卡托和移動(dòng)終端的制作方法
【專利摘要】本公開(kāi)是關(guān)于卡托和移動(dòng)終端，該卡托與移動(dòng)終端上設(shè)置的卡槽相匹配，用于裝載用戶識(shí)別模塊；該卡托包括：第一凹槽；第二凹槽，由所述第一凹槽的底面和沿所述第一凹槽內(nèi)壁設(shè)置的環(huán)形凸臺(tái)的內(nèi)壁圍成；其中，所述環(huán)形凸臺(tái)的頂面用于放置第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊，所述第二凹槽用于放置第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊。通過(guò)本公開(kāi)的技術(shù)方案，可以在同一卡托上實(shí)現(xiàn)多種規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的復(fù)用，滿足用戶的不同使用需求，提升用戶使用體驗(yàn)。
【專利說(shuō)明】卡托和移動(dòng)終端

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)涉及終端【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及卡托和移動(dòng)終端。

【背景技術(shù)】
[0002]在移動(dòng)終端的使用過(guò)程中，用戶通過(guò)移動(dòng)通信商提供的移動(dòng)通信業(yè)務(wù)來(lái)實(shí)現(xiàn)移動(dòng)通信，因而需要在移動(dòng)終端內(nèi)插入SIM (Subscriber Identity Module,用戶識(shí)別模塊)卡，從而實(shí)現(xiàn)有效的通信數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)和計(jì)費(fèi)。
[0003]在相關(guān)技術(shù)中，SM卡存在多種不同規(guī)格:2FF卡，即2nd Form Factor SM卡，規(guī)格為 25mmX 15mm ；3FF 卡，即 Third Form Factor SIM 卡，規(guī)格為 1 5mmX 12mm,也稱為Micro-SIM 卡；4FF 卡，即 Fourth Form Factor SIM 卡，規(guī)格為 12.3mmX8.8mm,也稱為Nano-SIM卡。其中，隨著移動(dòng)終端的體積越來(lái)越小，也要求相應(yīng)地縮小SM卡的體積，以避免過(guò)多的空間占用。因此，移動(dòng)終端更加傾向于采用Micro-S頂卡或Nano-SIM卡。
[0004]在越來(lái)越多的移動(dòng)終端內(nèi)，采用了將SIM卡置入專門(mén)的卡托中，然后將卡托插入移動(dòng)終端上設(shè)置的卡槽，從而實(shí)現(xiàn)SM卡的安裝。然而，卡托的結(jié)構(gòu)在生產(chǎn)時(shí)已經(jīng)固定，即可支持安裝的SM規(guī)格已經(jīng)確定，比如僅支持Micro-SM卡或Nano-SM卡，導(dǎo)致用戶在更換移動(dòng)終端時(shí)，如果新的移動(dòng)終端與原來(lái)的移動(dòng)終端所支持的SIM規(guī)格不同，無(wú)疑會(huì)給用戶帶來(lái)使用上的困擾。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本公開(kāi)提供卡托和移動(dòng)終端，以解決相關(guān)技術(shù)中的卡托無(wú)法支持多規(guī)格SIM卡的技術(shù)問(wèn)題。
[0006]根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的第一方面，提供一種卡托，與移動(dòng)終端上設(shè)置的卡槽相匹配，用于裝載用戶識(shí)別模塊，包括:
[0007]第一凹槽；
[0008]第二凹槽，由所述第一凹槽的底面和沿所述第一凹槽內(nèi)壁設(shè)置的環(huán)形凸臺(tái)的內(nèi)壁圍成；
[0009]其中，所述環(huán)形凸臺(tái)的頂面用于放置第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊，所述第二凹槽用于放置第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊。
[0010]可選的，當(dāng)所述卡托沿第一方向插入所述卡槽時(shí):
[0011]所述第一凹槽在第二方向的長(zhǎng)度與所述第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的最長(zhǎng)邊長(zhǎng)度相配合，其中所述第二方向垂直于所述第一方向；
[0012]所述第二凹槽與所述第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊相配合，并使得置入所述第二凹槽中的第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的最長(zhǎng)邊方向?yàn)樗龅谝环较颉?br> [0013]可選的，還包括:
[0014]限位結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述環(huán)形凸臺(tái)的頂面中沿所述第一方向的一對(duì)側(cè)邊上，將所述第一凹槽劃分為多個(gè)置卡區(qū)域，且每個(gè)所述置卡區(qū)域與所述第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊相配人口 O
[0015]可選的，所述限位結(jié)構(gòu)包括:
[0016]所述第一凹槽的內(nèi)壁沿所述第二方向凸起后，在所述環(huán)形凸臺(tái)的頂面形成的限位塊。
[0017]可選的，所述限位塊包括在所述環(huán)形凸臺(tái)上相對(duì)設(shè)置的第一限位塊和第二限位塊，所述第一限位塊和所述第二限位塊的一同側(cè)壁與所述第一凹槽的內(nèi)壁形成第一置卡區(qū)域，且所述第一限位塊和所述第二限位塊的另一同側(cè)壁與所述第一凹槽的內(nèi)壁形成第二置卡區(qū)域。
[0018]可選的，所述環(huán)形凸臺(tái)上設(shè)有一個(gè)或多個(gè)缺口。
[0019]可選的，所述第一凹槽和所述第二凹槽的底面呈矩形，且所述矩形的一個(gè)角被截去。
[0020]可選的，所述第二凹槽的底面設(shè)有預(yù)設(shè)鏤空?qǐng)D形。
[0021]可選的，所述第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊為Nano-SIM卡，所述第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊為Micro-SIM卡。
[0022]根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的第二方面，提供一種移動(dòng)終端，包括:上述技術(shù)方案中任一所述的卡托。
[0023]本公開(kāi)的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果:
[0024]本公開(kāi)通過(guò)在卡托上設(shè)置多個(gè)凹槽，使得不同凹槽內(nèi)可以放置相應(yīng)規(guī)格的用戶識(shí)別模塊，從而實(shí)現(xiàn)同一卡托對(duì)多種規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的兼容，有助于提升用戶體驗(yàn)。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開(kāi)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]此處的附圖被并入說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，示出了符合本公開(kāi)的實(shí)施例，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本公開(kāi)的原理。
[0027]圖1是相關(guān)技術(shù)中的卡托的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖2是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種卡托的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖3是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種卡托與卡槽的組合關(guān)系的示意圖。
[0030]圖4是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種基于各規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的尺寸對(duì)比以及與卡托內(nèi)凹槽的尺寸設(shè)計(jì)的示意圖。
[0031]圖5是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種用戶識(shí)別模塊與卡托內(nèi)凹槽的配合關(guān)系的示意圖。
[0032]圖6是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種卡托結(jié)構(gòu)以及卡托與用戶識(shí)別模塊的配合關(guān)系的不意圖。
[0033]圖7是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的另一種卡托的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034]這里將詳細(xì)地對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時(shí)，除非另有表示，不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實(shí)施例中所描述的實(shí)施方式并不代表與本公開(kāi)相一致的所有實(shí)施方式。相反，它們僅是與如所附權(quán)利要求書(shū)中所詳述的、本公開(kāi)的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
[0035]圖1是相關(guān)技術(shù)中的卡托的結(jié)構(gòu)示意圖。以Micro-SIM卡與Nano-SIM卡為例，如圖1所示:由于圖1(a)所示的Micro-SIM卡與圖1(b)所示的Nano-SIM卡的規(guī)格尺寸不同，即Micro-SM卡的尺寸大于Nano-SM卡的尺寸，使得在圖1(a)和圖1(b)所示的卡托內(nèi)分別形成凹槽時(shí)，圖1(a)所示的凹槽僅能夠與Micro-SIM卡相配合、在圖1(b)所示的凹槽僅能夠與Nano-SIM卡相配合,從而一方面Micro-SIM卡由于太大而無(wú)法被置入圖1(b)所示的凹槽，而Nano-SIM卡由于太小而無(wú)法在圖1(a)所示的凹槽中被固定,則終端將無(wú)法有效讀取Nano-SIM卡內(nèi)的芯片。
[0036]為了解決相關(guān)技術(shù)中的卡托無(wú)法支持多規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的技術(shù)問(wèn)題，本公開(kāi)提出了相應(yīng)的解決方案，通過(guò)下述實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
[0037]圖2是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種卡托的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，該卡托與移動(dòng)終端上設(shè)置的卡槽相匹配，用于裝載用戶識(shí)別模塊，包括:
[0038]第一凹槽1，如圖2(a)所示，該第一凹槽I在卡托內(nèi)具有相應(yīng)的底面11以及包圍該底面11的內(nèi)壁(圖中未標(biāo)示)；
[0039]第二凹槽2，如圖2(b)所示，該第二凹槽2由第一凹槽I的底面11 (如圖2(a)所示)和沿第一凹槽I內(nèi)壁設(shè)置的環(huán)形凸臺(tái)12的內(nèi)壁121圍成；此時(shí)，如圖2(a)所示的第一凹槽I的底面11，變化為圖2(b)所示的第一凹槽I與第二凹槽2共同的底面11’。
[0040]其中，環(huán)形凸臺(tái)12的頂面122用于放置第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊，第二凹槽2用于放置第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊。
[0041]在本實(shí)施例中，通過(guò)設(shè)置第一凹槽I和第二凹槽2，使得卡托在豎直方向上的空間被復(fù)用，從而能夠分別適應(yīng)不同規(guī)格的用戶識(shí)別模塊，使得用戶可以在同一個(gè)卡托內(nèi)使用不同規(guī)格的用戶識(shí)別模塊，實(shí)現(xiàn)了對(duì)多種規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的硬件兼容。
[0042]需要說(shuō)明的是:雖然以上結(jié)合圖2對(duì)卡托的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述時(shí)，在圖2(a)中采用了沒(méi)有環(huán)形凸臺(tái)12、圖2(b)添加了環(huán)形凸臺(tái)12的圖示方式，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，這僅用于對(duì)卡托本身的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述，并不意味著在生產(chǎn)基于本公開(kāi)的技術(shù)方案的卡托時(shí)，就按照?qǐng)D2(a)至圖2(b)所示的方式和順序進(jìn)行生產(chǎn)加工，這兩者之間并不存在必然聯(lián)系。
[0043]為了便于描述卡托與用戶識(shí)別模塊之間的配合關(guān)系，圖3示出了卡托與移動(dòng)終端上的卡槽的組合關(guān)系的示意圖。如圖3所示，在移動(dòng)終端的側(cè)面(作為一示例性實(shí)施例，圖3所示為移動(dòng)終端的左側(cè))設(shè)置有卡槽，用戶可以按照X方向(圖3所示的y方向與X方向相互垂直)將卡托插入卡槽內(nèi)，并且可以通過(guò)將尖銳物插入卡槽上方的圓孔，從而將已插入卡槽內(nèi)的卡托取出。
[0044]因此，當(dāng)卡托沿X方向插入卡槽時(shí):
[0045]I)第一凹槽 I
[0046]第一凹槽I在y方向的長(zhǎng)度與第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的最長(zhǎng)邊長(zhǎng)度相配合。比如圖4(a)示出了多種規(guī)格的SIM卡之間的尺寸大小關(guān)系，最外層的矩形(該矩形的右上角缺失且每個(gè)頂點(diǎn)均采用圓角工藝加工)代表2FF的SIM卡，其規(guī)格為25mmX 15mm，中間層的矩形代表3FF的SM卡，即Micro-SM卡，其規(guī)格為15mmX 12mm，最內(nèi)層的矩形代表4FF的SM卡，即Nano-S頂卡，其規(guī)格為12.3mmX 8.8mm。
[0047]比如當(dāng)?shù)谝灰?guī)格的用戶識(shí)別模塊為Nano-SM卡時(shí)，則由于Nano-SM卡的規(guī)格為12.3mmX8.8mm,即最長(zhǎng)邊長(zhǎng)度即12.3mm,使得如圖4(b)所示:第一凹槽I在y方向上的長(zhǎng)度應(yīng)該為12.3_，或者約為12.3mm(比如稍大于12.3mm)，以容留一定的誤差范圍；相應(yīng)地，當(dāng)?shù)谝话疾跧在y方向上的長(zhǎng)度為約12.3mm時(shí)，如圖5(a)所示，Nano-SM卡可以設(shè)置在第一凹槽I內(nèi)沿X方向的任意位置，設(shè)置并排設(shè)置多張Nano-SIM卡。
[0048]其中，第一凹槽I在X方向上的長(zhǎng)度可以為(NX8.8+a)mm，表示其允許多個(gè)Nano-S頂卡在X方向上呈縱向排列，以滿足相應(yīng)終端的多卡多待需求；當(dāng)a = O時(shí)，多個(gè)Nano-S頂卡之間緊密排列，當(dāng)a古O時(shí)，相鄰的Nano-S頂卡之間存在一定的間隙，則可以在該間隙處設(shè)置下文將要描述的限位結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)Nano-SIM卡的限位，避免安裝后由于滑動(dòng)而導(dǎo)致終端無(wú)法準(zhǔn)確讀取其芯片的信息。
[0049]2)第二凹槽 2
[0050]第二凹槽2與第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊相配合，并使得置入第二凹槽2中的第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的最長(zhǎng)邊方向?yàn)閄方向。比如當(dāng)?shù)诙?guī)格的用戶識(shí)別模塊為Micro-SIM卡時(shí)，則由于Micro-SIM卡的規(guī)格為15mmX 12mm,使得如圖4 (b)所不:第二凹槽2在X方向上的長(zhǎng)度應(yīng)該為15mm,或者約為15mm(比如稍大于15mm),以容留一定的誤差范圍；同時(shí)，第二凹槽2在y方向上的長(zhǎng)度應(yīng)該為12mm，或者約為12mm(比如稍大于12mm)，以容留一定的誤差范圍。相應(yīng)地，如圖5(b)所示，Mic1-SM卡可以準(zhǔn)確地置入第二凹槽2中，且第二凹槽2的內(nèi)壁可以對(duì)置入的Mic1-SM卡進(jìn)行限位，避免其發(fā)生位移而導(dǎo)致終端無(wú)法讀取其芯片的信息。
[0051]當(dāng)然，由于SM卡自身的形狀:呈矩形結(jié)構(gòu)(頂點(diǎn)處采用圓角工藝加工)，且該矩形的一個(gè)角被截去，因而當(dāng)?shù)谝话疾跧和第二凹槽2分別與第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊、第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊相配合時(shí)，圖2(a)所示第一凹槽I的底面11和圖2(b)所示第二凹槽2的底面11’的形狀也相應(yīng)地呈矩形結(jié)構(gòu)，且該矩形的一個(gè)角被截去。其中，第一凹槽I和第二凹槽2中被截去的角的位置可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，比如在圖4(b)中:第一凹槽I被截去的角處于右上角，而第二凹槽2被截去的角處于右下角。
[0052]此外，基于圖4(a)所示多種SM卡的規(guī)格:2FF卡的短邊長(zhǎng)度與3FF卡的長(zhǎng)邊長(zhǎng)度相等，而3FF卡的短邊長(zhǎng)度與4FF卡的長(zhǎng)邊長(zhǎng)度近似相等；因此，由于各SIM卡在規(guī)格上的關(guān)聯(lián)，使得可以通過(guò)將不同規(guī)格的SIM卡分別采用橫向和豎向放置，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)卡托的復(fù)用，比如圖4(b)所示的卡托結(jié)構(gòu)中，可以通過(guò)將3FF卡(即Mic1-SM卡)橫向置入第二凹槽2、將4FF卡(即Nano-SIM卡)縱向置入第一凹槽1，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)卡托空間結(jié)構(gòu)的復(fù)用，對(duì)多種規(guī)格的SIM卡實(shí)現(xiàn)兼容。
[0053]在圖2(b)所示卡托結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，該卡托還可以包括:限位結(jié)構(gòu)，設(shè)置于環(huán)形凸臺(tái)12的頂面中沿X方向的一對(duì)側(cè)邊上，將第一凹槽I劃分為多個(gè)置卡區(qū)域，且每個(gè)置卡區(qū)域與第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊相配合。下面結(jié)合圖6所示的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，圖6是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種卡托結(jié)構(gòu)以及卡托與用戶識(shí)別模塊的配合關(guān)系的示意圖。
[0054]如圖6所示，作為一示例性實(shí)施例，限位結(jié)構(gòu)可以包括:第一凹槽I的內(nèi)壁沿y方向凸起后，在環(huán)形凸臺(tái)12的頂面形成的限位塊，比如第一限位塊131和第二限位塊132。其中，第一限位塊131和第二限位塊132的一同側(cè)壁(比如圖6中處于左側(cè)的內(nèi)壁)與第一凹槽I的內(nèi)壁形成第一置卡區(qū)域(比如位于圖6中處于左側(cè)的虛線框內(nèi))，且第一限位塊131和第二限位塊132的另一同側(cè)壁(比如圖6中處于右側(cè)的內(nèi)壁)與第一凹槽I的內(nèi)壁形成第二置卡區(qū)域(比如位于圖6中處于右側(cè)的虛線框內(nèi))。
[0055]可見(jiàn)，通過(guò)在第一凹槽I中設(shè)置限位結(jié)構(gòu)并形成相應(yīng)的置卡區(qū)域，使得置入第一凹槽I中的第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊被限位于相應(yīng)的置卡區(qū)域中，而無(wú)法沿X方向滑動(dòng)，以避免滑動(dòng)導(dǎo)致的位移使得終端無(wú)法讀取該第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的信息。
[0056]當(dāng)卡托內(nèi)設(shè)置的限位結(jié)構(gòu)為圖6(a)所示的一對(duì)限位塊，即第一限位塊131和第二限位塊132時(shí)，可以形成兩個(gè)置卡區(qū)域，即可以在第一凹槽I內(nèi)同時(shí)設(shè)置最多兩個(gè)第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊。比如當(dāng)?shù)谝话疾跧在X方向上的長(zhǎng)度為(8.8X2+a)mm、在y方向上的長(zhǎng)度為12.3mm時(shí)，既配合與Nano-S頂卡；相應(yīng)地，如圖6 (b)所示，可以僅在左側(cè)的置卡區(qū)域內(nèi)置入一張Nano-SIM卡，而右側(cè)空缺；或者如圖6(c)所示，可以僅在右側(cè)的置卡區(qū)域內(nèi)置入一張Nano-SM卡，而左側(cè)空缺；或者如圖6(d)所示，可以同時(shí)在左側(cè)和右側(cè)的置卡區(qū)域內(nèi)分別置入一張Nano-SIM卡；當(dāng)然,此時(shí)如果不在第一凹槽I內(nèi)置入Nano-SIM卡,貝U可以在第二凹槽2中置入Micro-SIM卡，實(shí)現(xiàn)多規(guī)格用戶識(shí)別模塊的復(fù)用。
[0057]當(dāng)然，卡托內(nèi)設(shè)置的限位結(jié)構(gòu)還可以包括更多的限位塊，比如多對(duì)限位塊。以在第一凹槽I中置入Nano-SM卡為例，當(dāng)?shù)谝话疾跧在x方向上的長(zhǎng)度為(NX8.8+a)mm時(shí)，可以通過(guò)設(shè)置(N-1)對(duì)限位塊，對(duì)置入第一凹槽I中的N張Nano-S頂卡進(jìn)行限位，且該(N-1)對(duì)限位塊在X方向上的長(zhǎng)度之和為a毫米。
[0058]在第一凹槽I和第二凹槽2的形狀與第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊、第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊分別相配合的基礎(chǔ)上，還可以通過(guò)進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)變化，減少卡托所需要消耗的材料，降低相應(yīng)終端的整體重量。
[0059]作為一示例性實(shí)施例，可以在環(huán)形凸臺(tái)12上設(shè)置一個(gè)或多個(gè)缺口。請(qǐng)參考圖7(a)，通過(guò)在環(huán)形凸臺(tái)12左右兩側(cè)的邊上各自形成缺口，從而將底面11’由圖2(b)所示第二凹槽2對(duì)應(yīng)的區(qū)域，擴(kuò)大至圖7(a)中的陰影區(qū)域，得到底面IlA ;同時(shí)，基于環(huán)形凸臺(tái)12(此時(shí)已經(jīng)不呈環(huán)形，但為了描述上的一致性，仍然使用該名稱)的剩余結(jié)構(gòu)，一方面仍然可以對(duì)置入第二凹槽2中的第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊進(jìn)行限位，避免其發(fā)生位移變化，另一方面仍然可以對(duì)置入第一區(qū)域I中的第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊進(jìn)行承載，即圖7(a)所示的結(jié)構(gòu)在減少了卡托的制作材料和重量的同時(shí)，不會(huì)對(duì)卡托本身的實(shí)現(xiàn)功能產(chǎn)生影響。
[0060]作為另一示例性實(shí)施例，還可以在第二凹槽2的底面11’設(shè)置預(yù)設(shè)的鏤空?qǐng)D形。比如在圖2(b)所示的卡托結(jié)構(gòu)中，可以對(duì)底面11’進(jìn)行鏤空處理，從而使得底面11’中剩下的部分，仍然能夠?qū)χ萌氲诙疾?內(nèi)的第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊進(jìn)行承載，且能夠減少卡托的制作材料和重量?；蛘?，在圖7(a)的基礎(chǔ)上，也可以進(jìn)一步將第二凹槽2的底面IlA進(jìn)行鏤空處理，得到圖7(b)所示的底面11B，此時(shí)結(jié)合了對(duì)環(huán)形凸臺(tái)12的缺口處理和對(duì)底面IlA的鏤空處理，可以盡可能地減少卡托的制作材料和重量，且不會(huì)對(duì)卡托本身的實(shí)現(xiàn)功能產(chǎn)生影響。
[0061]此外，本公開(kāi)還提出了一種移動(dòng)終端，該移動(dòng)終端可以包括上述任一實(shí)施例中的卡托，對(duì)此本公開(kāi)不進(jìn)行限制。
[0062]本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說(shuō)明書(shū)及實(shí)踐這里公開(kāi)的公開(kāi)后，將容易想到本公開(kāi)的其它實(shí)施方案。本申請(qǐng)旨在涵蓋本公開(kāi)的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本公開(kāi)的一般性原理并包括本公開(kāi)未公開(kāi)的本【技術(shù)領(lǐng)域】中的公知常識(shí)或慣用技術(shù)手段。說(shuō)明書(shū)和實(shí)施例僅被視為示例性的，本公開(kāi)的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。
[0063]應(yīng)當(dāng)理解的是，本公開(kāi)并不局限于上面已經(jīng)描述并在附圖中示出的精確結(jié)構(gòu)，并且可以在不脫離其范圍進(jìn)行各種修改和改變。本公開(kāi)的范圍僅由所附的權(quán)利要求來(lái)限制。
【權(quán)利要求】
1.一種卡托，與移動(dòng)終端上設(shè)置的卡槽相匹配，用于裝載用戶識(shí)別模塊，其特征在于，包括: 第一凹槽； 第二凹槽，由所述第一凹槽的底面和沿所述第一凹槽內(nèi)壁設(shè)置的環(huán)形凸臺(tái)的內(nèi)壁圍成； 其中，所述環(huán)形凸臺(tái)的頂面用于放置第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊，所述第二凹槽用于放置第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡托，其特征在于，當(dāng)所述卡托沿第一方向插入所述卡槽時(shí): 所述第一凹槽在第二方向的長(zhǎng)度與所述第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的最長(zhǎng)邊長(zhǎng)度相配合，其中所述第二方向垂直于所述第一方向； 所述第二凹槽與所述第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊相配合，并使得置入所述第二凹槽中的第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊的最長(zhǎng)邊方向?yàn)樗龅谝环较颉?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的卡托，其特征在于，還包括: 限位結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述環(huán)形凸臺(tái)的頂面中沿所述第一方向的一對(duì)側(cè)邊上，將所述第一凹槽劃分為多個(gè)置卡區(qū)域，且每個(gè)所述置卡區(qū)域與所述第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊相配合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的卡托，其特征在于，所述限位結(jié)構(gòu)包括: 所述第一凹槽的內(nèi)壁沿所述第二方向凸起后，在所述環(huán)形凸臺(tái)的頂面形成的限位塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的卡托，其特征在于，所述限位塊包括在所述環(huán)形凸臺(tái)上相對(duì)設(shè)置的第一限位塊和第二限位塊，所述第一限位塊和所述第二限位塊的一同側(cè)壁與所述第一凹槽的內(nèi)壁形成第一置卡區(qū)域，且所述第一限位塊和所述第二限位塊的另一同側(cè)壁與所述第一凹槽的內(nèi)壁形成第二置卡區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡托，其特征在于，所述環(huán)形凸臺(tái)上設(shè)有一個(gè)或多個(gè)缺口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡托，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的底面呈矩形，且所述矩形的一個(gè)角被截去。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡托，其特征在于，所述第二凹槽的底面設(shè)有預(yù)設(shè)鏤空?qǐng)D形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的卡托，其特征在于，所述第一規(guī)格的用戶識(shí)別模塊為Nano-SIM卡，所述第二規(guī)格的用戶識(shí)別模塊為Micro-SM卡。
10.一種移動(dòng)終端，其特征在于，包括:如權(quán)利要求1-9中任一所述的卡托。
【文檔編號(hào)】H04M1/02GK104320506SQ201410559939
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】吳鋒輝, 高原, 張 林 申請(qǐng)人:小米科技有限責(zé)任公司