一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、陣列及其控制方法
【專(zhuān)利摘要】一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、陣列及其控制方法，所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括：第一NMOS管、第二NMOS管、光電傳感器、電流源；所述第一NMOS管的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，所述第一NMOS管柵極選擇性連接至第三電壓或第四電壓，所述第一NMOS管源極連接至所述第二NMOS管的柵極以及所述光電傳感器；所述第二NMOS管的漏極連接至所述第三電壓，所述第二NMOS管的源極連接至所述電流源，所述第二NMOS管的源極選擇性連接至第三電壓或所述像素點(diǎn)輸出端。所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)可以用來(lái)穩(wěn)定第三電壓。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、陣列及其控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，尤其涉及一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、陣列及其控制方法。

【背景技術(shù)】
[0002]包含像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的圖像處理芯片為獲得穩(wěn)定的參考電壓，通常需要外接一個(gè)大電容作為負(fù)載。但通過(guò)在圖像處理芯片外部接大電容的方式來(lái)穩(wěn)定參考電壓，需要增加一個(gè)大電容，占用空間較大，穩(wěn)壓效果受到芯片封裝產(chǎn)生的電感的影響，參考電壓的穩(wěn)定性依然有待提尚。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明實(shí)施例解決的問(wèn)題是如何穩(wěn)定參考電壓。
[0004]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，包括:第一 NMOS管、第二NMOS管、光電傳感器、電流源；
[0005]所述第一 NMOS管的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，所述第一 NMOS管柵極選擇性連接至第三電壓或第四電壓，所述第一 NMOS管源極連接至所述第二 NMOS管的柵極以及所述光電傳感器；
[0006]所述第二 NMOS管的漏極連接至所述第三電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述電流源，所述第二 NMOS管的源極選擇性連接至第三電壓或所述像素點(diǎn)輸出端。
[0007]可選的，所述傳感器包括光敏二極管，所述光敏二極管陰極連接至所述第一 NMOS管的源極。
[0008]可選的，所述第一電壓低于所述第二電壓。
[0009]可選的，所述第一電壓范圍是0V-1V。
[0010]可選的，其特征在于，所述第二電壓范圍是3V-4V。
[0011]可選的，所述第三電壓包括:基準(zhǔn)電壓。
[0012]可選的，所述第四電壓包括:復(fù)位電壓。
[0013]可選的，所述電流源包括:第三NMOS管、第四NMOS管；
[0014]所述第三NMOS管的漏極連接至所述第二 NMOS管的源極，所述第三NMOS管的源極連接至所述第四NMOS管的漏極，所述第三NMOS管的柵極連接到第五電壓；
[0015]所述第四NMOS管的柵極連接至第六電壓，所述第四NMOS管的源極連接至第七電壓。
[0016]可選的，所述第五電壓、第六電壓包括:由基本的偏置電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的控制電壓。
[0017]可選的，所述第七電壓包括:地。
[0018]可選的，所述的、像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)、還包括:第五NMOS管，所述第五NMOS管連接在所述第一 NMOS管的源極與所述光電傳感器之間；
[0019]所述第五NMOS管的漏極連接至所述第一 NMOS管的源極，所述第五NMOS管的源極連接至所述光電傳感器，所述第五NMOS管的柵極連接至第八電壓。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的控制方法，包括:
[0021]所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定所述第三電壓時(shí)，所述第一 NMOS管的漏接連接至所述第一電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第三電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述第三電壓；
[0022]所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)采集圖像時(shí)，所述第一 NMOS管的漏接連接至所述第二電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第四電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素點(diǎn)陣列，包括:N行M列上述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，N、M均為自然數(shù)；
[0024]所述像素點(diǎn)陣列中每個(gè)像素點(diǎn)的對(duì)應(yīng)電壓分別連接在一起；
[0025]所述M列中每列像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的輸出端連接在一起，作為列輸出端。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素點(diǎn)陣列的控制方法，包括:
[0027]所述像素點(diǎn)陣列采集圖像時(shí)，所述像素點(diǎn)陣列每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)中所述第一 NMOS管的漏接連接至所述第二電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第四電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端；
[0028]所述像素點(diǎn)陣列穩(wěn)定所述第三電壓時(shí)，所述像素點(diǎn)陣列每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的所述第一NMOS管的漏接連接至所述第一電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第三電壓，所述第二NMOS管的源極連接至所述第三電壓。
[0029]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0030]通過(guò)將未處于圖像采集狀態(tài)的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的MOS管電容連接至第三電壓，使得第三電壓接有電容負(fù)載，卻不需從外部另行引入大電容，從而減小電路面積，穩(wěn)定第三電壓。
[0031]進(jìn)一步，第一 NMOS管的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，使得像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的工作狀態(tài)可以通過(guò)第一電壓和第二電壓的狀態(tài)進(jìn)行控制，從而明確像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的工作狀態(tài)，利用未工作于采樣狀態(tài)的像素點(diǎn)穩(wěn)定第三電壓。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1是本發(fā)明實(shí)施例中一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)；
[0033]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中另一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

【具體實(shí)施方式】
[0034]如前所述，包含像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的圖像處理芯片為獲得穩(wěn)定的參考電壓，通常需要外接一個(gè)大電容作為負(fù)載。但通過(guò)在圖像處理芯片外部接大電容的方式來(lái)穩(wěn)定參考電壓，需要增加一個(gè)大電容，占用空間較大，穩(wěn)壓效果受到芯片封裝產(chǎn)生的電感的影響，參考電壓的穩(wěn)定性依然有待提尚。
[0035]針對(duì)這一問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將未處于采樣狀態(tài)的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的級(jí)間電容連接至參考電壓，使得參考電壓接有電容負(fù)載，不需從外部另行引入電容，從而減小電路面積，提供穩(wěn)定的參考電壓。
[0036]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0037]圖1是本發(fā)明實(shí)施例中一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)。如圖1所示的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)由第一 NMOS管匪1、第二 NMOS管匪2、光電傳感器11和電流源12 ;第一 NMOS管匪I的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，第一 NMOS管匪I柵極選擇性連接至第三電壓或第四電壓，第一 NMOS管匪I源極連接至第二 NMOS管匪2的柵極以及光電傳感器11 ;第二 NMOS管匪2的漏極連接至第三電壓，第二 NMOS管匪2的源極連接至電流源，第二 NMOS管匪2的源極選擇性連接至第三電壓或所述像素點(diǎn)輸出端。其中，光電傳感器11的將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)，光電傳感器11根據(jù)光信號(hào)的強(qiáng)弱，輸出不同強(qiáng)度的電信號(hào)，電流源12為像素結(jié)構(gòu)提供穩(wěn)定電流。
[0038]在具體實(shí)施中，光電傳感器11可以是光敏二極管，光敏二極管的陰極連接第一NMOS管的源極。光敏二極管，又叫光電二極管(photod1de)是一種能夠?qū)⒐廪D(zhuǎn)換成電流或者電壓信號(hào)的光探測(cè)器。管芯常使用一個(gè)具有光敏特征的PN結(jié)，對(duì)光的變化非常敏感，具有單向?qū)щ娦?，而且光?qiáng)不同的時(shí)候會(huì)改變電學(xué)特性，因此，可以利用光照強(qiáng)弱來(lái)改變電路中的輸出電壓。
[0039]在具體實(shí)施中，第一電壓的電壓值低于第二電壓的電壓值。
[0040]在本發(fā)明一實(shí)施例中，第一電壓的取值范圍是0V-1V。
[0041]在本發(fā)明另一實(shí)施例中，第二電壓的取值范圍是3V-4V。
[0042]在具體實(shí)施中，第三電壓可以是基準(zhǔn)電壓。
[0043]在本發(fā)明一實(shí)施例中，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)所在的芯片包含模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，轉(zhuǎn)換電路需要穩(wěn)定的基準(zhǔn)電壓來(lái)保證模數(shù)轉(zhuǎn)換器的精度，利用未處于圖像采集狀態(tài)的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定上述模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的基準(zhǔn)電壓，從而提升模數(shù)轉(zhuǎn)換器的精度。
[0044]在具體實(shí)施中，第四電壓包括復(fù)位電壓。
[0045]本發(fā)明一實(shí)施例中，在像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖像采集時(shí)，復(fù)位電壓在像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)需要復(fù)位時(shí)，通過(guò)提供一個(gè)高電平使像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)復(fù)位，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)復(fù)位后，復(fù)位電壓回歸低電平。
[0046]在具體實(shí)施中，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)中電流源可以由第三NMOS管和第四NMOS管組成，第三NMOS管的漏極連接至第二 NMOS管的源極，第三NMOS管的源極連接至第四NMOS管的漏極，第三NMOS管的柵極連接到第五電壓；第四NMOS管的柵極連接至第六電壓，所述第四NMOS管的源極連接至第七電壓。
[0047]在具體實(shí)施中，第五電壓、第六電壓可以由基本的偏置電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的控制電壓。
[0048]在具體實(shí)施中，第四NMOS管的源極連接至第七電壓可以是將第四NMOS管的源極接地。
[0049]在具體實(shí)施中，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)還可以包含連接在所述第一 NMOS管的源極與所述光電傳感器之間的第五NMOS管。第五NMOS管的漏極連接第一 NMOS管的源極，第五NMOS管的源極連接光電傳感器，第五NMOS管的柵極接入第八電壓。
[0050]圖2是本發(fā)明實(shí)施例中一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，由第一 NMOS管M1、第二 NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、光電二極管TO組成。第一 NMOS管Ml的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，第一 NMOS管Ml柵極選擇性連接至第三電壓或第四電壓，第一 NMOS管Ml源極連接至第二 NMOS管M2的柵極以及第五NMOS管M5的漏極，第五NMOS管M5的源極連接至光敏二極管陰極，第五NMOS管M5的柵極連接至第八電壓；第二NMOS管M2的漏極連接至所述第三電壓，第二 NMOS管M2的源極連接至第三NMOS管M3的漏極，第二 NMOS管M2的源極選擇性連接至第三電壓或所述像素點(diǎn)輸出端；第三NMOS管M3的源極連接至第四NMOS管M4的漏極，第三NMOS管M3的柵極連接到第五電壓；第四NMOS管M4的柵極連接至第六電壓，第四NMOS管M4的源極連接至第七電壓。
[0051 ] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的控制方法:像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定所述第三電壓時(shí)，第一 NMOS管的漏接連接至第一電壓，第一 NMOS管柵極連接至所述第三電壓，第二 NMOS管的源極連接至第三電壓；像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)采集圖像時(shí)，第一 NMOS管的漏接連接至第二電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第四電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端。
[0052]具體實(shí)施中，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)采集圖像時(shí)，第一 NMOS管的漏接連接至第二電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第四電壓，第二 NMOS管的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端，光電傳感器根據(jù)光信號(hào)的強(qiáng)弱，輸出不同強(qiáng)度的電信號(hào)，通過(guò)電信號(hào)強(qiáng)度的不同，控制工作在飽和區(qū)的第二 NMOS管的源極輸出電壓大小，將第二 NMOS管的源極作為像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的輸出端，可以獲知光信號(hào)的強(qiáng)弱；像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定第三電壓時(shí)，第一 NMOS管的漏接連接至第一電壓，第一 NMOS管柵極連接至所述第三電壓，第二 NMOS管的源極連接至第三電壓。第一NMOS管的漏接連接至第一電壓，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)未進(jìn)行圖像采集，此時(shí)可以利用像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的MOS管電容對(duì)第三電壓進(jìn)行穩(wěn)定。第一 NMOS管的柵電容，第二 NMOS管的漏電容和源電容均作為第三電壓的負(fù)載電容使得第三電壓接有電容負(fù)載，卻不需從外部另行引入大電容，從而減小電路面積，穩(wěn)定第三電壓。
[0053]在本發(fā)明一實(shí)施例中，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)如圖2所示。像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)采集圖像時(shí)第一 NMOS管Ml的漏接連接至第二電壓，第一 NMOS管Ml柵極連接至所述第四電壓，第二 NMOS管M2的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端。光敏二極管H)根據(jù)光信號(hào)的強(qiáng)弱不同，以不同的速度積累電荷，第五NMOS管M5的柵極所接的第七電壓控制第五NMOS管M5的通斷，第五NMOS管導(dǎo)通時(shí)，將光電二極管H)的電信號(hào)送至第二 NMOS管M2，控制工作在飽和區(qū)的第二 NMOS管M2的源極輸出電壓大小，將第二 NMOS管M2的源極作為像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的輸出端，可以獲知光信號(hào)的強(qiáng)弱。像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定第三電壓時(shí)，第一 NMOS管Ml的漏接連接至第一電壓，第一 NMOS管Ml柵極連接至所述第三電壓，第二 NMOS管M2的源極連接至第三電壓。第一 NMOS管Ml的漏接連接至第一電壓，像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)未進(jìn)行圖像采集，此時(shí)可以利用像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的MOS管電容對(duì)第三電壓進(jìn)行穩(wěn)定。第一 NMOS管Ml的柵電容，第二 NMOS管M2的漏電容、源電容和第四NMOS管M4的漏電容均作為第三電壓的負(fù)載電容使得第三電壓接有電容負(fù)載，卻不需從外部另行引入大電容，從而減小電路面積，穩(wěn)定第三電壓。
[0054]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素點(diǎn)陣列，由N行M像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)組成，N、M均為自然數(shù)。像素點(diǎn)陣列中每個(gè)像素點(diǎn)的對(duì)應(yīng)電壓分別連接在一起，M列中每列像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的輸出端連接在一起，作為列輸出端。
[0055]在本發(fā)明一實(shí)施例中，組成像素點(diǎn)陣列的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)如圖1所示，此時(shí)M行N列的像素點(diǎn)的第一電壓、第二電壓、第三電壓、第四電壓均分別連接在一起，每列的每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)中第二 NMOS管匪2的源極相連，作為列輸出端。
[0056]在本發(fā)明另一實(shí)施例中，組成像素點(diǎn)陣列的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)如圖2所示，此時(shí)M行N列的像素點(diǎn)的第一電壓、第二電壓、第三電壓、第四電壓、第五電壓、第六電壓、第七電壓、第八電壓均分別連接在一起，每列的每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)中第二 NMOS管匪2的源極相連，作為列輸出端。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種像素點(diǎn)陣列的控制方法，像素點(diǎn)陣列采集圖像時(shí)，像素點(diǎn)陣列每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)中第一 NMOS管的漏接連接至第二電壓，第一 NMOS管柵極連接至第四電壓，第二 NMOS管的源極連接述像素點(diǎn)輸出端；像素點(diǎn)陣列穩(wěn)定第三電壓時(shí)，像素點(diǎn)陣列每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的第一 NMOS管的漏接連接至第一電壓，第一 NMOS管柵極連接至第三電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至第三電壓。對(duì)第三電壓的穩(wěn)壓效果和像素點(diǎn)陣列的大小、像素點(diǎn)陣列中每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)中NMOS管的長(zhǎng)寬比、像素點(diǎn)陣列的布局、像素點(diǎn)陣列所在芯片的電路板制造工藝等因素相關(guān)。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將未處于圖像采集狀態(tài)的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的MOS管電容連接至第三電壓，使得第三電壓接有電容負(fù)載，卻不需從外部另行引入大電容，從而減小電路面積，穩(wěn)定第三電壓。
[0059]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 第一 NMOS管、第二 NMOS管、光電傳感器、電流源； 所述第一 NMOS管的漏極選擇性連接至第一電壓或第二電壓，所述第一 NMOS管柵極選擇性連接至第三電壓或第四電壓，所述第一 NMOS管源極連接至所述第二 NMOS管的柵極以及所述光電傳感器； 所述第二 NMOS管的漏極連接至所述第三電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述電流源，所述第二 NMOS管的源極選擇性連接至第三電壓或所述像素點(diǎn)輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器包括光敏二極管，所述光敏二極管陰極連接至所述第一 NMOS管的源極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電壓低于所述第二電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電壓范圍是0V-1V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電壓范圍是3V-4V。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三電壓包括:基準(zhǔn)電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第四電壓包括:復(fù)位電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流源包括:第三NMOS管、第四NMOS管； 所述第三NMOS管的漏極連接至所述第二 NMOS管的源極，所述第三NMOS管的源極連接至所述第四NMOS管的漏極，所述第三NMOS管的柵極連接至第五電壓； 所述第四NMOS管的柵極連接至第六電壓，所述第四NMOS管的源極連接至第七電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第五電壓、第六電壓包括:由基本的偏置電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生的控制電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第七電壓包括:地。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括:第五NMOS管，所述連接在所述第一 NMOS管的源極與所述光電傳感器之間； 所述第五NMOS管的漏極連接至所述第一 NMOS管的源極，所述第五NMOS管的源極連接至所述光電傳感器，所述第五NMOS管的柵極連接至第八電壓。
12.—種權(quán)利要求1所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的控制方法，其特征在于，包括: 所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定所述第三電壓時(shí)，所述第一 NMOS管的漏接連接至所述第一電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第三電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述第三電壓； 所述像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)采集圖像時(shí)，所述第一 NMOS管的漏接連接至所述第二電壓，所述第一NMOS管柵極連接至所述第四電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端。
13.一種像素點(diǎn)陣列，其特征在于，包括:N行M列權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)，N、M均為自然數(shù)； 所述像素點(diǎn)陣列中每個(gè)像素點(diǎn)的對(duì)應(yīng)電壓分別連接在一起； 所述M列中每列像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的輸出端連接在一起，作為列輸出端。
14.一種權(quán)利要求13所述的像素點(diǎn)陣列的控制方法，其特征在于，包括: 所述像素點(diǎn)陣列采集圖像時(shí)，所述像素點(diǎn)陣列每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)中所述第一 NMOS管的漏接連接至所述第二電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第四電壓，所述第二 NMOS管的源極連接至所述像素點(diǎn)輸出端； 所述像素點(diǎn)陣列穩(wěn)定所述第三電壓時(shí)，所述像素點(diǎn)陣列每個(gè)像素點(diǎn)結(jié)構(gòu)的所述第一NMOS管的漏接連接至所述第一電壓，所述第一 NMOS管柵極連接至所述第三電壓，所述第二NMOS管的源極連接至所述第三電壓。
【文檔編號(hào)】H04N5/374GK104486565SQ201410854189
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月31日
【發(fā)明者】趙立新, 喬勁軒, 李敏蘭 申請(qǐng)人:格科微電子（上海）有限公司