抗干擾的電容式麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，涉及聲電產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的一端電連接一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的另一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極S短接，所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D與所述源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路，所述抗干擾電路與所述漏極D電連接的一端電連接信號(hào)輸出端子，所述抗干擾電路與所述源極S電連接的一端電連接接地端子，所述抗干擾電路包括同時(shí)并聯(lián)在所述漏極D和所述源極S之間的電容C1和電容C2，還包括串聯(lián)在所述漏極D與所述信號(hào)輸出端子之間的磁珠FB1，及串聯(lián)在所述源極S與所述接地端子之間的磁珠FB2。此麥克風(fēng)抗干擾能力強(qiáng)，聲學(xué)性能好，品質(zhì)更高。
【專利說明】抗干擾的電容式麥克風(fēng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及聲電產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 電容式麥克風(fēng)是利用電容大小的變化，將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，也稱為駐極體 麥克風(fēng)。由于此種麥克風(fēng)的信號(hào)內(nèi)阻很大，為了將聲音產(chǎn)生的電壓信號(hào)引出來并加以放大， 其輸出端必須使用場(chǎng)效應(yīng)管，故現(xiàn)有的電容式麥克風(fēng)的電路原理圖如圖1所示：包括聲電 轉(zhuǎn)換模塊ECM，聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM為麥克風(fēng)中的固定極板和可移動(dòng)的振膜及其它輔助零件 組成的可變電容器，聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM的一端電連接場(chǎng)效應(yīng)管FET的柵極G，聲電轉(zhuǎn)換模組 的另一端接地（即電連接接地端子B)，場(chǎng)效應(yīng)管FET的漏極D電連接信號(hào)輸出端子A，場(chǎng) 效應(yīng)管的源極S接地（即電連接接地端子B)。為了降低干擾信號(hào)對(duì)麥克風(fēng)的影響，減少麥 克風(fēng)的噪音，技術(shù)人員在場(chǎng)效應(yīng)管FET的漏極D和源極S之間并聯(lián)了抗干擾器件C，抗干 擾器件C包括同時(shí)并聯(lián)在場(chǎng)效應(yīng)管FET的漏極D和源極S之間的電容C1和電容C2。由 于電容過濾的干擾信號(hào)的頻率一般在900MHz?1800MHz之間，然而在麥克風(fēng)的工作環(huán)境 中還存在一些頻率在900MHz?1800MHz之外的干擾信號(hào)，如頻率在100MHz?900MHz及 1800MHz?3000MHz之間的干擾信號(hào)，現(xiàn)有的電容式麥克風(fēng)的電路根本不能有效濾除掉頻 率在100MHz?900MHz及1800MHz?3000MHz之間的噪聲，而這些干擾信號(hào)同樣會(huì)使得麥 克風(fēng)產(chǎn)生噪音等不良，降低了電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)，嚴(yán)重時(shí)影響到麥克風(fēng)的性能。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，對(duì) 100MHz?3000MHz的干擾信號(hào)都有較好的濾波效果，聲學(xué)性能更好，品質(zhì)更高。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：
[0005] -種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的一端電連 接一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的另一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極S短接，所述場(chǎng) 效應(yīng)管的漏極D與所述源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路，所述抗干擾電路與所述漏極D電連 接的一端電連接信號(hào)輸出端子，所述抗干擾電路與所述源極S電連接的一端電連接接地端 子，所述抗干擾電路包括同時(shí)并聯(lián)在所述漏極D和所述源極S之間的電容C1和電容C2,還 包括串聯(lián)在所述漏極D與所述信號(hào)輸出端子之間的磁珠 FB1，及串聯(lián)在所述源極S與所述接 地端子之間的磁珠 FB2。
[0006] 作為一種實(shí)施方式，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所述漏極D與所述電容C1的一端之間， 所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述源極S與所述電容C1的另一端之間。
[0007] 作為另一種實(shí)施方式，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所述電容C2的一端與所述信號(hào)輸出端 子之間，所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述電容C2的另一端與所述接地端子之間。
[0008] 其中，所述磁珠 FBI和所述磁珠 FB2的規(guī)格均為100MHz，100 Ω?1800 Ω。
[0009] 其中，所述電容C1和所述電容C2的容值均為10pF?100pF。
[0010] 采用了上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型的有益效果是：
[0011] 由于本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，聲電轉(zhuǎn)換模塊電連接 有場(chǎng)效應(yīng)管，場(chǎng)效應(yīng)管電連接有抗干擾電路，抗干擾電路包括同時(shí)并聯(lián)在場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D 和源極S之間的電容C1和電容C2,還包括串聯(lián)在場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D與信號(hào)輸出端子間的磁 珠 FB1，及串聯(lián)在場(chǎng)效應(yīng)管的源極S與接地端子之間的磁珠 FB2。電容C1和電容C2可以過濾 掉頻段在900MHz?1800MHz的干擾信號(hào)，磁珠 FBI和磁珠 FB2可以過濾掉頻段在100MHz附 近的干擾信號(hào)。本實(shí)用新型電容式麥克風(fēng)的抗干擾電路采用電容與磁珠相結(jié)合的結(jié)構(gòu)，不 僅可以過濾掉頻段在900MHz?1800MHz的干擾信號(hào)，同時(shí)還可以過濾掉頻段在100MHz? 900MHz及1800MHz?3000MHz的干擾信號(hào)（如圖4和圖5所示），提高了麥克風(fēng)抗干擾的 能力，降低了不同頻段干擾信號(hào)對(duì)麥克風(fēng)性能的影響，有效的減少了麥克風(fēng)的噪音，提升了 電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電容式麥克風(fēng)的電路原理圖；
[0013] 圖2是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例一和實(shí)施例二的電路原理圖；
[0014] 圖3是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例三和實(shí)施例四的電路原理圖；
[0015] 圖4是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例一和實(shí)施例三的仿真圖；
[0016] 圖5是本實(shí)用新型抗干擾的電容式麥克風(fēng)實(shí)施例二和實(shí)施例四的仿真圖；

【具體實(shí)施方式】
[0017] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0018] 實(shí)施例一：
[0019] 如圖2所不，一種抗干擾的電容式麥克風(fēng)，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM，聲電轉(zhuǎn)換模塊 ECM為麥克風(fēng)中的固定極板和可移動(dòng)的振膜及其它輔助零件組成的等效可變電容器。聲電 轉(zhuǎn)換模塊ECM的一端電連接一場(chǎng)效應(yīng)管FET的柵極G，聲電轉(zhuǎn)換模塊ECM的另一端與場(chǎng)效應(yīng) 管FET的源極S短接。場(chǎng)效應(yīng)管FET的漏極D與源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路FB+C，抗干 擾電路FB+C與漏極D電連接的一端電連接信號(hào)輸出端子A，抗干擾電路FB+C與源極S電連 接的一端電連接接地端子B?？垢蓴_電路FB+C包括同時(shí)并聯(lián)在漏極D與源極S之間的電容 C1和電容C2,還包括串聯(lián)在漏極D與電容C1的一端之間的磁珠 FB1，及串聯(lián)在源極S與電 容C1另一端的磁珠 FB2。
[0020] 在本實(shí)用新型中，磁珠 FBI和磁珠 FB2的取值范圍在100Ω?1800Ω (100MHz)之 間可選，電容C1和電容C2的取值范圍在10pF?100pF。這種電容+磁珠的組合方式，不 僅可以過濾掉頻段為900MHz?1800MHz的干擾信號(hào)，同時(shí)還可以過濾掉頻段為100MHz? 900MHz的干擾信號(hào)。本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖4所示，其可過濾掉頻段為100MHz? 3000MHz的干擾信號(hào)?？梢姳緦?shí)施方式不僅可以過濾掉頻段為900MHz?1800MHz的干擾信 號(hào)，同時(shí)還可以過濾掉頻段為100MHz?900MHz以及1800MHz?3000MHz的干擾信號(hào)，提高 了麥克風(fēng)抗干擾的能力，降低了不同頻段干擾信號(hào)對(duì)麥克風(fēng)性能的影響，有效的減少了麥 克風(fēng)產(chǎn)生噪音的現(xiàn)象，提升了電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)。
[0021] 實(shí)施例二：
[0022] 如圖2所示，本實(shí)施方式與實(shí)施例一基本相同，其不同之處在于：
[0023] 電容C1的容值為33pF，可過濾掉頻段為900MHz的干擾信號(hào)；電容C2的容值為 100pF，可過濾掉頻段為1000MHz的干擾信號(hào)。故本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖5所示，其同 樣可過濾掉頻段為100MHz?3000MHz的干擾信號(hào)。
[0024] 實(shí)施例三：
[0025] 如圖3所不，本實(shí)施方式與實(shí)施例一基本相同，其不同之處在于：
[0026] 磁珠 FBI串聯(lián)在電容C2的一端與信號(hào)輸出端子A之間，磁珠 FB2串聯(lián)在電容C2 的另一端與接地端子B之間。
[0027] 本實(shí)施方式中磁珠 FBI和磁珠 FB2的規(guī)格均為100MHz，100 Ω?1800 Ω ;電容C1 的容值為10pF，可過濾掉頻段為1800MHz的干擾信號(hào)；電容C2的容值為33pF，可過濾掉頻 段為900MHz的干擾信號(hào)。本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖4所示，其可過濾掉頻段為100MHz? 3000MHz的干擾信號(hào)。
[0028] 實(shí)施例四：
[0029] 如圖3所不，本實(shí)施方式與實(shí)施例三基本相同，其不同之處在于：
[0030] 電容C1的容值為33pF，可過濾掉頻段為900MHz的干擾信號(hào)；電容C2的容值為 100pF，可過濾掉頻段為1000MHz的干擾信號(hào)。故本實(shí)施方式的仿真結(jié)果如圖5所示，其同 樣可過濾掉頻段為100MHz?3000MHz的干擾信號(hào)
[0031] 由上述各實(shí)施例可知，本實(shí)用新型電容式麥克風(fēng)的抗干擾電路采用電容與磁珠相 結(jié)合的結(jié)構(gòu)，不僅可以過濾掉頻段在900MHz?1800MHz的干擾信號(hào)，同時(shí)還可以過濾掉頻 段在100MHz?900MHz及1800MHz?3000MHz的干擾信號(hào)，提高了電容式麥克風(fēng)的抗干擾 能力，降低了不同頻段干擾信號(hào)對(duì)電容式麥克風(fēng)性能的影響，有效的減少了電容式麥克風(fēng) 的噪音，提升了電容式麥克風(fēng)的品質(zhì)。實(shí)施方案的麥克風(fēng)應(yīng)用于高頻干擾信號(hào)源比較復(fù)雜 的環(huán)境下，會(huì)比現(xiàn)在普通電路的麥克風(fēng)有更好的抗RF干擾效果。
[0032] 本實(shí)用新型不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出 發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)，所作出的種種變換，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 抗干擾的電容式麥克風(fēng)，包括聲電轉(zhuǎn)換模塊，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的一端電連接一場(chǎng) 效應(yīng)管的柵極G，所述聲電轉(zhuǎn)換模塊的另一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極S短接，所述場(chǎng)效應(yīng)管 的漏極D與所述源極S之間并聯(lián)有抗干擾電路，所述抗干擾電路與所述漏極D電連接的一 端電連接信號(hào)輸出端子，所述抗干擾電路與所述源極S電連接的一端電連接接地端子，其 特征在于，所述抗干擾電路包括同時(shí)并聯(lián)在所述漏極D和所述源極S之間的電容C1和電容 C2,還包括串聯(lián)在所述漏極D與所述信號(hào)輸出端子之間的磁珠 FB1，及串聯(lián)在所述源極S與 所述接地端子之間的磁珠 FB2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所 述漏極D與所述電容C1的一端之間，所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述源極S與所述電容C1的另 一端之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述磁珠 FBI串聯(lián)在所 述電容C2的一端與所述信號(hào)輸出端子之間，所述磁珠 FB2串聯(lián)在所述電容C2的另一端與 所述接地端子之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述磁珠 FBI和所 述磁珠 FB2的規(guī)格均為100MHz，100 Ω?1800 Ω。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述電容C1和所述電 容C2的容值均為10pF?100pF。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述電容Cl的容值為 10pF，所述電容C2的容值為33pF。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗干擾的電容式麥克風(fēng)，其特征在于，所述電容Cl的容值為 33pF，所述電容C2的容值為100pF。
【文檔編號(hào)】H04R3/00GK203912198SQ201420287805
【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】趙志剛, 安春璐 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司