基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，其特征在于，主要由處理單元，與該處理單元相連接的圖像傳感器，與處理單元相連接的微處理器MCU，基極與微處理器MCU的P10管腳相連接、發(fā)射極與列地址寄存器相連接、而集電極經(jīng)電阻R13后與微處理器MCU的COM管腳相連接的三極管Q3，基極與微處理器MCU的P20管腳相連接、發(fā)射極與行地址寄存器相連接。本實用新型的整體結(jié)構(gòu)非常簡單，其處理速度較快，處理1028*1028像素的圖片僅需0.5s，為傳統(tǒng)處理速度的10倍以上。
【專利說明】基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于圖像處理【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是指基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，以掃描儀為代表的圖像識別產(chǎn)品層出不窮，其極大的豐富了人們的生活。但是，目前這些圖像識別產(chǎn)品的圖像識別能力具有一定的局限性，即其圖像識別速度和精度仍然不高，加之在識別過程中會出現(xiàn)圖像或紙張與掃描傳感器不嚴密貼合的情況，因此會導(dǎo)致出現(xiàn)失真區(qū)域，不能真實的反映出實際效果。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的在于克服目前圖像識別系統(tǒng)所存在的識別速度和精度不高，以及會出現(xiàn)失真區(qū)域的缺陷，提供基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)。
[0004]本實用新型的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，主要由處理單元，與該處理單元相連接的圖像傳感器，與處理單元相連接的微處理器MCU，基極與微處理器MCU的PlO管腳相連接、發(fā)射極與列地址寄存器相連接、而集電極經(jīng)電阻R13后與微處理器MCU的COM管腳相連接的三極管Q3，基極與微處理器MCU的P20管腳相連接、發(fā)射極與行地址寄存器相連接，而集電極經(jīng)電阻R13后與微處理器MCU的COM管腳相連接的晶體管Q4，基極經(jīng)電阻R8后與微處理器MCU的P30管腳相連接、集電極經(jīng)電阻R9后與微處理器MCU的COM管腳相連接、而發(fā)射極則順次經(jīng)電阻R6和電阻R7后與處理單元相連接的晶體管Q2，以及P極與微處理器MCU的BD管腳相連接、N極與晶體管Q2的發(fā)射極相連接的二極管D2組成。
[0005]進一步地，所述的處理單元由驅(qū)動電路，以及與驅(qū)動電路相連接的處理電路構(gòu)成；所述驅(qū)動電路由高速驅(qū)動芯片K，三極管Q1，一端與高速驅(qū)動芯片K的FX管腳相連接、另一端與三極管Ql的基極相連接的電阻R10，一端與高速驅(qū)動芯片K的Fl管腳相連接、另一端經(jīng)電容ClO后與高速驅(qū)動芯片K的FC管腳相連接的電阻Rl I，以及一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)極性電容Cll后與高速驅(qū)動芯片K的BE管腳相連接的電阻R12組成；所述三極管Ql的集電極接地，且所述圖像傳感器直接與高速驅(qū)動芯片K的F2管腳相連接，而高速驅(qū)動芯片K的BN端則與微處理器MCU的BM端相連接。
[0006]所述的處理電路由驅(qū)動芯片U，P極與驅(qū)動芯片U的SW管腳相連接、N極經(jīng)極性電容Cl后接地的二極管D1，一端與二極管Dl的N極相連接、另一端經(jīng)電阻R2后接地的電阻Rl，一端與驅(qū)動芯片U的COMP管腳相連接、另一端接地的電容C2，一端與驅(qū)動芯片U的COMP管腳相連接、另一端經(jīng)電容C3后接地的電阻R3，一端與驅(qū)動芯片U的VIN管腳相連接、另一端接地的電容C5和極性電容C6，一端與驅(qū)動芯片U的VIN管腳相連接、另一端經(jīng)電阻R5后接地的電阻R4，與電阻R5相并聯(lián)的電容C7，以及一端與驅(qū)動芯片U的SS管腳相連接、另一端接地的電容C4組成；所述電阻Rl和電阻R2的連接點還與驅(qū)動芯片U的FB管腳相連接；所述驅(qū)動芯片U的MIN管腳與高速驅(qū)動芯片K的Ml管腳相連接，驅(qū)動芯片U的MOUT管腳與高速驅(qū)動芯片K的M2管腳相連接。
[0007]為確保使用效果，所述的驅(qū)動芯片U為LT1942型集成芯片，所述高速驅(qū)動芯片K為EMD2050型集成芯片，所述的行地址寄存器和列地址寄存器的數(shù)量均為一個以上。
[0008]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下優(yōu)點和有益效果:
[0009](I)本實用新型的整體結(jié)構(gòu)非常簡單，其處理速度較快，處理1028*1028像素的圖片僅需0.5s,為傳統(tǒng)處理速度的10倍以上。
[0010](2)本實用新型集成了 LT1941型集成芯片、EMD2050高速集成芯片，因此能極大的提聞單位時間的圖像巾貞處理效率，從而提聞識別效率。
[0011](3)本實用新型開創(chuàng)性的采用了列地址寄存器和行地址寄存器來作為存儲系統(tǒng)，不僅能分別對行地址和列地址進行分類存儲，而且還能逐行對圖像進行行地址掃描和排列，從而極大的提供掃描精度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合實施例及附圖，對本實用新型作進一步地詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。
[0014]如圖1所示，本實施例的基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)主要由處理單元，與該處理單元相連接的圖像傳感器，與處理單元相連接的微處理器MCU，以及晶體管Q2、晶體管Q3、晶體管Q4、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R13、二極管D2，列地址寄存器和行地址寄存器組成。
[0015]其中，三極管Q3的基極與微處理器MCU的PlO管腳相連接、其發(fā)射極與列地址寄存器相連接、而集電極則經(jīng)電阻R13后與微處理器MCU的COM管腳相連接；晶體管Q4的基極與微處理器MCU的P20管腳相連接、發(fā)射極與行地址寄存器相連接，而集電極經(jīng)電阻R13后與微處理器MCU的COM管腳相連接；晶體管Q2的基極經(jīng)電阻R8后與微處理器MCU的P30管腳相連接、集電極經(jīng)電阻R9后與微處理器MCU的COM管腳相連接、而發(fā)射極則順次經(jīng)電阻R6和電阻R7后與處理單元相連接；所述的二極管D2的P極與微處理器MCU的BD管腳相連接、而N極與晶體管Q2的發(fā)射極相連接。
[0016]所述處理單元由驅(qū)動電路，以及與驅(qū)動電路相連接的處理電路構(gòu)成。如圖1所示，該驅(qū)動電路由高速驅(qū)動芯片K，三極管Q1，電阻R10、電阻R11、電阻R12、電容ClO及極性電容Cll組成。連接時，電阻RlO的一端與高速驅(qū)動芯片K的FX管腳相連接、另一端與三極管Ql的基極相連接；電阻Rll的一端與高速驅(qū)動芯片K的Fl管腳相連接、另一端經(jīng)電容ClO后與高速驅(qū)動芯片K的FC管腳相連接；電阻R12的一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)極性電容Cll后與高速驅(qū)動芯片K的BE管腳相連接。
[0017]同時，所述三極管Ql的集電極接地，且圖像傳感器直接與高速驅(qū)動芯片K的F2管腳相連接，而高速驅(qū)動芯片K的BN端則與微處理器MCU的BM端相連接。
[0018]所述的處理電路由驅(qū)動芯片U、極性電容Cl、二極管D1、電阻Rl、電阻R2、電容C2、電阻R3、電容C3、電容C4、電阻R4、電容C7、極性電容C6、電容C5及電阻R5。連接時，二極管Dl的P極與驅(qū)動芯片U的SW管腳相連接、N極經(jīng)極性電容Cl后接地；電阻Rl的一端與二極管Dl的N極相連接、另一端經(jīng)電阻R2后接地；電容C2的一端與驅(qū)動芯片U的COMP管腳相連接、另一端接地；電阻R3的一端與驅(qū)動芯片U的COMP管腳相連接、另一端經(jīng)電容C3后接地；極性電容C6的一端與驅(qū)動芯片U的VIN管腳相連接、另一端接地，同時，電容C5的一端與驅(qū)動芯片U的VIN管腳相連接、另一端接地。
[0019]電阻R4的一端與驅(qū)動芯片U的COMP管腳相連接，其另一端經(jīng)電阻R5后接地，電容C7則與電阻R5相并聯(lián)；電容C4的一端與驅(qū)動芯片U的SS管腳相連接、另一端接地。同時，電阻Rl和電阻R2的連接點還與驅(qū)動芯片U的FB管腳相連接。同時，電阻R7的另一端還與驅(qū)動芯片U的VIN管腳相連接。
[0020]為確保使用效果，本實施例中的驅(qū)動芯片U優(yōu)先采用LT1942型集成芯片來實現(xiàn)，而高速驅(qū)動芯片K則采用EMD2050型集成芯片來實現(xiàn)。
[0021]如上所述，便可較好的實現(xiàn)本實用新型。
【權(quán)利要求】
1.基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，其特征在于，主要由處理單元，與該處理單元相連接的圖像傳感器，與處理單元相連接的微處理器MCU，基極與微處理器MCU的PlO管腳相連接、發(fā)射極與列地址寄存器相連接、而集電極經(jīng)電阻R13后與微處理器MCU的COM管腳相連接的三極管Q3，基極與微處理器MCU的P20管腳相連接、發(fā)射極與行地址寄存器相連接，而集電極經(jīng)電阻R13后與微處理器MCU的COM管腳相連接的晶體管Q4，基極經(jīng)電阻R8后與微處理器MCU的P30管腳相連接、集電極經(jīng)電阻R9后與微處理器MCU的COM管腳相連接、而發(fā)射極則順次經(jīng)電阻R6和電阻R7后與處理單元相連接的晶體管Q2，以及P極與微處理器MCU的BD管腳相連接、N極與晶體管Q2的發(fā)射極相連接的二極管D2組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，其特征在于，所述的處理單元由驅(qū)動電路，以及與驅(qū)動電路相連接的處理電路構(gòu)成；所述驅(qū)動電路由高速驅(qū)動芯片K，三極管Q1，一端與高速驅(qū)動芯片K的FX管腳相連接、另一端與三極管Ql的基極相連接的電阻R10，一端與高速驅(qū)動芯片K的Fl管腳相連接、另一端經(jīng)電容ClO后與高速驅(qū)動芯片K的FC管腳相連接的電阻R11，以及一端與三極管Ql的發(fā)射極相連接、另一端經(jīng)極性電容Cll后與高速驅(qū)動芯片K的BE管腳相連接的電阻R12組成；所述三極管Ql的集電極接地，且所述圖像傳感器直接與高速驅(qū)動芯片K的F2管腳相連接，而高速驅(qū)動芯片K的BN端則與微處理器MCU的BM端相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，其特征在于，所述的處理電路由驅(qū)動芯片U，P極與驅(qū)動芯片U的SW管腳相連接、N極經(jīng)極性電容Cl后接地的二極管D1，一端與二極管Dl的N極相連接、另一端經(jīng)電阻R2后接地的電阻R1，一端與驅(qū)動芯片U的COMP管腳相連接、另一端接地的電容C2，一端與驅(qū)動芯片U的COMP管腳相連接、另一端經(jīng)電容C3后接地的電阻R3，一端與驅(qū)動芯片U的VIN管腳相連接、另一端接地的電容C5和極性電容C6，一端與驅(qū)動芯片U的VIN管腳相連接、另一端經(jīng)電阻R5后接地的電阻R4，與電阻R5相并聯(lián)的電容C7，以及一端與驅(qū)動芯片U的SS管腳相連接、另一端接地的電容C4組成；所述電阻Rl和電阻R2的連接點還與驅(qū)動芯片U的FB管腳相連接；所述驅(qū)動芯片U的MIN管腳與高速驅(qū)動芯片K的Ml管腳相連接，驅(qū)動芯片U的MOUT管腳與高速驅(qū)動芯片K的M2管腳相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，其特征在于，所述的驅(qū)動芯片U為LT1942型集成芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求2?4任一項所述的基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，其特征在于，所述高速驅(qū)動芯片K為EMD2050型集成芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于多寄存器的數(shù)字圖形處理系統(tǒng)，其特征在于，所述的行地址寄存器和列地址寄存器的數(shù)量均為一個以上。
【文檔編號】H04N1/21GK204031263SQ201420364889
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月3日
【發(fā)明者】劉霖, 方晶敏, 趙麗 申請人:寧波摩米創(chuàng)新工場電子科技有限公司