及驗(yàn)證、終端設(shè)備研發(fā)、設(shè)計(jì)驗(yàn)證、生產(chǎn)以及射頻故障定位等方面起到非常關(guān)鍵的作用。我國要求TD-LTE終端射頻一致性測試設(shè)備輸出端的TD-LTE信號(hào)功率范圍為0dBnT-120dBm。功率準(zhǔn)確度為
0.8dB，信號(hào)貸款待遇20MHz，因此，如何產(chǎn)生低噪聲、低雜散、大動(dòng)態(tài)范圍、多路的TD-LTE信號(hào)成為TD-LTE終端射頻一致性測試領(lǐng)域的研究前沿。
[0003]現(xiàn)有的射頻發(fā)射信號(hào)的方法有很多種，針對LTE系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)端發(fā)射還很少，大部分都是針對普通信號(hào)發(fā)射來說的，普通的射頻發(fā)射方法只針對連續(xù)信號(hào)，LTE網(wǎng)絡(luò)端發(fā)射信號(hào)是一個(gè)寬信息帶寬、高峰均比的大動(dòng)態(tài)猝發(fā)信號(hào)，利用普通的發(fā)射方法會(huì)造成信號(hào)的失真、功率不穩(wěn)以及無法正常解調(diào)等現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置，能夠產(chǎn)生低噪聲、低雜散、大動(dòng)態(tài)范圍、多路的TD-LTE信號(hào)，并具有電壓漸升電路，提高裝置使用的安全性和穩(wěn)定性，延長裝置壽命。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置，它包括供電單元、電壓漸升電路和功能模塊，供電單元通過電壓漸升電路與功能模塊相連，所述的功能模塊包括調(diào)制載波單元、混頻濾波單元、開關(guān)濾波放大單元、穩(wěn)幅放大單元、程控衰減單元、多路輸出匹配單元，調(diào)制載波單元的輸出端與混頻濾波單元的輸入端相連，混頻濾波單元的輸出端與開關(guān)濾波放大單元的輸入端相連，開關(guān)濾波放大單元的輸出端與穩(wěn)幅放大單元的輸入端相連，穩(wěn)幅放大單元的輸出端與程控衰減單元的輸入端相連，程控衰減單元的輸出端與多路輸出匹配單元的輸入端相連。
[0006]所述的混頻濾波單元包括點(diǎn)頻本振單元、窄帶本振單元、寬帶本振單元、第一混頻濾波單元、第二混頻濾波單元和第三混頻濾波單元，第一混頻濾波單元順次與第二混頻濾波單元、第三混頻濾波單元相連，點(diǎn)頻本振單元的輸出端與第一混頻濾波單元相連，窄帶本振單元的輸出端與第二混頻濾波單元相連，寬帶本振單元的輸出端與第三混頻濾波單元相連。
[0007]所述的電壓漸升電路包括二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電容Cl和PMOS管，輸入電壓的正極與二極管Dl的陽極相連，二極管Dl的陰極與PMOS管源極相連，PMOS管的柵極分別與二極管D2的陰極、電阻Rl的一端相連，PMOS管的漏極分別與電阻R2的一端、輸出電壓的正極相連，輸入電壓的負(fù)極與輸出電壓的負(fù)極相連，同時(shí)輸入電壓的負(fù)極還與二極管D2的陽極、電阻R1、電阻R2相連，電容Cl并聯(lián)在輸出端。[0008]本發(fā)明的有益效果是:
(I)設(shè)置了混頻濾波單元，使裝置能夠產(chǎn)生低噪聲、低雜散、大動(dòng)態(tài)范圍、多路的TD-LTE信號(hào)，滿足了信號(hào)輸出頻率范圍要求，有效的提高了 TD-LTE終端射頻一致性測試TD-LTE信號(hào)輸出的精度和信號(hào)質(zhì)量。
[0009](2)設(shè)置了電壓漸升電路，使裝置免受瞬時(shí)高壓和突然斷電的損傷，提高了裝置的安全性，延長了裝置的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)框圖；
圖2為本發(fā)明混頻濾波單元結(jié)構(gòu)框圖；
圖3為本發(fā)明電壓漸升電路電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案，但本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0012]如圖1所示，一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置，它包括供電單元、電壓漸升電路和功能模塊，供電單元通過電壓漸升電路與功能模塊相連，所述的功能模塊包括調(diào)制載波單元、混頻濾波單元、開關(guān)濾波放大單元、穩(wěn)幅放大單元、程控衰減單元、多路輸出匹配單元，調(diào)制載波單元的輸出端與混頻濾波單元的輸入端相連，混頻濾波單元的輸出端與開關(guān)濾波放大單元的輸入端相連，開關(guān)濾波放大單元的輸出端與穩(wěn)幅放大單元的輸入端相連，穩(wěn)幅放大單元的輸出端與程控衰減單元的輸入端相連，程控衰減單元的輸出端與多路輸出匹配單元的輸入端相連。
[0013]如圖2所示,所述的混頻濾波單元包括點(diǎn)頻本振單元、窄帶本振單元、寬帶本振單元、第一混頻濾波單元、第二混頻濾波單元和第三混頻濾波單元，第一混頻濾波單元順次與第二混頻濾波單元、第三混頻濾波單元相連，點(diǎn)頻本振單元的輸出端與第一混頻濾波單元相連，窄帶本振單元的輸出端與第二混頻濾波單元相連，寬帶本振單元的輸出端與第三混頻濾波單元相連。
[0014]如圖3所示，所述的電壓漸升電路包括二極管Dl、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電容Cl和PMOS管，輸入電壓的正極與二極管Dl的陽極相連，二極管Dl的陰極與PMOS管源極相連，PMOS管的柵極分別與二極管D2的陰極、電阻Rl的一端相連，PMOS管的漏極分別與電阻R2的一端、輸出電壓的正極相連，輸入電壓的負(fù)極與輸出電壓的負(fù)極相連，同時(shí)輸入電壓的負(fù)極還與二極管D2的陽極、電阻R1、電阻R2相連，電容Cl并聯(lián)在輸出端。
[0015]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置，其特征在于:它包括供電單元、電壓漸升電路和功能模塊，供電單元通過電壓漸升電路與功能模塊相連，所述的功能模塊包括調(diào)制載波單元、混頻濾波單元、開關(guān)濾波放大單元、穩(wěn)幅放大單元、程控衰減單元、多路輸出匹配單元，調(diào)制載波單元的輸出端與混頻濾波單元的輸入端相連，混頻濾波單元的輸出端與開關(guān)濾波放大單元的輸入端相連，開關(guān)濾波放大單元的輸出端與穩(wěn)幅放大單元的輸入端相連，穩(wěn)幅放大單元的輸出端與程控衰減單元的輸入端相連，程控衰減單元的輸出端與多路輸出匹配單元的輸入端相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置，其特征在于:所述的混頻濾波單元包括點(diǎn)頻本振單元、窄帶本振單元、寬帶本振單元、第一混頻濾波單元、第二混頻濾波單元和第三混頻濾波單元，第一混頻濾波單元順次與第二混頻濾波單元、第三混頻濾波單元相連，點(diǎn)頻本振單元的輸出端與第一混頻濾波單元相連，窄帶本振單元的輸出端與第二混頻濾波單元相連，寬帶本振單元的輸出端與第三混頻濾波單元相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型TD-LTE系統(tǒng)信號(hào)發(fā)射裝置，其特征在于:所述的電壓漸升電路包括二極管Dl、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電容Cl和PMOS管，輸入電壓的正極與二極管Dl的陽極相連，二極管Dl的陰極與PMOS管源極相連，PMOS管的柵極分別與二極管D2的陰極、電阻Rl的一端相連，PMOS管的漏極分別與電阻R2的一端、輸出電壓的正極相連，輸入電壓的負(fù)極與輸出電壓的負(fù)極相連，同時(shí)輸入電壓的負(fù)極還與二極管D2的陽極、電阻R1、電阻R2相連，電容Cl并聯(lián)在輸出端。
【文檔編號(hào)】H04B1/40GK103986495SQ201410247675
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月6日
【發(fā)明者】張波 申請人:成都福蘭特電子技術(shù)有限公司